DD298446A5

DD298446A5 - Optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu dessen herstellung

Info

Publication number: DD298446A5
Application number: DD90339479A
Authority: DD
Inventors: Koji Tsuzukiyama; Hidehiko Hashimoto
Original assignee: ��@��@��k��Kk��
Priority date: 1989-04-06
Filing date: 1990-04-05
Publication date: 1992-02-20
Also published as: JPH02265051A

Abstract

Die Erfindung betrifft ein optisches Aufzeichnungsmedium, das eine Aufzeichnungsschicht auf einem Substrat und einen Schutzfilm auf einer Lichtreflexionsseite und/oder einer Lichttransmissionsseite der Aufzeichnungsschicht enthaelt, wobei der Schutzfilm zumindest Si, Cr und N enthaelt. Dabei liegt das Atomverhaeltnis von Si und Cr, im Schutzfilm bei Si1xCrx, worin x in folgendem Bereich liegt: 0,050,4. Das optische Aufzeichnungsmedium kann einen Risz eines Schutzfilms verhindern und vergroeszert den Schutzeffekt des Schutzfilmes. Es hat einen optischen Vergroeszerungeeffekt infolge des Chromgehaltes.{Aufzeichnungsmedium, optisches; Aufzeichnungsschicht; Schutzfilm; Informationsverarbeitung; Magneto-Optik; Kerr-Effekt; Lichtreflexion; Lichttransmission; Legierungstarget}

Description

Hierzu 1 Seite Zeichnungen

Anwendungsgebiet der Erfindung

Diese Erfindung betrifft ein optisches Aufzeichnungsmedium, welches eine Aufzeichnungsschicht enthält, sowie ein Verfahren zur Herstellung des optischen Aufzeichnungsmediums. Insbesondere betrifft diese Erfindung ein optisches Aufzeichnungsmedium, welches einen Schutzfilm enthält, der keinen Filmriß verursacht, einen ausgezeichneten optischen Vergrößerungseffekt sowie eine hervorragende Schutzfunktion für die Aufzeichnungsschicht aufweist. Diese Erfindung betrifft ebenfalls insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums mit einem solchen Schutzfilm mit einer hohen Arbeitsleistungsfähigkeit für den Filmniederschlag.

Charakteristik des bekannten Standes der Technik

Von den optischen Aufzeichnungsmedien, mit denen das Aufzeichnen von Informationen auf die Aufzeichnungsschicht sowie das Wiedergeben der aufgezeichneten Information davon durch die Anwendung eines Energiestrahles, wie Laser und dergleichen, durchgeführt werden, sind ein optisches Aufzeichnungsmedium der Art, daß es nur Informationen wiedergibt, beispielsweise eine Kompaktscheibe (CD) sowie CD-ROM, ein optisches Aufzeichnungsmedium der Art, daß nur einmal Informationen aufgeschrieben werden, welches in der Lage ist, aufzunehmen aber keine Informationen löschen kann, sowie ein optisches Aufzeichnungsmedium der Art bekannt, daß Informationen häufig erneut aufgezeichnet werden können. In den letzten Jahren ist das optische Aufzeichnungsmedium der Art, daß erneut aufgezeichnet werden kann, insbesondere attraktiv geworden, da dieses System den Vorteil aufweist, daß Informationen häufig erneut aufgezeichnet werden können. Als das optische Aufzeichnungsmedium dieser Art wurden ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium mit einer magnetooptischen Aufzeichnungsschicht, welche eine uniaxiale magnetische Anisotropie aufweist, die senkrecht zu einer Filmoberfläche eines Films steht, der die Aufzeichnungsschicht bildet, sowie ein optisches Phasenänderungs-Aufzeichnungsmedium entwickelt, welches eine Phasenänderung zwischen einem amorphen und einem kristallenen Zustand verwendet.

Bei dem magnetooptischen Aufzeichnungsmedium wird ein Laserlicht auf die Aufzeichnungsschicht gestrahlt, was zu einer Rotation einer Polarisationsebene des Transmissions· oder Reflexionslichtes aufgrund des Magnetisierungszustandes (Größe

und/oder Richtung) an dem bestrahlten Bereich führt. Unter der Verwendung seines Phänomens (Kerr-Effekt und/oder Faracly-Effekt) ermöglicht somit das magnetooptische Aufzeichnungsmedium die Wiedergabe von Informationen. Um das Informationswiedergabogerät kompakt herzustellen, wird gegenwärtig bevorzugt das magnetooptische Aufzeichnungsmedium der Art verwendet, welches die Information unter Verwendung des Kerr-Effektes wiedergibt, da es einfacher ist, einen Rotationswinkel (Kerr-Rotationswinkel) in der Polarisationsebene des Reflexionslichtes zu bestimmen. Je größer der Kerr-Rotationswinkel ist, um so weniger ist mittlerweise der Auslesefehler zur Zeit der Informationswiedergabe; daher sind verschiedene Versuche auf die Vergrößerung des Kerr-Rotationswinkels gerichtet.

Beispielsweise beschreibt die japanische Patentveröffentlichung Nr. 56-156943 ein Zwischenlegen eines Schutzfilms zwischen dem magnetooptischen Aufzeichnungsfilm und dem transparenten Substrat, wobei dieser Schutzfilm einen transparenten dielektrischen Film enthält, welcher als ein Vergrößerungsfilm für die Vergrößerung des Kerr-Effektes dient. Dadurch wird eine scheinbare Vergrößerung des Kerr-Rotationswinkels erreicht. Es ist bekannt, daß das Material, welches den Schutzfilm bildtt, einen transparenten, dielektrischen Film enthält, welcher dazu dient, den Kerr-Effekt zu vergrößern, aus einem Oxid, wie ZrO₂, TiO₂, Bi₂O₃ und SiO, sowie aus einem Nicht-Oxid, wie CdS, Si₃N₄, AIN, SiC und ZnS, hergestellt ist. Der transparente dielektrische Film aus einem Nicht-Oxid ist, im Vergleich mit dem Oxidfilm, besser hinsichtlich d jr Schutzwirkung, um die Resistenz gegen Oxidation und Korrosion zu vergrößern. Es wird angenommen, daß dieser Film als der Schutzfilm verwendet wird. Jedoch selbst wenn der transparente dielektrische Film, der Si₃N₄ enthält, eine ausreichende Funktion als Schutzfilm aufweist, hat er dennoch die Nachteile, daß der Refraktionsindex 1,8 bis 2,0 ist und weniger ist als der Wert des den dielektrischen Film bildenden Materials des anderen Nicht-Oxid-Systems (ZnS, CdS, SiC oder dergleichen), und der Vergrößerungseffekt des Kerr-Effektes ist gering.

Um diese Probleme zu bewältigen, wurde die Technik entwickelt, daß der dünne transparente, dielektrische Film, der eine Hauptkomponente aus Siliziumnitrid (Si₃N₄) und eine dritte Komponente eines Elementes bzw. von Elementen, wie Ti, Zr, Mo oder dergleichen, enthält, als ein Schutzfilm verwendet wird, der den Kerr-Effekt vergrößert, wie es in tier japanischen Patentveröffentlichung Nr.61-22458 beschrieben ist, die den US-PSen 4680742 und 4851096 entspricht. Wenn der transparente dielektrische, dünne Film, der Si₃N₄ enthält, zusammen mit dem Element bzw. den Elementen als die dritte Komponente auf dem Substrat übereinandergeschichtet und als Schutzfilm verwendet wird, der den Kerr-Effekt vergrößert, gab es jedoch die Möglichkeit, daß Filmrisse hervorgerufen werden und daß die Schutzwirkung für die Aufzeichnungsschicht gering wurde.

Zusätzlich wurden bisher folgende Verfahren verwendet, um eine Vergrößerungsschicht aus einer solchen Zusammensetzung auf dem Substrat niederzuschlagen: ein Verfahren, welches ein gemeinsames Bedampfen eines Si₃N₄-Targets und eines alpha-Element-Targets verwendet; ein Verfahren, welches ein Bedampfen eines Zusammensetzungs-Targets verwendet, wobei die alpha-Element-Chips auf dem Si₃N₄ sind; ein Verfahren, welches ein reaktives gemeinsames Bedampfen eines Si-Targets und eines alpha-Element-Targets verwendet; und ein Verfahren, welches ein reaktives Bedampfen eines Zusammensetzungs-Targets verwendet, wobei die alpha-Element-Chips auf dem Si-Target sind. Wenn das Si₃N₄-Target verwendet wird, ist jedoch die elektrische Isolationseigenschaft des Si₃N₄ hoch, und wenn das Si-Target verwendet wird, ist eine spezifische elektrische Resistenz von Si hoch, und ein isolierender dünner Film wird auf der Si-Targetoberfläche in dem Fall des reaktiven Bedampfens niedergeschlagen. Es war daher unerläßlich, ein Radiofrequenz (RF)-Bedampfen zu verwenden und es war unmöglich, ein Gleichstrom (DC)-Bedampfen zu verwenden. Das DC-Bedampfen ist, im Vergleich mit dem RF-Bedampfen, hoch bezüglich der Filmniederschlagungsrate und hinsichtlich d 9r Leistungsfähigkeit bei dem Filmniederschlag besser. Es sollte eine Filmniederschlagstechnik für den Schutzfilm entwickelt werden, die auf dem DC-Bedampfen beruht. Die oben beschriebenen Nachteile des Standes der Technik wurden durch diese Erfindung erfolgreich eliminiert.

Ziel der Erfindung

Es ist ein Ziel dieser Erfindung, ein optisches Aufzeichnungsmedium zur Verfügung zu stellen, dessen Schutzschicht eine hohe Resistenz bezüglich der Korrosion, einen hohen Vergrößerungseffekt sowie kaine Rißbildung aufweist. Ein weiteres Ziel dieser Erfii..' ig liegt darin, ein Verfahren zur Herstellung des optischen Aufzeichnungsmediums vorzuschlagen, mit dem ein solcher Schutzfilm auf einem Substrat und/oder einer Aufzeichnungsschicht mit einer hohen Effizienz gebildet werden kann, wobei ein reaktives DC-Bedampfen verwendet wird.

Darlegung des Wesens der Erfindung

Das Ziel dieser Erfindung wird durch ein optisches Aufzeichnungsmedium erreicht, welches eine Aufzeichnungsschicht auf einem Substrat und einen Schutzfilm auf einer Lichtreflexionsseite und/oder einer Lichttransmissionsseite der Aufzeichnungsschicht enthält, wobei der Schutzfilm zumindest Si, Cr und N enthält.

Es ist vorzuziehen, daß des Atomverhältnis von Si und Cr, welche in dem Schutzfilm enthalten sind, durch Si|._xCr_x dargestellt wird, worin χ in folgendem Bereich liegt: 0,05^x^0,4.

Das erfindungsgemäße optische Aufzeichnungsmedium kann einen Riß eines Schutzfilms verhindern und vergrößert den Schutzeffekt des Schutzfilmes sowie einen optischen Vergrößerungseffekt, da der Schutzfilm außer Si und N auch Cr enthält. Das erfindungsgemäße Ziel wird außerdem durch ein Verfahren zur Herstellung des optischen Aufzeichnungsmediums erreicht, indem ein solcher Schutzfilm auf einer lichtreflektierenden Seite und/oder einer Lichttransmissionsseite der Aufzeichnungsschicht gebildet wird, die auf dem Substrat gebildet ist, indem ein Legierungstarget aus Si und einem Element, welches aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einem Metallelement, Semimetallelement und einem halbleitenden Element besteht, welches eine geringere spezifische, elektrische Resistenz aufweist als Si, vorzugsweise ein Legierungstarget aus Si und Cr als eine Kathode und in einer Atmosphäre aus gemischtem Gas verwendet wird, welches zumindest Inertgas und N₂-GaS enthält, wobei ein DC-Magnetron-Bedampfen verwendet wird. Die Legierung, beispielsweise das Si-Cr-Target, ermöglicht, ein reaktives DC-Bedampfen zu verwenden, was nicht zur Bildung eines Siliziumnitrid-Films verwendet wurde. Als ein Ergebnis wird eine hohe Arbeitsleistung bei der Bildung ainer Schutzschicht erreicht.

-3- 298 Ausführungebeisplele

Die Erfindung sowie vorteilhafte Ausführungen und Weiterbildungen der Erfindung werden nachfolgend im Zusammenhang mit den Abbildungen noch näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1: einen Schnitt durch eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Aufzeichnungsmediums; und Fig. 2: einen Schnitt durch eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Aufzeichnungsmediums.

Wie in Fig. 1 dargestellt ist, weist ein erfindungsgemäßes optisches Aufzeichnungsmedium 1 beispielsweise eine Struktur auf,

bei der ein Schutzfilm 3 und eine Aufzeichnungsschicht 4 auf einem Substrat 2 in der erwähnten Reihenfolgeübereinandergeschichtet sind. Das erfindungsgemäße optische Aufzeichnungsmedium kann beispielsweise eine andere

Struktur aufweisen, bei dem ein Schutzfilm nicht zwischen dem Substrat 2 und der Aufzeichnungsschicht 4, sondern nur auf der Oberfläche der Aufzeichnungsschicht 4 gebildet ist. Es kann auch eine Struktur aufweisen, bei der ein Schutzfilm 3, eine Au 'zeichnungsschicht 4 und ein Schutzfilm 3 aufeinanderfolgend auf dem Substrat 2 übereinandergeschichtet sind. Eine Reflexionsschicht 5 und/oder eine hoch wärmeleitfähige Schicht kann auf die Oberfläche der Aufzeichnungsschicht 2, wie es in Fig. 2 dargestellt ist, oder auf dem Schutzfilm gebildet sein, der auf der Aufzeichnungsschicht gebildet ist. In den Ausführungsbeispielen von Fig. 1 und 2 ist das optische Aufzeichnungsmedium dargestellt, welches so gestaltet ist, daß

ein Energiestrahl, beispielsweise ein Laserstrahl, aus der Richtung des Pfeils A auftrifft, und eine Veränderung der optischen

Eigenschaft des reflektierten Lichtes in entgegengesetzter Richtung wird gemessen. Bei diesen Ausführungsbeispielen dient der Schutzfilm, der zwischen dem Substrat 2 und der Aufzeichnungsschicht 4 gelegen ist, als eine Vergrößerungsschicht, um die Änderung der optischen Eigenschaft ebenfalls zu vergrößern. Das Material des Substrates 2 ist nicht auf ein bestimmtes Material begrenzt, aber ein transparentes Material ist bevorzugt. Sowohl anorganische Materialien, wie Glas oder Aluminium, als auch organische Materialien, wie Polymethylmethacrylat, Polykarbonat, Polymerlegierung von Polykarbonat und Polystyrol, Ethylen-Cycloolefin-Copolymer, wie solche, die in US-PS 4614778 beschrieben sind, einschließlich Copolymere von Ethylen mit 1,4,5,8-Dimethan-1,2,3,4,4a,5,8,8a-

octahydronaphtha'in (tetracyclododecen), Copolymere von Ethylen mit 2-Methyl-1,4,5,8-dimethan-1,2,3,4,4 a,5,8,8 aoctahydronaphthaiin (methyltetracyclododecen) und Copolymere von Ethylen mit 2-Ethy 1-1,4,5,8-dimethan-1,2,3,4,4a,5,8,8o-octahydronaphthalin (ethyltetracyclododecen), Poly-4-niethyl-1-ponten, Epoxyharz, Polyetheisulfon, Polysulfon, Polyetherimido, Ethylen-Tetracyclododecen-Copolymer werden als das Substrat verwendet.

Das Material der Aufzeichnungsschicht 4 ist nicht auf ein bestimmtes Material begrenzt. Wenn aber die Aufzeichnungsschicht

eine magnetooptische Schicht ist, ist es bevorzugt, daß die Aufzeichnungsschicht (a) zumindest ein Element enthält, welches ausden 3d-Üb6rgangsmetallen ausgewählt ist, und (b) zumindest ein Element enthält, welches aus den seltenen Erdmetallenausgewählt ist oder (a) zumindest ein Element enthält, welches aus den 3 d-Übergangsmetallen ausgewählt ist, (b) zumindest ein

Element enthält, welches aus den seltenen Erdmetallen ausgewählt ist, und (c) Metalle enthält, die bezüglich der Korrosion

resistent sind.

Für das 3d-Übergangsmetall werden Fe, Co, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu oder Zn verwendet. Fe, Co oder beide sind bevorzugt. Die Metalle, die bezüglich der Korrosion resistent sind, vergrößern die Resistenz der Aufzeichnungsschicht gegen Säure. Pt, Pd, Ti, Zr, Ta, Mo, Nb oder dergelichen werden als das Metall verwendet, welches bezüglich der Korrosion resistent ist. Pt, Pd oder Ti

sind bevorzugt und Pt, Pd oder beide sind mehr bevorzugt.

Als das seltene Erdmetall werden Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm oder Eu verwendet, und Gd, Tb, Dy Ho, Nd, Sm oder Pr sind bevorzugt. Wenn die Aufzeichnungsschicht eine andere Schicht als eine magnetooptische Aufzeichnungsschicht ist, z. B. eine Phasenänderungsaufzeichnungsschicht, ist sie aus einem dünnen Legierungsfilm, einschließlich Te oder Se als eine Hauptkomponente, einem dünnen Te-Ge-Sb-Legierungsfilm, einem dünnen Te-Ge-Cr-Legierungsfilm, einem dünnen Te-Ge-Zn- Legierungsfilm, einem dünnen In-Sb-Te-Legierungsfilm oder dergleichen gebildet. Das Material einer Reflexionsschicht 5, die durch Fig. 2 dargestellt wird, ist ebenfalls nicht auf ein bestimmtes Material begrenzt. Als Beispiel dienen eine Nickellegierung mit einer thermischen Leitfähigkeit von 2 J/cm · sek · K ist, dessen thermische Leitfähigkeit 0,71 J/cm · sek · K ist, Pd, dessen thermische Leitfähigkeit 0,76J/cm K ist, Ti, dessen thermische Leitfähigkeit

0,22 J/cm sek K ist, Co, dessen thermische Leitfähigkeit 0,99 J/cm · K ist, Zr, dessen thermische Leitfähigkeit 0,23 J/cm · sek · Kist, sowie eine Legierung dieser Metalle.

Für die hoch wärmeleitfähige Schicht wird eine Al-Legierung verwendet, beispielsweise eine Ai-Hf-Legierung, Al-Hf-Ti- Legierung, Al-Cr-Ti-Legierung, Al-Nb-Legierung, Al-Cr-Hf-Legierung, Al-Ti-Nb-Legierung, Al-Mg-Hf-Legierung, Al-Mg-Ti- Legierung, Al-Mg-Nb-Legierung, Al-Mg-Ti-Hf-Legierung und Al-Mg-Cr-Legierung. Die Mengen der Metalle außer Al in diesen Legierungen liegen bevorzugt bei 10 Atom-% oder weniger. Der Schutzfilm des erfindungsgemäßen optischen Aufzeichnungsmediums setzt sich aus einem dünnen Film zusammen, der

zumindest Si, Cr und N enthält. Das Atomverhältnis von diesen Elementen wird durch die folgende Formel dargestellt:

worin χ folgender Formel genügt 0,05<χs0,4, vorzugsweise 0,1 Sx<0,3, und wobei y folgender Formel genügt 0<y<0,9, vorzugsweise 0,01 <y <0,9, mohr vorzugsweise 0,2£y <0,57. Ein Schutzfilm, der Si, Cr und N in diesem Bereich enthält, weist einen hohen Schutzeffekt auf, führt nicht zur Rißbildung und hat einen höheren optischen Vergrößerungseffekt als ein Schutzfilm, der kein Cr enthält. Darüber hinaus ermöglicht der Schutzfilm die Bildung der Schicht unter Verwendung des reaktiven DC-Bedampfens, was für die Bildung eines dünnen Siliziumnitridfilms, der kein Cr enthält, nicht verwendet wurde. Als ein Ergebnis wird ein großer Vorteil hinsichtlich der Arbeitsleistungsfähigkeit bei der Bildung der Schutzschicht erreicht. Die erfindungsgemäße Aufzeichnungsschicht 4 weist eine Dicke von vorzugsweise 50 bis 5000 Angström, menr vorzugsweise von 100 bis 2000 Angström auf. Der erfindungsgemäße Schutzfilm 3 weist eine Dicke von vorzugsweise 50 bis 5000Angström, mehr vorzugsweise von 100 bis 3000 Angström auf.

Das Verfahren zur Herstellung des Schutzfilms 3 auf dem Substrat 2 oder der Aufzeichnungsschicht 4 wird nachfolgend

beschrieben. Der erfindungsgemäße Schutzfilm kann durch reaktives Bedampfen (reaktives RF-Bedampfen, reaktives

DC-Bedampfen) eines Zusammensetzungs-Targets, wobei Cr-Chips auf einem Si-Target sind, odereines Si-Cr-Legieriingstarets

in einer Atmosphäre aus einer Gasmischung gebildet werden, die acs Inertgas und N₂ besteht. Es ist bevorzugt, daß der

Schutzfilm durch ein reaktives Bedampfen eines Legierungstargets von Si und einem Metall, welches eine geringere relative

elektrische Resistenz aufweist, z. B. Cr, in einer Atmosphäre aus gemischten Gasen, die aus Inertgas und N₂ bestehen, gebildetwird, wobei das reaktive Bedampfen vorzugsweise durch Aufdrücken von Gleichstrom (DC) erfolgt. Das reaktive DC-Bedampfenist hinsichtlich der Filmniederschlagsrate und der Leistungsfähigkeit dem RF-Bedampfen überleben. Als Inertgas werden He, Ne,

Ar, Kr oder dergleichen verwendet, wobei Ar bevorzugt ist. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein stabiles DC-Bedampfen durchgeführt, indem ein Legierungstarget aus Si und Cr oder dergleichen verwendet wird. Dies kann darauf zurückzuführen sein, daß eine Glimmentladung stabilisiert wird, wenn das Metall in dem Target enthalten ist, welches eine geringere spezifische, elektrische Resistenz aufweist. Das Gasverhältnis von Inertgas und N; beim reaktiven Bedampfen zur Herstellung eines Schutzfilms beträgt 9:1 bis 0:1,

vorzugsweise 7:3 bis 2:8.

Eine Aufzeichnungsschicht 4 wird auf dem auf dem Substrat gebildeten Schutzfilm 3 in einem Ausführungsbeispiel dieser Erfindung gebildet. Erfindungsgemäß wird der Schutzfilm 3 ebenfalls auf einer Aufzeichnungsschicht A₁ die auf dem Substrat 2

gebildet ist, oder ebenso auf einer Aufzeichnungsschicht 4 gebildet, die auf dem Substrat gebildet ist, welches darauf einen

Schutzfilm 3 enthält. Darüber hinaus kann eine Reflexionsschicnt auf der Oberfläche der Aufzeichnungsschicht oder des Schutzfilms rebildet werden. Erfindungsgemäß ist ein optisches Aufzeichnungsmedium erhältlich, welches einen Schutzfilm enthält, der einen

ausgezeichneten optischen Vergrößerungseffekt, eine hohe Korrosionsresistenz aufweist und der nicht zur Rißbildung führt, daes außer Si und N in seinem Schutzfilm auch Cr enthält. Erfindungsgemäß kann der Schutzfilm auf einer Aufzeichnungsschichtoder einem Substrat gebildet werden, indem ein reaktives DC-Bedampfen verwendet wird, was bisher nicht verwendet werdenkonnte, um einen dünnen Si-N-FiIm zu bilden, der kein Cr enthält, weil ein Legierungstarget, wie beispielsweise Si-Cr, als eine

Kathode verwendet wird. Als ein Ergebnis wird die Leistungseffizienz erheblich verbessert. Nachfolgend wird diese Erfindung unter Bezugnahme auf die folgenden Beispiele detaillierter beschrieben. Die Erfindung ist

jedoch in keiner Weise auf diese Beispiele beschränkt.

Beispiel 1

Ein Schutzfilm, der Si, Cr und N enthält und eine Dicke von etwa 1000 Angström aufweist, wurde auf einem Ethylen-Tetracyclododecen-Copolymer-Substrat durch reaktives Bedampfen eines Zusammensetzungs-Targets, bei dem Cr-Chips auf dem Si-Target angeordnet sind, mit einer aufgedrückten RF500-W-Leistung und in einer Atmosphäre von gemischten Gasen aus Ar 20SCCM und N₂ 20SCCM (1,5m Torr) gebildet. Das Atomverhältnis von Si zu Cr betrug 67:33. Als nächstes wurde eine Aufzeichnungsschicht aus Tb-Fe-Co mit einer Dicke von etwa 1000Angström auf dem Schutzfilm durch ein DC-Magnetron-Beschichten bei 20 bis 50°C und 1,0 χ 10"⁷Torr in einer Ar-Atmosphäre gebildet. Ein optisches Aufzeichnungsmedium wurde erhalten, indem ein Schutzfilm aus Si-Cr-N mit einer Dicke von etwa 1000 Angström auf der Aufzeichnungsschicht durch das gleiche Verfahren wie oben beschrieben gebildet wurde. Der Lebensdauertest dieses optischen Aufzeichnungsmediums wurde durchgeführt, indem dieses 10OOStunden lang in einer Atmospähre von 85°C und einer relativen Luftfeuchtigkeit von 85% angeordnet wurde. Die Koerzitivkraft veränderte sich während dieses Versuches nicht.

Eine optische Konstante sowie das Ergebnis des Reißversuches dieses Schutzfilms sind in Tabelle 1 angegeben. Die optische Konstante dieses Schutzfilms wurde mit Hilfe eines Elipsometers (bei einer Wellenlänge von 839 nm) gemessen. Der Reißversuch des Schutzfilmes, der auf dem Substrat gebildet war, wurde durchgeführt, bevor die Aufzeichnungsschicht und ein Schutzfilm aufeinanderfolgend gebildet wurden.

Tabelle 1

	Refraktionsindex	Filmriß
Beispiel 1	2,2	O
Beispiel 2	2,2	O
Beispiel 3	2,2	O
Vergleichsbeispiel 2	2,2	X
Vergleichsbeispiel 3	2,2	X
Vergleichsbeispiel 4	2,0	X
Vergleichsbeispiel 5	2,1	X
Vergleichsbeispiel 6	1,9	X
Vergleichsbeispiel 7	2,2	X
Vergleichsbeispiel 7	2,2	X

ο bedeutet, daß keine Risse beobachtet wurden, χ bedeutet, daß einige Risse in der Schicht auftraten.

Beispiel 2 Ein optisches Aufzeichnungsmedium wurde erhalten, indem Schutzfilme aus Si-Cr-N sowohl auf dem Substrat als auch auf der Aufzeichnungsschicht nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 beschrieben gebildet wurde, mit der Ausnahme, daß ein Sinterlegierungstarget aus Si und Cr (Cr 20 Atom-%) als eine Kathode verwendet wurde. Das Atomverhältnis von Si zu Cr in den Schutzfilmen betrug 80:20. Die Koerzitivkraft (Hc) veränderte sich während des Lebensdauertestes vergleichsweise wie bei Beispiel 1 nicht. Eine optische Konstante des Schutzfilms sowie das Ergebnis des Reißversuches sind ebenfalls in Tabelle 1 aufgelistet. Referenzbeispiel Vor der Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums wurden die folgenden Versuche nach dem reaktiven DC-Bedampfen dur iigeführt.

Versuch 1:

Nach dem Evakuieren der Kammer auf weniger als 5x 10"⁶Torr wurde das reaktive DC-Bedampfen mit auferlegten DC-300 W in einer Atmosphäre aus gemischten Gasen von Ar-Gas 20 SCCM und N₂-GaS 20 SCCM durchgeführt, wobei ein Legierungstarget aus Si und Cr (Zusammensetzung: Si₈OCr₂O, Größe 4 inch [10,16cm]) verwendet wurde. Es wurde festgestellt, daß die Glimmentladung unter dieser Bedingung stabil war.

Versuch 2:

Nachdem der Druck der Kamr. ,er durch Einblasen von Luft wieder auf Atmosphärendruck und dann wieder auf weniger als 5x 10~^BTorr eingeteilt war, wurde als nächstes das reaktive DC-Bedampfen in einer ähnlichen Art und Weise wie beim oben beschriebenen Verfahren durchgeführt. Erneut wurde festgestellt, daß die Glimmentladung stabil war.

Beispiel 3 Nach dem Evakuieren der Kammer auf weniger als 5x 10~⁶Torr wurde das reaktive DC-Bedampfen mit auferlegten DC 300W in

einer Atmosphäre (1,5m Torr) aus gemischten Gasen von Ar-Gas 20SCCM ur d N₂-GaS 20SCCM durchgeführt, wobei ein

Legierungstarget aus Si und Cr (Zusammensetzung: Si₈₀Cr₂O, Größe 4 inch (10,1 Bern)) als eine Kathode verwendet wurde, um

einen Schutzfilm aus Sci-Cr-N auf einem Ethylen-Tetracyclodecen-Copolymer-Substrat niederzuschlagen, wobei dieser

Schutzfilm eine Dicke von etwa 10OOAngströ η aufwies. Als nächstes wurde durch DC-Magnetron-Bedampfen sines Legierungstargets aus Tc-Se-Co bei 20 bis 50°C und 1,0 χ 10~⁷Torr

in einer Ar-Atmosphäre eine Aufzeichnungsschicht aus Tb-Fe-Co mit einer Dicke von etwa 1000 Angström auf dem Schutzfilmgebildet. Dann wurde ein optisches Aufzeichnungsmedium erhalten, indem ein Schutzfilm aus Si-Cr-N mit einer

Dicke von etwa 1000 Angström auf der Aufzeichnungsschicht in entsprechender Weise wie oben beschrieben gebildet wurde. Das Atomverhältnis von Si zu Cr in dem Schutzfilm betrug 80:20. Es wurde festgestellt, daß die Glimmentladung während der Niederschlagung des Schutzfilmes stabil war. Die Koerzitivkraft (Hc)

veränderte sich während des Lebensdauertestes ähnlich wie bei Beispiel 1 nicht. Eine optische Konstante des Schutzfilms sowiedas Ergebnis des Reißversuches sind ebenfalls in Tabelle 1 aufgelistet.

Beispiele 4 bis 9 Ein optisches Aufzeichnungsmedium wurde nach dem gleichen Verfahren wie bei Beispiel 3 erhalten, wobei die Flußrate der

gemischten Gase aus Ar und N₂ variiert wurde.

Die Flußrate der Gase, die Bildungsrate sowie die optische Konstante der Schutzfilme sind in Tabelle 2 aufgelistet. Tabelle 2

	Target	Leistung	Gas (SCCM)	N₂	Filmnieder	Refraktions	Film
		(W)	Ar	20	schlagsrate	index	riß
Beispiel 4	Si₈₀Cr₂₀	DC 300	20		105	2,2	O
	(Legierungstarget)			4
Beispiele	dto.	DC300	36	12	128	3,7	O
Beispiele	dto.	DC300	28	16	121	2,7	O
Beispiel 7	dto.	DC300	24	24	109	2,3	O
Beispiele	dto.	DC300	16	28	97	2,3	O
Beispiel 9	dto.	DC300	12	72	2,2	O

ο bedeutet, daß kein Riß beobachtet wurde.

Vergleichsbeispiel 1 Die Bildung eines Schutzfilms wurde versucht, indem nur ein Si-Target als Kathode unter der gleichen Bedingung wie bei Beispiel 3 verwendet wurde. Die Entladung war jedoch nicht stabil und die Schutzschicht konnte nicht gebildet werden. Vergleichsbeispiel 2

Ein optisches Aufzeichnungsmedium wurde erhalten, indem Schutzfilme sowohl auf dem Substrat als auch auf der Aufzeichnungsschicht unter der gleichen Bedingung wie bei Beispiel 1 gebildet wurden, mit der Ausnahme, daß ein Zusammensetzungs-Target aus einem Si-Target, bei dem Mo-Chips darauf angeordnet waren, verwendet wurde. Das Ergebnis ist in Tabelle¹ angegeben.

Vergleichsbeispiel 3 Ein optisches Aufzeichnungsmedium wurde erhalten, indem Schutzfilme sowohl auf dem Substrat als auch auf der Aufzeichnungsschicht unter der gleichen Bedingung wie bei Beispiel 1 gebildet wurden, mit der Ausnahme, daß ein Zusammensetzungs-Target aus einem Si-Target mit Nd-Chips darauf verwendet wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1

angegeben.

Vergleichsbeispiel 4

Ein optisches Aufzeichnungsmedium wurde erhalten, indem Schutzfilme sowohl auf dem Substrat als auch auf der Aufzeichnungsschicht unter der gleichen Bedingung wie bei Beispiel 1 gebildet wurden, mit der Ausnahme, daß ein Zusammensetzungs-Target aus einem Si-Target mit Tb-Chips verwendet wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.

Verglelchsbeisplel 5

Ein optisches Aufzeichnungsmedium wurde erhalten, indem Schutzfilme sowohl auf dem Substrat als auch auf der Aufzeichnungsschicht unter der gleichen Bedingung wie bei Beispiel 1 gebildet wurden, mit der Ausnahme, daß ein Zusammensetzungs-Target aus einem Si-Target mit Gd-Chips darauf verwendet wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle angegeben.

Verglelchsbelsplel 3

Ein optisches Aufzeichnungsmedium wurde erhalten, indem Schutzfilme sowohl auf dem Suostrat als auch auf der Aufzeichnungsschicht unter der gleichen Bedingung wie bei Beispiel 1 gebildet wurden, mit der Ausnahme, daß ein Zusammensetzungs-Target aus einem Si-Target mit Co-Chips darauf verwendet wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle angegeben.

Vergloichsbelsplel 7

Ein optisches Aufzeichnungsmedium wurde erhalten, indem Schutzfilme sowohl auf dem Substrat als auch auf der Aufzeichnungsschicht unter der gleichen Bedingung wie bei Beispiel 1 gebildet wurden, mit der Ausnahme, daß e. > Zusammensetzungs-Target aus einem Si-Target mit Ti-Chips darauf verwendet wurde. Das At omverhältnis von Si. * Ti in dem Schutzfilm war 69:31. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.

Vergleichsbeispiel 8

Ein optisches Aufzeichnungsmedium wurde erhalten, indem Schutzfilme sowohl auf dem Substrat als auch auf der Aufzeichnungsschicht unter der gleichen Bedingung .vie bei Beispiel 1 gebildet wurden, mit der Ausnahme, daß ein Zusammensetzungs-Target aus einem Si-Target mit Zr-Chips darauf verwendet wurde. Das Atomverhältnis von Si zu Zr in dem Schutzfilm war 92:8. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.

Es wird festgestellt, daß bei den Schutzfilmen gemäß den Beispielen 1 bis 3 die Rißbildung weniger auftritt als bei den Schutzfilmen gemäß den Vergleichsbeispielen 1 bis 8, daß sie in hohes Refraktionsvermögen aufweisen und daß sie entweder als Schutzfilm oder als optische Vergrößerungsschicht verwendet werden.

Claims

1. Optisches Aufzeichnungsmedium, dadurch gekennzeichnet, daß es besteht aus: einem Substrat;

einer Aufzeichnungsschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; und einem Schutzfilm, der auf einer Lichtreflexionsseite und/oder einer Lichttransmissionsseite der Aufzeichnungsschicht angeordnet ist,

wobei der Schutzfilm zumindest Si, Cr und N enthält.

2. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Atomverhältnis von Si zu Cr, die in dem Schutzfilm enthalten sind, durch Si₁-XCr_x dargestellt ist, wobei χ der Gleichung 0,05<x<0,4 genügt.

3. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht aus einer magnetooptischen Aufzeichnungsschicht besteht, die eine einachsige magnetische Anisotropie senkrecht zu einer Filmoberfläche eines Films, der die Aufzeichnungsschicht bildet, aufweist.

4. Optisches Aufzeichnungsmedium nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht aus einem dünnen Film besteht, der ein Aufzeichnungsmaterial enthält, welches bezüglich einer optischen Eigenschaft, beispielsweise dem Reflexions- und/oder Transmissionsfaktor, variabel ist.

5. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums mit einer Aufzeichnungsschicht und einem Schutzfilm auf dem Substrat, gekennzeichnet durch Herstellen einer Kathode, die aus einem Legierungstarget aus Si und zumindest einem Element besteht, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einem Metallelement, Semimetallelement und einem halbleitenden Element besteht, welches eine geringere spezifische elektrische Resistenz aufweist als Si; und

Durchführung eines DC-Magnetron-Bedampfens in einer Atmosphäre aus gemischten Gasen, die zumindest ein Inertgas und N₂-GaS enthalten, um einen Niederschlag des Schutzfilms zu bilden.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Schutzfilm auf einer Lichtreflexions- und/oder Lichttransmissionsseite der Aufzeichnungsschicht niedergeschlagen wird.

7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Element mit einer niedrigeren spezifischen elektrischen Resistenz als Si Cr ist.