JP5203935B2 - ピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

ピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Description

本発明は、各種の表示装置に好適な自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子に適した化合物と素子に関するものであリ、詳しくは置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物と、該化合物を用いた有機EL素子に関するものである。
有機EL素子は自己発光性素子であるため、液晶素子にくらべて明るく視認性に優れ、鮮明な表示が可能であるため、活発な研究がなされてきた。
1987年にイーストマン・コダック社のC.W.Tangらは各種の役割を各材料に分担した積層構造素子を開発することにより有機材料を用いた有機EL素子を実用的なものにした。彼らは電子を輸送することのできる蛍光体と正孔を輸送することのできる有機物とを積層し、両方の電荷を蛍光体の層の中に注入して発光させることにより、10V以下の電圧で1000cd/m以上の高輝度が得られるようになった(例えば、特許文献1および特許文献2参照)。
特開平8−48656号公報 特許第3194657号公報
現在まで、有機EL素子の実用化のために多くの改良がなされ、各種の役割をさらに細分化して、基板上に順次に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極を設けた電界発光素子によって高効率と耐久性が達成されている(例えば、非特許文献1参照)。
応用物理学会第9回講習会予稿集55〜61ページ(2001)
また発光効率の更なる向上を目的として三重項励起子の利用が試みられ、燐光発光体の利用が検討されている(例えば、非特許文献2参照)。
応用物理学会第9回講習会予稿集23〜31ページ(2001)
発光層は、一般的にホスト材料と称される電荷輸送性の化合物に、蛍光体や燐光発光体をドープして作製することもできる。前記の講習会予稿集に記載されているように、有機EL素子における有機材料の選択は、その素子の効率や耐久性など諸特性に大きな影響を与える。
有機EL素子においては、両電極から注入された電荷が発光層で再結合して発光が得られるが、電子の移動速度より正孔の移動速度が速いため、正孔の一部が発光層を通り抜けてしまうことによる効率低下が問題となる。そのため電子の移動速度の速い電子輸送材料が求められている。
代表的な発光材料であるトリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(以後、Alq3と略称する)は電子輸送材料としても一般的に用いられるが、電子の移動速度は遅いと言われている。そのために、移動速度の速い材料として、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(以後、PBDと略称する)などが提案された(例えば、非特許文献3参照)。
Jpn.J.Appl.Phys.,27,L269(1988)
しかし、PBDは結晶化を起こしやすいなど、薄膜状態における安定性に乏しいことが指摘され、種々のオキサジアゾール誘導体が提案されている(例えば、特許文献3〜5参照)。
特許第2721442号公報 特許第3316236号公報 特許第3486994号公報
これらの電子輸送材料においては、PBDと比較した安定性は改善されたがまだ充分であるとは言えず、正孔の移動速度との均衡という観点では電子の移動速度がまだ不十分であった。そのため、安定性の良好なAlq3が電子輸送材料として用いられることが多かったが、満足できる素子特性が得られていなかった。
また正孔の一部が発光層を通り抜けてしまうことを防ぎ、発光層での電荷再結合の確率を向上させる方策には、正孔阻止層を挿入する方法がある。正孔阻止材料としてはこれまでに、トリアゾール誘導体(例えば、特許文献6参照)やバソクプロイン(以後、BCPと略称する)、アルミニウムの混合配位子錯体(BAlq)(例えば、非特許文献2参照)などが提案されている。
特許第2734341号公報
しかし、いずれの材料も膜安定性が不足しており、もしくは正孔を阻止する機能が不十分である。現在一般的に用いられている正孔阻止材料はBCPであるが、充分に安定な材料とは言えないため、正孔阻止層として十分に機能しているとは言えず、満足できる素子特性が得られていなかった。
有機EL素子の素子特性を改善させるために、電子の注入・輸送性能と正孔阻止能力に優れ、薄膜状態での安定性が高い有機化合物が求められている。
本発明の目的は、高効率、高耐久性の有機EL素子用の材料として、電子の注入・輸送性能に優れ、正孔阻止能力を有し、薄膜状態での安定性が高い優れた特性を有する有機化合物を提供し、さらにこの化合物を用いて、高効率、高耐久性の有機EL素子を提供することにある。本発明に適した有機化合物の物理的な特性としては、(1)電子の注入性が良いこと、(2)電子の移動速度が速いこと、(3)正孔阻止能力に優れること、(4)薄膜状態が安定であること(5)耐熱性に優れていることをあげることができる。また、本発明に適した素子の物理的な特性としては、(1)発光効率が高いこと、(2)発光開始電圧が低いこと、(3)実用駆動電圧が低いこと、(4)最大発光輝度が高いことをあげることができる。
そこで本発明者らは前記の目的を達成するために、電子親和性であるピリジン環の窒素原子が金属に配位する能力を有していることと、耐熱性に優れているということに着目して、置換されたピリジン環とオキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール環に連結した新規な有機化合物を設計して化学合成し、該化合物を用いて種々の有機EL素子を試作し、素子の特性評価を鋭意行なった結果、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、一般式(1)で表される、置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物、および、一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機EL素子において、該化合物を、少なくとも1つの有機層の構成材料として含有する有機EL素子を提供する。
(式中、Arは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表し、R1、R2、R3、R4およびR5は、それらのうちの1つが結合基であり、他は同一でも異なってもよく水素原子、フッ素原子、シアノ基、アルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、R6、R7、R8、R9およびR10は、それらのうちの2つが結合基であり、他は同一でも異なってもよく水素原子、フッ素原子、シアノ基、アルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、mは1〜3の整数を表し、nは0〜4の整数を表す。但し、n=0の場合、R1、R2、R3、R4およびR5から結合基を除いた4つの基は同時に水素原子ではないものとする。)
一般式(1)中のArで表される、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基および置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基における、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基および縮合多環芳香族基としては、具体的に次のような基をあげることができる。フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、アントリル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、フラニル基、ピロニル基、チオフェニル基、キノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフチリジニル基。
一般式(1)中のArで表される、置換芳香族炭化水素基、置換芳香族複素環基および置換縮合多環芳香族基における置換基としては、具体的に次のような基をあげることができる。フッ素原子、塩素原子、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、置換アミノ基、トリフルオロメチル基、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アラルキル基。
一般式(1)中のR1ないしR10で表される、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基における芳香族炭化水素基としては、具体的にフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基をあげることができる。
一般式(1)中のR1ないしR10で表される、置換芳香族炭化水素基における置換基としては、具体的にフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、炭素原子数1ないし6のアルキル基をあげることができる。
本発明の一般式(1)で表される、置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物は、従来の電子輸送材料より電子の移動が速く、優れた正孔の阻止能力を有し、かつ薄膜状態が安定である。
本発明の一般式(1)で表される、置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物は、有機EL素子の電子輸送層の構成材料として使用することができる。従来の材料に比べて電子の注入・移動速度の高い材料を用いることにより、電子輸送層から発光層への電子輸送効率が向上して、発光効率が向上すると共に、駆動電圧が低下して、有機EL素子の耐久性が向上するという作用を有する。
本発明の一般式(1)で表される、置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物は、有機EL素子の正孔阻止層の構成材料としても使用することができる。優れた正孔の阻止能力と共に従来の材料に比べて電子輸送性に優れ、かつ薄膜状態の安定性の高い材料を用いることにより、高い発光効率を有しながら、駆動電圧が低下し、電流耐性が改善されて、有機EL素子の最大発光輝度が向上するという作用を有する。
本発明の一般式(1)で表される、置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物は、有機EL素子の発光層の構成材料としても使用することができる。従来の材料に比べて電子輸送性に優れ、かつバンドギャップの広い本発明の材料を発光層のホスト材料として用い、ドーパントと呼ばれている蛍光体や燐光発光体を担持させて、発光層として用いることにより、駆動電圧が低下し、発光効率が改善された有機EL素子を実現できるという作用を有する。
本発明の有機EL素子は、従来の電子輸送材料より電子の移動が速く、優れた正孔の阻止能力を有し、かつ薄膜状態が安定な、複数の連結したピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物を用いているため、高効率、高耐久性を実現することが可能となる。
本発明は、有機EL素子の電子輸送層、正孔阻止層あるいは発光層の構成材料として有用な、置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物、および該化合物を用いて作製した有機EL素子に関する。本発明によれば、従来の有機EL素子に比べ発光効率と耐久性を改良することができる。
BpyTHDmの1H−NMRチャート図である。 BpyTHDpyの1H−NMRチャート図である。 実施例6のEL素子構成を示した図である。 比較例1のEL素子構成を示した図である。 実施例6と比較例1の電圧/電流密度特性を比較したグラフである。 実施例6と比較例1の電圧/輝度特性を比較したグラフである。 実施例6と比較例1の電流密度/輝度特性を比較したグラフである。 実施例6と比較例1の電流密度/電流効率を比較したグラフである。
符号の説明
1 ガラス基板
2 透明陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 陰極
本発明の、置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物は、新規な化合物であり、これらの化合物は例えば、相当するN,N’−ジヒドラジド類をローソン試薬(例えば、非特許文献4参照)や五硫化二リンとの環化反応を行うことによって、置換されたピリジル基が連結したチアジアゾール環構造を有する化合物を合成することができる(例えば、非特許文献5参照)。
Bull.Soc.Chim.France,p.II−62(1985) J.prakt.Chem.322,933(1980)
一般式(1)で表される置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物の中で、好ましい化合物の具体例を以下に示すが、本発明は、これらの化合物に限定されるものではない。
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これらの化合物の精製はカラムクロマトグラフによる精製、吸着精製、溶媒による再結晶や晶析法などによって行った。化合物の同定は、NMR分析によって行なった。物性値として、DSC測定(Tg)と融点の測定を行った。融点は蒸着性の指標となるものであり、ガラス転移点(Tg)は薄膜状態の安定性の指標となるものである。
融点とガラス転移点は、粉体を用いて、ブルカー・エイエックスエス製の高感度示差走査熱量計DSC3100Sを用いて測定した。
また仕事関数は、ITO基板の上に100nmの薄膜を作製して、理研計器製の大気中光電子分光装置AC2型を用いて測定した。仕事関数は正孔阻止能力の指標となるものである。
本発明の有機EL素子の構造としては、基板上に順次に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極からなるもの、また、電子輸送層と陰極の間に電子注入層を有するものがあげられる。これらの多層構造においては有機層を何層か省略することが可能であり、例えば基板上に順次に、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極とすることもできる。
有機EL素子の陽極としては、ITOや金のような仕事関数の大きな電極材料が用いられる。正孔注入層としては銅フタロシアニン(以後、CuPcと略称する)のほか、スターバースト型のトリフェニルアミン誘導体などの材料や塗付型の材料を用いることができる。
正孔輸送層にはベンジジン誘導体であるN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(m−トリル)ベンジジン(以後、TPDと略称する)やN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(α−ナフチル)ベンジジン(以後、NPDと略称する)、種々のトリフェニルアミン4量体などを用いることができる。また、正孔の注入・輸送層として、PEDOT/PSSなどの塗布型の高分子材料を用いることができる。
本発明の有機EL素子の発光層、正孔阻止層、電子輸送層としては置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物以外にも、アルミニウムの錯体、チアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、カルバゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体などを用いることができる。
アルミニウムの錯体、スチリル誘導体などの従来の発光材料を発光層に用い、置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物を正孔阻止層、電子輸送層として用いることにより、高性能の有機EL素子を作製することができる。また、発光層のホスト材料として、例えば、キナクリドン、クマリン、ルブレンなどの蛍光体、あるいはフェニルピリジンのイリジウム錯体などの燐光発光体であるドーパントを添加することによっても、高性能の有機EL素子を作製することができる。
さらに、置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物に、従来からの電子輸送性の材料を重層、あるいは共蒸着して電子輸送層として用いることができる。
本発明の有機EL素子は電子注入層を有していても良い。電子注入層としてはフッ化リチウムなどを用いることができる。陰極としては、アルミニウムのような仕事関数の低い電極材料や、アルミニウムマグネシウムのような、より仕事関数の低い合金が電極材料として用いられる。
以下、本発明の実施の形態について、実施例により具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
(1,3−ビス〔2−(2,2’−ビピリジン−6−イル)−1,3,4−チアジアゾール−5−イル〕ベンゼン(以後、BpyTHDmと略す)(2)の合成)
N’,N’−ビス(2,2’−ビピリジン−6−カルボニル)イソフタロジヒドラジド1.0g、ローソン試薬1.45gと脱水キシレン10mlを加え、4時間加熱還流した。放冷後、結晶をろ別して粗製物を得た。得られた粗製物をクロロホルムに溶解し、カラムクロマトグラフ(担体:シリカゲル、溶離液:クロロホルム)によって精製して、BpyTHDm(2)の白色結晶0.45g(収率46%)を得た。NMR分析(図1参照)によって生成物の同定を行った。NMR分析(CDCl3)の結果は以下の通りであった。8.79ppm(1H)、8.74ppm(2H)、8.60−8.57ppm(4H)、8.43ppm(2H)、8.29ppm(2H)、8.03ppm(2H)、7.93ppm(2H)、7.71ppm(1H)、7.40ppm(2H)。
300℃、1週間での耐熱試験を行った。耐熱試験は以下のように行った。ガラス製試験管にサンプルを10mg入れ、ダイアフラムポンプにて真空とした後、封管した。サンプルの入った封止管を所定温度に設定した恒温機内に入れ、静置した。所定期間経過後、真空封管を割って、サンプルのHPLC純度を測定した。HPLC純度の測定は以下のような測定条件にて行った。カラム:GLサイエンス株式会社製イナートシルODS−SP(内径4.6mm、長さ250mm)、移動相:アセトニトリル/0.05%(v/v)トリフルオロ酢酸水溶液=90/10(v/v)、流速:1.0ml/分、カラム温度:40℃、測定波長:254nm。HPLC純度(ピーク面積百分率、%)は以下の通りであった。
試験前 300℃、1週間後
BpyTHDm(2) 99.2% 98.9%
比較化合物1 99.9% 94.2%
下記比較化合物1と比べてBpyTHDm(2)は耐熱性に優れていることが明らかである。
(比較化合物1)
(2,6−ビス〔2−(2,2’−ビピリジン−6−イル)−1,3,4−チアジアゾール−5−イル〕ピリジン(以後、BpyTHDpyと略す)(8)の合成)
N’,N’−ビス(2,2’−ビピリジン−6−カルボニル)−2,6−ピリジンジヒドラジド1.0g、ローソン試薬1.45gと脱水キシレン20mlを加え、8時間加熱還流した。放冷後、結晶をろ別して粗製物を得た。得られた粗製物をクロロホルムに溶解し、カラムクロマトグラフ(担体:シリカゲル、溶離液:クロロホルム)によって精製して、BpyTHDpy(8)の白色結晶0.40g(収率40%)を得た。NMR分析(図2参照)によって生成物の同定を行った。NMR分析(CDCl3)の結果は以下の通りであった。8.75ppm(2H)、8.64−8.53ppm(6H)、8.47−8.45ppm(2H)、8.12−8.00ppm(3H)、7.88−7.84ppm(2H)、7.41−7.37ppm(2H)。
本発明の化合物について、高感度示差走査熱量計(ブルカー・エイエックスエス製、DSC3100S)によって融点とガラス転移点を求めた。
融点 ガラス転移点
BpyTHDm (2) 310.8℃ 116.6℃
BpyTHDpy(8) 347.0℃ 認められなかった
本発明の化合物はガラス転移点が高く、あるいはなく、薄膜状態が安定である。
本発明の化合物を用いて、ITO基板の上に膜厚100nmの蒸着膜を作製して、大気中光電子分光装置(理研計器製、AC2型)で仕事関数を測定した。本発明の化合物(BpyTHDmおよびBpyTHDpy)はいずれも測定装置の計測限界である6.2eVを越える値であった。
このように本発明の化合物は正孔輸送材料より明らかに深い仕事関数を有しており、大きな正孔阻止能力を有している。
有機EL素子は、図3に示すように、ガラス基板1上に透明陽極2としてITO電極をあらかじめ形成したものの上に、正孔注入層3、正孔輸送層4、発光層5、正孔阻止層6、電子輸送層7、陰極(アルミニウムマグネシウム電極)8の順に蒸着して作製した。
まず、膜厚150nmのITOを成膜したガラス基板1を有機溶媒洗浄後に、UVオゾン処理にて表面を洗浄した。これを、真空蒸着機内に取り付け0.001Pa以下まで減圧した。
続いて、正孔注入層3として、CuPcを蒸着速度6nm/minで約20nm形成した。その上に正孔輸送層4として、NPDを蒸着速度6nm/minで約40nm形成した。その上に、発光層5としてAlq3を蒸着速度6nm/minで約30nm形成した。この発光層5の上に、正孔阻止層兼電子輸送層6および7として本発明であるBpyTHDm(2)を蒸着速度6nm/minで約30nm形成した。最後に、大気圧に戻して陰極蒸着用のマスクを挿入し、再び減圧にして、MgAgの合金を10:1の比率で約200nm蒸着して陰極8を形成した。作成した素子作製は、真空デシケーター中に保存し、大気中、常温で特性測定を行なった。
このように形成された本発明の有機EL素子に直流電圧を印加した結果、5.22Vでは100cd/mの発光が見られ、8.35Vでは300mA/cmの電流が流れ、10870cd/mの緑色発光を得た。この輝度での発光効率は3.61cd/Aであった。この素子の破過前の最大輝度は25160cd/mであった。
[比較例1]
比較のために、電子輸送層7の材料をAlq3に代えて、実施例6と同様の条件で有機EL素子を作製してその特性を調べた。すなわち発光層兼電子輸送層5および7としてAlq3を蒸着速度6nm/minで約60nm形成した。8.61Vでは100cd/mの発光が見られ、9.60Vでは300mA/cmの電流が流れ、9280cd/mの緑色発光を得た。この輝度での発光効率は3.08cd/Aであった。この素子の破過前の最大輝度は15180cd/mであった。
このように本発明の有機EL素子は、一般的な電子輸送材料として用いられているAlq3を用いた素子と比較して、発光効率に優れており、さらに駆動電圧の顕著な低下が達成でき、更に耐熱性にも優れていることがわかった。
本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
本出願は、2006年3月24日出願の日本特許出願(特願2006-082969)に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
本発明の置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物は、電子の注入が良く、薄膜状態が安定であるため、有機EL素子用の化合物として優れている。該化合物を用いて有機EL素子を作製することにより、駆動電圧を低下させることができ、耐久性を改善させることができる。例えば、家庭電化製品や照明の用途への展開が可能となった。

Claims (11)

  1. 下記一般式(1)で表される、置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物。
    (式中、Arは、置換もしくは無置換のフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、アントリル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、フラニル基、ピロニル基、チオフェニル基、キノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基またはナフチリジニル基を表し、R、R、R、RおよびRは、それらのうちの1つが結合基であり、他は同一でも異なってもよく水素原子、フッ素原子、シアノ基、アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基またはピレニル基を表し、R、R、R、RおよびR10は、それらのうちの2つが結合基であり、他は同一でも異なってもよく水素原子、フッ素原子、シアノ基、アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基またはピレニル基を表し、mは〜3の整数を表し、nは0〜4の整数を表す。但し、n=0の場合、R、R、R、RおよびRから結合基を除いた4つの基は同時に水素原子ではないものとする。)
  2. 前記一般式(1)においてn=1である、請求項1記載のチアジアゾール環構造を有する化合物。
  3. 前記一般式(1)においてn=2である、請求項1記載のチアジアゾール環構造を有する化合物。
  4. 前記一般式(1)においてn=0であり、R、R、R、RおよびRから結合基を除いた4つの基のうち1つが置換もしくは無置換のフェニル基である、請求項1記載のチアジアゾール環構造を有する化合物。
  5. 一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式(1)で表される、置換されたピリジル基で置換されたチアジアゾール環構造を有する化合物を、前記有機層のうちの少なくとも1つの有機層の構成材料として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
    (式中、Arは置換もしくは無置換のフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、アントリル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ピリジル基、ピリミジル基、フラニル基、ピロニル基、チオフェニル基、キノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基またはナフチリジニル基を表し、R、R、R、RおよびRは、それらのうちの1つが結合基であり、他は同一でも異なってもよく水素原子、フッ素原子、シアノ基、アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基またはピレニル基を表し、R、R、R、RおよびR10は、それらのうちの2つが結合基であり、他は同一でも異なってもよく水素原子、フッ素原子、シアノ基、アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基またはピレニル基を表し、mは〜3の整数を表し、nは0〜4の整数を表す。但し、n=0の場合、R、R、R、RおよびRから結合基を除いた4つの基は同時に水素原子ではないものとする。)
  6. 上記一般式(1)においてn=1である、請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 上記一般式(1)においてn=2である、請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 上記一般式(1)においてn=0であり、R、R、R、RおよびRから結合基を除いた4つの基のうち1つが置換もしくは無置換のフェニル基である、請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 前記した少なくとも一層の有機層が電子輸送層を含み、前記一般式(1)で表される化合物が電子輸送層中に含有されている、請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 前記した少なくとも一層の有機層が正孔阻止層を含み、前記一般式(1)で表される化合物が正孔阻止層中に含有されている、請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. 前記した少なくとも一層の有機層が発光層を含み、前記一般式(1)で表される化合物が発光層中に含有されている、請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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