JP2880169B2 - 広範囲にわたつてスメチツクc‐相を示す液晶2,5‐二置換1,3,5‐チアジアゾール - Google Patents

広範囲にわたつてスメチツクc‐相を示す液晶2,5‐二置換1,3,5‐チアジアゾール

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JP2880169B2 JP63162760A JP16276088A JP2880169B2 JP 2880169 B2 JP2880169 B2 JP 2880169B2 JP 63162760 A JP63162760 A JP 63162760A JP 16276088 A JP16276088 A JP 16276088A JP 2880169 B2 JP2880169 B2 JP 2880169B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、透過または反射する光の調節の為に並びに
文字、記号または動くまたは動かない図形を有色−また
は白黒表示する為に光学的装置で用いる液晶混合物の為
の好ましくは広範囲にわたるスメクチックC−相を示す
対掌性または非対掌性液晶に関する。
光りを調節する為に並びに測定値を表示させる為にま
たは情報を再生する為に液晶物質が使用できることは公
知である。これらの方法は、液晶物質の薄い層の優先配
向を電場の印加によって変更し得ることに基づいてい
る。液晶物質の優先配向の変更は光学的挙動(複屈折、
捩性、光吸収性)の変更に関連している。電場の当別の
つ々の準備によってまたは適する物質の添加によって得
られる最初の配向、誘電−および光学的異方性、導電
性、自然な極性、二色性並びに印加される電場の強さ、
方向および周波数次第で、種々の電気光学的効果が観察
されそして工業的に利用される(M.Tobias、“Internat
ional Handbook of Liquid Crystal Displys1975年〜7
6"Ovum Ltd.、ロンドン;G.Meier、E.Sackmann、J.G.Gra
bemeyer“Applications of Liquid Crystals、Springer
出版社、ベルリン/ハイデルベルグ/ニューヨーク197
5;N.A.Clark、S.T.Lagerwall“Appl.Phys.Lett.36”、8
99頁(1980))。
例えば、ある公知の方法は、光学活性のスメクチック
C−相を示す物質に電場を印加することによって分子の
長手軸の平均的方向が傾斜角の二倍だけ変化し得ること
を基礎としている。この場合に生じる迅速な切り換えは
例えば照射される光に対して極性によって強い強度変化
として認められる。
強誘電性スメクチックC−相を工業的に用いる為には
使用される物質が特定の条件を満足しなければならな
い: −広範囲にわたる工学活性スメクチックC−相、 −化学的安定性および −負の誘電異方性。
工業分野の為には大抵専ら混合物が使用されているの
で、一方においてはスメクチックC−相から他の相への
転移温度が高くそしてもう一方においては低い温度−過
冷範囲も含む−において追加的に液晶相を示さない混合
成分を見出す必要がある。この場合、これらの成分自体
は光学活性であることは全く必要ない。これらは光学活
性のSc−相を示す混合物あるいは他の光学活性物質との
混合状態でのみ光学活性混合物を形成しなければならな
い。
本発明の目的は、広範囲にわたる温度範囲で電気光学
的用途の為の液晶物質混合物用の新規な液晶物質にあ
る。
本発明の課題は、広範囲にわたるスメクチックC−相
状態、負の誘電異方性および、混合物状態で光学活性相
を形成する性質を有する適する混合成分を見出すことで
ある。即ち、本発明はば対掌性−または非対掌性、殊に
スメクチックC−相を形成する一般式(I) 〔式中、 a)R1はアルキル基であり、Aは単一結合であり、Bお
よびCはフェニル基であり,Qは−OOC−でありそしてR2
は−OOC−CH(CH3)−C2H5であるか、または b)AおよびBはフェニル基であり、QおよびCは単一
結合を意味し、R1はアルキル基またはアルコキシ基であ
りそしてR2は−OOC−CH(CH3)−R4であり、その際にR4
はアルキル基またはアルコキシ基を意味するか、または c)R1はアルキル基またはアルコキシ基であり、Aおよ
びBはフェニル基であり、Qは−OOC(CH2)nであり、た
だしn=0〜2であり、R2はアルキル基またはアルコキ
シ基であり、Cは単一結合またはシクロヘキシル基であ
り、または d)R1はアルキル基であり、Aは単一結合であり、Bは
フェニル基であり、Qは−OOC(CH2)nであり、ただしn
=0〜2であり、Cはフェニル基またはメタ位でCH3
またはC2H5−置換されたフェニル基またはシクロヘキシ
ル基であり、R2はアルキル基またはアルコキシ基である
か、または e)R1およびR2はアルキル基であり、Aはフェニル基で
あり、Bは−CH2CH2−であり、Qは単一結合でありそし
てCはシクロヘキシル基であるか、または f)R1がアルキル基であり、Aが単一結合であり、Bお
よびCはフェニル基であり、Qは−COO−でありそしてR
2はアルコキシ基であるか、または g)R1がアルキル基であり、Aが単一結合であり、Bが
フェニル基であり、Qが−OCH2−であり、Cがフェニル
基またはシクロヘキシル基でありそしてR2がアルキル基
またはアルコキシ基であるか、または h)R1がアルキル−CH(CH3)−COO−またはアルコキシ
−CH(CH3)−COO−であり、Aはフェニル基または単一
結合であり、B、QおよびCはそれぞれ単結合であるか
またはQおよびCは単一結合で、そしてBがシクロヘキ
シル基でそしてR2がアルキル基であるか、または i)R1およびR2がアルキル基であり、AおよびBがフェ
ニル基であり、Qが−COO−を意味しそしてCは単一結
合を意味するかまたは k)R1およびR2がアルキル基を意味し、AおよびCはシ
クロヘキシル基であり、Bはフェニル基でありそしてQ
は−OOC−を意味する その際にR1またはR2中のアルキル鎖はヘテロ原子に隣接
していないCH2−基がOまたはSに交換されていてもよ
く、かつ2〜20の炭素原子数で直鎖状でもまたは枝分か
れしていてもよく、またはこのアルキル基はCH3でもよ
い。〕 で表される液晶の2,5−二置換−1,3,4−チアジアゾール
類に関する。
a)〜k)と規定される式(I)の化合物のそれぞれ
相互の混合物並びに他の液晶または非液晶物質との混合
物においては、記憶特性のある迅速な切り換え用電気光
学構成要素において用いるのに適している。
本発明の2,5−二置換−1,3,4−チアジアゾールは低い
融点および特に高い清澄温度を有する広い対掌性So−存
在範囲を有している。
この新規の物質は熱、可視光線および紫外線の照射お
よび直流電場および交番電場に対して安定である。2,5
−二置換チアジアゾールの従来公知の誘導体(Fluessig
e Kristalle in Tabelle II、第359〜361行)と反対
に、これらの新規物質は広いスメクチックC−相範囲を
示す。
かかる物質は、相互の混合状態で並びに他の強誘電性
液晶物質との混合状態で、スメクチック−メソ相を示す
非対掌性化合物において強誘電性を誘導する為に並びに
スメクチックC−相を誘導する為に用いるのが特に有利
である。
本発明の物質の別の長所は、多くの代表例自体の場合
には過冷の際にスメクチックC−相の下方で追加的なス
メクチック相を生じないことである。
この物資は公知の方法によって、カルボン酸ヒドラジ
ドとカルボン酸クロライド、特に対掌性4−アルキルオ
キシ−ベンゾイルクロライドまたは非対掌性4−アシル
オキシ−ベンゾイルクロライドと反させ、次いで有機溶
剤、特にピリジンまたはこれらの存在下でP4S10にて硫
化することによって容易に製造できる: 非対掌性4−アシルオキシ−ベンゾイルクロライドと
カルボン酸ヒドラジドとの反応は非対掌性2−置換−4
−(4−アシルオキシフェニル)−チアジアゾールをも
たらし、これを以下の反応式に従って最初に相応するフ
ェノール類にケン化し、最後に対掌性カルボン酸に直接
的にまたはその酸クロライドを経てエステル化する。
対掌性カルボン酸は例えば、 −対掌性アルコール(例えば(S)−イソアミルアルコ
ール)を酸化することによって、 −例えば対掌性オキサゾーロン(Oxazolone)または対
掌性イミドによって不斉合成することによって、 −対掌性アルキルハロゲニドまたはトシレートにて4−
ヒドロキシ安息香酸をエーテル化することによって、 −4−ヒドロキシベンズアルデヒドを対掌性カルボン酸
にてエステル化し、次いで酸化するかまたは4−ヒドロ
キシ安息香酸を直接エステル化することによって、 −対掌性のα−ヒドロキシカルボン酸(例えば乳酸)お
よびその誘導体をアルキル化することによって 製造される。
実施例1 (S)−2−(4−n−オクチルオキシフェニル)−5
−〔4−(2−メチルブタノイルオキシ)−フェニル〕
−チアジアゾール: 2.64g(0.01モル)の4−n−オクチルオキシ安息香
酸ヒドラジドを30mlの無水ピリジンに溶解した溶液を0
〜5℃のもとで攪拌下に滴加しながら2.4g(0.01モル)
の(S)−4−(2−メチルブタノイルオキシ)−安息
香酸クロライドと混合する。その後にこの反応混合物を
0℃のもとで45分間、20℃で45分間そして80℃で3時間
攪拌する。
室温に冷却後に3gのP4S10を添加し、発熱反応の減衰
した後に80℃で1時間そして100℃で12時間攪拌する。
室温に冷却した後に10mlのエタノールを添加しそして
この反応混合物を200mlの氷水に注ぐ。
この溶液を水性NaOHにて中和しそして反応生成物を吸
引濾過し、H2Oで洗浄しそしてエタノールで再結晶処理
する。
収量:2.8g(理論値の60%) この処方に従って別の化合物を合成する(第1表、第
3表参照)。
実施例2 (S)−2−(2−メチルプロピル)−5−(4−n−
オクチルオキシフェニル)−トリアジアゾール(化合物
1/2): 実施例1の処方に従って、2.64g(0.01モル)の4−
n−オクチルオキシ安息香酸ヒドラジドを1.20g(0.01
モル)の(S)−2−メチルブチリル−クロライドと反
応させる。
収量:2.7g(理論値の74%)=0.0074モル。
実施例3 2−(4−n−ペンチルオキシフェニル)−5−(4−
ヒドロキシフェニル)−チアジアゾール: 4.0g(0.01モル)の2−(4−n−ペンチルオキシフ
ェニル)−5−(4−アセチルオキシフェニル)−チア
ジアゾールを、40mlのメタノールに懸濁させそして90ml
のメタノールに2.0gのKOHを溶解した溶液と混合する。
この混合物を還流下に2時間加熱する。次いで溶剤を回
転式蒸発器で留去しそして残渣を50mlのH2Oに溶解す
る。この溶解を5%濃度のHClで酸性にし、生じる沈澱
物を吸引濾過しそしてエタノールで再結晶処理する。
実施例4 (S)−2−〔4−(2−ヘキシルオキシプロパノイル
オキシ)−フェニル〕−5−(4−n−ペンチルオキシ
フェニル〕−チアジアゾール: 0.36g(1ミリモル)の2−(4−n−ペンチルオキ
シフェニル)−5−(4−ヒドロキシフェニル)−チア
ジアゾール、2.6g(1.5ミリモル)の(S)−ヘキシル
オキシプロパン酸、0.4g(1.3ミリモル)のEDC−メタ沃
化物および10mgのDMAPを5mlのCH2Cl2に懸濁させそして
室温で20時間攪拌する。
得られる溶液を100mlのCH2Cl2にて希釈し、100mlのH2
Oで二回洗浄し、100mlの5%濃度NaHCO3溶液で洗浄し、
溶剤を回転式蒸発器で留去し、残渣をエタノールで再結
晶処理する。
収量:0.35g(理論値の70%) この処方に従って別の化合物を合成する(第1表、第
2表および第3表参照)。
実施例5 2−(4−n−オクチルオキシフェニル)−5−(4−
〔トランス−4−n−プロピルシクロヘキシルプロピオ
ニルオキシ〕フェニル)−1,3,4−チアジアゾールの製
造: 0.01モル(3.82g)の2−(4−n−オクチルオキシ
フェニル)−5−(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,4
−チアジアゾールを50mlの無水トルエンに懸濁させ、攪
拌下に10mlのトリエチルアミンおよび100mgの4−ジメ
チルアミノピリジンを添加した後に0.011モル(2.38g)
の3−(トランス−4−n−プロピルイシクロヘキシ
ル)−プロピオニルクロライドと混合する。この混合物
を室温で12時間、そして80℃で2時間攪拌する。室温に
冷却した後に反応溶液を100mlのエーテルで希釈しそし
て100mlのH2Oで一回、100mlの5%濃度NaHCO3溶液で一
回並びに再度100mlのH2Oで洗浄する。Na2SO4で乾燥した
後に溶剤を回転式蒸発器で留去する。残渣をエタノール
およびメタノールで、転移温度が一定になるまで再結晶
処理する。
収量:4.2g(0.0075モル)=理論値の75% 2−(4−n−オクチルオキシフェニル)−5−(4−
アセトキシフェニル)−1,3,4−チアジアゾールの製
造: 0.1モル(26.4g)の4−n−オクチルオキシ安息香酸
ヒドラジドを300mlの無水ピリジンに溶解し、0〜5℃
で攪拌下に0.1モル(19.8g)の4−アセトキシベンゾイ
ルクロライドを滴加下に混合する。
この反応混合物を室温にゆっくり加温しそして20℃で
2時間攪拌し、その後に70℃に2時間加熱する。
室温に冷却した後にこの反応混合物を1の氷水に注
ぐ。生じる沈澱物をH2Oで洗浄しそしてエタノールで一
回再結晶処理する。
収量:38g(0.09モル)=理論値の90% こうして得られる0.05ml(21.3g)のN−(4−n−
オクチルオキシベンゾイル)−N′−(4−アセトキシ
ベンゾイル)−ヒドラジンを150mlのピリジンに溶解
し、15gのP4S10と攪拌混合する。
発熱反応の衰えた後に80℃に2時間加温し、更に100
℃で12時間攪拌する。室温に冷却した後に50mlのエタノ
ールを添加しそして反応混合物を1の氷水に注ぎ込
む。得られる溶液を10%濃度の苛性ソーダで中和し、こ
の反応生成物を吸引濾過する。この反応生成物を徹底的
に水で洗浄しそしてエタノールまたはメタノールで再結
晶処理する。
収量:18.1g(0.0426モル)=理論値の85% 同様の方法で以下に挙げる化合物が得られる: 実施例6 2−n−ノニル−5−(4−メトキシカルボニルフェニ
ル)1,3,4−チアジアゾールの製造: 0.1モル(18.6g)のデカン酸ヒドラジドを実施例5に
従って0.1モル(18.9g)のメトキシカルボニルベンゾイ
ルクロライドと反応させてN−デカノイル−N′−(4
−メトキシカルボニルベンゾイル)−ヒドラジドを得
る。
0.05モル(18.6g)のこうして得られたジアシルヒド
ラジンを実施例5に従って15gのP4H10と反応させる。
収量:15.0g(0.041モル)=理論値の82% 沸点:114℃。
4−(2−n−ノニル−1,3,4−チアジアゾール−5−
イル)−安息香酸の製造: 0.02モル(7.4g)の2−ノニル−5−(4−メトキシ
カルボニルフェニル)−1,3,4−チアジアゾールを400ml
のメタノールに0.2モル(1.2g)のKOHを溶解した溶液に
添加し、沸騰するまで2時間加熱する。溶剤を回転式蒸
発器で留去し、残渣を200mlのH2Oに溶解しそして濃塩酸
で酸性にする。
生じる沈澱物を吸引濾過しそしてエタノールで再結晶
処理する。
収量:5.8g(0.017モル)=理論値の87% 沸点:225℃(分解)。
4−(2−n−ノニル−1,3,4−チアジアゾール−5−
イル)−安息香酸−4−n−オクチルオキシフェニルエ
ステルの製造: 0.005モル(1.66g)の4−(2−n−ノニル−1,3,4
−チアジアゾール−5−イル)−安息香酸を5mlのチオ
ニルクロライドと混合しそして沸騰するまで2時間加熱
する。その後に過剰のチオニルクロライドを回転式蒸発
器で留去し、残渣を、20mlのトルエンに0.006モル(1.3
3g)のオクチルオキシフェニルを溶解した溶解、5mlの
トリエチルアミン並びに100mgの4−ジメチルアミノピ
リジンと混合する。
この反応混合物を室温で12時間そして80℃で2時間攪
拌する。室温に冷却した後に100mlのエーテルで希釈
し、100mlのH2Oで一回、100mlの5%濃度NaHCO3溶液で
一回そして100mlのH2Oで一回洗浄する。Na2SO4で乾燥し
た後に溶剤を回転式蒸発器で留去し、残渣を一定の転移
温度になるまでメタノールで再結晶処理する。
収量:2.2g(4×10-3モル)。
実施例として二種類の化の転移温度を記載する: 実施例7 2−n−ヘプチル−5−〔4−(4n−ヘプチルフェニル
メチレンオキシ)−フェニル〕−1,3,4−チアジアゾー
ルの製造 0.01モル(2.76g)の2−n−ヘプチル−5−(4−
ヒドロキシフェニル)−1,3,4−チアジアゾール、0.015
モル(4.03g)の4−n−ヘプチルベンジルブロマイ
ド、50mlのアセトンおよび15gのK2CO3より成る混合物を
攪拌下に還流しながら6時間加熱する。
この反応混合物を冷却した後に固体の沈澱物を濾過分
離しそしてこの沈澱物を注意深く100mlのCHCl3で洗浄す
る。得られる溶液を回転式蒸発器で乾燥するまで凝縮し
そして残渣を、転移温度が一定に成るまでアセトンで再
結晶処理する。
収量:3.9g(0.013モル)=理論値の84% 以下の表に具体例を示す。
実施例8 2−(トランス−4−n−ヘキシルシクロヘキシル)−
5−〔4−(トランス−4−n−ヘキシルシクロヘキシ
ルカルボニルオキシ)−フェニル〕−1,3,4−チアジア
ゾールの製造: 0.01モル(1.52g)の4−ヒドロキシ安息香酸ヒドラ
ジドを実施例5に従って0.025モル(5.75g)のトランス
−4−n−ヘキシルシクロヘキサンカルボン酸クロライ
ドと反応させてN−(トランス−4−n−ヘキシルシク
ロヘキシルカルボニル)−N′−4−(トランス−4−
n−ヘキシルシクロヘキシルカルボニルオキシ)−ベン
ゾイルヒドラジンを得る。
0.005モル(2.7g)のこうして得られたジアシルヒド
ラジンを実施例5に従って1.5gのP4S10と反応させる。
収量:2.1g=理論値の78% 以下の表に具体例を示す: 実施例9 下記成分の混合物 成分 I8 I2 II8 I5 II3 II5 重量% 16.5 16.6 12.0 14.8 20.4 19.7 は次の転移温度経過を示す: Kr 42 Sc 158 N 172 is 熱分析試験および顕微鏡試験によると、158〜30℃の
範囲で別の相転移が生じなかった。
実施例10 4−n−オクチルオキシ安息香酸−4′−n−ペンチル
オキシフェニルエステル(Kr 58 Sc 63 SA 65 N 85 i
s)のSc−相範囲が拡大することがが以下の実施例から
明らかである。上記の成分41.9重量%に12.4重量%重の
化合物No.I 7、23.3重量%の化合物No.II 3および22.4
重量%の化合物No.II 5を添加する。生じる混合物は40
〜45℃で溶融する。SC−相は今度は100℃まで安定して
いる。次のネマチック相は132℃で透明に成る。冷却し
た場合には32℃で結晶化するまで別の相への転移は100
℃以下では認められない。
実施例11 実施例10の混合物に7.0重量%のチゴゲニン(Tigogen
in)を添加する。光学的に活性のC−相は105℃でコレ
ステリック相に転移する。この光学的に活性のスメクチ
ックC−相は、等間隔の線によって中断された複数の鎖
の構造を非常に良好に示すことが認められる。
実施例12 ネマチック基本混合物(ΔεGM0.314、T−TN/is=−
20K)中に5モル%の化合物No.I 5を溶解する。この場
合、T−TN/is=−20Kでの誘電異方性はΔε=−0.477
に低下する。
最初の混合原理の推定では、溶解された化合物のT−
TN/is=−20Kでの誘電異方性はΔε(I 5)=−3.3が算
出される。
実施例13 本発明の沢山の化合物を混合することによって強誘電
性液晶物質の融点が低下し、その存在範囲が著しく拡大
される。
このことは以下の混合物が示している: これらの両方の混合物は電気光学的ディスプレーで使
用することがでる。
実施例14 本発明の化合物の性質は、別の化合物、殊に自体強誘
電性のスメクチックC*−相または非対掌性C−相を示す
化合物の混入によって著しく変更される。
このことを次の三種類の混合物で実証する: これらの混合物もディスプレーで使用するのに適して
いる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ホルスト・クレツセ ドイツ民主共和国、ハーレ、プシユキン ストラーセ、18 (72)発明者 アンネローレ・メデイツケ ドイツ民主共和国、ハーレ、ベルンハル デイストラーセ、50 (72)発明者 ゲルハルト・ペルツル ドイツ民主共和国、ハーレ‐ノイシユタ ツト、ブロツク、170/2/21 (72)発明者 ウオルフガング・シエーフエル ドイツ民主共和国、ポツダム、アウフ・ デム・キーウイツト、31 (72)発明者 カルステン・チールシユケ ドイツ民主共和国、ハーレ、フイツシエ ルリング、8 (72)発明者 ホルスト・ツアシユケ ドイツ民主共和国、ハーレ、プラツツ・ デル・フエルケルフロイントシヤフト、 3 (56)参考文献 特開 昭62−51644(JP,A) 特表 平2−500191(JP,A) 西独国公開3703651(DE,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C07D 285/00 - 285/38 CA(STN) REGISTRY(STN)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(I) 〔式中、 a)R1はアルキル基であり、Aは単一結合であり、Bお
    よびCはフェニル基であり,Qは−OOC−でありそしてR2
    は−OOC−CH(CH3)−C2H5であるか、または b)AおよびBはフェニル基であり、QおよびCは単一
    結合を意味し、R1はアルキル基またはアルコキシ基であ
    りそしてR2は−OOC−CH(CH3)−R4であり、その際にR4
    はアルキル基またはアルコキシ基を意味するか、または c)R1はアルキル基またはアルコキシ基であり、Aおよ
    びBはフェニル基であり、Qは−OOC(CH2)nであり、た
    だしn=0〜2であり、R2はアルキル基またはアルコキ
    シ基であり、Cは単一結合またはシクロヘキシル基であ
    り、または d)R1はアルキル基であり、Aは単一結合であり、Bは
    フェニル基であり、Qは−OOC(CH2)nであり、ただしn
    =0〜2であり、Cはフェニル基またはメタ位でCH3
    またはC2H5−置換されたフェニル基またはシクロヘキシ
    ル基であり、R2はアルキル基またはアルコキシ基である
    か、または e)R1およびR2はアルキル基であり、Aはフェニル基で
    あり、Bは−CH2CH2−であり、Qは単一結合でありそし
    てCはシクロヘキシル基であるか、または f)R1がアルキル基であり、Aが単一結合であり、Bお
    よびCはフェニル基であり、Qは−COO−でありそしてR
    2はアルコキシ基であるか、または g)R1がアルキル基であり、Aが単一結合であり、Bが
    フェニル基であり、Qが−OCH2−であり、Cがフェニル
    基またはシクロヘキシル基でありそしてR2がアルキル基
    またはアルコキシ基であり、または h)R1がアルキル−CH(CH3)−COO−またはアルコキシ
    −CH(CH3)−COO−であり、Aはフェニル基または単一
    結合であり、B、QおよびCはそれぞれ単一結合である
    かまたはQおよびCは単一結合でそしてBがシクロヘキ
    シル基でそしてR2がアルキル基であるか、または i)R1およびR2がアルキル基であり、AおよびBがフェ
    ニル基であり、Qが−COO−を意味しそしてCは単一結
    合を意味するかまたは k)R1およびR2がアルキル基を意味し、AおよびCはシ
    クロヘキシル基であり、Bはフェニル基でありそしてQ
    は−OOC−を意味する その際にR1またはR2中のアルキル鎖はヘテロ原子に隣接
    していないCH2−基がOまたはSに交換されていてもよ
    く、かつ2〜20の炭素原子数で直鎖状でもまたは枝分か
    れしていてもよく、またはこのアルキル基はCH3でもよ
    い。〕 で表される液晶の2,5−二置換−1,3,4−チアジアゾール
    類。
  2. 【請求項2】透過または反射する光の調節の為に並びに
    文字、記号または図形を表示する為に、他の液晶または
    非液晶物質を含有していてもよい、負の誘電異方性の広
    範囲にわたるスメクチックC−相および、光学活性相を
    形成する能力を示す液晶混合物において0.1〜80モル%
    の量で請求項1に記載の液晶の2,5−二置換−1,3,4−チ
    アジアゾール類のいずれかを使用する方法。
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