JPH03171451A - 光磁気記録素子 - Google Patents
光磁気記録素子Info
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- JPH03171451A JPH03171451A JP2304221A JP30422190A JPH03171451A JP H03171451 A JPH03171451 A JP H03171451A JP 2304221 A JP2304221 A JP 2304221A JP 30422190 A JP30422190 A JP 30422190A JP H03171451 A JPH03171451 A JP H03171451A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
- G11B13/04—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for magnetically or by magnetisation and optically or by radiation, for changing or sensing optical properties
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光磁気記録素子に関する。より詳細には改良
された抗腐食性および抗酸化性を有する光磁気記録素子
に関する。
された抗腐食性および抗酸化性を有する光磁気記録素子
に関する。
光磁気記録に際しては、磁区状態にある情報が垂直磁気
異方性を有する光磁気記録層上に記入される。この情報
は直線偏光レーザービームで媒質(1) を照射し、次いで磁気的な分極を伴う光の相互作用によ
って生じる入射レーザービームの変化によって読まれる
。力−(Kerr)回転性、保磁率、感度および雑音比
に対するキャリャー(CNR)が高性能光磁気記録を達
或する上で関連する主要なパラメーターである。入射直
線偏光が磁気媒質から反射される場合カー回転角はそれ
に由来する偏光の回転量であるが、その媒質の感度は入
射直線偏光の保磁率とキュリー温度に依存する。
異方性を有する光磁気記録層上に記入される。この情報
は直線偏光レーザービームで媒質(1) を照射し、次いで磁気的な分極を伴う光の相互作用によ
って生じる入射レーザービームの変化によって読まれる
。力−(Kerr)回転性、保磁率、感度および雑音比
に対するキャリャー(CNR)が高性能光磁気記録を達
或する上で関連する主要なパラメーターである。入射直
線偏光が磁気媒質から反射される場合カー回転角はそれ
に由来する偏光の回転量であるが、その媒質の感度は入
射直線偏光の保磁率とキュリー温度に依存する。
光磁気記録は、それが高密度情報の保存を可能にするこ
とだけでなく、抹消できる能力も有することが望まれる
。最近では、希土類、遷移金属合金フィルムが光磁気記
録素子の記録媒質として注目を集めている。このタイプ
の有用な媒質はTbFeCo合金を含んでなり、198
7年6月2日発行の米国特許第4, 670, 353
号で公表されている。
とだけでなく、抹消できる能力も有することが望まれる
。最近では、希土類、遷移金属合金フィルムが光磁気記
録素子の記録媒質として注目を集めている。このタイプ
の有用な媒質はTbFeCo合金を含んでなり、198
7年6月2日発行の米国特許第4, 670, 353
号で公表されている。
このようなフィルム類固有の短所は、それらが腐食およ
び酸化を非常に受け易いことである。例えば、低湿度で
高温の環境下でのエイジングはフィルムの均一な酸化を
もたらす。一方、高湿度環(2) 境下では、寸法が大きくなり数が増加する腐食坑やピン
ホールが形或されそのうちにフィルムの完全な破壊をも
たらす。
び酸化を非常に受け易いことである。例えば、低湿度で
高温の環境下でのエイジングはフィルムの均一な酸化を
もたらす。一方、高湿度環(2) 境下では、寸法が大きくなり数が増加する腐食坑やピン
ホールが形或されそのうちにフィルムの完全な破壊をも
たらす。
この発明時において当業者が直面する課題は、カー回転
、CNRまたは記録素子の感度に著しい悪影響を及ぼす
ことなく改良された抗腐食性と抗酸化性を有する光磁気
記録フィルムの提供にあった。
、CNRまたは記録素子の感度に著しい悪影響を及ぼす
ことなく改良された抗腐食性と抗酸化性を有する光磁気
記録フィルムの提供にあった。
本発明者は、高い抗腐食性と抗酸化性を有する光磁気記
録媒質が光磁気特性に著しい悪影響を与えることな<Z
rおよびPdと共にTbFeCoを合金化することによ
って得ることができることを見い出した。
録媒質が光磁気特性に著しい悪影響を与えることな<Z
rおよびPdと共にTbFeCoを合金化することによ
って得ることができることを見い出した。
より詳細には、この発明によって、基板、ならびに次式
(TbFeCo) l−M−yZr.Pdy(3)
(上式中、XおよびyはそれぞれIfxfl5および1
<y<15の原子バーセントを表わす)で示される組成
物を有する光磁気記録フィルムを含んでなる光磁気記録
素子が提供される。
<y<15の原子バーセントを表わす)で示される組成
物を有する光磁気記録フィルムを含んでなる光磁気記録
素子が提供される。
他の有利な特徴は、添付図面に照して以下の好ましい態
様の記載を参照すれば容易に明らかとなるであろう。
様の記載を参照すれば容易に明らかとなるであろう。
以下、本発明を具体的に説明する。
この発明は、高い抗腐食性と抗酸化性を有する光磁気媒
質が、ZrおよびPdの両方で一緒にTbFeCoを合
金化することによって光磁気特性に悪影響を及ぼすこと
なく得られるという発見にある程度基づく。
質が、ZrおよびPdの両方で一緒にTbFeCoを合
金化することによって光磁気特性に悪影響を及ぼすこと
なく得られるという発見にある程度基づく。
以後、この発明は主としてTbFeCo合金を含有する
光磁気記録フィルムとの関連で記載する。さらに、本発
明は他の希土類遷移金属合金にも有用である。
光磁気記録フィルムとの関連で記載する。さらに、本発
明は他の希土類遷移金属合金にも有用である。
記述したようにこの発明の光磁気記録素子は基板および
光磁気記録フィルムを含む。このフィルムはTbFeC
o合金とさらにZrおよびPdを一緒に(4) 含んでなる。好ましい組成物は、前記要約で示した構造
式によって表わされる。前記式中、Xおよびyは原子パ
ーセントを示し、1 < X ,< 15およびlfy
*15である。しかしながら、X+37112であるこ
とが好ましい。第4〜5図で具体的に示されるようにこ
の理由は、力一回転およびCNRが12原子%を越える
と好ましくない程度に低減し始めるからである。本発明
の特に好ましい態様では、上記式中でx<5でy<5で
ある。このような組成物が、改良された抗酸化性および
抗腐食性ならびに光磁気特性に関して最高の性能を発揮
する。
光磁気記録フィルムを含む。このフィルムはTbFeC
o合金とさらにZrおよびPdを一緒に(4) 含んでなる。好ましい組成物は、前記要約で示した構造
式によって表わされる。前記式中、Xおよびyは原子パ
ーセントを示し、1 < X ,< 15およびlfy
*15である。しかしながら、X+37112であるこ
とが好ましい。第4〜5図で具体的に示されるようにこ
の理由は、力一回転およびCNRが12原子%を越える
と好ましくない程度に低減し始めるからである。本発明
の特に好ましい態様では、上記式中でx<5でy<5で
ある。このような組成物が、改良された抗酸化性および
抗腐食性ならびに光磁気特性に関して最高の性能を発揮
する。
われわれの研究では、ZrとTbFeCoの合金化が点
食腐食性に対してその媒質の抵抗性を改良するが、しか
しながらこのようなフィルムの抗酸化性は所期目的を下
回わるものであることが明らかになった。一方、Pdと
TbFeCoの合金化は、Zrとの合金化によるものを
遥かに陵駕するように媒質の抗酸化性を改良する。しか
しながら、TbFeCoPdフィルムの点食抵抗性はT
bFeCo2r (Pd/Zr濃度は同一)のそれに劣
る。点食腐食性に対して有効な(5) 抵抗性を有するためには、少なくとも8原子%のZrが
必要である。Zrのこのような量による合金化は、力一
回転を32%まで、そしてCNRを2dBまで低減する
。有効な酸化抵抗性を保持するには、TbFeCo中少
なくとも8原子%のPdが必要であることを本発明者ら
は見い出した。この量のPdは、力一回転を22%まで
、そしてCNRを6dBまで低減する。
食腐食性に対してその媒質の抵抗性を改良するが、しか
しながらこのようなフィルムの抗酸化性は所期目的を下
回わるものであることが明らかになった。一方、Pdと
TbFeCoの合金化は、Zrとの合金化によるものを
遥かに陵駕するように媒質の抗酸化性を改良する。しか
しながら、TbFeCoPdフィルムの点食抵抗性はT
bFeCo2r (Pd/Zr濃度は同一)のそれに劣
る。点食腐食性に対して有効な(5) 抵抗性を有するためには、少なくとも8原子%のZrが
必要である。Zrのこのような量による合金化は、力一
回転を32%まで、そしてCNRを2dBまで低減する
。有効な酸化抵抗性を保持するには、TbFeCo中少
なくとも8原子%のPdが必要であることを本発明者ら
は見い出した。この量のPdは、力一回転を22%まで
、そしてCNRを6dBまで低減する。
本発明者は、ZrとPdの両者がTbFeCoに加えら
れる場合にこれらの合金化元素の低い合計濃度でより優
れた抗腐食性と抗酸化性が得られるような相乗効果が観
察されることを見い出した。例えば、4原子%のZrと
4原子%のPdを含有するこの発明のTbFeCo媒質
は、8原子%のZrを含むかまたは8原子%のPdを含
むTbFeCo媒質の抗腐食性および抗酸化性より高い
それらの特性を有する。すなわち、この場合の本発明の
媒質は、式(TbFeCo) szZr4Pd4で示さ
れ、力一回転およびCNRは、それぞれほんの13%お
よび1dBまで低減するにすぎない。さらに、この発明
の媒質は(6) ZrとPdを含まない類似のTbFeCo媒質より高感
度であることが見い出された。
れる場合にこれらの合金化元素の低い合計濃度でより優
れた抗腐食性と抗酸化性が得られるような相乗効果が観
察されることを見い出した。例えば、4原子%のZrと
4原子%のPdを含有するこの発明のTbFeCo媒質
は、8原子%のZrを含むかまたは8原子%のPdを含
むTbFeCo媒質の抗腐食性および抗酸化性より高い
それらの特性を有する。すなわち、この場合の本発明の
媒質は、式(TbFeCo) szZr4Pd4で示さ
れ、力一回転およびCNRは、それぞれほんの13%お
よび1dBまで低減するにすぎない。さらに、この発明
の媒質は(6) ZrとPdを含まない類似のTbFeCo媒質より高感
度であることが見い出された。
ZrとPdの最適合計濃度および相対濃度は、選ばれる
特定のTbFeCo合金ならびに必要とされる光磁気特
性(CNR) 、安定性および最終的な記録素子や系の
製造能率に応じて当業者が容易に決定することができる
。
特定のTbFeCo合金ならびに必要とされる光磁気特
性(CNR) 、安定性および最終的な記録素子や系の
製造能率に応じて当業者が容易に決定することができる
。
この発明に従う光磁気記録素子を作製するには、熱蒸発
またはスパッター法などのいずれか適当な技法による光
磁気記録フィルムの累積を初めとするいずれか適当な方
法を使用することが可能であり、これらの方法は当業者
に周知である。下記例で具体的に説明される好ましい技
法を用いて鋳合金標的からスパッタリングによって合金
の薄いフィルムを作製する。
またはスパッター法などのいずれか適当な技法による光
磁気記録フィルムの累積を初めとするいずれか適当な方
法を使用することが可能であり、これらの方法は当業者
に周知である。下記例で具体的に説明される好ましい技
法を用いて鋳合金標的からスパッタリングによって合金
の薄いフィルムを作製する。
この発明に従う光磁気記録素子の作製では、いずれか適
当な基板を使用することができる。好ましい基板は、累
積条件下で実質的に不活性で非磁性であるか、あるいは
それらの上に形威せしめる光磁気記録フィルムの磁気特
性を阻害することが(7) ない程弱い磁性のものである。基板の寸法と形状は限定
されない。基板はその用途に応じて柔軟性または硬質で
あることができる。例えば、基板はディスク、テープ、
フォイルまたはワイヤーなどの形状であってよく、そし
ていずれか適当な材料、例えば、ガラス、ポリメタクリ
レートのようなアクリル樹脂、ボリカーボネートおよび
ポリエステルポリアミド樹脂などを初めとするプラスチ
ック製であることができる。アルミや銅のような非磁性
金属を使用することができる。光磁気素子がこの基板を
通してレーザーにより処理される場合には、基板は実質
的に透明であることが好ましい。
当な基板を使用することができる。好ましい基板は、累
積条件下で実質的に不活性で非磁性であるか、あるいは
それらの上に形威せしめる光磁気記録フィルムの磁気特
性を阻害することが(7) ない程弱い磁性のものである。基板の寸法と形状は限定
されない。基板はその用途に応じて柔軟性または硬質で
あることができる。例えば、基板はディスク、テープ、
フォイルまたはワイヤーなどの形状であってよく、そし
ていずれか適当な材料、例えば、ガラス、ポリメタクリ
レートのようなアクリル樹脂、ボリカーボネートおよび
ポリエステルポリアミド樹脂などを初めとするプラスチ
ック製であることができる。アルミや銅のような非磁性
金属を使用することができる。光磁気素子がこの基板を
通してレーザーにより処理される場合には、基板は実質
的に透明であることが好ましい。
非透明基板も、その基板の反対側から光磁気媒質にレー
ザーが適用される場合には使用することができる。
ザーが適用される場合には使用することができる。
TbFeCo合金に関して好ましい合金は米国特許第4
, 670, 353号に記載されている。存在するT
bFeCoの総量を基準に、Tbは10〜30原子%の
量で存在し、Feは50〜90原子%の量で存在し、そ
してCoは5〜20原子%の量で存在することが好まし
い。
, 670, 353号に記載されている。存在するT
bFeCoの総量を基準に、Tbは10〜30原子%の
量で存在し、Feは50〜90原子%の量で存在し、そ
してCoは5〜20原子%の量で存在することが好まし
い。
(8)
この範囲の組成物が光磁気記録にとって好ましい特性、
すなわち、良好な異方性および熱安定性ならびに大きな
カー回転角を有する。しかしながら、本発明はこの範囲
外の他のTbFeCo合金との関連においても有用であ
る。
すなわち、良好な異方性および熱安定性ならびに大きな
カー回転角を有する。しかしながら、本発明はこの範囲
外の他のTbFeCo合金との関連においても有用であ
る。
本発明の好ましい態様では、前述の光磁気記録提供され
る。これらの保護層は光磁気層の抗腐食性および抗酸化
性をさらに改良する。このような層は、例えばCr,M
o,W,Ta,Hf,AI,Mg,ZnTi,Zrおよ
びVなどの元素ならびにそれらの合金から、そしてA1
+ Sl ,T+およびBの窒化物、酸化物および炭化
物から形戊することができる。この発明の特に好ましい
態様では、1989年IO月31日発行の米国特許第4
. 877, 690号に記載されるように光磁気記録
フィルムが一つの表面にセラミック障壁層を有し、そし
てもう一つの表面にセラミック障壁層の熱伝導率と実質
的に等価のそれを有する自己不動態化活性金属層を有す
る。これらの層は(9) 熱蒸着、スパッタリングまた当該技術分野で既知の他の
適当な方法で適用することができる。
る。これらの保護層は光磁気層の抗腐食性および抗酸化
性をさらに改良する。このような層は、例えばCr,M
o,W,Ta,Hf,AI,Mg,ZnTi,Zrおよ
びVなどの元素ならびにそれらの合金から、そしてA1
+ Sl ,T+およびBの窒化物、酸化物および炭化
物から形戊することができる。この発明の特に好ましい
態様では、1989年IO月31日発行の米国特許第4
. 877, 690号に記載されるように光磁気記録
フィルムが一つの表面にセラミック障壁層を有し、そし
てもう一つの表面にセラミック障壁層の熱伝導率と実質
的に等価のそれを有する自己不動態化活性金属層を有す
る。これらの層は(9) 熱蒸着、スパッタリングまた当該技術分野で既知の他の
適当な方法で適用することができる。
この発明の好ましい態様は、第6図に具体的に示される
。基板1上に保護層2および光磁気記録フィルム3が順
に累積される。光磁気記録フィルム3には、保護層4が
提供される。光磁気記録フィルムの厚さは、光磁気記録
媒質としての使用に適する範囲内であればよい。このフ
ィルムの厚さは100〜2000人の範囲であることが
できる。保護層と基板の厚さは、具体的な用途に応じて
広範囲に変動しうる。例えば、保護層は1000人厚で
あることができる。
。基板1上に保護層2および光磁気記録フィルム3が順
に累積される。光磁気記録フィルム3には、保護層4が
提供される。光磁気記録フィルムの厚さは、光磁気記録
媒質としての使用に適する範囲内であればよい。このフ
ィルムの厚さは100〜2000人の範囲であることが
できる。保護層と基板の厚さは、具体的な用途に応じて
広範囲に変動しうる。例えば、保護層は1000人厚で
あることができる。
この発明に必須の要件は、記録フィルム中でTbFeC
o合金が合金化元素ZrおよびPdの両方と組み合わさ
って存在することである。ZrとPdの両者の存在が予
期できない相乗効果を奏する。
o合金が合金化元素ZrおよびPdの両方と組み合わさ
って存在することである。ZrとPdの両者の存在が予
期できない相乗効果を奏する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板、ならびに次式 (TbFeCo)_1_−_x_−_yZr_xPd_
y(上式中、xおよびyはそれぞれ1≦x≦15および
1≦y≦15の原子パーセントを表わす)で示される組
成物を有する光磁気記録フィルムを含んでなる光磁気記
録素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/435,915 US5055364A (en) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | Magnetooptical recording element |
US435915 | 1989-11-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03171451A true JPH03171451A (ja) | 1991-07-24 |
Family
ID=23730351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2304221A Pending JPH03171451A (ja) | 1989-11-13 | 1990-11-13 | 光磁気記録素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5055364A (ja) |
EP (1) | EP0428454A3 (ja) |
JP (1) | JPH03171451A (ja) |
KR (1) | KR910010434A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5614329A (en) * | 1991-03-05 | 1997-03-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Soft-magnetic thin film |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS60253040A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-13 | Toshiba Corp | 光磁気記録媒体 |
JPS6129437A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
JPS61196444A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-08-30 | Toshiba Corp | 光磁気デイスク |
JP2601796B2 (ja) * | 1985-12-05 | 1997-04-16 | 日立マクセル株式会社 | 光磁気記録媒体 |
US4786559A (en) * | 1985-12-25 | 1988-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetooptical storage element |
JP2548704B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1996-10-30 | 株式会社日立製作所 | 光磁気デイスクおよびその製造法 |
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EP0310680A4 (en) * | 1987-04-17 | 1990-10-03 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Photomagnetic recording membrane |
JPS6417245A (en) * | 1987-07-11 | 1989-01-20 | Sony Corp | Magneto-optical recording medium |
JPS6437743A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Hitachi Ltd | Magneto-optical recording medium |
-
1989
- 1989-11-13 US US07/435,915 patent/US5055364A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-10-31 EP EP19900420469 patent/EP0428454A3/en not_active Withdrawn
- 1990-11-12 KR KR1019900018240A patent/KR910010434A/ko not_active Application Discontinuation
- 1990-11-13 JP JP2304221A patent/JPH03171451A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR910010434A (ko) | 1991-06-29 |
EP0428454A3 (en) | 1991-06-12 |
EP0428454A2 (en) | 1991-05-22 |
US5055364A (en) | 1991-10-08 |
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