JPS63179434A - 光磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気ディスク、特に新規な誘電体膜を有す
る光磁気ディスクに関するものである。

〔従来の技術〕

光磁気記録媒体層に光ビームを照射して情報の記録、再
生及び消去を行なう光磁気ディスクは、書き換え可能な
情報を高密度に記録することができるので、各方面への
広い用途が見込まれている。

この種の光磁気ディスクの構造として、従来、ガラスや
ポリカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリメチルペ
ンテンなどの透明高分子材で形成される透明基板上に、
第１層として、後記光磁気記録媒体を保護すると共に、
情報の読み出し光の内の光磁気記録媒体膜で反射した光
を内部で多重反射（干渉）させ読へ出し用反射光の見か
けのカー回転角を増加させ再生Ｃ／Ｎ比を向上させる（
エンハンスメント効果）　％　Ｓｉｎｇ、　５ｉＯ１Ｃ
ｅＯｚなどの誘電体膜、第２層としてＴｂ−Ｆｅ系、Ｔ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ系などの膜厚を３
００人より厚くした光磁気記録媒体膜および第３層とし
て前記光磁気記録媒体を保護する、５ｔｏｐ、ｓｔｏ、
　Ｃｅｎｔなどの誘電体膜、もしくはＡＩｌ、Ｂｉ、Ｐ
ｂ　　などの金属膜が形成されてなるもの（特開昭５９
−１１００５６号、同５９−１２１３６８号）や透明基
板上に、第１層として、後記光磁気記録媒体を保護する
誘電体膜、第２層として膜厚を３００Å以下とした光磁
気記録媒体膜、第３層として前記光磁気記録媒体を保護
すると共にこの膜を透過した情報の読み出し光をこの膜
と後記金属膜との間で多重反射（干渉）させ読み出し用
反射光の見かけのファラデー回転角を増加させ再生Ｃ／
Ｎ比を向上させる（エンハンスメント効果）誘電体膜、
および第４層として金属膜が形成されてなるもの（特開
昭６０−１２９９５１号、同６０−２０９９４７号）な
どが、充分実用化に値する光磁気ディスクを提供すると
いう観点から最も有望なものとして知られている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、前記構造の光磁気ディスクにおいては、
前記光磁気記録情報のドロップアウトの防止および再生
Ｃ／Ｎ比の向上が完全には達成されていなかった。

本発明の目的は、これらの問題点を解消し、長期の耐久
性、光磁気記録再生特性いずれも優れ充分実用化に値す
る光磁気ディスクを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、前記目的を達成するものとして、前記公知の
光磁気ディスクの構造において、干渉膜としての誘電体
膜の組成がＡｓｇＳｅ＋−ｘ（但し、０．２≦ｘ≦０．
８）で表わされることを特徴とする光磁気ディスクであ
る。また、本発明は、前記公知の光磁気ディスクの構造
において、干渉膜としての誘電体膜の組成がＡｓｘＳｅ
＋−ｘ（但し、０．２≦ｘ≦０．８）で表わされ、かつ
該干渉膜以外の誘電体膜の組成がＡｓｙＳｅ＋−ｙ　　
（但し、０．２≦ｙ≦０．８）で表わされることを特徴
とする光磁気ディスクでもある。

〔作　用〕

本発明において、干渉膜としての誘電体の組成はＡｓｙ
Ｓｅｌ−Ｘ　（但し、０．２≦ｘ≦０．８）で表わされ
る必要がある。それは、（１１この成分がＸの幅広い範
囲で安定な非晶質状態を保つため光学的に等方性で複屈
折を生じず、また粒界がないことから記録再生時におけ
る粒界ノイズが生じ、ない、（２）この誘電体膜は屈折
率が約２．３であり、現在光磁気ディスクに必要とされ
ている反射率１５％以上を満足し、かつエンハンスメン
ト効果を最大限に利用しうる最適屈折率を有する、（３
）酸素を全く含まないため光磁気記録媒体中の酸化を防
止する効果が公知の干渉膜としての誘電体に比べて大き
い、からである。

そして、この誘電体の組成を示すＸには０．２≦ｘ≦０
．８なる条件が設定される。Ｘが０．２未満または０．
８より大きいとき、結晶化してしまい安定な非晶質状態
を形成しないため、粒界ノイズを生じたり、光学的異方
性を生じ再生光信号の偏光面にゆらぎを与える原因とな
りノイズレベルを上げ再生Ｃ／Ｎ比の低下を引き起こす
。

更に、この誘電体膜は、膜厚が２００〜１２００人に形
成されるのが望ましい、膜厚が２００人未満では、ピン
ホールなどによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層
の酸化による情報のドロップアウトが生じてこの媒体層
を保護する効果が不充分であると共に、エンハンスメン
ト効果が充分に発揮されない、一方、膜厚が１２００人
を超えると、膜厚のバラツキが増大し、エンハンスメン
ト効果を有効に利用できなくなる。

干渉膜以外の誘電体膜もしくは金属膜は、公知の膜およ
び前記干渉膜の組成のもののいずれをも使用することが
できる。そして、前記干渉膜の組成のものを使用した場
合、干渉膜の組成と干渉膜以外の組成は、同じでも相違
していてもよい。そして、この層の膜厚は２００Å以上
に形成されるのが望ましい。膜厚が２００人未満では、
ピンホール等による膜の不均一性が増し光磁気記録媒体
膜を保護する効果が充分得られない。

本発明の各層の膜は、高周波スパッタリング、直流スパ
ッタリング、真空蒸着などにより形成することができる
。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を比較例、従来例と共に説明する
。

厚さ１．２　ｍのポリカーボネートの溝付透明基板上に
高周波スパッタリング法により、第１層を、次に第２層
のＴｔ）ｏ、　２？Ｆ’ｅＯ，＆０ＣＯＯ，Ｉ　ｓなる
組成の光磁気記録媒体膜を、更に第３層を形成した。こ
の際の第１層および第３層の成分、組成および膜厚を第
１表に示す。

このようにして得られた光磁気ディスクに対して、記録
周波数２ＭＨｚ、レーザーパワー４ｍｗで記録し、再生
レーザーパワー１−で再生した。再生した初期Ｃ／Ｎ比
を、第１層としてＳｉＯを用いた場合（試験陽１、従来
例）に対する相対値Ａで、および光磁気ディスクを温度
６０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に１０００時間暴露
した後に再生した経時Ｃ／Ｎ比を、夫々の試験における
再生した初期Ｃ／Ｎ比に対する相対値Ｂで第１表に示す
。

いずれの実施例においても、初期Ｃ／Ｎ比相対値が１．
２５以上で、かつ、経時Ｃ／Ｎ比相対値が０．９５より
大きい、即ち、非常に高い光磁気記録再生特性を有し、
長期の耐久性に優れた光磁気ディスクが得られている。

しかし、従来例および比較例では、いずれも、光磁気記
録再生特性、長期の耐久性共に優れた光磁気ディスクは
得られていない。

本発明は、以上説明した各実施例の構成に限るものでな
く、例えば、第３層または第４層としての誘電体膜もし
くは金属膜の上に更に紫外線硬化樹脂を塗布した構成の
もの、前記実施例の構成の光磁気ディスクを対向させス
ペーサにより対向空間を形成し、この空間内に不活性ガ
スを充填した構成のものなどが実現可能である。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、本発明によると、非常に高
い光磁気記録再生特性を有し、長期の耐久性に優れた光
磁気ディスクを提供することができる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）干渉膜としての誘電体膜を有する光磁気ディスク
   において、該誘電体の組成がＡｓ＿ｘＳｅ＿１＿−＿ｘ
   （但し、０．２≦ｘ≦０．８）で表わされることを特徴
   とする光磁気ディスク。
2. （２）干渉膜としての誘電体膜を有する光磁気ディスク
   において、該誘電体の組成がＡｓ＿ｘＳｅ＿１＿−＿ｘ
   （但し、０．２≦ｘ≦０．８）で表わされ、かつ該干渉
   膜以外の誘電体膜の組成がＡｓ＿ｙＳｅ＿１＿−＿ｙ（
   但し、０．２≦ｙ≦０．８）で表わされることを特徴と
   する光磁気ディスク。