JPH03178971A - 液晶性化合物、これを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子 - Google Patents

液晶性化合物、これを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子

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JPH03178971A
JPH03178971A JP2123149A JP12314990A JPH03178971A JP H03178971 A JPH03178971 A JP H03178971A JP 2123149 A JP2123149 A JP 2123149A JP 12314990 A JP12314990 A JP 12314990A JP H03178971 A JPH03178971 A JP H03178971A
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孝志 岩城
Takao Takiguchi
隆雄 滝口
Shinichi Nakamura
真一 中村
Yoko Yamada
容子 山田
Gouji Tokanou
門叶　剛司
Yoshisane Mori
省誠 森
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、新規な液晶性化合物、それを含有する液晶組
成物およびそれを使用した液晶素子に関し、さらに詳し
くは電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成
物、およびそれを使用した７夜晶表示素子や液晶−光シ
ヤツター等に利用される液晶素子に関するものである。
［従来の技術］ 従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えば、エム　シ　ャ　ッ　ト（Ｍ、５ｃｈａｄｔ
）とダブリュー　ヘルフリッヒ（Ｗｌｌ　ｅ　ｌ　ｆ　
ｒ　ｉ　ｃ　ｈ　）著、゛アプライド　フィジックス　
レターズ”　　＜　”八ｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ
　１ｅｔｔｅｒｓ　”　）　Ｖｏ１１８、　　Ｎｏ、４
　）　（１９７１，２，１５）　Ｐ、１２７〜１２８の
”Ｖｏｌｔａｇｅ　　ＤｅｐＱｎｄｅｎｔ　　Ｏｐｔ、
１ｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　　ａ丁ＷＩＳ
ｔ（！ｄ　ＮｅｍａＬｉｃ　Ｌｌｑｌｌｌｄ　Ｃｒｙｓ
ｔａｌ”　に示ざ和たＴ　Ｎ　（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅ
ｍａＬｉｃ　）型の液晶を用いたものである。
こＪｌらは、液晶の誘電的配列効果（コス（ついでおり
、液晶分子の己電異あ惺のために平均分子軸方向か、加
えら」］た電場により粘土の方向に向く効果を利用して
いる。こ才］らの素子の光学的な応答速度の限界はミリ
秒であるといわれ、多くの応用のためにｉ：１遅ずぎる
。−・方、大型平面デイスプレィへの応用ては、価格、
生産性１１と゛を尤え合わ七ると、ｊｌ純マ］・リクス
方式による駈動か最もイＪ″力である。Ｂ純７トリクス
方式においては、走査電極群と侶弓＝電極君丁を７１−
リクス状に構成した電極構成か採用さ」１、その駆動の
ためじは、走査電極群に順次周期的にアＩ・レス信号を
選択印加し、信号電極群には所定の情報信ぢをア１〜レ
スｆ８号と同期さゼで並列的に選択印加する峙分割駆動
方式か採用されている。
しかし、この様な駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると、走査電極か選択され、信号電極か選択
されない領域、或いは走査電極か選択されず、借上電極
か選択される領域（所謂゛半選択点°′）にも有限に電
界かかかってしまつ。
選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差か充
分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列さ−０るのに
要する電圧閾値かこの中間の電圧値に設定さ」］るなら
ば、表示素子は正席に動作するわりであるが、走査線（
Ｎ）を増加して行なった場合、画面全体（１フレーム）
を走査する間につの選択点に有効１２電界かかかってい
る時間（ｄｕｔｙ比）かＩ／Ｎの割合で減少してしまう
。
このために、くり返し走査を行なった場合の選択Ｆｒｊ
と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、走査線数
か増え、ｌ］は増える稈小さくなり、結果的には画像コ
ントラス１−の低下やクロスミー一りが避ζづ難い欠点
となっている。
この様な現象は、双安定性を有さない液晶（電杯面に対
し、液晶分子か水平に配向しているのか安定状態てあり
、電界かイｊ効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる木質的には避は難い問題点で
ある。
この点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法
や、冬瓜マトリクス法等か既に提案されているか、いず
れの方法ても不充分てあり、表示素子の大画面化や高密
度化は走査線数か充分に増やせ／よいことによって頭打
ちになっているのか現状である。
この様な従来型の液晶素子の欠、シｊを改善するものと
して、双安定性を有する液晶素子の使用か、クラーク（
Ｃ１ａｒｋ）　１６　Ｊ：ひラカウエル（Ｌａｇｅｒｗ
ａｌｌ）により提案されている（特開昭５６−１０７２
１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書等）。
双安定＋＋　［晶としては、−Ａｔに、カイラルスメク
チックＣ相（ＳｍＣ末相）またはＨ相（Ｓｍ１ｌ木相）
を有する強誘電性液晶か用いられる。
この強誘電性液晶は、電界に対して第１の光学的安定状
態と第２の光学的安定状態からなる双安定状態を有し、
従って前述のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子と
は異なり、例えは、一方の電界ヘクｌ−ルに対して第１
の光学的安定状態に液晶か配向し、他方の電界ベク）・
ルに対しては第２の光学的安定状態に液晶が配向されて
いる。また、この型の液晶は、加えられる電界に応答し
て、」−二記２つの安定状態のいずれかを取り、かつ、
電界の印加のノよいときは、その状態を維持する性質（
双安定性）を有する。
以上の様な双安定性を有する特徴に加えて、強誘電性液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
、強誘電性液晶の持つ自発分極と印加電場か直接作用し
て配向状態の転移を誘起するためてあり、誘電率異方性
と電場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。
この様に強誘電性液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、この様な性質を利用することにより上述し
た従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かなり木
質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッターや
、高密度、大画面デイスプレィへの応用か期待さ」する
。このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広く研究
かノよされＣいるか、現在までに開発された強誘電性液
晶材料は、低温作動特性、高速応答［４笠を含めて７夜
晶素子に用いる十分／♂特性を備えているとは言い難い
。
応答時間でと自発分極の大きさＰｓおよび粘度？７の間
には、下記の式（Ｉ＋　） （たたし、Ｅは印加電界である） の関係かイｒ在する。したかつて応答速度を速くするに
は、 （ア）自発分極の大きさＰｓを大きくする（イ）粘度η
を小さくする （つ）印加電界Ｅを犬きくする 方法がある。しかじ印加電界は、ＩＣ等で駆動するため
−Ｌ限かあり、出来るたｉ−１低い方か望ましい。よっ
て、実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大きさ
Ｐ３の値を大きくする必要かある。
殻間に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチック
液晶化合物においては、自発分４にのもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約か大きくなる傾向にある。また、いたずらに自発分極
を大きくしても、それにつれて粘度も大きくなる傾向に
あり、結果的には応答速度はあまり速くならないことか
考えられる。
また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲か、例
えば５〜・４０℃程度とした場合、応答速度の変化か一
般に２０倍稈もあり、駆動型ＩＥ及び周波数による調節
の限界を越えているのが現状である。
以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低く高速応答性を有し、かつ応答速度の温
度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が要求される。
［発明か解決しようとする問題点］ 本発明の［」的は、強誘電性液晶素子を実用できるよう
にするために、応答速度か速く、しかもその応答速度の
温度依イアー性か軽減された液晶組成物、特に強誘電性
カイラルスメクチック液晶組成物、および該液晶組成物
を使用する７夜晶素子を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 即ち、本発明は、下記−数式（Ｉ） （式中、Ｒ，、Ｒ２は、炭素原子数１〜１８の直釦状ま
たは分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基中の１
個の−ＣＨ２−基または隣接していない２個の−ＣＨ２
−基は一〇ｓ−−−−ｃｏ−−ｃｏ〇−−０ＣＯ わされるイ夜品性化合物、該液晶性化合物の少なくとも
一種を含有する強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
物、および該液晶組成物を一対の電極基板間ｊ、：配置
してなる液晶素子を提供するものである。
数式（Ｉ）で示される化合物にムいて、Ｒ，、Ｒ２の好
ましい組合ゼの例として以下の（１）〜（ｖｉ）を挙げ
ることができる。
（ｉ）　　Ｒ１がｎ　ＣｍＨ２、−Ｘ、−１Ｒ２がｎ　
　Ｃ７Ｈ２ｚ＋＋−Ｘ２Ｌ２がｎ ＣｍＨ２ＩＩ＋ ２ （たたし、ｍ１℃は１〜１７の整数：ｒ’、１”。
はＯ〜７の整数、ｑはＯまたは１を示ず。Ｒ３、Ｒ４，
Ｒ，はいずれも直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を示
す。またＸ、　、Ｘ２は単結合、ず。たたし、ｎ＝ｏの
とき、Ｘｌは単結合である。） また−数式（１）て示される化合物において、覆チは好
ましくは一＠−、−＝Ｃであり、より好ましくは−（Ｄ
−である。
なお、国際公開ＷＯ３８１０８０１９号、特開昭６３−
２２２１４８号および特開昭６ｌ−６１４７２ｊ＋各公
報にはデアジアゾール誘導体または該誘導体からなる液
晶組成物を使用した電気光学表示素子について記載がな
されている。
該国際公開、特開昭公報に記載されたチアジアゾール誘
導体を表わす一般式にはフッ素原子がラテラルに置換し
たフルオロフェニルデアジアゾール誘導体を含んでいる
。しかし、上記特開昭公報にはラテラル置換化合物は具
体的には例示されてＪ３らず、国際公開公報に具体的に
例示されたフッ素原子かラテラルに置換した化合物は たた一種である。
本発明省等は、フッ素原子がラテラルに置換した３−フ
ルオロフェニル基を骨格の端に配置し、中央にデアジア
ゾール環を配置した３環、または２環の４−置換−３−
フルオロフェニルデアジアゾール誘導体が、ラテラルに
フッ素原子が置換しているため透明点を下げることがて
き、また、特に３環化合物はデアジアゾール環を中央に
配置しであるため、広い温度範囲で液晶相（特にＳｍＧ
相）をもつ液晶性化合物となり、この化合物を少なくと
も一種含有する強誘電性カイラルスメクチックィ夜晶組
成物、およびそれを使用した液晶素子を用いることによ
り、良好な配向性、高速応答性、応答速度の温度依存性
の軽減等の緒特性の改良がなされ良好な表示特性か得ら
れることを見出したものである。
［発明の詳細な説明コ 前記−数式 （ ） て表わされる化合物の合成法 の−例を以下に示す。
（Ｒ＋　、Ｒ２、（◇−１ｎは前記定義のとおりである
）数式 （ ） て示される液晶性化合物の具体的 な構造式の例を以下に示す。
（Ｉ−５９） （１−６０） （Ｉ−６１） （Ｉ−６２） Ｃ，Ｈ，＋噂へ、沁洪０ Ｃ２１（５ ｃａ　Ｈ９０＜４番０Ｃ４Ｈ９ Ｃ４Ｈ９やにニド族０Ｃ５Ｈｕ Ｃ４Ｈ９やＫ）恭ＱＣ（Ｉ　ＨＩ３ （１−６４） （Ｉ−６５） （Ｉ〜６６） ＣｓＨ目−（Σトーク、３．ぐ−−Ｘで＋ｏｃ４Ｈｓｃ
５Ｈ１ｌ唖イーｙ綻ＱＣ（Ｈｕ Ｃ５Ｈ口→（Σ×−→Ｕ５：５トー〈研≦−〇Ｃ６Ｈ＋
３（Ｉ−２１８） （Ｉ−２２０） （１−２２１） （１−２２２） （■ ２２３） （Ｊ−２２４） Ｆ 本発明の波晶組戊物は、前記−数式（１）で示される液
晶性化合物の少なくとも１種を、他の強誘電性または非
強誘電性液晶性化合物の１種以上と、前記−数式（１）
で示される液晶性化合物か（必要な場合、合計量として
）生成する組成物の１〜８５重量％、好ましくは１〜４
０重量％と１するように混合して、強誘電性カイラルス
メクチック液晶組成物とすることにより得られる。
本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を以下に挙げ
る。
化合物Ｎ。
（１８） （２４） （３６） （４８） （５４） （６６） （９８） （９９） （１００） （１０２） （１０４） （ｉｏｓ） （＋０６） （１０８） （ｌ　１２） （１１３） （１１５） （１１６） （１１７） （１１８） （１１９） （１２２） （１２３） （＋　２４） （１２５） （１２６） （＋２７） （１２８） （１３０） （１３１） （１３３） （１３４） （＋３６） （＋３７） （１３９） （１４２） （１４３） （１４４） （１４５） （１４６） （＋４７） （１４８） （１４９） （＋５Ｏ） （１５２） （１５４） （＋５５） （＋６５） （１６６） （１６７） （１６９） （２０＋） （２０２） （２０３） （２０４） （２０５） （２０６） （２０７） （２０８） （２０９） Ｃｌ０Ｈ２１号４０ｃ８Ｈ１７ Ｃ，Ｈ，５＠婦■Ｃ３Ｈ。
Ｃ９Ｈ，９＠φＧｃ６Ｈ，３ Ｃ１ｏｔ”１２＋号婦◎ｃ８ＨＩ７ ＣＩ２Ｈ２５号燈＠Ｃｙ　Ｈａ５ Ｃ６Ｈ１３剖杯ＯＣ７Ｈ１！Ｉ Ｃ１゜Ｈ２，０苺Ｇｏ　Ｃｓ　Ｈ＋＋ Ｃｌ４Ｈ２９号媚ＧＯＣａ　Ｈ１３ Ｃａ　ＨＨＯ＋　Ｃｏ（）ＯＣ＋ｏＨ２＋〇 （２１０） ＣＩ、Ｈ＋ｓＯ＋　ＣＯ（Ｃか０Ｃ７Ｈ＋ｓ（２１＋） Ｃ９Ｈ，、ｏ（（かｃｏ＜ツ０Ｃ６Ｈ１３大 ２ （２３２） （２３３） （２３４） （２３５） （２３６） （２３７） （２３８） （２３９） Ｃ５Ｈ，、−℃’；）−ｃ　ｏ＋ｏ）　ｃ　ＩＩ　ＨＩ
　ｙ！　　ゝ Ｃ３Ｈ７＋ＸＯヤ炒Ｃ＋＋Ｈ２３ Ｃ５Ｈ＋　＋　８　ＣＯ＋Ｏ）ＣＩＩ　）（２３Ｎ Ｃ４Ｈ９号ｃｏｏ参Ｃ１１Ｈ２３ Ｃ，Ｈ□五かＣＯ（ト◆Ｃ１２８２に 占　　１ ＣＩＯＨ２１０＋ＣＨ２０（）ＯＣ９ＨＩ９Ｃ＋＊Ｈ２
５０＋ＣＨ２Ｏ＋ＯＣｅ　Ｈ１３Ｃ！、　Ｈ＋　＋　＋
ＣＩ（２０畷ハ）ＣＯＣａ　Ｈ１７日 （２４０） （２４１） （２４２） Ｃ７ＨＩ５０　ｕｃＨ２０８ＣＯＣｌ２Ｈ２５Ｃ，、Ｈ
，項ケＣＨ２ｏ−＠ン◆Ｃらｌ（＋３Ｃ５Ｈ，，８ＣＨ
２ｏ−＠−灸ｃ、　ＨＩ３（２４３） （２４４） （２４５） （２４６） （２４７） （２４８） （２４９） （２５０） （２５１） （２５２） Ｃ３Ｈ７８ＣＨｘ　Ｏ＋、Ｆ））Ｃ＋ｏＨ２１Ｃ，ＨＩ
３　％　ＣＨ２０ｉ分Ｃｌ２８２５枳：）伊・ ｃｅ　ＨＩ３　　　　　　　　　　　　ａ　ＨＩ７Ｃ＋
ｏＨ２１０ｆ　ｓオＯＣ９Ｈ＋Ｑ ｃ８Ｈ１７０−＠−ｉ％０ｃｌＯＨ２ＩＣ７Ｈ，，０４
べ５）ｑｃ、、　Ｈ＋＋ｃａｔ（＋３毬べＳ／）０↑−
Ｃ，Ｈ，。
Ｃ４Ｈ９遥べ：シＧＯＣ１２Ｈ２５ Ｃ，Ｈ，３窺べ、オＧｏＣａＨ＋ｙ Ｃ，Ｈ，５０唖ｋＳバトＣ４Ｈ９ 第１図は、強誘電性液晶素子の構成を説明するための、
強誘電性液晶層を有する液晶表示素子の例の厚さ方向模
式断面図である。
第１図を参照して、液晶表示素子は、それぞれ透明電極
３および配向制御層４を設けた一対のガラス基板２間に
強誘電性液晶層１を配置し且つその層厚をスペーサ５で
設定してなるものであり、対の透明電極３間にリート線
６を介して電源７より電圧を印加可能に接続する。また
一対の基板２は、一対のクロスニコル偏光板８により挟
持され、その一方の外側には光源９が配置される。
すなわち２枚のガラス基板２には、それぞれＩ　ｎ２０
３　、ＳｎＯ２あるいはＩ　Ｔ　Ｏ（ＩｎｄｉｕｍＴｉ
ｎ　０ｘｉｄｅ）等の薄膜から成る透明電極３が被覆さ
れている。その上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガ
ーゼやアセテート植毛布等でラビングして、液晶をラビ
ング方向に配列するための配向制御層４が形成されてい
る。またこの配向制御層４としては、例えばシリコン窒
化物、水素を含有するシリコン窒化物、シリコン炭化物
、水素を含訂するシリコン炭化物、シリコン酸化物、硼
素窒化物、水素を含有する硼素窒化物、セリウム酸化物
、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタン酸
化物やフッ化マグネシウムなとの無機物質層を形成し、
その土に、ポリニスデルコル、ポリイミド、ポリアミト
イくト、ポリニスデルイミＦ　、ポリバラキシレン、ポ
リニスデル、ポリカーボネート、ポリヒニルアセタール
、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ボリ
スヂレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、エリヤ樹脂
、アクリル樹脂やフ（トレシスト樹脂１２どの有機物質
を層形成した２層構造であってもよく、また無機物質配
向制御層あるいは有機物質配向制御層単Ｊψ１てあって
も良い。この配向制を卸膜４が無機系ならば蒸着法など
て形成でき、有機系ならば、９１機物質を溶解さゼた溶
液またはその前駆体溶イ夜（溶剤に０１〜２０重量％、
好ましくは０．２〜１０重量％）を用いて、スピンナー
塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷法、スプレー塗布
法、ロール塗布法等で塗布し、所定の硬化条件９ 下（例えは加熱下）て硬化さゼＣ形成することができる
。
絶縁性配向制御層の層厚は、通常３０大〜１μｍ、好ま
しくは３０大〜３０００大、さらに好ましくは５０大〜
１０００入が適している。
この２枚のカラス基板２はスベーザ−５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスベーザとしてカラス基板２枚
で挟持し、周囲をシールイ１、例えはエポキシ系接着材
を用いて密封する方法かある。その化スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。
この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶４が封入さね
ている。一般には０５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μ
ｍの厚さに設定されている。
透明電極３はリード線によって外部電源７に接続されて
いる。またガラス基板２の外側には、互いの偏光軸を例
えば直交クロスニコル状態とした対の偏光板８か貼り合
わせである。第１図の例は、透過型てあり、光源９を備
えている。
　０ 第２図は、強誘電性液晶素子の動作説明のために、セル
の例を模式的に描いたものである。２１ａと、２１ｂは
、それぞれｒ　ｎ２０３　、Ｓ　ｎｏ２あるいはＩ　Ｔ
　Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）等の薄膜か
らなる透明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、
その間に波高分子層２２がガラス面に垂直になるよう配
向したＳｍＣ”相又はＳｍＨ”相の液晶が封入されてい
る。太線て示した線２３が液晶分子を表わしており、こ
の液・高分子２３はその分子に直交した方向じ双極子モ
ーメント（Ｐｌ）１４を有している。基板２１ａと２１
ｂ上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液
晶分子２３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（
Ｐよ）２４がすへて電界方向に向くよう、液晶分子２３
は配向方向を変えることがてきる。液晶分子２３は、細
長い形状を有しており、その長袖方向と短ｌ！１１１方
向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下
に互いにクロスニコルの偏光子を置＋−１ば、電圧印加
極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子となる
ことは、容易に理解１ される。
本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）すること
かできる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）又は下向き（３４ｂ）のど
ちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示す
如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅａ又はＥｂを電
圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極子モ
ーメントは、電界Ｅａ又はＥｂの電界ヘクトルに対応し
て上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向きを変え、それに
応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあるいは第
２の安定状態３３１〕の何れか１方に配向する。
このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は、先にも述べたが２つある。
その第１は、応答速度が極めて速いことてあり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有するこ　２ とである。第２の点を、例えば第３図によって更に説明
すると、電界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状
態３３ａに配向するか、この状態は電界を切っても安定
である。又、逆向きの電界Ｅｂを印加するど、液晶分子
は第２の安定状態３３ｂに配向してその分子の向きを変
えるか、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。
又、与える電界ＥａあるいはＥｂが一定の閾値を越えな
い限り、それぞれ前の配向状態にやはり維持されている
。
以下実施例により本発明について更に詳細に説明するか
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
下記の例において、「部」はいずれも「重量部」を示す
。
実ＪＬ例」− 下記工程に従い２−（３−フルオロ−４−オクチルオキ
シフェニル）−５−（４−デシルフェニル）−１，３，
４−チアジアゾール（例示化合物１−８４）を製造した
。
３ （１）４−デシルベンゾヒドラシトの合成。
４−デシル安息香酸エチル１０．０ｇ、エタノール１８
ｍ１を加え、８０％抱水ヒドラジン２０ｇを加え、１６
時間還流した。反応後、氷水２００ｍ１に注入し、析出
した結晶をエタノールから再結晶し、４−デシルベンゾ
ヒドラシト６．９．３ｇを得た。収率７２９％。
４ （２）Ｎ−（４−デシルベンゾ）−Ｎ′−（３−フルオ
ロ−４−オクチルオキシベンゾ）ヒドラジドの合成。
４−デシルベンゾヒドラシト１．ＯＯｇ（３６２ｍｍｏ
ｌ）、３−フルオロ−４−オクチルオキシ安息香酸塩化
物１．１３ｇ　（３，７８ｍ　ｍｏｌ　）　、ジオキサ
ン２０ｍ１を加え、８６〜９２℃で攪拌下ピリジン１．
３１ｍ１を添加した。添加後、９０〜９２℃で５０分攪
拌し、氷水１５０ｍ１中に注入した。食塩を加え、室温
で攪拌後析出した結晶を戸別し、水、ついでメタノール
で洗浄し、Ｎ−（４−デシルベンゾ）−Ｎ′＝（３−フ
ルオロ−４−オクチルオキシベンゾ）ヒドラジド１．８
７ｇを得た。収率９８．１％。
（３）２−　（３−フルオロ−４−オクチルオキシフェ
ニル）−５−（４−デシルフェニル）−１３，４−チア
ジアゾールの合成。
Ｎ−（４−デシルベンゾ）−Ｎ′−（３−フルオロ−４
−オクチルオキシベンゾ）ヒドラジド１．５０ｇ（２，
８５ｍｍｏｌ　）、ローエソン試薬５ ２５ｇ（３，０９ｍｍｏｌ　）、テトラヒドロフラン（
ＴＨＦ）２５ｍｌを加え、アルカリトラップを取りつ＋
−＋た装置で攪拌下１時間還流した。水酸化すトリウム
０．９８ｇを加えた氷水１５０ｍ１中に反応溶液を注入
した。食塩を加え、室温で攪拌後、析出した結晶を炉取
した。水洗後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（
展開溶媒：トルエン）により精製し、トルエン／メタノ
ールから再結晶し、２−（３−フルオロ−４−オクチル
オキシフェニル）−５−（４−デシルフェニル）１．３
．４−デアジアゾール１．２１ｇを得た。
収率８１．０％。
相転移温度（１） ６２　　　　　１６１ Ｃｒｙｓｔ、マー１ＳｍＣで−１１ｓ。
５２　　　　　１６０ 実施例２ 実施例１の合成法と同様の方法により２−（３フルオロ
−４−アセトキシフェニル）−５（４−へキシルフェニ
ル）−１，３，４−チアジアゾール（例示化合物ｌ−１
０３）を製造した。
６ 相転移温度（１） １１５　　　　　１３８　　　　　１４５　　　１６７
実施例３ 下記工程に従い、２−（３−フルオロ−４−ヘキシルオ
キシフェニル）−５−（４−へキシルフェニル）−１，
３，４−デアジアゾール（例示化合物１−７２）を製造
した。
（１）２−　（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル
）−５−（４−へキシルフェニル）−１３，４−デアジ
アゾールの合成。
７ エタノール４０ｍ１に８５％水酸化カリウム０゜９０ｇ
を加え、油浴を６０〜６５℃に保ち、攪拌下、２−（３
−フルオロ−４−アセトキシフェニル）−５−（４−へ
キシルフェニル）−１３４−デアジアゾール２．ｏｏｇ
（５，０２ｍ　ｍｏｌ　）を添加した。この温度で１ｏ
分間攪拌し、氷水１５０ｍ１中に注入した。濃塩酸１．
２０ｍ１を加え（ｐＨ約３）、ついで食塩を加えて室温
で攪拌したあと、生成した結晶を戸数した。
この結晶をアセトン／酢酸エチルから再結晶して２−（
３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−５−（ヘキ
シルフェニル）−１，３，４−チアジアゾール１．１４
３を得た。収率６３．７％。
（２）２−（３−フルオロ−４−へキシルオキシフェニ
ル）−５−（ヘキシルフェニル）−１３，４−チアジア
ゾールの合成。
２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−５−
（ヘキシルフェニル）−１，３４チアジアゾール０．３
０ｇ　（０，８４ｍｍｏｌ　）、　８ ヨウ化ヘキシル０．２３ｇ　（１，０９ｍｍｏｌ　）、
８５％水酸化カリウムＯ，ＯＳｇおよびブタノール６ｍ
ｌを加え、攪拌下５時間還流した。ついで、メタノール
１０ｍ１を加え、室温まで放冷し、冷凍庫中で冷却した
。析出した結晶を戸数し、メタツルで洗浄した。この結
晶をトルエン溶液とし、水洗後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。硫酸マグネシウムを炉別し、Ｉ液を濃縮し
た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒　
トルエン）により精製後、エタノール／ヘキサンから再
結晶し、２−（３−フルオロ−４−ヘキシルオキシフェ
ニル）−５−（ヘキシルフェニル）１３．４−チアジア
ゾール０．１３ｇを得た。
収率３５１％。
相転移温度（’Ｃ） 実施例３の合成法と同様の方法により２−（３−フルオ
ロ−４−ブチルオキシフェニル）−５−（４−へキシル
フェニル）−１，３，４−チアジ　９ アゾール（例示化合物Ｉ 相転移温度（１） ０　） を製造した。
下記工程に従い、 ２−ヘキシル （３ フ ルオリ ヘプタノ イルオキシフェニル） チアジアゾール（例示化合物Ｉ ９　） を製造した。
（１）３−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸メチルの
合成。
３−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸１００ｇ（６４
，１ｍｍｏｌ　）、１．２−ジクロロエタン１５０ｍ１
．メタノール８０ｍ１および濃硫酸１０ｍ１を加え攪拌
下５．５時間遠流し、その後、室温て１２時間攪拌し、
食塩水を加え、よく振りまぜ有機層を分は取り、水層を
塙化メチレンで抽出し、有機層とあわせた。有機層を、
食塩水の５％炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水の順で
洗い、無水硫酸ナトリウムて乾燥した。硫酸すｌ−リウ
ムをア別し、炉液を濃縮し乾固した。ヘキサンを加えｐ
取し３−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸メチル９．
９８ｇを得た。収率９１６％。
（２）３−フルオロ−４−ヒドロキシベンゾヒドラジド
の合成。
３−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸メチル１０、Ｏ
Ｏｇ　（５８，８ｍｍｏｌ　）、ａｏ％抱水ヒドラジン
１７．５ｍｌを加え、１００℃で１時間２０分攪拌した
。室温まて冷やした後氷水１５０ｍ１に注入し、濃塩酸
１６．８ｍｌを加えた（ｐＨ〜８）。食塩を加え室温で
攪拌した後、結晶を戸別した。さらに炉別した結晶をメ
タノール中、室温で攪拌した後戸数し、３−フルオロ−
４−ヒドロキシベンゾヒドラジド９．２６ｇを得た。収
率９２　、６　％。
（３）Ｎ−ヘプタノイル−Ｎ”−（３−フルオロ４−ヘ
プタノイルオキシベンゾ）ヒドラジドの合成。
３−フルオロ−４−ヒドロキシベンゾヒドラジド５００
ｇ（２９，４ｍｍｏｌ　）、ピリジン１５０ｍ１を加え
、氷水冷下攪拌した。ヘプタノイルクロリド１３．　５
ｍ１（８７，２ｍ　ｍｏｌ　）を内温２〜１２℃で、１
０分間で滴下した。滴下後、氷水冷下でさらに２０分間
攪拌し、ついで室温下１０分攪拌し、氷水５００ｍ１中
に注入した。食塩を加え、室温で攪拌後、結晶を戸別し
た。この結晶を酢酸エチル３００ｍ１に溶かし、水洗し
た。水層を酢酸エチルで抽出し、あわせて無水硫酸ナト
リウムで乾燥した。硫酸ナトリウムを濾過後、濃縮し乾
固した。ヘキサンを加え、氷水で冷やし、析出した結晶
を戸数し、Ｎ−ヘプタノイル−Ｎ′−（３−フルオロ−
４−ヘプタノイルオキシベンゾ）ヒドラジＦ５．９６ｇ
を得た。収率５１．４％。
（４）２−へキシル−５−（３−フルオロ−４−ヘプタ
ノイルオキシフェニル）−１，３，４−チアジアゾール
の合成。
Ｎ−ヘプタノイル−Ｎ′−（３−フルオロ−４＝ヘブタ
ノイルオキシヘンゾ）ヒドラジド５．８０ｇ（＋　４．
７ｍｍｏｌ　）、　　ローエソン試薬６４０ｇ　（１５
，８ｍｍｏｌ　）、ＴＨＦＩ　００ｍ１を加えアルカリ
トラップを取りつけた装置で攪拌下、１時間還流した。
室温まで冷却後、水酸化ナトリウム５．１９ｇを加えた
氷水４００ｍ１中に反応溶液を注入した。食塩を加え、
室温で攪拌後酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽
和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
硫酸ナトリウムを戸別し、炉液を濃縮し乾固した。シリ
カケルカラムクロマトグラフィー（Ｍ開３ 溶媒・トルエン）により精製後、メタノールから再結晶
して２−へキシル−５−（３−フルオロ４−ヘプタノイ
ルオキシフェニル）−１，３，４チアジアゾール３．７
１ｇを得た。収率６４３％。
相転移温度（℃） １ ｆ：ｒｙｓｔ、　チー３Ｉｓ。
６ 実施例６ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物Ａ
を作成した。
　４ 更にこの液晶組成物Ａに対して以下に示ｉ−ｆ１１＋示
化合物を以下に示−ＩＴＬｉ部で混合し液晶組ｒ曵Ｑ’
ｍＢを作成した。
組成物Ａ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　９５
この液晶組成物Ｂの相転移温度を以下に示１−０相転移
温度（℃） １１　　　　６３　　　　６６　　　７１Ｃｒｙｓｔ、
−→ＳｍＣ”−→ＳｍΔ→ｃｈ、→Ｉｓｏ。
次に２枚のＱ、７ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれ
のガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成
し、さらにこの上にＳ　ｉ　Ｏ２を蒸着させ絶縁層とし
た。ガラス板上にシランカップリング剤［信越化学（株
）製ＫＢ’Ｍ−６０２］０．２％イソプロピルアルコー
ル溶液を回転数２０００ｒ、ｐ、ｍのスピンナーで１５
秒間塗布し、表面処理を施した。この後、１２０℃にて
２０分間加熱乾燥処理を施した。
さらに表面処理を行なったＩＴＯ膜付きのガラス板上に
ポリイミド樹脂前駆体［東しく株）ｓｐ−５１０］　１
．５％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２００Ｏｒ、
ｐ、ｍのスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後、６０
分間、３００℃で加熱縮合焼成処理を施した。この時の
塗膜の膜厚は約２５０六であった。
この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径２μｍのアルミナビーズを一方のガラス
板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互いに
平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（チ
ッソ（株））］を用いてガラス板をはり合わせ、６０分
間、１００℃にて加熱乾燥しセルを作成した。
このセルのセル厚をベレック位相板によって測定　５ したところ約２μｍであった。
このセルに前記で得られた液晶組成物Ｂを等方性液体状
態で注入し、等吉相から２０℃／１１で２５℃まで徐冷
することにより、強誘電性液晶素子を作成した。
この強誘電性液晶素子を使って自発分極の大きさＰｓと
ピーク・トウ・ピーク電圧ＶＰＰ＝２０Ｖの電圧印加に
より直交ニコル下での光学的な応答（透過光量変化０〜
９０％）を検知して応答時間（以後光学応答時間という
）を測定した。その結果を次に示す。
１０℃　　　　３０℃　　　　４５℃ 応答時間（μｓｅｃ　）　　　　４５０　　　　　２１
２　　　　１２２Ｐｓ　（ｎＣ７ｃｍ２）　　　　　　
３．６８　　　　２．６１　　　　１．７４来１ｕ艷ヱ 下記例示化合物を、下記の重量部で混合し、液晶組成物
Ｃを作成した。
更に、この液晶組成物Ｃに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物りを作
成した。
この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法て強誘電性液晶素子を作成し、実施例６と同様の方法
で光学応答時間を測定し、スイッチング状態等を観察し
た。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。
測定結果を次に示す。
１５℃　　　　２５℃　　　　３５℃ 応答時間（７１ｓｅｃ　）　　　　３１０　　　　　２
１１　　　　１７０比較例７ 実施例７で混合した液晶組成物Ｃを、セル内に注入する
以外は、全〈実施例６と同様の方法て強誘電性液晶素子
を作成し、光学応答時間を測定した。
その結果を次に示す。
応答時間（μ５ｅｃ）　　　　４５０　　　　２７０　
　　　１９５実施例８ 実施例７で使用した例示化合物Ｉ−４，１１６，１−２
３のかわりに、以下に示す例示化合物を、各々以下に示
す重量部で混合し、液晶組成物Ｅを作成した。
組成物Ｃ９０ この液晶組成物を用し）た以外番よ、全〈実施イタ１１
６と同様の方法で強誘電性液晶素子をイ乍威し、実す恒
例６と同様の方法で光学応答時間な損１１定し、スイッ
チング状態等を観察した。
この液晶素子内の均−配向性Ｃま良女子であり、モノド
メイン状態が得られた。
測定結果を次に示す。
１５℃　　　２５℃　　　３５℃ 応答時間（ｕＳａｃ　）　　　　３１８　　　　　２２
１　　　　１７９また駆動時には明瞭なスイッチング動
作が観察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好て
あった。
叉１出生！ 実施例７で使用した例示化合物Ｔ−４、ｌ−１６、■−
２３のかわりに、以下に示す例示化合物を、各々以下に
示す重量部で混合し、７夜晶組戊物Ｆを作成した。
組成物Ｃ ２ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例６と同様の方法
て光学応答時間を測定し、スイッチング状態等を観察し
た。
この液晶素子内の均一配向性は良好てあり、モノドメイ
ン状態か得られた。
測定結果を次に示す。
１５℃　　２５℃　　３５℃ 応答時間（ｕＳａｃ　）　　　　３２５　　　　　２２
４　　　　１８１また駆動時には明瞭なスイッチング動
作が観察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好で
あった。
実」Ｌ奥ｊ−旦 実施例７て使用した例示化合物Ｉ−４，１１６、■−２
３のかわりに、以下に示す例示化合物を、各々以下に示
す重量部で混合し、液晶組成物Ｇを作成した。
この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法て強誘電性液晶素子を作成し、実施例６と同様の方法
で光学応答時間を測定し、スイッチング状態等を観察し
た。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態か得られた。
測定結果を次に示す。
と盗　　工狸　　３５℃ 応答時間（μｓｅｃ　）　　　　３２１　　　　　２１
７　　　　１８０また駆動時には明瞭なスイッチング動
作がｒ＆察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好
であった。
実施例１１ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、７＆晶 組成物Ｈを作成した。
■ 更にこの液晶組成物Ｈに対して、 以下に示す例 示化合物を、 各々以下に示す重量部で混合し、 液 晶組酸物Ｉを作成した。
組成物Ｈ ２ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例 ６と同様の方法で光学応答時間を測定した。
測定結果を次に示す。
１５℃　　　　２５℃　　　　３５℃ 応答時間（μ５ｅｃ）　　　　１１！ｌ　　　　　　８
７　　　　　７４里３１」ＬＬ± 実施例１１で混合した液晶組成物Ｈなセル内に注入する
以外は全〈実施例６と同様の方法で、強誘電性液晶素子
を作成し、光学応答時間を測定した。
その結果を次に示す。
１５℃　　　２５℃　　　３５℃ 応答時間（μ５ｅｃ）　　　　１５５　　　　１００　
　　　　８０実施例１２ 実施例１１で使用した例示化合物１−３．１１３、■−
７２のかわりに、以下に示す例示化合物を、各々以下に
示す重量部で混合し、液晶組成物Ｊを作成した。
組成物Ｈ ９１ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例６と同様の方法
で光学応答時間を測定した。
測定結果を次に示す。
１５℃　　２５℃　　３５℃ 応答時間（ｌｌｓｅｃ）　　　　１１２　　　　　８２
　　　　　７０実４４廻１３ 実施例１１で使用した例示化合物１−３．１１３、■−
７２のかわりに、以下に示す例示化合物を各々以下に示
す重量部て混合し、液晶組成物Ｋを作成した。
組成物Ｈ ２ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例６と同様の方法
で光学応答速度を作成した。
測定結果を次に示す。
±！！　　　２５℃　　　３５℃ 応答時間（μｓｅｃ）　　　　！３９　　　　　９９　
　　　　８２害迦担ｉｌｌ　１４ 実施例１１て使用した例示化合物１−３、■１３、■−
７２のかわりに、以下に示す例示化合物を各々以下に示
す重量部で混合し、液晶組成物りを作成した。
組成物Ｈ ０ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例６と同様の方法
で光学応答時間を測定した。
測定結果を次に示す。
１５℃ ２５℃ ３５℃ 応答時間（μｓｅｃ　） ３７ ６ ３ 実施例１５ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶 組成物Ｍを作成した。
２ ７５７ Ｃ４Ｈ９０ＣＨ２ＣＨ２ｏ（ツＣｏｏ◇ハＤＣＯＯＣ，
Ｈ１３２ 更に、この液晶組成物Ｍに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｎを作
成した。
この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例６と同様の方法
で光学応答時間を測定し、スイッチング状態等を説察し
た。
この７ｆｊ、晶素子内の均−配向性は良好であり、モノ
ドメイン状態か得られた。
測定結果を次に示す。
１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答時間（μ５ｅｃ）　　　　＋６２２　　　　４８８
　　　　１６４比較例】５ 実施例１５て７毘合した液晶組成物Ｍを、セル内に注入
する以外は、全〈実施例６と同様の方法で強誘電性７夜
晶素子を作成し、光学応答時間を測定した。
その結果を次に示す。
１０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ 応答時間（（ｌｓｅｃ　）　　　　１９８０　　　　５
４８　　　　１７０笈迦（＋１１１互 実施例１５で使用した例示化合物１ １４４、ｌ−１５１、Ｔ−１５７、Ｉ ９３、 ６ ■ のかわりに、以下に示す例示化合物を、各々以下に示す
重量部で混合し、液晶組成物０を作威した。
この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作威し、実施例６と同様の方法
で光学応答速度を測定した。
測定結果を次に示す。
１０℃　　　２５℃　　　４０℃ 応答時間（ｌｌｓｅｃ　）　　　　＋６７３　　　　５
１５　　　　１１ｉ８実施例１７ 実施例７て使用した例示化合物１−４、■−１６、■−
２３のかわりに、以下に示す例示化合物を、各々以下に
示す重量部て混合し、ｉ夜晶組酸物Ｐを作成した。
組成物Ｃ ０ この７夜晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例６と同様の方
法で光学応答時間を測定した。
測定結果を次に示す。
月底　　工巴　　ｙＭ 応答時間（μｓｅｃ　）　　　　３１６　　　　２２３
　　　　１１１０比較例１７ 実施例１７で使用した例示化合物１−７０．１−７７．
２４５．２５１のかわりに、以下に示す例示化合物を、
各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｑを作成し
た。
組成物Ｃ ０ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作威し、実施例６と同様の方法
て光学応答速度を測定した。
測定結果を次に示す。
実施例１７と比較例１７から明らかなように、公知であ
るチアジアゾール系化合物を含有する液晶組成物Ｑに本
発明による４−置換−３−フルオロフェニルチアジアゾ
ール誘導体を加えることにより低温度域における応答速
度が改善されかつ応答速度の温度依存性もさらに軽減さ
れている。
及胤盈±１ 実施例１１で使用した例示化合物Ｔ−３、工１３、■−
７２のかわりに、以下に示す例示化合物を、各々以下に
示す重量部で混合し、液晶組成物Ｒを作成した。
　２１ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例６と同様の方法
で光学応答時間を測定した。
測定結果を次に示す。
１５℃　　　２５℃　　　３５℃ 応答時間（μ５ｅｃ）　　　　１３２　　　　　９５　
　　　　８１２ 比較例１−且 実施例１８で使用した例示化合物ｌ−７２、■＝１１３
．２４９．２５２のかわりに、以下に示す例示化合物を
、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｓを作成
した。
組成物Ｈ ０ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作威し、実施例６と同様の方法
で光学応答時間を測定した。
測定結果を次に示す。
１５℃　　　　２５℃　　　　３５℃ 応答時間（μ５ｅｃ）　　　　＋４６　　　　　９９　
　　　　８３実施例１８および比較例１８より、混合す
る液晶材料を変えた場合も、同様に本発明による４置換
−３−フルオロフェニルデアジアゾール誘導体をさらに
加えることにより低温での応答速度が改善されまた応答
速度の温度依在性も軽減される。
実施例１９ 実施例７て使用した例示化合物Ｔ−４、■−１６、■−
２３のかわりに、以下に示す例示化合物を、各々以下に
示す重量部で混合し、液晶組成物Ｔを作威した。
３ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作威し、実施例６と同様の方法
で光学応答時間を測定し、測定結果を次に示す。
応答時間（ｌｌｓｅｃ）　　　　３１９　　　　２２１
　　　　１８１比較例１９ 実施例１９て使用した例示化合物ｌ−８４、■−１０５
，２４５，２４６のかわりに、以下に示す化合物を、各
々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｕを作成した
。
　２４ 組成物Ｃ９０ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作威し、実方筐（＋Ｉ１６と同
様の方法で光学応答時間を測定した。
測定結果を次に示す。
６ 実施例１９Ｊ３．］：ひ比較例１９とから明らかなよう
に、公知のデアジアゾール誘導体を有する液晶組成物に
フッ素原子がラテラルに置換したフルオロフェニルチア
ジアゾール誘導体を加えたところ、２−フルオロフェニ
ルチアジアゾール誘導体に比へて本発明の３−フルオロ
フェニルデアジアゾール誘導体の力が低温度域における
応答速度が改善され、応答速度の７品度依存性も軽減さ
れた。
実施例２０ 実施例１１で使用した例示化合物１−３．１１３．１−
７２のかわりに、以下に示す例示化合物を、各々以下に
示す重量部で混合し、液晶組成物■を作成した。
この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例６と同様の方法
で光学応答時間を測定した。
測定結果を次に示す。
１５℃　　　２５℃　　　３５℃ 応答時間（μ５ｅｃ）　　　　１２８　　　　　９５　
　　　　８１比較例２０ 実施例２０で使用した例示化合物ｌ−４５、Ｉ７８．２
４８．２５１のかわりに、以下に示す化合物を、各々以
下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｗを作成した。
７ この７α晶組成物を用いた以外は全〈実施例６と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例６と同様の方
法で光学応答時間を測定した。
測定結果を次に示す。
１５℃　　２５℃　　３５℃ 応答時間（μ５ｅｃ）　　　　１３５　　　　　８７　
　　　　７５９ ２８ 実施例２０および比較例２０より、混合する液晶材料を
変えた場合も、実施例１９と同様に本発明の３−フルオ
ロフェニルチアジアゾール誘導体の方が、２−フルオロ
フェニルチアジアゾール誘導体に比べて低温度領域にお
ける応答速度が改善され、応答速度の温度依存性も軽減
されていることがわかる。
実施例２■ 実施例７で使用したポリイミド樹脂前駆体１５％ジメヂ
ルアセトアミド溶７夜に代えて、ポリビニルアルコール
樹脂［クラレ（株）製ＰＵ−Ａ−１１７］　２％水溶液
を用いた他は全く同様の方法で強誘電液晶素子を作成し
、実施例７と同様の方法て光学応答速度を測定した。そ
の結果を次に示す。
１５　℃　　　　　　　　　２５　℃　　　　　　　　
　３５　℃２９８　　　μｓｅｃ　　　　２０１　　　
μｓｅｃ　　　　　１６４　　　μｓｅｃ実施例２２ 実施例７で使用した５ｉ０２を用いずに、ポリイミド樹
脂たけで配向制御層を作成した以外は全　３０ 〈実施例７と同様の方法て強誘電性液晶素子を作成し、
実施例７と同様の方法で光学応答時間を測定した。その
結果を次に示す。
１５℃　　　　　２５℃　　　　　３５℃２９１　　μ
ｓｅｃ　　　１９６　　μｓｅｃ　　　１５７　　μｓ
ｅｃ実施例２１．２２より明らかな様に、素子構成を変
えた場合ても本発明に従う強誘電性７夜晶組成物を含有
する素子は、実施例７と同様に低温作動時↑４の非常に
改善され、かつ、応答速度の温度依存性が＠減されたも
のとなっている。
実施例２３ 下記工程に従い２−デシル−５−（３−フルオロ−４−
ペンタノイルオキシフェニル）１．３．４−デアジアゾ
ール（例示化合物１］ （１）４−アセトキシ−３−フルオロ安息香酸の合成。
３−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸５００ｇ　（３
２，０ｍｍｏｌ　）に無水酢酸６．４０ｍ１を加え、室
温で攪拌しながら濃硫酸２滴を加えた（濃硫酸を加える
とすぐ固まった）。油浴中（浴温１０７〜１１１℃）１
０分間加熱攪拌しく加熱すると透明となり溶解した）、
氷水１５０ｍ１中に注いだ。析出した結晶をｐ別し、メ
タノール約２０ｍ１から再結晶し４−アセトキシ−３−
フルオロ安息香酸５．０４ｇを得た。収率７９４％。
（２）Ｎ−ウンデカノイル−Ｎ′−（４−アセトキシ−
３−フルオロベンゾ）ヒドラジドの合成。
４−アセトキシ−３−フルオロ安息香酸２５０ｇ　（１
２，６ｍｍｏｌ　）に塩化チオニル２．９ｍｌを加え室
温で攪拌下、ＤＭＦ２滴を加え、４０分間還流した。つ
いて乾燥ヘンゼンを加え過剰ノ塩化チオニルを減圧下に
留去した。この操作を２３３ 回くり返し、４−アセトキシ−３−フルオロ安息香酸塩
化物を得た。
ウンデカノイルヒドラジド２．４０ｇ（１２０ｍｍｏｌ
）のジオキサン２０ｍ１溶液に上記酸塩化物のジオキサ
ン１０ｍ１溶液を加え、約８０’で攪拌下、ピリジン４
．３ｍｌを添加し、この温度で４０分間攪拌した。つい
で氷水約１５０ｍ１中に注ぎ、食塩を加え、室温で攪拌
した後、析出した結晶をＩ別した。水洗後アセトンから
再結晶し、Ｎ−ウンデカノイル−Ｎ′−（４−アセトキ
シ−３フルオロヘンゾ）ヒドラジド３．８７ｇを得た。
収率８４９％。
（３）２−デシル−５−（４−アセトキシ−３−フルオ
ロフェニル）−１，３，４−チアジアゾールの合成。
Ｎ−ウンデカノイル−Ｎ′−（４−アセトキシ３−フル
オロベンゾ）ヒドラジド３．８０ｇ（９，９９ｍｍｏｌ
　）、　ローエソン試薬４．３０ｇ（１０，６ｍ　ｍｏ
ｌ　）中に、ＴＨＦ６０ｍｌを加え、４０分間遠流況拌
した。ついで水酸化ナトリウム　３４ ３１９ｇを溶かした氷水３００ｍ１中に注入し、食塩を
加え室温で攪拌した後、析出した結晶を炉別した。水洗
後メタノール約１００ｍ１から再結晶し、２−デシル−
５−（４−アセトキシ−３−フルオロフェニル）−１，
３，４−チアジアゾール３．３９８（ｗｅｔ）を得た。
（４）２−デシル−５−（３−フルオロ−４−ヒドロキ
シフェニル）−１，３，４−チアジアゾールの合成。
８５％水酸化カリウム！、５９ｇ　（２４，１ｍ　ｍｏ
ｌ　）にエタノール５０ｍ１を加え、油浴中（浴温約７
０℃）で加熱溶解させた。ここへ２−デシル−５−（４
−アセ）−キシ−３−フルオロフェニル）−１，３，４
−チアジアゾール３．３７Ｅ（ｗｅｔ８．９０ｍｍｏｌ
　）を添加し、約７０℃で１０分間攪拌し、氷水に注入
し、減圧濾過した。
φ液を濃縮した後、水約１００ｍ１を加え、ついで濃塙
酸２３ｍ１を加え、食塩を加えて室温で攪拌した後、析
出した結晶を♂別した。この結晶を酢酸エチルに溶かし
、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをψ
別後戸液を濃縮乾固した。ｎ−ヘキサンを加え、室温攪
拌後、ｐＡし、２−デシル−５−（３−フルオロ−４−
ヒドロキシフェニル）−１，３，４−チアジアゾール２
７８ｇを得た。収率９２８％（工程（３）（４）の総合
収率としては８２７％）。
（５）２−デシル−５−（３−フルオロ−４−ペンタノ
イルオキシフェニル）−１，３，４−チアジアゾールの
合成。
２−デシル−５−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェ
ニル）１．３．４−チアジアゾール２゜０ｇ　（５，９
４ｍｍｏｌ　）、吉草酸０．６１ｇ（５９７ｍｍｏｌ）
にジクロロメタン４０ｍ１を加え、室温で攪拌下、Ｎ、
Ｎ′−ジシクロへキシルカルボジイミド１．２１ｇ　（
５，８６ｍｍｏｌ　）、４ピロリジノピリジン００５ｇ
を加え、さらに室温で１９時間攪拌した。生成したジシ
クロヘキシル尿素をジクロロメタンで洗浄し、ｐ液にあ
わせた。このジクロロメタン溶液を減圧下に留去し、残
漬をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展　３５ 間溶媒ヘンゼン）て精製後、エタノールから間結晶して
、２−デシル−５−（３−フルオロ−４ヒドロキシフエ
ニル）　−１，３，４−チアジアゾール１．４０ｇを得
た。収率５６９％。
相転移温度 ６ ５ｍ１　、Ｓｍ２　　（後記）　　：　ＳｍＣ、ＳｍＡ
以外のスメクチック相（未同定）。
実施例２４〜２８ 実施例２３と同様の合成法により、それぞれ以下に示す
液晶性化合物を得た。
−Ｕ ［発明の効果］ 上述したように、本発明によればスイッチング特性が良
好で、低温作動特性の改善された液晶素子、及び応答速
度の温度依存性の軽減された液晶素子、ならびにそのよ
うな液晶素子を構成するために有用な液晶性化合物およ
び液晶組成物が提供される。
【図面の簡単な説明】
第１図は強誘電性液晶を用いた、液晶表示素子の１例の
断面概略図、第２図および第３図は、強誘電液晶素子の
動作説明のために素子セルの一例を模式的に表わす斜視
図である。 １、強誘電液晶層、２・ガラス基板、３　透明電極、４
　配列制御膜、５・スペーサー、６ニリード線、７：電
源、８：偏光板、９：光源、Ｉ。 は入射光、■は透過光、２１ａ：基板、２１ｂ・基板、
２２２強誘電液晶層、２３：液晶分子、２４・双極子モ
ーメント（Ｐ上）、３１ａ：電圧印加手段、３１ｂ：電
圧印加手段、３３ａ、第１の安定状態、３３ｂ、第２の
安定状態、３４ａ：上向きの双極子モーメント、３４ｂ
：下向き双極子モーメント、 ａ ：上向きの電界、 ｂ 下向 きの電界。 　０ 第 図 第３図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２は、炭素原子数１〜１８の直鎖
    状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基中
    の１個の−ＣＨ＿２−基または隣接していない２個の−
    ＣＨ＿２−基は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−
    、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−に置き換えられていてもよ
    い。▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式
    、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
    ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
    式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
    す▼、または▲数式、化学式、表等があります▼であり
    、ｎは０または１を示す）で表わされる液晶性化合物。 ２、請求項１記載の液晶性化合物を含有することを特徴
    とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。 ３、請求項２記載の強誘電性カイラルスメクチック液晶
    組成物を一対の基板間に配置してなることを特徴とする
    液晶素子。
JP2123149A 1989-09-22 1990-05-15 液晶性化合物、これを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子 Pending JPH03178971A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996020985A1 (fr) * 1994-12-29 1996-07-11 Chisso Corporation Composition smectique de cristaux liquides et dispositif a cristaux liquides
WO2007119461A1 (ja) * 2006-03-24 2007-10-25 Hodogaya Chemical Co., Ltd. ピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4211692A1 (de) * 1992-04-08 1993-10-14 Basf Ag Verwendung der chiralen Gruppe (1S,4R)-1,4-Dihydroxy-2-cyclopentenyl zur Herstellung von polaren, flüssigkristallinen Materialien
WO1998020004A1 (fr) * 1996-11-01 1998-05-14 Chisso Corporation 2-(4-alkylphenyl)-5-alkylthiadiazoles

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3819972C2 (de) * 1987-07-01 1997-04-10 Samsung Electronic Devices 2,5-disubstituierte 1,3,4-Thiadiazole mit ausgedehnten smektischen C-Phasen und Verwendung in flüssigkristallinen Mischungen
DE3834926A1 (de) * 1988-10-13 1990-04-19 Merck Patent Gmbh Optische aktive thiadiazolderivate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996020985A1 (fr) * 1994-12-29 1996-07-11 Chisso Corporation Composition smectique de cristaux liquides et dispositif a cristaux liquides
WO2007119461A1 (ja) * 2006-03-24 2007-10-25 Hodogaya Chemical Co., Ltd. ピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
US8153277B2 (en) 2006-03-24 2012-04-10 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Compound having thiadiazole ring structure substituted with pyridyl group and organic electroluminescent device
JP5203935B2 (ja) * 2006-03-24 2013-06-05 保土谷化学工業株式会社 ピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子

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