JPH0814899B2 - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPH0814899B2 JPH0814899B2 JP30524086A JP30524086A JPH0814899B2 JP H0814899 B2 JPH0814899 B2 JP H0814899B2 JP 30524086 A JP30524086 A JP 30524086A JP 30524086 A JP30524086 A JP 30524086A JP H0814899 B2 JPH0814899 B2 JP H0814899B2
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- JP
- Japan
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- magneto
- layer
- film
- optical disk
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気ディスク、特に新規な誘電体膜を有
する光磁気ディスクに関するものである。
する光磁気ディスクに関するものである。
光磁気記録媒体層に光ビームを照射して情報の記録，
再生及び消去を行なう光磁気ディスクは、書き換え可能
な情報を高密度に記録することができるので、各方面へ
の広い用途が見込まれている。
再生及び消去を行なう光磁気ディスクは、書き換え可能
な情報を高密度に記録することができるので、各方面へ
の広い用途が見込まれている。
この種の光磁気ディスクの構造として、従来、ガラス
やポリカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリメチル
ペンテンなどの透明高分子材で形成される透明基板上
に、第１層として、Tb-Fe系、Tb-Fe-Co系、Gd-Tb-Fe系
などの光磁気記録媒体を保護すると共に、情報の読み出
し光の内の光磁気記録媒体膜で反射した光を内部で多重
反射させ読み出し用反射光の見かけのカー回転角を増加
させ再生C/Nを向上させる（カーエンハンスメント効
果）、SiO2,SiO,CeO2などの誘電体膜、第２層として前
記光磁気記録媒体膜および第３層として前記光磁気記録
媒体を保護する、SiO2,SiO,CeO2などの誘電体膜もしく
はAl,Bi,Pbなどの金属膜が形成されてなるものが、前記
光磁気記録媒体の酸化などの腐食による記録情報のドロ
ップアウトの防止および前記光磁気記録媒体の再生C/N
比の向上の観点から最も有望なものの一つとして知られ
ている（特開昭59-110056号、同59-121368号）。
やポリカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリメチル
ペンテンなどの透明高分子材で形成される透明基板上
に、第１層として、Tb-Fe系、Tb-Fe-Co系、Gd-Tb-Fe系
などの光磁気記録媒体を保護すると共に、情報の読み出
し光の内の光磁気記録媒体膜で反射した光を内部で多重
反射させ読み出し用反射光の見かけのカー回転角を増加
させ再生C/Nを向上させる（カーエンハンスメント効
果）、SiO2,SiO,CeO2などの誘電体膜、第２層として前
記光磁気記録媒体膜および第３層として前記光磁気記録
媒体を保護する、SiO2,SiO,CeO2などの誘電体膜もしく
はAl,Bi,Pbなどの金属膜が形成されてなるものが、前記
光磁気記録媒体の酸化などの腐食による記録情報のドロ
ップアウトの防止および前記光磁気記録媒体の再生C/N
比の向上の観点から最も有望なものの一つとして知られ
ている（特開昭59-110056号、同59-121368号）。
しかしながら、前記構造の光磁気ディスクにおいて
も、前記記録情報のドロップアウトの防止および再生C/
N比の向上が完全には達成されていなかった。
も、前記記録情報のドロップアウトの防止および再生C/
N比の向上が完全には達成されていなかった。
本発明の目的は、これらの問題点を解消し、長期の耐
久性、光磁気記録再生特性いずれも優れ充分実用化に値
する光磁気ディスクを提供することにある。
久性、光磁気記録再生特性いずれも優れ充分実用化に値
する光磁気ディスクを提供することにある。
本発明は、前記目的を達成するものとして、前記公知
の光磁気ディスクの構造において、第１層としての誘電
体の組成がBixAOy（但し、A:Ge,Pb,Alのうちの１種以
上、11≦ｘ≦13、16≦ｙ＜23）で表わされることを特徴
とする光磁気ディスクである。また、本発明は、前記公
知の光磁気ディスクの構造において、第１層としての誘
電体の組成がBixAOy（但し、A:Ge,Pb,Alのうちの１種以
上、11≦ｘ≦13、16≦ｙ＜23）で表わされ、かつ、前記
第３層としての誘電体の組成がBivDOw（但し、D:Ge,Pb,
Alのうちの１種以上、11≦ｖ≦13、16≦ｗ＜23）で表わ
されることを特徴とする光磁気ディスクでもある。
の光磁気ディスクの構造において、第１層としての誘電
体の組成がBixAOy（但し、A:Ge,Pb,Alのうちの１種以
上、11≦ｘ≦13、16≦ｙ＜23）で表わされることを特徴
とする光磁気ディスクである。また、本発明は、前記公
知の光磁気ディスクの構造において、第１層としての誘
電体の組成がBixAOy（但し、A:Ge,Pb,Alのうちの１種以
上、11≦ｘ≦13、16≦ｙ＜23）で表わされ、かつ、前記
第３層としての誘電体の組成がBivDOw（但し、D:Ge,Pb,
Alのうちの１種以上、11≦ｖ≦13、16≦ｗ＜23）で表わ
されることを特徴とする光磁気ディスクでもある。
本発明において、前記第１層としての誘電体の組成
は、BixAOy（但し、A:Ge,Pb,Alのうちの１種以上、11≦
ｘ≦13、16≦ｙ＜23）で表わされる必要がある。それ
は、（１）この成分がx,yの幅広い範囲で安定であるた
め、外部から酸素が混入してもこれを吸収し光磁気記録
媒体の酸化を防止する保護膜としての効果が、公知の第
１層としての誘電体に比べて大きい、（２）誘電体膜
は、屈折率が2.7〜2.9と非常に高く、かつ透明であるた
め、前記見かけのカー回転角が、公知の第１層としての
誘電体に比べて著しく大きいからである。そして、この
誘電体の組成を示すｘおよびｙには、夫々11≦ｘ≦13,1
6≦ｙ＜23なる条件が設定される。ｘが11未満あるいは
ｙが23を超えると、酸素が過剰となり透明な膜が形成さ
れない上に、この過剰の酸素が光磁気記録媒体の形成時
にこの層内に混入して得られる光磁気ディスクの光磁気
記録再生特性を劣化させる。また、ｙが23では、外部か
ら混入する酸素を吸収できない。一方、ｘが13を超えあ
るいはｙが16未満では、誘電体膜中に金属性のBiおよび
Ａ（Ge,Pb,Alのうちの１種以上）が形成されて均質で透
明な膜が形成され難い。
は、BixAOy（但し、A:Ge,Pb,Alのうちの１種以上、11≦
ｘ≦13、16≦ｙ＜23）で表わされる必要がある。それ
は、（１）この成分がx,yの幅広い範囲で安定であるた
め、外部から酸素が混入してもこれを吸収し光磁気記録
媒体の酸化を防止する保護膜としての効果が、公知の第
１層としての誘電体に比べて大きい、（２）誘電体膜
は、屈折率が2.7〜2.9と非常に高く、かつ透明であるた
め、前記見かけのカー回転角が、公知の第１層としての
誘電体に比べて著しく大きいからである。そして、この
誘電体の組成を示すｘおよびｙには、夫々11≦ｘ≦13,1
6≦ｙ＜23なる条件が設定される。ｘが11未満あるいは
ｙが23を超えると、酸素が過剰となり透明な膜が形成さ
れない上に、この過剰の酸素が光磁気記録媒体の形成時
にこの層内に混入して得られる光磁気ディスクの光磁気
記録再生特性を劣化させる。また、ｙが23では、外部か
ら混入する酸素を吸収できない。一方、ｘが13を超えあ
るいはｙが16未満では、誘電体膜中に金属性のBiおよび
Ａ（Ge,Pb,Alのうちの１種以上）が形成されて均質で透
明な膜が形成され難い。
更に、この誘電体膜は、膜厚が200〜1200Åに形成さ
れるのが望ましい。膜厚が200Å未満では、ピンホール
などによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層の酸化
による情報のドロップアウトが生じてこの媒体層を保護
する効果が不充分であると共に、カーエンハンスメント
効果が充分に発揮されない。一方、膜厚が1200Åを超え
ると、膜厚のバラツキが増大し、カーエンハンスメント
効果を有効に利用できなくなる。
れるのが望ましい。膜厚が200Å未満では、ピンホール
などによる膜の不均一性が増し光磁気記録媒体層の酸化
による情報のドロップアウトが生じてこの媒体層を保護
する効果が不充分であると共に、カーエンハンスメント
効果が充分に発揮されない。一方、膜厚が1200Åを超え
ると、膜厚のバラツキが増大し、カーエンハンスメント
効果を有効に利用できなくなる。
第３層としての誘電体膜もしくは金属膜は、公知の膜
および前記第１層としての誘電体に属する組成のものの
いずれをも使用することができる。そして前記第１層と
しての誘電体に属する組成のものを使用した場合、第１
層と第３層としての誘電体の組成は、同じでも相違して
いてもよい。そして、この第３層の膜厚は200Å以上に
形成されるのが望ましい。膜厚が200Å未満では、ピン
ホール等による膜の不均一性が増し光磁気記録媒体膜を
保護する効果が充分得られない。
および前記第１層としての誘電体に属する組成のものの
いずれをも使用することができる。そして前記第１層と
しての誘電体に属する組成のものを使用した場合、第１
層と第３層としての誘電体の組成は、同じでも相違して
いてもよい。そして、この第３層の膜厚は200Å以上に
形成されるのが望ましい。膜厚が200Å未満では、ピン
ホール等による膜の不均一性が増し光磁気記録媒体膜を
保護する効果が充分得られない。
本発明の第１層から第３層までの膜は、高周波スパッ
タリング、直流スパッタリング、真空蒸着などにより形
成することができる。
タリング、直流スパッタリング、真空蒸着などにより形
成することができる。
以下、本発明の実施例を比較例、従来例と共に説明す
る。
る。
厚さ1.2mmのポリカーボネートの溝付透明基板上に高
周波スパッタリング法により、第１層を、次に第２層の
Tb0.27Fe0.60Co0.13なる組成の光磁気記録媒体膜を、更
に第３層を形成した。この際の第１層および第３層の成
分、組成および膜厚を第１表に示す。
周波スパッタリング法により、第１層を、次に第２層の
Tb0.27Fe0.60Co0.13なる組成の光磁気記録媒体膜を、更
に第３層を形成した。この際の第１層および第３層の成
分、組成および膜厚を第１表に示す。
このようにして得られた光磁気ディスクに対して、記
録周波数2MHz、レーザーパワー4mWで記録し、再生レー
ザーパワー1mWで再生した。再生した初期C/N比を、第１
層としてSiOを用いた場合（試験No.1、従来例）に対す
る相対値Ａで、および光磁気ディスクを温度60℃、相対
湿度90％の雰囲気中に1000時間暴露した後に再生した経
時C/Nを、夫々の試験における再生した初期C/N比に対す
る相対値Ｂで第１表に示す。
録周波数2MHz、レーザーパワー4mWで記録し、再生レー
ザーパワー1mWで再生した。再生した初期C/N比を、第１
層としてSiOを用いた場合（試験No.1、従来例）に対す
る相対値Ａで、および光磁気ディスクを温度60℃、相対
湿度90％の雰囲気中に1000時間暴露した後に再生した経
時C/Nを、夫々の試験における再生した初期C/N比に対す
る相対値Ｂで第１表に示す。
いずれの実施例においても、初期C/N比相対値が1.25
以上で、かつ、経時C/N相対値が0.95より大きい、即
ち、非常に高い光磁気記録再生特性を有し、長期の耐久
性に優れた光磁気ディスクが得られている。しかし、従
来例および比較例では、いずれも、光磁気記録再生特
性、長期の耐久性共に優れた光磁気ディスクは得られて
いない。
以上で、かつ、経時C/N相対値が0.95より大きい、即
ち、非常に高い光磁気記録再生特性を有し、長期の耐久
性に優れた光磁気ディスクが得られている。しかし、従
来例および比較例では、いずれも、光磁気記録再生特
性、長期の耐久性共に優れた光磁気ディスクは得られて
いない。
本発明は、以上説明した各実施例の構成に限るもので
なく、例えば、第３層としての誘電体膜もしくは金属膜
の上に更に紫外線硬化樹脂を塗布した構成のもの、前記
実施例の構成の光磁気ディスクを対向させスペーサによ
り対向空間を形成し、この空間内に不活性ガスを充填し
た構成のものなどが実現可能である。
なく、例えば、第３層としての誘電体膜もしくは金属膜
の上に更に紫外線硬化樹脂を塗布した構成のもの、前記
実施例の構成の光磁気ディスクを対向させスペーサによ
り対向空間を形成し、この空間内に不活性ガスを充填し
た構成のものなどが実現可能である。
以上詳細に説明したように、本発明によると、非常に
高い光磁気記録再生特性を有し、長期の耐久性に優れた
光磁気ディスクを提供することができる。
高い光磁気記録再生特性を有し、長期の耐久性に優れた
光磁気ディスクを提供することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】透明基板上に、第１層として誘電体膜、第
２層として光磁気記録媒体膜および第３層として誘電体
膜もしくは金属膜が形成され、前記光磁気記録媒体膜に
光ビームを照射して情報の書き込みおよび読み出しを行
なう光磁気ディスクにおいて、前記第１層としての誘電
体は、組成がBixAOy（但し、A:Ge,Pb,Alのうちの１種以
上、11≦ｘ≦13、16≦ｙ＜23）で表わされ、かつ膜厚が
200〜1200Åであることを特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項２】透明基板上に、第１層として誘電体膜、第
２層として光磁気記録媒体膜および第３層として誘電体
膜が形成され、前記光磁気記録媒体膜に光ビームを照射
して情報の書き込みおよび読み出しを行なう光磁気ディ
スクにおいて、前記第１層としての誘電体は、組成がBi
xAOy（但し、A:Ge,Pb,Alのうちの１種以上、11≦ｘ≦1
3、16≦ｙ＜23）で表わされ、かつ膜厚が200〜1200Åで
あり、前記第３層としての誘電体は、組成がBivDOw（但
し、D:Ge,Pb,Alのうちの１種以上、11≦ｖ≦13、16≦ｗ
＜23）で表わされ、かつ膜厚が200〜1200Åであること
を特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30524086A JPH0814899B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光磁気デイスク |
| PCT/JP1987/000347 WO1987007422A1 (en) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magneto-optical disk |
| DE8787903436T DE3778905D1 (de) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magnetooptische platte. |
| EP87903436A EP0324853B1 (en) | 1986-05-30 | 1987-05-29 | Magneto-optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30524086A JPH0814899B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光磁気デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160037A JPS63160037A (ja) | 1988-07-02 |
| JPH0814899B2 true JPH0814899B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=17942718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30524086A Expired - Lifetime JPH0814899B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-12-23 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0814899B2 (ja) |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP30524086A patent/JPH0814899B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63160037A (ja) | 1988-07-02 |
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