JPS63171447A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
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- JPS63171447A JPS63171447A JP62001068A JP106887A JPS63171447A JP S63171447 A JPS63171447 A JP S63171447A JP 62001068 A JP62001068 A JP 62001068A JP 106887 A JP106887 A JP 106887A JP S63171447 A JPS63171447 A JP S63171447A
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- Japan
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- layer
- magneto
- film
- dielectric
- optical disk
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- Granted
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
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- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 6
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気ディスク、特に新規な誘電体膜を有す
る光磁気ディスクに関するものである。
る光磁気ディスクに関するものである。
光磁気記録媒体層に光ビームを照射して情報の記録、再
生及び消去を行なう光磁気ディスクは、書き換え可能な
情報を高密度に記録することができるので、各方面への
広い用途が見込まれている。
生及び消去を行なう光磁気ディスクは、書き換え可能な
情報を高密度に記録することができるので、各方面への
広い用途が見込まれている。
この種の光磁気ディスクの構造として、従来、ガラスや
ポリカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリメチルペ
ンテンなどの透明高分子材で形成される透明基板上に、
第１層として、後記光磁気記録媒体を保護するＳｉＯ□
ｒ ５ｔ０１ Ｃｅ０ｚなどの誘電体膜、第２層として
Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ
系などの膜厚を３００Å以下と薄くした光磁気記録媒体
膜、第３層として、前記光磁気記録媒体膜を保護すると
共にこの膜を透過した情報の読み出し光をこの膜と後記
第４層としての金属膜との間で多重反射させ読み出し用
反射光の見かけのファラデー回転角を増加させ再生Ｃ／
Ｎを向上させる（エンハンスメント効果） 、５ｉ（ｌ
ｚ＋ｓｉｏ＋ ＣｅＯ２などの誘電体膜、および第４層
として、Ａｇ、Ｂｉ＋ｐｂなどの金属膜が形成されてな
るものが、前記光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比の向上の
観点から最も有望なものの一つとして知られている（特
開昭６０−１２９９５１号、同６０−２０９９４７号）
。
ポリカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリメチルペ
ンテンなどの透明高分子材で形成される透明基板上に、
第１層として、後記光磁気記録媒体を保護するＳｉＯ□
ｒ ５ｔ０１ Ｃｅ０ｚなどの誘電体膜、第２層として
Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ
系などの膜厚を３００Å以下と薄くした光磁気記録媒体
膜、第３層として、前記光磁気記録媒体膜を保護すると
共にこの膜を透過した情報の読み出し光をこの膜と後記
第４層としての金属膜との間で多重反射させ読み出し用
反射光の見かけのファラデー回転角を増加させ再生Ｃ／
Ｎを向上させる（エンハンスメント効果） 、５ｉ（ｌ
ｚ＋ｓｉｏ＋ ＣｅＯ２などの誘電体膜、および第４層
として、Ａｇ、Ｂｉ＋ｐｂなどの金属膜が形成されてな
るものが、前記光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比の向上の
観点から最も有望なものの一つとして知られている（特
開昭６０−１２９９５１号、同６０−２０９９４７号）
。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、前記構造の光磁気ディスクにおいては、
前記光磁気記録媒体膜が薄いためこの媒体膜の酸化が逆
に促進され、耐久性が不充分である。
前記光磁気記録媒体膜が薄いためこの媒体膜の酸化が逆
に促進され、耐久性が不充分である。
本発明の目的は、この問題点を解消Ｌ、初期の光磁気記
録再生特性を可及的長期にわたって維持できる耐久性に
優れた、充分実用化に値する光磁気ディスクを提供する
ことにある。
録再生特性を可及的長期にわたって維持できる耐久性に
優れた、充分実用化に値する光磁気ディスクを提供する
ことにある。
本発明は、前記目的を達成するものとして、前記公知の
光磁気ディスクの構造において、第３層としての誘電体
の組成がＴａＯｘ 、 ＮｂＯｘまたはＴａ１−、Ｎｂ
、ＯＫ （但し、１．５≦ｘ≦２．５、Ｑ＜ｙ＜１）で
表わされることを特徴とする光磁気ディスクである。ま
た、本発明は、前記公知の光磁気ディスクの構造におい
て、第１層としての誘電体の組成がＴａｇｔ、 ＮｂＯ
，またはＴａ １− ｗＮｂｗＯｚ （但し、１．５≦
２≦２．５、Ｑ＜ｗ＜１）で表わされ、かつ前記第３層
としての誘電体の組成がＴａＯｘ 、 ＮｂＯｘまたは
Ｔａｇ −ｙＮｂｙＯｘ （但し、１．５≦ｘ≦２．５
．０くｙく１）で表わされることを特徴とする光磁気デ
ィスクでもある。
光磁気ディスクの構造において、第３層としての誘電体
の組成がＴａＯｘ 、 ＮｂＯｘまたはＴａ１−、Ｎｂ
、ＯＫ （但し、１．５≦ｘ≦２．５、Ｑ＜ｙ＜１）で
表わされることを特徴とする光磁気ディスクである。ま
た、本発明は、前記公知の光磁気ディスクの構造におい
て、第１層としての誘電体の組成がＴａｇｔ、 ＮｂＯ
，またはＴａ １− ｗＮｂｗＯｚ （但し、１．５≦
２≦２．５、Ｑ＜ｗ＜１）で表わされ、かつ前記第３層
としての誘電体の組成がＴａＯｘ 、 ＮｂＯｘまたは
Ｔａｇ −ｙＮｂｙＯｘ （但し、１．５≦ｘ≦２．５
．０くｙく１）で表わされることを特徴とする光磁気デ
ィスクでもある。
本発明において、前記第３層としての誘電体の組成は、
ＴａｇＫ、 Ｎｂｏ、またはＴａｇ−ｙＮｂ、Ｏｘ （
但し、１．５≦ｘ≦２．５．０＜ｙ＜１）で表わされる
必要がある。それは、この成分がｘ、ｙの幅広い範囲で
安定であるため、外部から酸素が混入してもこれを吸収
し光磁気記録媒体の酸化を防止する保護膜としての効果
が、公知の第３層としての誘電体に比べて大きいためで
ある。そして、この誘電体の組成を示すＸおよびｙには
、夫々１．５≦ｘ≦２．５．０＜ｙ＜１なる条件が設定
される。Ｘが１．５未満では、誘電体膜中に金属性のＴ
ａ、 Ｎｂが形成され、均質で透明な膜が形成されず、
一方Ｘが２．５を超えると酸素が過剰となり、この過剰
の酸素が光磁気記録媒体膜内に混入して得られる光磁気
ディスクの光磁気記録再生特性を劣化させる。
ＴａｇＫ、 Ｎｂｏ、またはＴａｇ−ｙＮｂ、Ｏｘ （
但し、１．５≦ｘ≦２．５．０＜ｙ＜１）で表わされる
必要がある。それは、この成分がｘ、ｙの幅広い範囲で
安定であるため、外部から酸素が混入してもこれを吸収
し光磁気記録媒体の酸化を防止する保護膜としての効果
が、公知の第３層としての誘電体に比べて大きいためで
ある。そして、この誘電体の組成を示すＸおよびｙには
、夫々１．５≦ｘ≦２．５．０＜ｙ＜１なる条件が設定
される。Ｘが１．５未満では、誘電体膜中に金属性のＴ
ａ、 Ｎｂが形成され、均質で透明な膜が形成されず、
一方Ｘが２．５を超えると酸素が過剰となり、この過剰
の酸素が光磁気記録媒体膜内に混入して得られる光磁気
ディスクの光磁気記録再生特性を劣化させる。
更に、この誘電体膜は、膜厚が２００〜１０００人に形
成されるのが望ましい。膜厚が２００人未満では、ピン
ホールなどによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層
の酸化による情報のドロップアウトが生じてこの媒体層
を保護する効果が不充分である。一方、膜厚が１０００
人を超えると、膜厚のバラツキが増大し、エンハンスメ
ント効果を有効に利用できなくなる。
成されるのが望ましい。膜厚が２００人未満では、ピン
ホールなどによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層
の酸化による情報のドロップアウトが生じてこの媒体層
を保護する効果が不充分である。一方、膜厚が１０００
人を超えると、膜厚のバラツキが増大し、エンハンスメ
ント効果を有効に利用できなくなる。
第１層としての誘電体膜は、公知の膜および前記第３層
としての誘電体に属する組成のもののいずれをも使用す
ることができる。そして、前記第３層としての誘電体に
属する組成のものを使用した場合、第１層と第３層とし
ての誘電体の組成は、同じでも相違していてもよい。そ
して、この第１層の膜厚は２００〜１０００人に形成さ
れるのが望ましい。膜厚が２００人未満では、ピンホー
ルなどによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体膜を保
護する効果が充分得られない。一方、１０００人を超え
ると、膜厚の不均一性が増大しエンハンスメント効果を
有効に利用できない。
としての誘電体に属する組成のもののいずれをも使用す
ることができる。そして、前記第３層としての誘電体に
属する組成のものを使用した場合、第１層と第３層とし
ての誘電体の組成は、同じでも相違していてもよい。そ
して、この第１層の膜厚は２００〜１０００人に形成さ
れるのが望ましい。膜厚が２００人未満では、ピンホー
ルなどによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体膜を保
護する効果が充分得られない。一方、１０００人を超え
ると、膜厚の不均一性が増大しエンハンスメント効果を
有効に利用できない。
本発明の第１層から第４層までの膜は、高周波スパッタ
リング、直流スパッタリング、真空蒸着などにより形成
することができる。
リング、直流スパッタリング、真空蒸着などにより形成
することができる。
以下、本発明の実施例を比較例、従来例と共に説明する
。
。
厚さ１．２ｍｍのポリカーボネートの溝付透明基板上に
高周波スパッタリング法により、第１層、次に第２層の
、膜厚２５０人でＴｂｏ、 ｚＪｅｏ、 ＆０ＣＯＯ，
ｌ ３なる組成の光磁気記録媒体膜、更に第３層及び第
４眉の、膜厚１０００人のＡｌ膜を形成した。この際の
第１層および第３層の成分、組成および膜厚を第１表に
示す。
高周波スパッタリング法により、第１層、次に第２層の
、膜厚２５０人でＴｂｏ、 ｚＪｅｏ、 ＆０ＣＯＯ，
ｌ ３なる組成の光磁気記録媒体膜、更に第３層及び第
４眉の、膜厚１０００人のＡｌ膜を形成した。この際の
第１層および第３層の成分、組成および膜厚を第１表に
示す。
このようにして得られた光磁気ディスクおよび温度６０
°Ｃ１相対湿度９０％の雰囲気中に１０００時間暴露し
た後の光磁気ディスクに対して、記録周波数２ＭＨｚ、
レーザーパワー４ｍＷで記録し、再生レーザーパワー１
ｍＷで再生した（夫々再生した初期Ｃ／Ｎ比、再生した
経時Ｃ／Ｎ比）。再生した経時Ｃ／Ｎ比を、夫々の試験
における再生したＣ／Ｎ比に対する相対値で第１表に示
す。
°Ｃ１相対湿度９０％の雰囲気中に１０００時間暴露し
た後の光磁気ディスクに対して、記録周波数２ＭＨｚ、
レーザーパワー４ｍＷで記録し、再生レーザーパワー１
ｍＷで再生した（夫々再生した初期Ｃ／Ｎ比、再生した
経時Ｃ／Ｎ比）。再生した経時Ｃ／Ｎ比を、夫々の試験
における再生したＣ／Ｎ比に対する相対値で第１表に示
す。
いずれの実施例においても、経時Ｃ／Ｎ比相対値が０．
９５以上であり、初期Ｃ／Ｎ比を長期にわたって維持で
きる耐久性に優れた光磁気ディスクが得られている。し
かし、従来例および比較例では、いずれも、このように
耐久性に優れた光磁気ディスクは得られていない。
９５以上であり、初期Ｃ／Ｎ比を長期にわたって維持で
きる耐久性に優れた光磁気ディスクが得られている。し
かし、従来例および比較例では、いずれも、このように
耐久性に優れた光磁気ディスクは得られていない。
本発明は、以上説明した各実施例の構成に限るものでな
く、例えば、第４層としての金属膜の上に更に紫外線硬
化樹脂を塗布した構成のもの、前記実施例の構成の光磁
気ディスクを対向させスペーサにより対向空間を形成し
、この空間内に不活性ガスを充填した構成のものなどが
実現可能である。
く、例えば、第４層としての金属膜の上に更に紫外線硬
化樹脂を塗布した構成のもの、前記実施例の構成の光磁
気ディスクを対向させスペーサにより対向空間を形成し
、この空間内に不活性ガスを充填した構成のものなどが
実現可能である。
以上詳細に説明したように、本発明によると、初期の光
磁気記録再生特性を長期にわたって維持できる耐久性に
優れた光磁気ディスクを提供することができる。
磁気記録再生特性を長期にわたって維持できる耐久性に
優れた光磁気ディスクを提供することができる。
Claims (2)
- （１）透明基板上に、第１層として誘電体膜、第２層と
して膜厚３００Å以下の光磁気記録媒体膜、第３層とし
て誘電体膜および第４層として金属膜が形成され、前記
光磁気記録媒体膜に光ビームを照射して情報の書き込み
および読み出しを行なう光磁気ディスクにおいて、前記
第３層としての誘電体の組成がＴａＯ＿ｘ、ＮｂＯ＿ｘ
またはＴａ＿１＿−＿ｙＮｂ＿ｙＯ＿ｘ（但し、１．５
≦ｘ≦２．５、０＜ｙ＜１）で表わされることを特徴と
する光磁気ディスク。 - （２）透明基板上に、第１層として誘電体膜、第２層と
して膜厚３００Å以下の光磁気記録媒体膜、第３層とし
て誘電体膜および第４層として金属膜が形成され、前記
光磁気記録媒体膜に光ビームを照射して情報の書き込み
および読み出しを行なう光磁気ディスクにおいて、前記
第１層としての誘電体の組成がＴａＯ＿ｚ、ＮｂＯ＿ｚ
またはＴａ＿１＿−＿ｗＮｂ＿ｗＯ＿ｚ（但し、１．５
≦ｚ≦２．５、０＜ｗ＜１）で表わされ、かつ前記第３
層としての誘電体の組成がＴａＯ＿ｘ、ＮｂＯ＿ｘまた
はＴａ＿１＿−＿ｙＮｂ＿ｙＯ＿ｘ（但し、１．５≦ｘ
≦２．５、０＜ｙ＜１）で表わされることを特徴とする
光磁気ディスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62001068A JPH07122939B2 (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 光磁気デイスク |
| PCT/JP1987/000347 WO1987007422A1 (en) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magneto-optical disk |
| DE8787903436T DE3778905D1 (de) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magnetooptische platte. |
| EP87903436A EP0324853B1 (en) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magneto-optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62001068A JPH07122939B2 (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 光磁気デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63171447A true JPS63171447A (ja) | 1988-07-15 |
| JPH07122939B2 JPH07122939B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=11491209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62001068A Expired - Fee Related JPH07122939B2 (ja) | 1986-05-30 | 1987-01-08 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122939B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5346620Y2 (ja) * | 1973-03-02 | 1978-11-08 | ||
| JPS5893437U (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-24 | 三菱重工業株式会社 | マシニングセンタ |
| JPS60167729A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-31 | Teijin Seiki Co Ltd | 工作機械 |
-
1987
- 1987-01-08 JP JP62001068A patent/JPH07122939B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5346620Y2 (ja) * | 1973-03-02 | 1978-11-08 | ||
| JPS5893437U (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-24 | 三菱重工業株式会社 | マシニングセンタ |
| JPS60167729A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-31 | Teijin Seiki Co Ltd | 工作機械 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07122939B2 (ja) | 1995-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |