JPH01138640A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH01138640A JPH01138640A JP62296779A JP29677987A JPH01138640A JP H01138640 A JPH01138640 A JP H01138640A JP 62296779 A JP62296779 A JP 62296779A JP 29677987 A JP29677987 A JP 29677987A JP H01138640 A JPH01138640 A JP H01138640A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばレーザー光照射によって光（熱）磁気
記録を行いその記録部における光の磁気カー効果あるい
はファラデー効果によって情報の読み出しを行う光（熱
）磁気記録に用いられる光磁気記録媒体に係わる。
記録を行いその記録部における光の磁気カー効果あるい
はファラデー効果によって情報の読み出しを行う光（熱
）磁気記録に用いられる光磁気記録媒体に係わる。
本発明は、記録膜が希土類−遷移金属系磁性合金膜より
なる光磁気記録媒体においてその希土類−遷移金属系磁
性合金層に遷移金属層を介して希土類金属層を積層した
構造として光磁気特性に優れ、かつ耐蝕性に（憂れた光
磁気記録媒体を構成する。
なる光磁気記録媒体においてその希土類−遷移金属系磁
性合金層に遷移金属層を介して希土類金属層を積層した
構造として光磁気特性に優れ、かつ耐蝕性に（憂れた光
磁気記録媒体を構成する。
光磁気記録は、高密度記録の上で有望視されている。
光磁気記録媒体の磁性膜すなわち光磁気記録膜としては
、真空蒸着法やスパッタリング法等により容易に成膜が
でき、結晶粒界によるノイズがなく、記録密度が高いと
いう利点を有する希土類−遷移金泥系非晶質磁性合金膜
の例えばＴｂ−Ｆｅ非晶質合金膜、Ｇｄ−Ｆｅ非晶質合
金膜等が注目されている。
、真空蒸着法やスパッタリング法等により容易に成膜が
でき、結晶粒界によるノイズがなく、記録密度が高いと
いう利点を有する希土類−遷移金泥系非晶質磁性合金膜
の例えばＴｂ−Ｆｅ非晶質合金膜、Ｇｄ−Ｆｅ非晶質合
金膜等が注目されている。
このような非晶質合金は多くの利点を有するものの、そ
の希土類元素の選択酸化、孔食等が生じ易く、耐蝕性に
おいて問題点がある。
の希土類元素の選択酸化、孔食等が生じ易く、耐蝕性に
おいて問題点がある。
そして、従来この種光磁気記録媒体の耐食性を向上させ
るものとして、例えば特開昭５８−１９９４５６号公報
に開示されたものにおけるように、その記録層自体にＣ
ｒを添加するものが提案されているが、この場合、その
記録層となる磁性層自体が最適な光磁気特性を示す組成
からずれた組成となることによってこれの光磁気特性を
低下させるという不都合が生じ勝ちである。
るものとして、例えば特開昭５８−１９９４５６号公報
に開示されたものにおけるように、その記録層自体にＣ
ｒを添加するものが提案されているが、この場合、その
記録層となる磁性層自体が最適な光磁気特性を示す組成
からずれた組成となることによってこれの光磁気特性を
低下させるという不都合が生じ勝ちである。
本発明は上述した希土類−遷移金属系非晶質磁性合金光
磁気記録層による光磁気記録媒体における光磁気特性の
低下を招来することなく上述した耐食性等の問題の解決
をはかる。
磁気記録層による光磁気記録媒体における光磁気特性の
低下を招来することなく上述した耐食性等の問題の解決
をはかる。
本発明は、第１図に示すように基体（１）上に、希土類
−遷移金属系磁性合金層（２）に遷移金属層（３）を介
して希土類金属層（４）を積層する。
−遷移金属系磁性合金層（２）に遷移金属層（３）を介
して希土類金属層（４）を積層する。
上述の本発明による磁気記録媒体によれば、その実質的
記録層となる希土類−遷移金属系磁性合金ｆｆ３ （２
１自体には何ら耐食のための金属添加はせずに、その表
面に希土類金属層と遷移金属層とを積層した構造とした
ことによって記録層自体の特性を害うことなく、耐食性
が向上し、また実質的記録層としての希土類−遷移金属
系磁性合金層（２）中での希土類金属の選択酸化の改善
をはかることができることが確認された。即ち希土類金
属の選択酸化は、希土類−遷移金属系磁性合金中の希土
類例えばＴｂが酸素に引き寄せられ、これがその表面に
移動して選択的に酸化されるものであると考えられるが
、本発明構成におけるように表面に希土類金属層例えば
Ｔｂ層（３）があらかじめ設けられている場合、このＴ
ｂ層（４）自体は、酸素を強く引き寄せ酸化するものの
、希土類−遷移金属系磁性合金層（以下間層という）（
２）との間の第１の金属層（３）の例えば遷移金Ｎ層の
例えばＦｅＣｏＣｒ合金層が、ＭｏＦｆ（２）への酸素
の侵入を防ぐ働きをなすものと考えられる。
記録層となる希土類−遷移金属系磁性合金ｆｆ３ （２
１自体には何ら耐食のための金属添加はせずに、その表
面に希土類金属層と遷移金属層とを積層した構造とした
ことによって記録層自体の特性を害うことなく、耐食性
が向上し、また実質的記録層としての希土類−遷移金属
系磁性合金層（２）中での希土類金属の選択酸化の改善
をはかることができることが確認された。即ち希土類金
属の選択酸化は、希土類−遷移金属系磁性合金中の希土
類例えばＴｂが酸素に引き寄せられ、これがその表面に
移動して選択的に酸化されるものであると考えられるが
、本発明構成におけるように表面に希土類金属層例えば
Ｔｂ層（３）があらかじめ設けられている場合、このＴ
ｂ層（４）自体は、酸素を強く引き寄せ酸化するものの
、希土類−遷移金属系磁性合金層（以下間層という）（
２）との間の第１の金属層（３）の例えば遷移金Ｎ層の
例えばＦｅＣｏＣｒ合金層が、ＭｏＦｆ（２）への酸素
の侵入を防ぐ働きをなすものと考えられる。
第１図に示すように、スライドガラス、ガラス板、シリ
コンウェーファ、或いはＰ？’１ＭＡ （ポリメチルメ
タリレート）等のプラスチック板等よりなる基体ｆｌｌ
上に、順次希土類金属層（４）−遷移金属層（３）−Ｍ
Ｏ層（２）−遷移金属層（３）−希土類金属層（４）を
積層被着形成する。
コンウェーファ、或いはＰ？’１ＭＡ （ポリメチルメ
タリレート）等のプラスチック板等よりなる基体ｆｌｌ
上に、順次希土類金属層（４）−遷移金属層（３）−Ｍ
Ｏ層（２）−遷移金属層（３）−希土類金属層（４）を
積層被着形成する。
ＭＯ層（２）、つまり非晶質の希土類−遷移金属系磁性
合金層（２）はその厚さを例えば１０００人程度層重ま
た各金属層（３）および（４）はそれぞれ例えば１０〜
５０人の厚さに蒸着法あるいはスパッタリング等によっ
て積層形成する。
合金層（２）はその厚さを例えば１０００人程度層重ま
た各金属層（３）および（４）はそれぞれ例えば１０〜
５０人の厚さに蒸着法あるいはスパッタリング等によっ
て積層形成する。
実施例１
スライドガラスよりなる基体（１）上に、それぞれ厚さ
２０人のＴｂより成る希土類金属１５ ｆ４）と、Ｆｅ
ＣｏＣｒ合金より成る遷移金属層（３）と、さらにこれ
の上に厚さ９００人のＴｂ１ｓ、 ｓ Ｆｅ７３． ｓ
Ｃｏ３．ｓ Ｃｒｓ、ｅの組成を有するＭＯ屓（２１
、またさらにこれの上に２０人の厚さのＦｅＣｏＣｒ合
金より成る遷移金属層（３）と、Ｔｂより成る希土類金
属層（４）を形成する。これら各層（２１（３１（４）
は、直流マグネトロンスパッタリング法による連続スパ
ッタリングによって形成、し得る。この場合、スパッタ
リングのターゲットとしてはＦｅＣｏＣｒ合金円板およ
びＴｂ円板の２元ターゲットを用い、まず片方のターゲ
ットのみを放電させてＴｂＪｉｉ（４１をスパッタリン
グし、次にこれの上に他方のターゲットのみを放電させ
てＦｅＣｏＣｒ合金層（３）を形成し、次に両ターゲッ
トを用いた２光間時スパッタリングにより？ＩＯ層（２
＋を形成し、続いて再び一方のターゲットのみを放電さ
せてＦｅＣｏＣｒ層（３）を形成し、さらに続いて他方
のターゲットのみを放電させてＴ ｂｉ ｔ４１を順次
連続的に形成し得る。この場合のスパッタリング条件は
、 残留ガス圧 １．０Ｘ １０”” ＴｏｒｒＡｒガス
圧 ３．０Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒプレ・スパッタ
５分間 とした。
２０人のＴｂより成る希土類金属１５ ｆ４）と、Ｆｅ
ＣｏＣｒ合金より成る遷移金属層（３）と、さらにこれ
の上に厚さ９００人のＴｂ１ｓ、 ｓ Ｆｅ７３． ｓ
Ｃｏ３．ｓ Ｃｒｓ、ｅの組成を有するＭＯ屓（２１
、またさらにこれの上に２０人の厚さのＦｅＣｏＣｒ合
金より成る遷移金属層（３）と、Ｔｂより成る希土類金
属層（４）を形成する。これら各層（２１（３１（４）
は、直流マグネトロンスパッタリング法による連続スパ
ッタリングによって形成、し得る。この場合、スパッタ
リングのターゲットとしてはＦｅＣｏＣｒ合金円板およ
びＴｂ円板の２元ターゲットを用い、まず片方のターゲ
ットのみを放電させてＴｂＪｉｉ（４１をスパッタリン
グし、次にこれの上に他方のターゲットのみを放電させ
てＦｅＣｏＣｒ合金層（３）を形成し、次に両ターゲッ
トを用いた２光間時スパッタリングにより？ＩＯ層（２
＋を形成し、続いて再び一方のターゲットのみを放電さ
せてＦｅＣｏＣｒ層（３）を形成し、さらに続いて他方
のターゲットのみを放電させてＴ ｂｉ ｔ４１を順次
連続的に形成し得る。この場合のスパッタリング条件は
、 残留ガス圧 １．０Ｘ １０”” ＴｏｒｒＡｒガス
圧 ３．０Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒプレ・スパッタ
５分間 とした。
比較例１
実施例１の構成において、ＦｅＣｏＣｒ層（３）と’ｒ
ｂＦｔ （４１との位置関係を反転させ、ＭＯ層（２
）にＴｂ層（４）が接するようにして、このＴｂ層（４
）を介してＦｅＣｏＣｒ層（３）がＭＯ層（２）の両面
に重ね合せられるようにした。
ｂＦｔ （４１との位置関係を反転させ、ＭＯ層（２
）にＴｂ層（４）が接するようにして、このＴｂ層（４
）を介してＦｅＣｏＣｒ層（３）がＭＯ層（２）の両面
に重ね合せられるようにした。
実施例１と、比較例１と、更にＭＯ層単層の場合の例（
従来例）との各磁気光学特性および耐食性についての評
価を行った。この結果を表２および第２図〜第４図に示
す。
従来例）との各磁気光学特性および耐食性についての評
価を行った。この結果を表２および第２図〜第４図に示
す。
表２
これによれば表２に示すように、比較例工のように１０
層（２）にＴｂ１ｉを接触させその表面側にＦｅＣｏＣ
ｒ層を配する構成とした場合、そのカー回転角θｋ、分
極抵抗値について共に磁性膜の特性を劣化させるのに対
し、本発明による実施例１による１０層（２）にＦｅＣ
ｏＣｒ（３１を介して表面側にＴｂ層（４）を配する構
成とした場合は、θｋを低下させることなく分極抵抗値
を従来例のＭＯ単独層の場合の約４倍に向上させ得た。
層（２）にＴｂ１ｉを接触させその表面側にＦｅＣｏＣ
ｒ層を配する構成とした場合、そのカー回転角θｋ、分
極抵抗値について共に磁性膜の特性を劣化させるのに対
し、本発明による実施例１による１０層（２）にＦｅＣ
ｏＣｒ（３１を介して表面側にＴｂ層（４）を配する構
成とした場合は、θｋを低下させることなく分極抵抗値
を従来例のＭＯ単独層の場合の約４倍に向上させ得た。
また第２図および第３図は１２０℃乾燥雰囲気条件下で
選択酸化の実験を行った結果であり、それぞれ保磁力Ｈ
ｃの減少率（ｔｌｃ／ Ｈｃｏ 、 Ｈｃｏは初期の保
磁力）対環境中成置時間およびθにの減少率対環境中成
置時間を示したものである。これら測定の環境は、 １
２０°Ｃの乾燥空気とした。第２図及び第３図中曲線（
２１）および（３１）は実施例１の場合、曲線（２２）
および（３２）は比較例１の場合、曲線（２３）および
（３３）は従来例の場合である。
選択酸化の実験を行った結果であり、それぞれ保磁力Ｈ
ｃの減少率（ｔｌｃ／ Ｈｃｏ 、 Ｈｃｏは初期の保
磁力）対環境中成置時間およびθにの減少率対環境中成
置時間を示したものである。これら測定の環境は、 １
２０°Ｃの乾燥空気とした。第２図及び第３図中曲線（
２１）および（３１）は実施例１の場合、曲線（２２）
および（３２）は比較例１の場合、曲線（２３）および
（３３）は従来例の場合である。
第２図をみて明らかなように、本発明の実施例１のもの
は、比較例１および従来例に比し、Ｈｃの変化が小さく
、選択酸化が効果的に回避されていることがわかる。こ
れは、実施例１のものでは、前述したようにＭＯ層（２
）への酸素の侵入が回避されているものであるに比し、
従来例の１０層単独のものはもとより、比較例１におけ
るもののように、ＭＯ層（２）にＴｂ層を介してＦｅＣ
ｏＣｒ層を配する場合は、この中間層としてのＴｂＭが
酸素を引き寄せる力が強いためＦｅＣｏＣｒ遷移金属層
を通じてＴｂ層へ酸素が侵入し、更に１層（２）へ酸素
を引き渡して選択酸化が生じてしまうと思われる。
は、比較例１および従来例に比し、Ｈｃの変化が小さく
、選択酸化が効果的に回避されていることがわかる。こ
れは、実施例１のものでは、前述したようにＭＯ層（２
）への酸素の侵入が回避されているものであるに比し、
従来例の１０層単独のものはもとより、比較例１におけ
るもののように、ＭＯ層（２）にＴｂ層を介してＦｅＣ
ｏＣｒ層を配する場合は、この中間層としてのＴｂＭが
酸素を引き寄せる力が強いためＦｅＣｏＣｒ遷移金属層
を通じてＴｂ層へ酸素が侵入し、更に１層（２）へ酸素
を引き渡して選択酸化が生じてしまうと思われる。
第３図のθにの減少率についてみると実施例１および比
較例１について両者ともにＭＯ層単独の従来のものに比
べその減少率が改善されている。
較例１について両者ともにＭＯ層単独の従来のものに比
べその減少率が改善されている。
また第４図Ａ及びＢに実施例１および比較例１の各腐食
電位および孔食電位の測定結果を示す。
電位および孔食電位の測定結果を示す。
第４図Δ及びＢを比較して明らかなように、比較例１で
は孔食電位（この電位以上になると孔食が生じる）が殆
んど同じ電位であるのに対して腐食電位は、ｒｂＪｉを
表面側とした本発明の実施例１の方が４００ｍＶ程度低
い。腐食電位は、本来高い方が腐食反応に対して安定な
ものであるが腐食電位と孔食電位の差が小さい場合には
極めて孔食が起り易（なる。つまり、表面層がＴｂ層の
実施例１の場合には、腐食電位が低くなるため孔食電位
との差が大きくなり孔食が起りにくくなる。なお、−０
層単独の場合の腐食電位と孔食電位との関係は、第４図
Ｂと同様であった。
は孔食電位（この電位以上になると孔食が生じる）が殆
んど同じ電位であるのに対して腐食電位は、ｒｂＪｉを
表面側とした本発明の実施例１の方が４００ｍＶ程度低
い。腐食電位は、本来高い方が腐食反応に対して安定な
ものであるが腐食電位と孔食電位の差が小さい場合には
極めて孔食が起り易（なる。つまり、表面層がＴｂ層の
実施例１の場合には、腐食電位が低くなるため孔食電位
との差が大きくなり孔食が起りにくくなる。なお、−０
層単独の場合の腐食電位と孔食電位との関係は、第４図
Ｂと同様であった。
なお上述した例においては、各Ｆｉ （２１（３１（４
＋をそれぞれスパッタリング法によって形成した場合で
あるが、これらを真空蒸着法で形成することもできる。
＋をそれぞれスパッタリング法によって形成した場合で
あるが、これらを真空蒸着法で形成することもできる。
また、遷移金属層（３）と基体（１）との間、あるいは
最上面には保護層、反射層等を被着ないしは介在させる
構造をとることもできる。
最上面には保護層、反射層等を被着ないしは介在させる
構造をとることもできる。
上述したように本発明構成によれば、耐食性に問題を有
する希土類−遷移金属系磁性合金層の記録層に対し、磁
気光学特性を劣化させることもなく耐食性の改善をはか
ることができるので、その実用上の利益は甚大である。
する希土類−遷移金属系磁性合金層の記録層に対し、磁
気光学特性を劣化させることもなく耐食性の改善をはか
ることができるので、その実用上の利益は甚大である。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の路線的断面図、
第２図および第３図はその磁気特性の変化の測定結果を
示す図、第４図ＡおよびＢは電位Ｅ−電電流時特性測定
結果を示す図である。 （１）は基体、（２）は希土類−遷移金属系磁性合金層
、（３）は遷移金属層、（４）は希土類金属層である。 同 松隈秀盛
第２図および第３図はその磁気特性の変化の測定結果を
示す図、第４図ＡおよびＢは電位Ｅ−電電流時特性測定
結果を示す図である。 （１）は基体、（２）は希土類−遷移金属系磁性合金層
、（３）は遷移金属層、（４）は希土類金属層である。 同 松隈秀盛
Claims (1)
- 希土類−遷移金属系磁性合金層の少くとも一方の面に遷
移金属層と希土類金属層とが順次積層されて成ることを
特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62296779A JPH01138640A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 光磁気記録媒体 |
| DE88119496T DE3879884T2 (de) | 1987-11-25 | 1988-11-23 | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger. |
| EP88119496A EP0317982B1 (en) | 1987-11-25 | 1988-11-23 | Magneto-optical recording medium |
| US07/659,477 US5545477A (en) | 1987-11-25 | 1991-02-25 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62296779A JPH01138640A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138640A true JPH01138640A (ja) | 1989-05-31 |
Family
ID=17838024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62296779A Pending JPH01138640A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5545477A (ja) |
| EP (1) | EP0317982B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01138640A (ja) |
| DE (1) | DE3879884T2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69217302T2 (de) * | 1991-09-09 | 1997-09-04 | Shinetsu Chemical Co | Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3348423C2 (de) * | 1982-05-10 | 1994-11-17 | Canon Kk | Verwendung einer amorphen magnetischen quaternären GdTbFeCo-Legierung für die Herstellung einer magnetooptischen Aufzeichnungsschicht |
| US4693943A (en) * | 1982-05-10 | 1987-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium |
| FR2560419B1 (fr) * | 1984-02-29 | 1986-06-13 | Bull Sa | Milieu d'enregistrement magneto-optique |
| JPS60197965A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-07 | Canon Inc | 磁気記録媒体 |
| JPS6129437A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPH0697514B2 (ja) * | 1985-02-21 | 1994-11-30 | シャープ株式会社 | 磁気光学記憶素子 |
| JPS6252743A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS62267944A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP62296779A patent/JPH01138640A/ja active Pending
-
1988
- 1988-11-23 EP EP88119496A patent/EP0317982B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-23 DE DE88119496T patent/DE3879884T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-25 US US07/659,477 patent/US5545477A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0317982B1 (en) | 1993-03-31 |
| EP0317982A2 (en) | 1989-05-31 |
| DE3879884T2 (de) | 1993-10-14 |
| DE3879884D1 (de) | 1993-05-06 |
| EP0317982A3 (en) | 1990-08-22 |
| US5545477A (en) | 1996-08-13 |
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