JPH08273227A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 カ−ル−プの角形比が１．０でかつ１kOe以
上の高い保磁力を有するＰｔＣｏ合金膜を記録層とする
光磁気記録媒体を，成膜時に基板温度を加熱することな
く製造する方法を提供する。 【構成】 ＰｔＣｏ合金膜を成膜するとき、１５〜３０
eVの大きさの運動エネルギ−を有する成膜粒子でこの合
金膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＰｔＣｏ合金膜を記録
膜とする光磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来技術】従来、光磁気記録材料として、ＴｂＦｅＣ
ｏなどの希土類−遷移金属アモルファス合金薄膜が使用
されている。光磁気記録の高密度化を実現する手段とし
て光源に使用するレ−ザ−の短波長化が検討され、波長
６７０nmの半導体レ−ザによる記録再生が実現されつつ
ある。また、４００〜５００nm帯の半導体レ−ザの室温
発振も確認されている。しかしながら、従来使用されて
いるＴｂＦｅＣｏ等は短波長域でのカ−回転角が０．２
°以下と低いため、短波長域で大きなカ−回転角を有す
る材料が望まれている。

【０００３】短波長域で大きなカ−回転角を有する材料
としてＰｔ及び／またはＰｄ層とＣｏ層とを交互に積層
した多層膜がこれに代わるものとして注目されている。
しかしながら、カ−回転角が０．３〜０．４°と大きい
ものの、これらの多層膜を記録膜とした光磁気ディスク
を実用化するための課題のひとつに、繰り返し書き換え
特性が挙げられる。現在実用化されている希土類遷移金
属合金膜を用いた光磁気ディスクは、１０⁶回以上の繰
り返し書き換え回数を達している。しかし、Ｐｔ／Ｃｏ
多層膜は何度も書き換えをおこなうと照射するレ−ザ光
の熱的影響で、多層膜のＰｔ層とＣｏ層界面の拡散によ
り垂直磁気異方性が低下し、カ−ル−プの角形比が劣化
する。そのため、書き換え回数は、せいぜい１０⁴回で
あると知られている（Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｍａｇｎ．Ｍａｔ
ｅｒ．１２６、５８７（１９９３））。

【０００４】一方、真空蒸着法で作製したＰｔＣｏ合金
膜を記録膜をして用いることが報告されている（Ｊ．Ｍ
ａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．、Ｖｏｌ．１７、Ｓｕｐｐｌ
ｍｅｎｔ Ｎｏ．Ｓ１（１９９３）、ｐ１４０）。Ｐｔ
Ｃｏ合金膜はＰｔ／Ｃｏ多層膜と同等以上のカ−回転角
を有し、しかも多層膜でないため、繰り返し書き換え回
数特性においてはＰｔ／Ｃｏ多層膜より優れた特性を有
する。しかしながら、真空蒸着法で膜形成をする場合の
蒸着粒子エネルギ−は０．１〜０．３eVと低いため、成
膜時の基板温度を２００℃以上にしなければ光磁気記録
媒体としての要求特性である、カ−ル−プの角形比（θ
kr／θks）が１．０でかつ保磁力（Ｈｃ）が１kOe以上
の垂直磁化膜が得られない。そのため、耐熱性の低いポ
リカ−ボネ−ト等の高分子樹脂基板を用いることはでき
ないという欠点がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、カ−ル−プ
の角形比が１．０でかつ１kOe以上の高い保磁力を有す
るＰｔＣｏ合金膜を記録層とする光磁気記録媒体を、成
膜時に基板温度を加熱することなく製造する方法を提供
することを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
の（１）〜（５）の本発明より達成される。

【０００７】（１）ＰｔＣｏ合金膜を記録膜とする光磁
気記録媒体の製造方法において、１５〜３０eVの大きさ
の運動エネルギ−を有する成膜粒子でＰｔＣｏ合金膜を
形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。

【０００８】（２）前記ＰｔＣｏ合金膜において、Ｐｔ
含有量が５０〜８０at％であり、さらに全厚が５nmから
５００nmであることを特徴とする上記（１）記載の光磁
気記録媒体の製造方法。

【０００９】（３）ＰｔＣｏ合金膜を記録膜とする光磁
気記録媒体の製造方法において、１５〜３０eVの大きさ
の運動エネルギ−を有する成膜粒子で、Ｐｔ層とＣｏ層
を交互に積層してＰｔＣｏ合金膜を形成することを特徴
とする光磁気記録媒体の製造方法。

【００１０】（４）前記ＰｔＣｏ合金膜において、Ｐｔ
層厚ｄ_Ptが１Aから６AでＣｏ層厚ｄ_Coが０．３Aから２A
であり、さらにＰｔ層とＣｏ層の層厚比ｄ_Pt／ｄ_Coが２
から４であり、さらに全厚が５nmから５００nmであるこ
とを特徴とする上記（３）記載の光磁気記録媒体の製造
方法。

【００１１】（５）前記ＰｔＣｏ合金膜をイオンビ−ム
スパッタ法で形成することを特徴とする上記（１）〜
（４）のいずれかに記載の光磁気記録媒体の製造方法。

【００１２】

【作用および効果】本発明は、ＰｔＣｏ合金膜を記録膜
とする光磁気記録媒体を製造する際、成膜時のＰｔおよ
びＣｏの成膜粒子の運動エネルギ−が１５〜３０eVの範
囲で成膜する。成膜粒子のエネルギ−を１５〜３０eVに
することにより、成膜時に基板加熱することなく、カ−
ル−プの角形比が１．０でかつ１kOe以上の高い保磁力
を有するＰｔＣｏ合金膜が得られる。その結果、ポリカ
−ボネ−ト基板などの高分子樹脂基板上に高いＣ／Ｎと
かつ１０⁶回以上の繰り返し書き換え特性を有するＰｔ
Ｃｏ合金膜を記録層とする光磁気記録媒体を得ることが
可能となる。

【００１３】従来、ＰｔＣｏ合金膜は大きな垂直磁気異
方性と、短波長で大きなカ−回転角と得られるため次世
代光磁気記録膜の材料として研究されている。しかしな
がら、真空蒸着法や通常のスパッタ法では蒸着あるいは
スパッタ粒子のエネルギ−が低いため成膜時の基板温度
を２００℃以上に加熱しなければ良好な垂直磁化膜とな
らず、光磁気記録膜として必要な高保磁力かつ角形比が
１のカ−ル−プは得られない。そのため、ポリカ−ボネ
−ト等の耐熱温度が１５０℃以下の高分子樹脂基板を用
いることができなかったが、本発明により基板加熱する
ことなく、高保磁力で角形比１のカ−ル−プが得られる
ようになるため、耐熱性の低い高分子樹脂基板を使用す
ることが可能になる。

【００１４】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００１５】本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法に
おいては、成膜時の粒子の運動エネルギ−を１５〜３０
eVに設定して、ＰｔＣｏ合金膜を基板上に成膜する。具
体的には１５eV未満となると結晶性が悪くなるため、垂
直磁気異方性が低下し、カ−ル−プの角形比が悪くな
る、また、３０eVより大きくなると結晶粒径が大きくな
るため保磁力が低下する。運動エネルギ−はカロリ−メ
−タ法で測定することができる。基板近傍に銅薄板と熱
電対で構成されているカロリ−メ−タを配置し、温度上
昇と飛来粒子の個数、膜の凝縮エネルギ−から算出する
ことができる。

【００１６】本発明においては、スパッタ法や蒸着法な
どの方法が用いられる。スパッタ法の場合は所定の組成
のＰｔＣｏ合金タ−ゲットをスパッタ、もしくはＰｔお
よびＣｏタ−ゲットを同時スパッタして成膜することが
できる。蒸着法の場合はＰｔとＣｏを同時蒸着すればよ
い。膜組成はＰｔ含有量が５０〜８０at％になるように
するのが好ましい。Ｐｔ含有量が５０at％未満であると
垂直磁化膜が得られない。また、８０at％より多いとカ
−回転角が低くなるため光磁気記録膜として用いたとき
大きな再生出力が得られなくなるためである。タ−ゲッ
ト組成、スパッタガス種、成膜時の投入パワ−や成膜速
度をコントロ−ルすることにより得ることができる。

【００１７】なお、ＰｔＣｏ膜には、ＰｔとＣｏ以外の
他の元素たとえば、Ｆｅ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ，Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の３ｄ遷移元素；Ｐｄ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ等の４ｄ遷移元素；
Ａｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ等の５ｄ遷移
元素；Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ等の希土類元素；
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等のIIIＢ族元素；Ｃ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ等のIVＢ族元素；Ｎ、Ｐ、Ｂｉ等のVＢ族元素等を含
ませることもできる。

【００１８】このような他の元素がＰｔＣｏ膜に添加さ
れる場合、他の元素の含有量は３０at％以下であり、好
ましくは２０at％以下である。３０at％より多くなると
カ−回転角が大きく低下するためである。このような他
の元素をスパッタ法で添加するには他の元素とＰｔＣｏ
の合金タ−ゲット、あるいは他の元素とＰｔタ−ゲット
またはＣｏタ−ゲットとの複合タ−ゲットを用いればよ
い。また、電子ビ−ム式蒸着法あるいは抵抗加熱式蒸着
法で添加するには他の元素とＰｔおよび／またはＣｏの
合金母材を用いて形成する、あるいは他の元素、Ｐｔ、
Ｃｏ母材を各々別々のるつぼや加熱ボ−トで蒸発させれ
ばよい。

【００１９】本発明においては、Ｐｔ層とＣｏ層を交互
に積層しても形成することができる。１５〜３０eVの高
エネルギ−粒子で交互積層をおこなうと、Ｐｔ層とＣｏ
層の界面において拡散が生じるため合金膜を得ることが
できるからである。従来、超高真空蒸着法や通常のスパ
ッタ法でＰｔ／Ｃｏ多層膜を作製することはおこなわれ
ているが、真空蒸着法における蒸着粒子の運動エネルギ
−は１eV以下、スパッタ法におけるスパッタ粒子の運動
エネルギ−は数eV程度と低いため、界面拡散により合金
膜を形成することはできない。本発明において、Ｐｔ層
厚は１Aから６A、Ｃｏ層厚は０．３Aから３Aの範囲に設
定する。Ｐｔ層厚が６Aを越えると界面拡散により均一
な合金膜を得られなくなるため好ましくなく、１A未満
であると再現性良く層厚制御することが難しくなるため
である。また、Ｃｏ層厚が３Aを越えると界面拡散によ
り均一な合金膜を得られなくなり、０．３A未満である
と再現性良く層厚制御することが難しくなるためであ
る。さらに、Ｐｔ層とＣｏ層の層厚比ｄ_Pt／ｄ_Coは２か
ら４にすることが好ましい。ｄ_Pt／ｄ_Coが２未満である
とθkr／θksが低下するためであり、４より大きいとθ
kの大きさが低くなるためである。本発明における記録
膜の全厚は５nmから１００nmの範囲に設定する。５nm未
満であるとθkが低下するため好ましくない。また、１
００nmを越えるとθkr／θksが低下するため好ましくな
い。成膜レ−トは０．５A/s以下が好ましい。０．５A/s
を越えると層厚の制御がむずかしくなり、再現性が得ら
れなくなるからである。

【００２０】なお、ＰｔとＣｏの交互積層により形成す
る場合においても、上記に示した３ｄ遷移元素、４ｄ遷
移元素、５ｄ遷移元素、希土類元素、IIIＢ族元素、IV
Ｂ族元素、VＢ族元素等を同様に含ませることもでき
る。

【００２１】本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法に
は、成膜粒子の運動エネルギ−を高くするという点か
ら、イオンビ−ムスパッタ法、イオンビ−ム蒸着法、イ
オンプレ−ティング法、クラスタ−イオンビ−ム法など
の方法を用いることができる。

【００２２】特に、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガスイ
オンビ−ムにより、スパッタリングする粒子エネルギ−
や成膜速度など成膜パラメ−タのほとんどを独立に、ま
た厳密に制御できる点から、イオンビ−ムスパッタ法が
好ましい。

【００２３】イオンビ−ムスパッタ法で成膜する場合、
スパッタリングガスとしては、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不
活性ガスを使用することができる。スパッタ粒子のエネ
ルギ−は、イオン電流、すなわち成膜レ−トには依存せ
ず、イオンエネルギ−の増加とともに直線的に増加し、
イオン種により変化する。イオンビ−ムの加速電圧を２
００〜１５００Vに変化させた場合のＣｏまたはＰｔの
スパッタ粒子エネルギ−は、Ａｒイオンを使用したとき
２０〜４０eV、Ｋｒイオンのとき１５〜３０eV、Ｘｅイ
オンのときは１０〜２０eVであり、イオン種とイオンエ
ネルギ−を制御することにより、１０〜４０eVに制御で
きる。

【００２４】上記のようにして得られるＰｔＣｏ合金膜
は、成膜時に基板加熱しなくてもカ−ル−プの角形比が
１でかつ高い保磁力が得られるため、耐熱性の低いポリ
カ−ボネ−ト等の高分子樹脂基板上に成膜しても優れた
膜特性が得られる。その結果、これらの膜を光磁気記録
媒体の記録層として用いることにより高い再生出力と１
０⁶回以上の繰り返し書き換え特性が得られる。

【００２５】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００２６】イオンビ−ムスパッタ法により、コ−ニン
グ７０５９（商品名）ガラス基板上に、基板を回転させ
ながら、様々な成膜条件でＰｔＣｏ合金膜およびＰｔ／
Ｃｏ多層膜を形成し、測定サンプルとした。このとき、
所定の成膜条件における成膜レ−トをあらかじめもと
め、スパッタ時間を制御することにより、所望の膜厚の
サンプルを得た。

【００２７】スパッタ粒子の運動エネルギ−はカロリ−
メ−タ法でもとめた。カロリ−メ−タは熱量測定をおこ
なう銅薄板と熱電対から構成され、基板ホルダ−位置に
設置してもとめた。カロリ−メ−タで測定した初期の温
度上昇から単位時間当たりの全熱量を算出し、その全熱
量をカロリ−メ−タに達するスパッタ粒子の個数で除し
た値から、膜の凝縮熱を引いた値をスパッタ粒子の運動
エネルギ−とした。

【００２８】各サンプルについて、以下に示す測定をお
こなった。

【００２９】膜組成 蛍光Ｘ線分析により測定した。

【００３０】保磁力、カ−回転角 日本分光（株）カ−効果測定装置（Ｋ−２５０）を用い
て波長４００nmにおけるカ−ル−プを測定し、それから
保磁力Ｈｃ、カ−回転角θkを求めた。印加磁場は５kOe
とし、膜面側から光を入射した。

【００３１】平均結晶粒径 ＣｕＫα線を用いた中角Ｘ線回折により、面心立方構造
の（１１１）面ピ−クの半値幅から求めた。

【００３２】結晶配向 ＣｕＫα線を用いた中角Ｘ線回折により、面心立方構造
の（１１１）ピ−ク強度を求めた。

【００３３】多層膜人工周期性 ＣｕＫα線を用いた小角Ｘ線回折により、超格子ピ−ク
位置から求めた。

【００３４】（実施例１）タ−ゲットとして直径７イン
チのＰｔ−２５at％Ｃｏ合金タ−ゲットを用いた。スパ
ッタはＡｒガスでおこなった。到達圧力は４×１０^-7To
rr、成膜中の圧力は１．４×１０^-4Torrとした。イオン
ビ−ムの加速電圧３００V、ビ−ム電流を３０mAとし、
このときのスパッタ粒子の運動エネルギ−は２０eVであ
った。膜厚は約１５０Aとしし、スパッタ時の基板は水
冷しておこなった。得られた膜組成を蛍光Ｘ線で分析し
た結果、タ−ゲット組成と大きなずれはなくＰｔ−２５
at％Ｃｏであった。図１に作製した膜の波長４００nmに
おけるカ−ル−プを示す。Ｈｃ＝１．２kOe、θk＝０．
３６deg、θkr／θks＝１．０が得られ、良好な垂直磁
化膜が得られた。

【００３５】（実施例２）実施例１と同様の方法で、ビ
−ム加速電圧８００V、ビ−ム電流１００mAとしてＰｔ
Ｃｏ合金膜を作製した。膜厚は約１５０Aとし、このと
きのスパッタ粒子の運動エネルギ−は３０eVであった。
得られたＰｔＣｏ合金膜の膜組成はＰｔ−２５at％Ｃｏ
であった。膜特性はＨｃ＝１．３kOe、θk＝０．３６de
g、θkr／θks＝１．０であり、良好な垂直磁化膜が得
られた。

【００３６】（実施例３，４）実施例１と同様の方法
で、表１に記載の条件でＫｒスパッタガスでＰｔＣｏ合
金膜の成膜をおこなった。

【００３７】結果を表１に示す。いずれもＨｃ＝１．２
〜１．５kOe、θk＝０．３６deg、θkr／θks＝１．０
の良好な垂直磁化膜が得られた。このときの膜組成はす
べてＰｔ−２５at％Ｃｏであった。

【００３８】（実施例５）実施例１と同様の方法で、表
１に記載の条件でＸｅスパッタガスでＰｔＣｏ合金膜の
成膜をおこなった。

【００３９】結果を表１に示す。膜組成はＰｔ−２５at
％Ｃｏであり、Ｈｃ＝１．８kOe、θk＝０．３６deg、
θkr／θks＝１．０の良好な垂直磁化膜が得られた。

【００４０】

【表１】

【００４１】（実施例６）直径７インチのＰｔタ−ゲッ
トとＣｏタ−ゲットを用い、ＡｒスパッタガスでＰｔ／
Ｃｏ多層膜を形成した。到達圧力は４×１０^-7Torr、成
膜中の圧力は１．４×１０^-4Torrとした。イオンビ−ム
の加速電圧３００V、ビ−ム電流を３０mAとし、Ｐｔ層
厚１．２AとＣｏ層厚０．４Aを交互に１００周期積層し
た。このときのＰｔおよびＣｏのスパッタ粒子の運動エ
ネルギ−は各々２０eVと１８eVであり、基板は水冷して
おこなった。図２に得られた膜の低角Ｘ線回折の結果を
示す。人工周期は観察されず、各層が拡散し、合金膜と
なっていることがわかる。図３に作製した膜の波長４０
０nmにおけるカ−ル−プを示す。Ｈｃ＝１．２kOe、θk
＝０．３０deg、θkr／θks＝１．０が得られた。

【００４２】

【表２】

【００４３】（実施例７〜１１）実施例６と同様の方法
で、表２に記載のスパッタガス、ビ−ム電圧、ビ−ム電
流などの条件でＰｔ／Ｃｏ多層膜を形成した。

【００４４】結果を表２に示す。得られた膜の低角Ｘ線
回折を調べた結果、人工周期は観察されず、合金膜とな
っていることが確認された。いずれも、Ｈｃ＝１．０〜
１．８kOe、θk＝約０．３５deg、θkr／θks＝１．０
の良好な垂直磁化膜が得られた。

【００４５】（比較例１）実施例１と同様の方法で、表
１に記載のスパッタ条件でＰｔＣｏ合金膜を形成した。
図４に作製した膜の波長４００nmにおけるカ−ル−プを
示す。θk＝０．３６deg、θkr／θks＝１．０が得られ
るが、Ｈｃ＝０．６kOeと保磁力が低くなる。中角Ｘ線
回折ピ−クの半値幅から結晶粒径をもとめた結果、４０
０ Aと大きかった。スパッタ粒子の運動エネルギ−が４
０eVと大きいために結晶粒径が大きくなり、その結果、
Ｈｃが低下した。

【００４６】（比較例２）実施例１と同様の方法で、表
１に記載のスパッタ条件でＰｔＣｏ合金膜を形成した。
図５に作製した膜の波長４００nmにおけるカ−ル−プを
示す。Ｈｃ＝１．０kOe、θk＝０．３６degが得られる
が、カ−ル−プ角形比が悪くなり、θkr／θks＝０．７
しか得られない。図６に実施例５と比較例２の膜の中角
Ｘ線回折パタ−ンの比較を示す。いずれも面心立方構造
の（１１１）結晶配向を示すが、比較例２のほうがピ−
ク強度が低くなっている。スパッタ粒子の運動エネルギ
−が１０eVと低いと膜の結晶性が悪くなり垂直磁気異方
性が低下したため、カ−ル−プの角形比が低下したこと
がわかる。

【００４７】なお、比較例１〜２で得られた膜組成はい
ずれもＰｔ−２５at％Ｃｏであり、実施例１〜５の膜組
成と差はなかった。 （比較例３，４）実施例６と同様の方法で、表２に記載
のスパッタ条件でＰｔ／Ｃｏ多層膜を形成した。低角Ｘ
線回折の結果から、人工周期性は観察されず、合金膜と
なっていることが確認できた。得られた膜特性の結果を
表２に示す。比較例１および比較例２の合金膜と同様
に、スパッタ粒子の運動エネルギ−が４０eVと高い場合
はＨｃが低下し、１０eVと低い場合は垂直磁気異方性や
カ−ル−プの角形比が低下することがわかる。

【００４８】（比較例５）実施例７と同じスパッタ条件
でＰｔ層厚１２AとＣｏ層厚４Aを交互に１００周期積層
し、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜を形成した。図７に得られた膜の
低角Ｘ線回折パタ−ンを示す。ＰｔまたはＣｏ層厚が１
０A以上であると、人工周期性を示す、超格子ピ−クが
観察され、膜が合金膜となっていないことがわかる。得
られた膜特性の結果を表２に示す。Ｈｃ、カ−ル−プ角
形比は良好な特性を示すが、均一な合金膜が得られない
ためθｋが低下するため、特性上望ましくないことがわ
かる。

【００４９】（実施例１２）実施例１〜１１および比較
例１〜５と同じ成膜条件でＰｔＣｏ合金膜およびＰｔ／
Ｃｏ多層膜を記録層とした光磁気ディスクを作製した。
作製した光磁気ディスクの断面構造を図８に示す。

【００５０】上記光磁気ディスクは、多元イオンビ−ム
スパッタ装置を用いて、以下の様に作製した。

【００５１】イオンビ−ムスパッタ装置内に、表面に光
ヘッド案内溝やアドレスなどを示すピットなどをあらか
じめ有するポリカ−ボネ−ト基板１をセットし、基板を
回転させながら連続して膜を形成した。

【００５２】まず、Ｓｉタ−ゲットをＡｒイオンビ−ム
でスパッタし、同時に別のイオンガンで窒素イオンビ−
ムアシストをすることにより第一誘電体膜２として窒化
シリコンを形成した。スパッタ条件は、メインイオンガ
ンのビ−ム電圧は１２００V、ビ−ム電流は１３５mA、
Ａｒガス流量は１０SCCMとし、アシストイオンガンのビ
−ム電圧は３５０V、ビ−ム電流は１０mA、窒素ガス流
量は２０SCCMとし、このときのスパッタ圧力は３．６×
１０^-4Torrであった。窒化シリコンの膜厚は８０nmとし
た。

【００５３】次に記録膜を形成した。記録膜の成膜条件
は以下のように実施例１と同じ条件でおこなった。スパ
ッタガスとしてＡｒガスを、タ−ゲットにはＰｔ−２５
at％％Ｃｏ合金タ−ゲットを使用し、スパッタガス圧
１．４×１０^-4Torr、ビ−ム電圧３００V、ビ−ム電流
３０mAにてスパッタした。作製したＰｔＣｏ膜の膜厚は
１５nmとした。

【００５４】次に第二誘電体膜として窒化シリコンを形
成した。このときのスパッタ条件は第一誘電体膜の窒化
シリコン膜と同じ条件でおこない、膜厚は１００nmとし
た。

【００５５】さらに金属反射膜として、スパッタガスと
してＡｒガスを、タ−ゲットにはＡｌタ−ゲットを使用
し、スパッタガス圧１．４×１０^-4Torr、ビ−ム電圧１
２００V、ビ−ム電流１３５mAにてスパッタし、Ａｌ反
射膜を５０nm形成した。最後に、保護膜とし紫外線硬化
樹脂膜を約１μm形成し、光磁気ディスクとした。

【００５６】このようにして作製したディスクに繰り返
し記録再生消去をおこなって、記録再生特性と繰り返し
書き換え特性を調べた。波長７８０nmのレ−ザ光を用
い、記録周波数２．５MHz、線速５m/sで、最適記録パワ
−７．２mWで記録し、再生レーザ出力１mWでＣ／Ｎを調
べた。次に、記録した信号を外部磁界４００Oe、消去レ
−ザ光７．４mWで完全に消去した。これを多数回繰り返
したときのＣ／Ｎの変化を調べた。また、従来例とし
て、成膜粒子の運動エネルギーが低い超高真空蒸着法で
作製したＰｔ／Ｃｏ多層膜を記録層に用いたディスクも
作製し、同様の実験を行って繰り返し書き換え特性の比
較をした。従来例におけるディスクは、記録膜以外は実
施例１２と同様にイオンビ−ムスパッタ装置で形成し、
記録膜としてＰｔ／Ｃｏ多層膜を超高真空蒸着装置を用
いて、成膜時圧力５×１０^-9Torr、成膜速度０．５A/s
で成膜した。Ｐｔ、Ｃｏの各々の層厚はＰｔ；１．０n
m、Ｃｏ；０．４nmとし、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｐｔの順に交互
に積層した。最終層はＰｔ層で、全厚は１５nmである。

【００５７】また、超高真空蒸着法で形成したＰｔ／Ｃ
ｏ多層膜の膜特性を調べるため、ガラス基板にＰｔ／Ｃ
ｏ多層膜のみ同じ条件で成膜した。膜特性を調べた結
果、Ｈｃ＝１．７kOe,θk＝０．３５deg,θkr/θks＝1
であった。また、低角Ｘ線回折で人工周期性を調べた結
果、超格子ピークが観察され、設計層厚と同じ構造の多
層膜が形成されていることを確認した。

【００５８】表１および表２に作製した光磁気ディスク
のＣ／Ｎを示す。比較例１〜５の記録層を用いた光磁気
ディスクは、記録層のＨｃまたはカーループ角型比が低
いため、得られたＣ／Ｎは４０dB以下と低かった。それ
に対し、本発明における実施例１〜１１の記録層を用い
た光磁気ディスクは、Ｈｃが１kOe以上でかつカールー
プ角型比が１であるため、５０dB以上の高いＣ／Ｎが得
られた。

【００５９】図９に本発明の実施例１と従来例で作製し
て、ディスクの書き換えを繰り返したときのＣ／Ｎの変
化（ΔＣ／Ｎ）を示す。従来ディスクにおける書き換え
回数は約１０⁴回であるが、本発明における実施例１の
記録膜を用いたディスクでは１０⁶回までＣ／Ｎの劣化
はみられなかった。また、実施例２〜１１と同条件で作
製したディスクについても１０⁶回までＣ／Ｎの劣化は
みられなかった。

【００６０】以上から明瞭なように、本発明によれば、
基板温度を加熱することなくＨｃが１kOe以上でかつカ
−ル−プの角形比が１であるＰｔＣｏ合金垂直磁化膜が
得られるため、ポリカ−ボネ−トなどの高分子基板上で
も高いＣ／Ｎとかつ優れた書き換え繰り返し特性を有す
る高密度光磁気ディスクを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の記録膜のカ−ル−プ（λ＝４００ｎ
ｍ）を示す図である。

【図２】実施例６の記録膜の低角Ｘ線回折パタ−ンを示
す図である。

【図３】実施例６の記録膜のカ−ル−プ（λ＝４００ｎ
ｍ）を示す図である。

【図４】比較例１の記録膜のカ−ル−プ（λ＝４００ｎ
ｍ）を示す図である。

【図５】比較例２の記録膜のカ−ル−プ（λ＝４００ｎ
ｍ）を示す図である。

【図６】比較例２と実施例５の記録膜の中角Ｘ線回折パ
タ−ンを示す図である。

【図７】比較例５の記録膜の低角Ｘ線回折パタ−ンを示
す図である。

【図８】実施例１２の光磁気ディスクの断面構造を示す
模式図である。

【図９】実施例１２と従来例の書き換え繰り返し特性を
示す図である。

【符号の説明】

１ ディスク基板 ２ 第一誘電体膜 ３ 記録膜 ４ 第二誘電体膜 ５ 金属反射膜 ６ 保護膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＰｔＣｏ合金膜を記録膜とする光磁気記
   録媒体の製造方法において、１５〜３０eVの大きさの運
   動エネルギ−を有する成膜粒子でＰｔＣｏ合金膜を形成
   することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】 前記ＰｔＣｏ合金膜において、Ｐｔ含有
   量が５０〜８０at％であり、さらに全厚が５nmから５０
   ０nmであることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録
   媒体の製造方法。
3. 【請求項３】 ＰｔＣｏ合金膜を記録膜とする光磁気記
   録媒体の製造方法において、１５〜３０eVの大きさの運
   動エネルギ−を有する成膜粒子で、Ｐｔ層とＣｏ層を交
   互に積層してＰｔＣｏ合金膜を形成することを特徴とす
   る光磁気記録媒体の製造方法。
4. 【請求項４】 前記ＰｔＣｏ合金膜において、Ｐｔ層厚
   ｄ_Ptが１Aから６AでＣｏ層厚ｄ_Coが０．３Aから２Aであ
   り、さらにＰｔ層とＣｏ層の層厚比ｄ_Pt／ｄ_Coが２から
   ４であり、さらに全厚が５nmから５００nmであることを
   特徴とする請求項３記載の光磁気記録媒体の製造方法。
5. 【請求項５】 前記ＰｔＣｏ合金膜をイオンビ−ムスパ
   ッタ法で形成することを特徴とする請求項１〜４のいず
   れかに記載の光磁気記録媒体の製造方法。