JPS63173250A

JPS63173250A - 光磁気デイスク

Info

Publication number: JPS63173250A
Application number: JP414387A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Nate; 名手　達夫; Yukinobu Yoneyama; 幸伸米山; Atsushi Kawamoto; 淳川本
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 1987-01-13
Filing date: 1987-01-13
Publication date: 1988-07-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光磁気ディスク、特に新規な誘電体膜を有す
る光磁気ディスクに関するものである。

〔従来の技術〕

光磁気記録媒体層に光ビームを照射して情報の記録、再
生及び消去を行なう光磁気ディスクは、書き換え可能な
情報を高密度に記録することができるので、各方面への
広い用途が見込まれている。

この種の光磁気ディスクの構造として、従来、ガラスや
ポリカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリメチルペ
ンテンなどの透明高分子材で形成される透明基板上に、
第１層として、後記光磁気記録媒体を保護するＳｉｎｇ
、　ＳｉＯ＋　ＣｅＯ□などの誘電体膜、第２Ｎとして
Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｐｅ−Ｃｏ系、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ
系などの膜厚を３００Å以下と薄くした光磁気記録媒体
膜、第３層として、前記光磁気記録媒体膜を保護すると
共にこの膜を透過した情報の読み出し光をこの膜と後記
第４層としての金属膜との間で多重反射させ読み出し用
反射光の見かけのファラデー回転角を増加させ再生Ｃ／
Ｎを向上させる（エンハンスメント効果）　、ＳｉＯ□
、Ｓｉｎ、　ＣｅＯ□などの誘電体膜、および第４層と
して、Ａ　ｌ＋Ｂｘ＋Ｐｂなどの金属膜が形成されてな
るものが、前記光磁気記録媒体の再生Ｃ／Ｎ比の向上の
観点から最も有望なものの一つとして知られている（特
開昭６０−１２９９５１号、同６０−２０９９４７号）
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、前記構造の光磁気ディスクにおいては、
前記光磁気記録媒体膜が薄いためこの媒体膜の酸化が逆
に促進され、耐久性が不充分である。

本発明の目的は、この問題点を解消し、長期の耐久性、
光磁気記録再生特性いずれも優れ充分実用化に値する光
磁気ディスクを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、前記目的を達成するものとして、前記公知の
光磁気ディスクの構造において、第３層としての誘電体
の組成がＢｉＸＡＯｙ　（但し、Ａ　：　Ｇｅ。

Ｓｔ、　Ｔｉ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ａｎ、　　Ｂのうち
の１種以上、１１≦ｘ≦１３．１６≦ｙ≦２３）で表わ
されることを特徴とする光磁気ディスクである。また、
本発明は、前記公知の光磁気ディスクの構造において、
第１Ｎとしての誘電体の組成がＢｔｖＤＯｗ　（但し、
Ｄ：Ｇｅ、　Ｓｉ、　Ｔｉ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ａｊ２
．　Ｂのうちの１種以上、１１≦ｖ≦１３．１６≦ｗ≦
２３）で表わされ、かつ、前記第３層としての誘電体の
組成が旧、ＡＯｙ（但し、Ａ　：　Ｇｅ、Ｓｌｌ　Ｔｌ
ｌ　Ｐｂ＋　Ｚｎ、Ａ　ｊ！　、Ｈのうちの１種以上、
１１≦ｘ≦１３．１６≦ｙ≦２３）で表わされることを
特徴とする光磁気ディスクでもある。

〔作　用〕

本発明において、前記第３層としての誘電体の組成は、
９ｉＸＡＯ，（但し、Ａ　：　Ｇｅ、　Ｓｉ、　Ｔｉ、
　Ｐｂ、　Ｚｎ。

Ａｇ、Ｂのうちの１種以上、１１≦ｘ≦１３．１６≦ｙ
≦２３）で表わされる必要がある。それは、（１）この
成分がｘ、ｙの幅広い範囲で安定であるため、外部から
酸素が混入してもこれを吸収し光磁気記録媒体の酸化を
防止する保護膜としての効果が、公知の誘電体に比べて
大きい、（２）誘電体膜は、屈折率が２．７〜２．９と
非常に高く、かつ透明であるため、前記見かけのファラ
デー回転角が公知の誘電体に比べて著しく大きいからで
ある。そして、この誘電体の組成を示すＸおよびｙには
、夫々１１≦ｘ≦１３．１６≦ｙ≦２３なる条件が設定
される。Ｘが１１未満あるいはｙが２３を超えると、酸
素が過剰となり、この過剰の酸素が光磁気記録媒体膜内
に混入して光磁気記録再生特性を劣化させる。一方、Ｘ
が１３を超えあるいはｙが１６未満では、誘電体膜中に
金属性のＢｉおよびＡ（Ｇｅ、　Ｓｉ、　Ｔｉ、　Ｐｂ
、　Ｚｎ、　Ａｌ、　　Ｂのうちの１種以上）が形成さ
れて均質で透明な膜が形成され難い。

更に、この誘電体膜は、膜厚が２００〜１２００人に形
成されるのが望ましい。膜厚が２００人未満では、ピン
ホールなどによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層
の酸化による情報のドロップアウトが生じてこの媒体層
を保護する効果が不充分である。一方、膜厚が１２００
人を超えると、膜厚のバラツキが増大し、エンハンスメ
ント効果を有効に利用できなくなる。

第１Ｎとしての誘電体膜は、公知の膜および前記第３層
としての誘電体に属する組成のもののいずれをも使用す
ることができる。そして、前記第３層としての誘電体に
属する組成のものを使用した場合、第１層と第３層とし
ての誘電体の組成は、同じでも相違していてもよい。そ
して、この第１層の膜厚は２００〜１２００人に形成さ
れるのが望ましい。このような膜厚とした理由は、前記
第３層の膜厚を限定した場合と同様である。

本発明の第１層から第４層までの膜は、高周波スパッタ
リング、直流スパッタリング、真空蒸着などにより形成
することができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を比較例、従来例と共に説明する
。

厚さ１．２　＊ｘのポリカーボネートの溝付透明基板上
に高周波スパッタリング法により、第１層、次に第２層
の、膜厚２５０人でＴｂｏ、　２７Ｆ’ｅ０．６０ｃｏ
Ｏ，Ｉ　ｓなる組成の光磁気記録媒体膜、更に第３Ｎ及
び第４層の、膜厚１ｏｏｏ人〇八β膜を形成した。この
際の第１層および第３層の成分、組成および膜厚を第１
表に示す。

このようにして得られた光磁気ディスクおよび温度６０
℃、相対湿度９０％の雰囲気中に１ｏｏｏ時間暴露した
後の光磁気ディスクに対して、記録周波数２　ＭＨｚ　
％レーザーパワー４ｍＷで記録し、再生レーザーパワー
１ｍＷで再生した（夫々再生した初３１ＪＩ　Ｃｙ　Ｎ
比、再生した経時Ｃ／Ｎ比）。再生した初期Ｃ／Ｎ比を
、第１層としてＳｉＯを用いた場合（試験１１ｈＬ従来
例）に対する相対値Ａで、および再生した経時Ｃ／Ｎ比
を、夫々の試験における再生した初期Ｃ／Ｎ比に対する
相対値Ｂで第１表に示す。

いずれの実施例においても、初期Ｃ／Ｎ比相対値が１．
２５以上で、かつ、経時Ｃ／Ｎ比相対値が０．９５以上
である。即ち、非常に高い光磁気記録再生特性を有し、
長期の耐久性に優れた光磁気ディスクが得られている。

しかし、従来例および比較例では、いずれも、光磁気記
録再生特性、長期の耐久性共に優れた光磁気ディスクは
得られていない。

本発明は、以上説明した各実施例の構成に限るものでな
く、例えば、第４層としての金属膜の上に更に紫外線硬
化樹脂を塗布した構成のもの、前記実施例の構成の光磁
気ディスクを対向させスペーサにより対向空間を形成し
、この空間内に不活性ガスを充填した構成のものなどが
実現可能である。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、本発明によると、非常に高
い光磁気記録再生特性を有し、長期の耐久性に優れた光
磁気ディスクを提供することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）透明基板上に、第１層として誘電体膜、第２層と
して膜厚３００Å以下の光磁気記録媒体膜、第３層とし
て誘電体膜および第４層として金属膜が形成され、前記
光磁気記録媒体膜に光ビームを照射して情報の書き込み
および読み出しを行なう光磁気ディスクにおいて、前記
第３層としての誘電体の組成がＢｉ＿ｘＡＯ＿ｙ（但し
、Ａ：Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｂのうち
の１種以上、１１≦ｘ≦１３、１６≦ｙ≦２３）で表わ
されることを特徴とする光磁気ディスク。
（２）透明基板上に、第１層として誘電体膜、第２層と
して膜厚３００Å以下の光磁気記録媒体膜、第３層とし
て誘電体膜および第４層として金属膜が形成され、前記
光磁気記録媒体膜に光ビームを照射して情報の書き込み
および読み出しを行なう光磁気ディスクにおいて、前記
第１層としての誘電体の組成がＢｉ＿ｖＤＯ＿ｗ（但し
、Ｄ：Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｂのうち
の１種以上、１１≦ｖ≦１３、１６≦ｗ≦２３）で表わ
され、かつ、前記第３層としての誘電体の組成がＢｉ＿
ｘＡＯ＿ｙ（但し、Ａ：Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｚｎ
、Ａｌ、Ｂのうちの１種以上、１１≦ｘ≦１３、１６≦
ｙ≦２３）で表わされることを特徴とする光磁気ディス
ク。