JPS63184940A - 光磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気ディスク、特に新規な誘電体膜を有す
る光磁気ディスクに関するものである。

〔従来の技術〕

Ｔｂ　−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｆｅ　−Ｃｏ系、Ｇｄ　−Ｔｂ
　−Ｆｅ系などの光磁気記録媒体膜に光ビームを照射し
て情報の記録、再生及び消去を行なう光磁気ディスクは
、書き換え可能な情報を高密度に記録するごとができる
ので、各方面への広い用途が見込まれている。

この種の光磁気ディスクの構造として従来、ガラスやポ
リカーボネイト、アクリル、エポキシ、ポリメチルペン
テンなどの透明高分子材で形成される透明基板上に、第
１層として、前記光磁気記録媒体を保護すると共に、情
報の読み出し光を内部で多重反射（干渉）させ読み出し
用反射光の見掛けのカー回転角を増加させ再生Ｃ／Ｎ比
を向上させる（エンハンスメント効果）　、Ｓｔｏｗ、
Ｓ＋０．ＣｅＯ２などの誘電体膜、第２Ｎとして前記媒
体膜および第３層として前記媒体を保護する、ＳｉＯ□
＋　Ｓ　ｉ　Ｏ＋　ＣｅＯ□などの誘電体膜もしくはＡ
６＋Ｂ＋、＋Ｐｂなどの金属膜が形成されてなるものく
特開昭５９−１）００５６号、同５９−１２１３６８号
）や透明基板上に、第１層として、前記媒体を保護する
誘電体膜、第２層として前記媒体膜、第３層として、前
記媒体膜を保護すると共に、この媒体膜を透過した情報
の読み出し光を内部で多重反射（干渉）させ読み出し用
反射光の見かけのファラデー回転角を増加させ再生Ｃ／
Ｎ比を向上させる（エンハンスメント効果）誘電体膜お
よび第４層として金属膜が形成されてなるもの（特開昭
６０−１２９９５１号、同６０−２０９９４７号）など
が、光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比の向上の観点から最
も有望なものとして知られている。

これらの光磁気ディスクの構造は、光磁気記録媒体膜の
一面に誘電体膜、他面に金属膜が積層されてなるか、該
媒体膜の両面に誘電体膜が積層されてなるものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、これらの光磁気ディスクにおいては、記
録情報のドロップアウトの防止および再生Ｃ／Ｎ比の向
上が完全には達成されていなかった。

本発明の目的は、これらの問題点を解消し、長期の耐久
性、光磁気記録再生特性いずれも優れ充分実用化に値す
る光磁気ディスクを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、前記目的を達成するものとして、前記公知の
光磁気ディスクの構造において、光磁気記録媒体膜の一
面に積層された誘電体膜を、金属酸化物、金属窒化物ま
たは金属弗化物からなり、液膜の前記媒体膜側の界面お
よびその近傍が該金属成分のみとなるようにしたもので
あり、また前記媒体膜の両面に積層された誘電体膜をい
ずれも、金属酸化物、金属窒化物または金属弗化物から
なり、液膜の前記媒体膜側の界面およびその近傍が該金
属成分のみとなるようにしたものでもある。

〔作　用〕

本発明において、光磁気記録媒体膜の一面に積層された
誘電体膜を金属酸化物、金属窒化物または金属弗化物か
らなるようにする必要がある。これは、この誘電体１）
便が光磁気記録媒体膜を保８Ｗする保護膜として作用す
る場合、優れた非通気性、非透ン品性および断熱性を有
するからであり、また、エンハンスメント効果を発揮さ
せる干渉膜として作用する場合、該効果を有効に利用で
きるからである。また、この誘電体膜の前記媒体側を界
面およびその近傍が液膜の成分金属のみからなるように
する必要がある。この近傍としては、好ましくは５〜７
０人まで、特に好ましくは１０〜６０人までである。前
記誘電体膜の成分金属のみからなる部分が狭すぎると、
この誘電体膜中に含まれる酸素、窒素または弗素が前記
媒体膜中に侵入し光磁気記録再生特性を劣化させる作用
を防止することが不充分となり易く、一方、この部分が
広すぎると、干渉膜としては、光吸収係数が大きくなり
情報の書き込み、読み出し光の減衰を生じるため、エン
ハンスメント効果が充分得られず光磁気記録再生装置が
反射率を検出でき難く、また、保護膜としては、書き込
み時レーザー光により与えられる熱が放散し易（なる。

更に、この誘電体膜の成分金属としては、例えば、Ｓｉ
、Ｃｅ＋Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｙ。

Ａ　Ｅ　、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙｂ＋Ｙ、Ｔａ、
Ｎｂ、Ｂｉ、Ｂ、Ｔｉなどが挙げられ、これらのうち適
宜、１種もしくは２種以上複合させて使用すればよい。

次に、本発明において、光磁気記録媒体膜の両面に積層
された誘電体膜のいずれも、金属酸化物、金属窒化物ま
たは金属弗化物からなり、かつこの誘電体膜の媒体側を
界面およびその近傍がこの誘電体膜の成分金属のみから
なるようにする必要がある。、この近傍も、好ましくは
５〜７０人まで、特に好ましくは１０〜６０人までであ
る。このようにする理由は、前記−面に積層された誘電
体膜について述べたものと同様である。

なお、本発明において、透明基板上に積層された誘電体
膜の該基板側を界面およびその近傍が液膜の成分金属の
みからなるようにすると、該基板との密着性を向上させ
る上でも好ましい。

本発明の第１層から第３層もしくは第４層までの膜は、
反応性スパッタリング、真空諺着などにより形成するこ
とができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を比較例と共に説明する。

実施例１ 厚さ１．２鰭のポリカーボネイトの溝付透明基板上に第
１層を、まずターゲットとしてＴａ、導入ガスとしてＡ
ｒを用い高周波スパッタリング法によりＴａを３０人形
成しく１−１層）、次にスパッタ槽内に反応ガスとして
酸素ガスを導入しＴａｚＯｓを４００人形成しくｌ−２
層）、更に酸素ガスの導入を止めＴａを３０人形成する
（ｌ−３層）ことにより成膜した。そして、第２層のＴ
ｂｏ、　ｚ７Ｆｅｏ、６０ＣＯＯ，＋　３なる組成の光
磁気記録媒体膜を１０００人形成した後、第３層を、ま
ずターゲットとして７８％　導入ガスとしてＡｒを用い
Ｔａを３０人形成しく３−１５）、次にスパッタ槽内に
反応ガスとして酸素ガスを導入しＴａ２０５を１０００
人形成した（３−２層）。

このようにして作成した光磁気ディスクに対して、記録
周波数２ＭＨｚ、レーザーパワー４ｍＷで記録を行ない
、再生レーザーパワー１ｍＷで再生を行なった。そして
、初ＩＩＪＩＣ／Ｎ比（ｄＢ）を測定した。

また、前記したようにして作成した光磁気ディスクを温
度６０°Ｃ１相対湿度９０％の雰囲気中に１０００時間
放置した後、前記したように記録および再生を行なった
。そして、経時Ｃ／Ｎ比（ｄＢ）を測定した。

以上により得られた結果を第１表に示す。

第　　１　　表 更に、上で得た成膜直後の光磁気ディスクと１０００時
間放置した光磁気ディスクについて、膜厚方向のオージ
ェ電子分光法による組成分析を行なった。

以上により得られた結果を夫々第１−１図、第１−２図
に示す。

実施例２ １−３層を８人形成した以外は、実施例１と同様にして
光磁気ディスクを得、初期Ｃ／Ｎ比および経時Ｃ／Ｎ比
を測定した。これらを第１表に示す。

比較例１ 厚さ１．２１のポリカーボネイトの、溝付透明基板上に
第１層を、ターゲットとしてＴａ、導入ガスとしてＡｒ
および反応ガスとして酸素ガスを用い高周波スパッタリ
ング法によりＴａｚＯｓを７５０人形成し、次に、第２
層のＴｂｏ、　ｚｔＦｅｏ、　１ｌｏｃｏｏ、　＋　２
なる組成の光磁気記録媒体膜をｔｏｏｏ人形成人形後、
第３層としてＴａ、０．を１５００人第１層と同様に形
成した。

こうして得た成膜直後の光磁気ディスクと実施例１と同
様１０００時間放置した光磁気ディスクについて、実施
例１と同様の記録再生試験および膜厚方向のオージェ電
子分光法による組成分析を行なった。再生試験の結果を
第１表に、組成分析の結果を第２−１図く成膜直後）と
第２−２図（１０００時間放置）に示す。

比較例２ １−３層を８０人形成した以外は、実施例１と同様にし
て光磁気ディス゛りを得、初期Ｃ／Ｎ比および経時Ｃ／
Ｎ比を測定した。これらを第１表に示す。

比較例３ ３−１層を８０人形成した以外は、実施例１と同様にし
て光磁気ディスクを得、初期Ｃ／Ｎ比および経時Ｃ／Ｎ
比を測定した。これらを第１表に示す。

比較例１の光磁気ディスクは、第２〜１図および第２−
２図から明らかなように、温度６０°Ｃ１相対湿度９０
％の雰囲気に１０００時間放置したことによって光磁気
記録媒体膜に隣接して積層した誘電体中の酸素がこの媒
体内に侵入しているのに対して、実施例１の光磁気ディ
スクは、第１−１図および第１−２図から明らかなよう
に、このような侵入はほとんどみられない。

これらの光磁気ディスクを記録再生試験に供すると、第
１表から明らかなように、比較例１の光磁気ディスクは
初期Ｃ／Ｎ比、経時Ｃ／Ｎ比共に充分なものではないの
に対して、実施例１の光磁気ディスクは初期Ｃ／Ｎ比、
経時Ｃ／Ｎ比共に優れている、即ち非常に高い光磁気記
録再生特性を有し、長期の耐久性に優れている。

また、実施例２の光磁気ディスクは、１−３層は比較的
薄いものの充分な反射率を有しており、初期Ｃ／Ｎ比、
経時Ｃ／Ｎ比共に良好である。しかし、比較例２の光磁
気ディスクは１−３層が厚ずぎるため充分な反射光量を
かせぐことができず、かつ１−３層による放熱効果によ
り記録レーザーパワーがたりなくなったため初期Ｃ／Ｎ
比、経時Ｃ／Ｎ比共に低く、比較例３の光磁気ディスク
は３−１層による放熱効果により十分な記録レーザーパ
ワーとなっていない。

本発明は、以上説明した実施例に限ったものではなく、
例えば、第４層に金属膜を用いたりその上に更に紫外線
硬化樹脂を塗布した構成のもの、前記実施例の構成の光
磁気ディスクを対向させスペーサーにより対向空間を形
成し、この空間内に不活性ガスを充填した構成のものな
どが実現可能である。

Ｃ発明の効果〕 以上詳細に説明したように、本発明によると、初期光磁
気記録再生特性が高く、経時光磁気記録再生特性の変化
がない優れた光磁気ディスクを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１−１図は、実施例１の成膜直後の光磁気ディスクの
膜厚方向についてオージェ電子分光法により行なった組
成分析の結果であり、第１２図は、実施例１０１０００
時間放置した光磁気ディスクについての第１−１図と同
様の図であり、第２−１図は、比較例１の成膜直後の光
磁気ディスクについての第１−１図と同様の図であり、
第２−２図は、比較例１の１０００時間放直した光磁気
ディスクについての第１−１図と同様の図である。 特許出願人　　住友金属鉱山株式会社 第１−１図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）光磁気記録媒体膜の一面に誘電体膜、他面に金属
   膜が積層され、該媒体膜に光ビームを照射して情報の記
   録、再生および消去を行なう光磁気ディスクにおいて、
   前記誘電体膜を、金属酸化物、金属窒化物または金属弗
   化物からなる膜であって、該膜の前記媒体膜側の界面お
   よびその近傍が該金属成分のみとなるようにしたことを
   特徴とする光磁気ディスク。
2. （２）光磁気記録媒体膜の両面に誘電体膜が積層され、
   該媒体膜に光ビームを照射して情報の記録、再生および
   消去を行なう光磁気ディスクにおいて、前記両誘電体膜
   をいずれも、金属酸化物、金属窒化物または金属弗化物
   からなる膜であって、該膜の前記媒体膜側の界面および
   その近傍が該金属成分のみとなるようにしたことを特徴
   とする光磁気ディスク。