JPH0428787A - 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶組成物およびそれを使用した表示素子に
関し、さらに詳しくは、電界に対する応答特性が改善さ
れた新規な液晶組成物、およびそれを使用した液晶表示
素子や液晶−光シャッタ等に利用される液晶素子に関す
るものである。

〔従来の技術〕

従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばエム　シャット（Ｍ、５ｃｈａｄｔ）とダブ
リュ　ヘルフリツヒ（Ｗ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）著“アプ
ライド　フィジックス　レターズ″（“Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ”）　Ｖｏ、１８．
　Ｎｏ、４　（１９７１゜２．１５）　Ｐ、１２７〜１
２８のＶｏｌｔａｇｅ　ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃ
ａｌ　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ａ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　
ＮｅｍａｔｉｃＬｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａ１″に示
されたＴＮ　（ＴｗｉｓｔｅｄＮ　ｅ　ｍ　ａ　ｔ　ｉ
　ｃ　）型の液晶を用いたものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向に向（効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合わせると、単純マトリクス方式による駆動が最も有力
である。単純マトリクス方式においては、走査電極群と
信号電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用さ
れ、その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にア
ドレス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信
号をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時
分割駆動方式が採用されている。

しかし、この様な駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると、走査電極が選択され、信号電極が選択
されない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極
が選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界
がかかってしまう。

選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が充
分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要
する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、
表示素子は正常に動作するわけであるが、走査線数（Ｎ
）を増加して行なった場合、画面全体（１フレーム）を
走査する間に一つの選択点に有効な電界がかかっている
時間（ｄｕｔｙ比）がｌ／Ｎの割合で減少してしまう。

このために、（り返し走査を行なった場合の選択点と非
選択点にかかる実効値としての電圧差は、走査線数が増
えれば増える程小さくなり、結果的には画像コントラス
トの低下やクロストークが避は難い欠点となっている。

この様な現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に対
し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であり
、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する）
を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返し
走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点であ
る。

この点を改良する為に、電圧平均化法、２周波駆動法や
、多重マトリクス法等が既に提案されているが、いずれ
の方法でも不充分であり、表示素子の大画面化や高密度
化は走査線数が充分に増やせないことによって頭打ちに
なっているのが現状である。

このような従来型の液晶素子の欠点を改善するものとし
て、双安定性を有する液晶素子の使用がクラーク（Ｃ１
ａｒｋ）およびラガウエル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）によ
り提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、
米国特許第４，３６７．９２４号明細書等）。

双安定性液晶としては、一般にカイラルスメタテイツク
Ｃ相（Ｓ　ｍ　Ｃ零相）又はＨ相（ＳｍＨ＊相）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。

この強誘電性液晶は電界に対して第１の光学的安定状態
と第２の光学的安定状態からなる双安定状態を有し、従
って前述のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは
異なり、例えば＝方の電界ベクトルに対して第１の光学
的安定状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対し
ては第２の光学的安定状態に液晶が配向されている。ま
た、この型の液晶は、加えられる電界に応答して、上記
２つの安定状態のいずれかを採り、且つ電界の印加のな
いときはその状態を維持する性質（双安定性）を有する
。

以上の様な双安定性を有する特徴に加えて、強誘電性液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電性液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して
配向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と
電場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

このように強誘電性液晶はきわめて優れた特性を潜在的
に有しており、このような性質を利用することにより、
上述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、か
なり本質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッ
ターや高密度、大画面デイスプレィへの応用が期待され
る。

この強誘電性液晶層を一対の基板間に挟持した素子で前
述した様な単純マトリクス表示装置とした場合では、例
えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９３
４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報、同６０−
１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用する
ことができる。

第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。又、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極を
配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第５
図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが互
いに交差して配線され、その交差部の走査線５２とデー
タ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。

第４図（Ａ）中のＳｓは選択された走査線に印加する選
択走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形
を、ＩＳは選択されたデータ線に印加する選択情報波形
（黒）を、ＩＮは選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号（白）を表わしている。又、図中（Ｉｓ
−８ｓ）と（Ｉ　Ｎ　−Ｓ　ｓ　）は選択された走査線
上の画素に印加する電圧波形で、電圧（Ｉ　ｓ　−Ｓ　
ｓ　）が印加された画素は黒の表示状態をとり、電圧（
ＩＮ−８Ｓ）が印加された画素は白の表示状態をとる。

第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）に示す駆動波形で、第６図
に示す表示を行ったときの時系列波形である。

第４図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間Δｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、１ラインクリヤ型１位相の時間
が２Δｔに設定されている。

さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータＶＳ。

Ｖ　ｌ、　Δｔの値は使用する液晶材料のスイッチング
特性によって決定される。

第７図は後述するバイアス比を一定に保ったまま駆動電
圧（Ｖ　ｓ　＋　Ｖ　ｒ　）を変化させたときの透過率
Ｔの変化、即ちＶ−Ｔ特性を示したものである。ここで
はΔｔ＝５０　μｓｅｃ、バイアス比Ｖ　２／　（ｖ　
２　十Ｖ３）＝ｌ／３に固定されている。第７図の正側
は第４図で示した（　Ｉ　Ｎ　−Ｓ　ｓ　）、負側は（
Ｉｓ−３ｓ）で示した波形が印加される。

ここで、ｖｌ、ｖ３をそれぞれ実駆動閾値電圧及びクロ
ストーク電圧と呼ぶ。但し、Ｖ２＜Ｖ。

〈ｖ３、またΔＶ＝Ｖ　３−Ｖ　１を電圧マージンと呼
び、マトリクス駆動可能な電圧幅となる。ｖ３はＦＬＣ
表示表示素子駆動−船釣に存在すると言ってよい。具体
的には、第４図（Ａ）　（ＩＮ−Ｓｓ）の波形における
ＶＢによるスイッチングを起こす電圧値である。勿論、
バイアス比を大きくすることによりｖ３の値を大きくす
ることは可能であるが、バイアス比を増すことは情報信
号の振幅を大きくすることを意味し、画質的にはちらつ
きの増大、コントラストの低下を招き好ましくない。

我々の検討ではバイアス比１／３〜１／４程度が実用的
であった。ところで、バイアス比を固定すれば、電圧マ
ージンΔＶは液晶材料のスイッチング特性に強（依存し
、ΔＶの大きい液晶材料がマトリクス駆動上非常に有利
であることは言うまでもない。

この様なある一定温度において、情報信号の２通りの向
きによって選択画素に「黒」および「白」の２状態を書
き込むことが可能であり、非選択画素はその「黒」また
は「白」の状態を保持することが可能である印加電圧の
上下限の値およびその幅（駆動電圧マージンΔＶ）は、
液晶材料間で差があり、特有なものである。また、環境
温度の変化によっても駆動マージンはズしていくため、
実際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度に対して最
適駆動電圧にしておく必要がある。

しかしながら、実用上この様なマトリクス表示−装置の
表示面積を拡大していく場合、各画素における液晶の存
在環境の差（具体的には温度や電極間のセルギャップの
差）は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶
では表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来なく
なる。

さらに、この様なマトリクス表示装置を実現するために
は、使用される液晶材料の配向特性もまた重要な課題と
なる。

現在広く用いられているＴＮ型液晶材料は簡便なラビン
グ配向処理が行なわれた配向膜を用いて、特定の相状態
（例えばネマチック相状態）に配向される。

これに対し、ＳｍＣ＊液晶材料は同様のラビング配向処
理ではジグザグ欠陥や、液晶セル中のギャップ保持材（
例えばスペーサービーズ等）周辺で配向欠陥が生じやす
いという特徴がある。

さらには、液晶素子構成要素に由来する配向膜表面の凹
凸などによって生じる配向膜のラビング状態の差異によ
り配向欠陥が容易に生じてしまう。

これらは、ＳｍＣ宰相状態が等吉相状態からいくつかの
相転移を経由した相状態である場合が多く、また、ネマ
チック相と比較し、より結晶相に近い相状態であること
にも起因していると、本発明者らは推察している。

そして、重大な問題点となるのは、これらの配向欠陥は
、ＳｍＣ’液晶材料の特徴である双安定性を低下させ、
さらには画質の低下、コントラストの低下、またクロス
トークの増大を招く要因となってしまうことである。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、前述した様な従来の液晶素子の問題点を解決
し、高速光シャッターや高密度、大画面デイスプレーへ
の応用が期待されている強誘電性液晶素子を実用できる
ように、簡便なラビング処理によって、容易に配向し、
欠陥の無い均一なモノドメイン配向性を示し、さらに、
駆動電圧マージンが大きく、液晶素子の表示エリア上に
、ある程度の温度バラツキがあっても、全画素が良好に
マトリクス駆動できる駆動温度マージンの広い液晶組成
物および該液晶組成物を使用する液晶素子を提供するこ
とにある。

〔問題を解決するための手段〕

本発明は、下記一般式（Ｉ） （ただし、Ｒ１＋　Ｒ２は炭素数１〜１６の置換基を有
してもよい直鎖状または分岐状のアルキル基であり、Ｚ
ｌは単結合、−ｏ−、−ｃｏｏ−、−ｏｃ。

テアリ、Ｘｌはハロゲン原子、−Ａ、−は単結合あるい
は舎である。） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種と、下記一
般式（ＩＩ） （ただし、Ｒ３，Ｒ４は炭素数１〜１６の置換基を有し
ていてもよい直鎖状または分岐状のアルキル基であり、
Ｚ２＋２３は単結合、−ｏ−、−ｃｏ。

である。ｘ２は水素原子またはハロゲン原子である。た
だし、Ａ２が単結合の時Ｚ２は単結合であり、Ａ３が単
結合の時ｚ３は単結合である。）で表わされる液晶性化
合物の少なくとも１種とを含有する液晶組成物、そして
前記液晶組成物にさらに一般式（ＩＩＩ） （ただし、Ｒ５は置換基を有していても良い炭素数１〜
１８の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。

ＣＯＳ ＳＣＯ 〜ＣＨ ＣＨ−Ｃｏｏ−であり、Ｚ４は 単結合。

ｃｏ−、−ｏｃ−１ｚ５は単結合。

ある。） で表わされる液晶性化合物を少なくとも一種含有させた
液晶組成物および該液晶組成物を一対の電極基板間に配
置してなる液晶素子を提供するものである。

一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物のうち、好ましい
化合物としては下記（Ｉａ）〜（Ｉｂ）式で示される化
合物が挙げられる。

（式中、Ｒ，、Ｒ２，Ｚ、、Ｘ、は前述の通りである） 又、さらに上記（Ｉａ）、（Ｉｂ）式において、Ｚｌの
好ましい例としては単結合、−〇−であり、Ｘｌの好ま
しい例としては（１，Ｆであり、特に好ましくはＦを挙
げることができる。

又、一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物において、Ｒ
，、Ｒ２の好ましい例として（Ｉ−ｉ）〜（１−ｉｉｉ
）を挙げることができる。

（Ｉ　−ｉ）　　炭素数１〜１６のｎ−アルキル基ＣＨ
３ （Ｉ　　ｉｉ　）　　（−ＣＨ２＞　ｍＣＨＣｎ　Ｈ２
ｎ＋＋（ただし、ｍは０〜７の整数であり、ｎは１〜９
の整数であるが、２≦ｍ　＋ｎ≦１４の範囲内にある。

） （ただし、ｒは０〜７の整数であり、Ｓは０もしくはｌ
である。又、ｔは１〜１４の整数であるが、１≦ｒ十ｓ
＋ｔ≦１４の範囲内にある。）−数式（ＩＩ　）で示さ
れる液晶性化合物のうち、好ましい化合物としては、下
記（ＩＩ　ａ　）〜（ＩＩ　ｋ　）式で示される化合物
が挙げられる。

（式中、 Ｒ３＋ Ｒ４・ Ｚ２゜ Ｚ３゜ ２は前述 の通りである。） さらに、上記式（ＩＩａ）〜（ＩＩｋ）で示される化合
物のうち、特に好ましい化合物としては式（■ａ）、式
（ｎｅ）、式（Ｉｆ）、式（Ｉｌｇ）を挙げることがで
き、より具体的には下記する（ＩＩａｌ）〜（■ｇ２）
を挙げることができる。

又、一般式（ＩＩ）において、Ｘ２の好ましい例として
は、水素原子またはＦである。

又、一般式（ｎ）で示される液晶性化合物において、Ｒ
３，Ｒ４の好ましい例として（ＩＩ−ｉ）〜（ＩＩ−ｉ
ｉｉ）を挙げることができる。

（ｎ−ｉ）　　　炭素数１〜１６のｎ−アルキル基Ｈ３ （ＩＩ　−１ｉ）　　（−ＣＨ２）ｒｎ’　ＣＨ−Ｃｎ
−Ｈｚｎ’　＋１（ただし、ｍ′はＯ〜７の整数であり
、ｎ′は１〜９の整数であるが、２≦ｍ’＋ｎ’≦１４
の範囲内にある。） （ただし、ｒ′は０〜７の整数であり、ｓ′は０もしく
は１である。又、ｔ′は１〜１４の整数であるが、ｌ≦
ｒ’　＋ｓ’　＋ｔ’≦１４の範囲内にある。） また、前述の一般式（ｍ）で示される化合物のうち、好
ましい化合物例としては、下記式（ＩＩ　−ａ）〜（］
ＩＩ−ｆ）で示される化合物が挙げられる。

（Ｒ５゜ Ｚ４゜ Ｚ　Ｉｓ・ ｌは前述の通り） さらに、上記式（■〜ａ）〜（ＩＩ−ｆ）で示される化
合物のうち、特に好ましい化合物例としては式（ｍ−ａ
）、式（ｍ−ｂ）、式（ｍ−ｃ）を挙げることができる
。

又、さらに上述の式（ｍ−ａ）〜（Ｉ［Ｉ−ｆ）におけ
るＺ４．Ｚ５の好ましい例としては、下記（ｍ　−ｉ）
〜（ｍ−ｖ）を挙げることができる。

（ｍ　　＋）　　Ｚ４が単結合、　　Ｚ５が一〇−ＣＨ
２（ＩＩＩ−ｉｉ）　Ｚ４が単結合、　　Ｚ５が−ｃｏ
Ｏ−ｃＨ２（Ｉ［［−１ｉｉ）Ｚ４が単結合、　　Ｚ５
が−０ＣＯ（Ｉ［Ｉ　＋ｖ）　Ｚ４が−０−Ｚ５が一〇
−ｃＨ２（ｍ　ｖ）　Ｚ４が−０−Ｚ５が−ｃｏｏｃＨ
２−数式（Ｉ） で表わされる液晶性化合物の代表 的な合成経路を以下に示す。

＋ ＣＩ！−Ｃ−Ａ１ または ＨＯＣ−Ａ　、−Ｒ２ （式中、 Ｒ２＋ は前述の通 りである） 次に、 一般式（Ｉ） で示される液晶性化合物の 代表的な合成例を以下に示す。

合成例１ （Ｎｏ、１−３８の化合物の合成） ２−デシル−５−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェ
ニル）ピリミジン０．８０ｇ　（２，４２ｍｍｏｌｅ）
をピリジン１０ｍＡに溶かし、水冷撹拌下ヘプタノイル
クロライド０．６２ｍｆ　（４，００ｍｍｏｌｅ）を滴
下した。滴下終了後１５分間水冷撹拌した。その後４５
〜５６℃に保った水浴上で２０分間加熱撹拌した。反応
終了後反応物を氷水１５０ｍＩ！中に注入し、析出した
結晶を濾取水洗した。この結晶をトルエンに溶かし、水
洗、芒硝乾燥後、溶媒を減圧留去した。残渣をトルエン
を溶離１液としたシリカゲルカラムクロマトで精製し、
アセトン−メタノール混合溶媒で２度再結晶し、２−デ
シル−５−（３−フルオロ−４−ヘプタノイルオキシフ
ェニル）ピリミジン０．６６ｇ　（収率６１．６％）を
得た。

相転移温度（℃） 合成例２ （Ｎｏ、１ ４４の化合物の合成） ２−ウンデシル−５−（３−フルオロ−４−ヒドロキシ
フェニル）ピリミジン２．ＯＯｇ　（５，８１ｍｍｏｌ
ｅ）、吉草酸０　、６０　ｇ　（５，８７ｍ　ｍ　ｏ　
ｌ　ｅ　）、ジクロルメタン５０　ｍ　ｊ！を２００　
ｍ　Ｉ！ナスフラスコに入れて溶かし、室温撹拌下Ｎ、
　Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミド１　、２１　
ｇ　（５、８６ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　ｅ　）、４−ピロリジ
ルピリジン０．１０ｇを順次加え、その後４時間４５分
室温で撹拌した。撹拌終了後析出したＮ、　Ｎ’−ジシ
クロヘキシル−ウレアを濾去し、濾液を減圧乾固した。

残渣をトルエン／酢酸エチル：　１００／１の溶離液を
用いたシリカゲルカラムクロマトで精製し、アセトン−
メタノール混合溶媒で２度再結晶し・、２ウンデシル−
５−（３−フルオロ−４−ペンタノイルオキシフェニル
）ピリミジン１．９１　ｇ　（収率７６．８％）を得た
。

相転移温度（℃） 合成例３　（Ｎｏ、１−１０８の化合物の合成）２−フ
ルオロ−４−（５−デシル−２−ピリジニル）フェノー
ル０　、５０　ｇ　（１、５２ｍ　Ｍ　）をピリジン４
ｍｌに溶かし、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキ
サンカルボン酸クロライド０　、３９　ｇ　（１、８０
ｍ　Ｍ　）を水浴下で滴下した。滴下後、水浴を取り、
室温で３０分間撹拌後４０〜５０℃水浴中で２時間撹拌
した。

反応後、氷水１００　ｍ　Ａにあけ、析出した結晶を濾
出した。この結晶を酢酸エチルに溶かし、２Ｎ−塩酸お
よび水で水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、留去した
。

これをトルエン溶媒のシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、エタノール溶媒で冷凍庫から再結晶し、
目的物０　、４５　ｇ　（０、８８ｍ　Ｍ　）を得た。

（収率５８．２％） 相転移温度（’Ｃ） ４２．８　　　　　　　８７．０　　　　　１５５．１
前記−数式 で表わされる液晶性化合物の 具体的な化合物例を以下に示す。

す 羽） す す す （ｌ （ｌ （ｌ り り ｒ 一般式（ｎ） で表わされる液晶性化合物の代表 的な合成経路を以下に示す。

Ｒ３−Ｚ　２−Ａ　２−ＣＮＨ・ＮＨ は脱離可能な保護基でＡ　２　＋　Ａ　３に存在する水
酸基またはカルボキシル基を保護し、チアジアゾール環
に閉環した後に保護基を脱離させ、その後に、Ｒ３−２
２−Ａ２−あるいは−Ａ３−２３−Ｒ４とすることも可
能である。

合成例４（Ｎｏ、２−２３の化合物の合成）２−デシル
−５（４−ヒドロキシフェニル）ｌ。

３．４−チアジアゾール０．６０ｇ　（１，８８ｍｍｏ
ｌｅ）をピリジン５ｍｊｌ！に溶かし、水冷撹拌下ノナ
ノイルクロライド０　、４０　ｇ　（２、２６ｍ　ｍ　
ｏ　ｌ　ｅ　）を滴下した。

滴下終了後１０分間水冷撹拌を行い、その後室温で１時
間３０分撹拌した。反応終了後反応物を約８０ｍ１の氷
水中に注入し、塩化メチレンで抽出した。

有機層を水洗、芒硝乾燥後、減圧乾固し、残渣をトルエ
ン／酢酸エチル：　２０／１混合溶媒を溶離液としたシ
リカゲルカラムクロマトで精製し、アセトンで２回再結
晶して２−デシル−５−（４−ノナノイルオキシフェニ
ル）　−１，３，４−チアジアゾール０．７２ｇ　（収
率８３．３％）を得た。

合成例５ （Ｎｏ、２−７８の化合物の合成） ２．５−ビス（ｐ−へキシルフェニル）　−１，３゜チ
アジアゾール ｉｉ） ｉ）Ｎ、Ｎ’−ビス（ｐ−へキシルベンゾ）ヒドラジド
の製造 ｐ−ヘキシル安息香酸６．０ｇに塩化チオニル３０ｍ１
を添加し、４時間環流した。反応終了後、過剰の塩化チ
オニルを減圧留去してｐ−ヘキシル安息香酸クロライド
を得た。

９５％水酸化ナトリウム１．４８ｇを水１６　ｍ　ｌに
溶かし、氷水浴中で冷却した。これに硫酸ヒドラジン１
．８９ｇを添加した。さらに、先に製造したｐヘキシル
安息香酸クロライド及び水酸化ナトリウム水溶液（９５
％ＮａＯＨ１，３５ｇ／水４ｍ１）を滴下した。室温で
一晩撹拌した後、生成した結晶を濾取した。これを水／
アセトン＝１／１の混合溶媒で洗浄した後、エタノール
から再結晶して、Ｎ、　Ｎ’ビス（ｐ−へキシルベンゾ
）ヒドラジド４．０２ｇを得た。

１ｉ）２．５−ビス（ｐ−へキシルフェニル）１，３゜
４−チアジアゾールの製造 Ｎ、　　Ｎ’−ビス（ｐ−へキシルベンゾ）ヒドラジド
１６１ｇをテトラヒドロフラン２０　ｍ　ｆに溶かした
。

これにローエソン試薬１．２０ｇを添加した。撹拌後２
時間環流した後、水酸化ナトリウム０．９３ｇを加えた
氷水１００　ｍ　ｌに注入した。食塩を加え、室温で撹
拌した後、精製した結晶を濾取した。水洗後、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（展開液トルエン）により
精製し、さらにエタノールから再結晶して、２，５−ビ
ス（ｐ−へキシルフェニル）−１，３，４−チアジアゾ
ール０．８３ｇを得た。

相転移温度（’Ｃ） 合成例６　（Ｎｏ、２−５３の化合物の合成）Ｃ６Ｈｌ
３ＣＮＨＮＨ２ ヘプタノヒドラジド０　、４０　ｇ　（２、７７ｍ　ｍ
　ｏ　ｌ　ｅ　）　。

６−デシルオキシ−２−ナフトイルクロライド１．０５
ｇ（３，０３ｍｍｏｌｅ）、　ジオキサン２０ｍｆを５
０ｍｊ！三つロフラスコに入れ、内温８５℃付近に保ち
ながらピリジン１　、０５　ｍ　１．　（１３、０ｍ　
ｍ　ｏ　ｌ　ｅ　）を加えた。その後内温を９０−９２
℃に保って４０分間加熱撹拌した。反応終了後反応物を
放冷し、氷水１５０ｍｊｉ！中に注入し、析出した結晶
を濾取水洗した。この結晶をアセトンで再結晶してＮ−
ヘプタノイル−Ｎ′−（６−デシルオキシ−２−ナフト
イル）ヒドラジン１．２１ｇ　（９６，０％）を得た。

Ｎ−ヘプタノイル−Ｎ’　−（６−デシルオキシ−２−
ナフトイル）ヒドラジン１．２０ｇ　（２，６４ｍｍｏ
ｌｅ）。

Ｌａｗｅｓｓｏｎ　ｓ試薬１　、２０　ｇ　（２、９７
ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　ｅ　）　、テトラヒドロフラン１５ｍ
ｆを５０ｍｊ！ナスフラスコに入れ、４５分間還流撹拌
を行った。反応終了後反応物を水酸化ナトリウム０．９
５ｇを溶かした氷水１００ｍＩ！に注入し、析出した結
晶を濾取水洗した。この結晶をトルエンを展開溶媒とし
たシリカゲルカラムで精製し、トルエン−メタノール混
合溶媒で２度再結晶し、さらに酢酸エチル１回、トルエ
ンで１回再結晶し、２−へキシル−５−（６−デシルナ
フタレン−２−イル）　−１，３，４−チアジアゾール
０．５４ｇ　（収率４５．２％）を得た。この化合物の
相転移温度を次に示す。

合成例７　（Ｎｏ、２−１６３の化合物の合成）下記工
程に従い２−デシル−５−（３−フルオロ−４−ペンタ
ノイルオキシフェニル）１，３．４−チアジアゾールを
製造した。

成 ３−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸５．ＯＯｇ（３
２，０ｍｍｏｌｅ）に無水酢酸６．４０　ｍ　Ａを加え
、室温で撹拌しながら濃硫酸２滴を加えた（濃硫酸を加
えるとすぐ固まった）。油浴中（浴温１０７〜１１１°
Ｃ）１０分間加熱撹拌しく加熱すると透明となり溶解し
た）、氷水１５０ｍ！！中に注いだ。析出した結晶を濾
別し、メタノール約２０ｍｊ！から再結晶し、４−アセ
トキシ−３−フルオロ安息香酸５．０４ｇを得た。

収率７９，４％。

（２）Ｎ−ウンデカノイル−Ｎ’　−（４−アセトキシ
−３−フルオロベンゾ）ヒドラジドの合成４−アセトキ
シ−３−フルオロ安息香酸２．５０ｇ（１２，６ｍｍｏ
ｌｅ）に塩化チオニル２　、９　ｍ　ｊ！を加え、室温
で撹拌下、ＤＭＦ２滴を加え４０分間環流した。

ついで乾燥ベンゼンを加え、過剰の塩化チオニルを減圧
下に留去した。この操作を２回繰返し、４アセトキシ−
３−フルオロ安息香酸塩化物を得た。

ウンデカノイルヒドラジド２．４０ｇ　（１２，０ｍｍ
ｏｌｅ）のジオキサン２０　ｍ　Ｉ！溶液に上記酸塩化
物のジオキサン１０ｍｆ溶液を加え、約８０°で撹拌下
、ピリジン４．３ｍｊ！を添加し、この温度で４０分間
撹拌した。

ついで氷水約１５０ｍ１中に注ぎ、食塩を加え、室温で
撹拌した後、析出した結晶を濾別した。水洗後、アセト
ンから再結晶し、Ｎ−ウンデカノイルＮ’　−（４−ア
セトキシ−３−フルオロベンゾ）ヒドラジド３．８７ｇ
を得た。収率８４．９％（３）２−デシル−５−（４−
アセトキシ−３−フルオロフェニル）　−１，３，４−
チアジアゾールの合成 Ｎ−ウンデカノイル−Ｎ’　−（４−アセトキシ−３−
フルオロベンゾ）ヒドラジド３．８０ｇ　（９，９９ｍ
ｍｏｌｅ）ローエソン試薬４．３０ｇ　（１０，６ｍｍ
ｏｌｅ）にＴＨＦ６０ｍＩ！を加え、４０分間環流撹拌
した。ついで水酸化ナトリウム３．１９ｇを溶かした氷
水３００　ｍ　ｆ！中に注入し、食塩を加え、室温で撹
拌した後、析出した結晶を濾別した。水洗後、メタノー
ル約１００ｍＡから再結晶し、２−デシル−５−（４−
アセトキシ−３−フルオロフェニル）　−１，３，４−
チアジアゾール３　、３９　ｇ　（ｗ　ｅ　ｔ　）を得
た。

（４）２−デシル−５−（３−フルオロ−４−ヒドロキ
シフェニル）　−１，３，４−チアジアゾールの合成 ８５％水酸化カリウム１．５９　ｇ　（２４、１ｍ　ｍ
　ｏ　ｌ　ｅ　）にエタノール５０　ｍ　ｆを加え、油
浴中（浴温約７０℃）で加熱溶解させる。ここへ２−デ
シル−５−（４−アセトキシ−３−フルオロフェニル）
　−１，３，４−チアジアゾール３　、３７　ｇ　（ｗ
　ｅ　ｔ　８　、９０　ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　ｅ　）を添加
し、約７０℃で１０分間撹拌し、氷水に注入し、減圧濾
過した。濾液を濃縮した後、水約１００　ｍ　ｌ。

を加え、ついで濃硫酸２．３ｍｆを加え、食塩を加えて
室温で撹拌した後、析出した結晶を濾別した。この結晶
を酢酸エチルに溶かし、無水硫酸ナトリウムで乾燥した
。硫酸ナトリウムを濾別後濾液を濃縮乾固した。ｎ−ヘ
キサンを加え、室温撹拌後、濾過し２−デシル−５−（
３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）　−１，３，
４−チアジアゾール２．７８ｇ８２．７％）。

（５）２−デシル−５−（３−フルオロ−４−ペンタノ
イルオキシフェニル）　−１，３，４−チアジアゾール
の合成 ２−デシル−５−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェ
ニル）　−１，３，４−チアジアゾール２、Ｏｇ（５、
９４ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　ｅ　）、吉草酸０．６１ｇ　（５
，９７ｍｍｏｌｅ）にジクロロメタン４０ｍＩ！を加え
、室温で撹拌下、Ｎ、　　Ｎ’−ジシクロへキシルカル
ボジイミド１．２１ｇ（５，８６ｍｍｏｌ）、４−ピロ
リジノピリジン０．０５ｇを加え、さらに室温で１９時
間撹拌した。生成したジシクロヘキシル尿素をジクロロ
メタンで洗浄し、濾液にあわせた。このジクロロメタン
溶液を減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒ベンゼン）で精製後、エタノー
ルから再結晶して、２−デシル−５−（３−フルオロ ４−ヒ ドロキシフェニル） ■。

３゜ チア ジアゾール１．４０ｇを得た。

収率５６．９％。

相転移温度 前記−数式（ｎ） で表わされる液晶性化合物の 具体的な化合物例を以下に示す。

３］） り り り ｒ ｒ す す す 一般式（Ｉ［［）で示される化合物は、例えば特開昭６
３−２２０４２号公報、特開昭６３−１２２６５１号公
報などに記載の方法により得ることができる。

代表的な合成例を以下に示す。

合成例８（化合物Ｎｏ、３−２８の合成）ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェノール１．ＯＯｇ（４、１６ｍ
　Ｍ　）をピリジンｌＯｍＡ、トルエン５ｍｌに溶解さ
せ、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸クロライド１．３０ｇ　（６，００ｍＭ）をトルエ
ン５ｍｆに溶解した溶液を、５℃以下、２０〜４０分間
で滴下した。滴下後、室温で一晩撹拌し、白色沈殿を得
た。

反応終了後、反応物をベンゼンで抽出し、さらにこのベ
ンゼン層を蒸留水で洗ったのち、ベンゼン層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、ベンゼンを留去した。さらにシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらに
エタノール／メタノールで再結晶して、トランス−４−
ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェニルエステル１．２０ｇ　（’
２．８５ｍＭ）を得た。（収率６８．６％） ＮＭＲデータ（ｐｐｍ） ０．８３〜２．８３ｐｐｍ　（３４Ｈ，ｍ）４．００〜
４．５０ｐｐｍ　（２Ｈ，ｑ）７、ｌｌｐｐｍ　　　　
　（４Ｈ，５）ＩＲデータ（ｃｍ’） ３４５６．２９２８，２８５２，１７４２，１５０８゜
１４７０．１２４８，１２００，１１６６．１１３２゜
８５４゜ 相転移温度（’Ｃ） （ここで、ｓ３．ｓ４．ｓ５．ｓ６は、ＳｍＣ＊よりも
秩序度の高い相を示す。） 合成例９（化合物Ｎｏ、３−８５の合成）十分に窒素置
換された容器に、（−）−２−フルオロヘプタツール０
　、４０　ｇ　（３、０ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　）と乾燥ピリ
ジン１　、　ＯＯｇ　（１３ｍ　ｍ　ｏ　１　）を入れ
水冷下で３０分間撹拌した。その溶液にｐ−）ルエンス
ルホン酸クロリド０　、６９　ｇ　（３、６ｍ　ｍ　ｏ
　１　）を加え、そのまま５時間撹拌を続けた。反応終
了後、ｌＮＨＣｌ！１０ｍｊ７を加え、塩化メチレンｌ
　Ｏｍ　！！で２回抽出を行った後、その抽出液を蒸留
水１０ｍｊ！で１回洗浄した。得られた塩化メチレン溶
液に無水硫酸ナトリウムを適宜加えて乾燥したのち、溶
媒を留去しく＋）　−２フルオロヘプチルＩ）−トルエ
ンスルホン酸エステル０．５９　ｇ　（２、０ｍ　ｍ　
ｏ　＋　）を得た。

収率は６６％である。生成物の比旋光度およびＩＲデー
タは下記の通りである。

比旋光度［α］賃’　＋　２．５９°　（ｃｍ１．　Ｃ
ＨＣｉ！３）。

比旋光度［α］溜＋９．５８°　（ｃｍ１、ＣＨＣｌ３
）。

ＩＲ（ｃｍ−’）　： ２９００、　２８５０、　１６００、　１４５０．１３
５０、　１１７０、　１０９０、　９８０．８１０、　
６６０、　５５００ 上記のようにして得られた（＋）−２−フルオロへブチ
ルｐ−）ルエンスルホン酸エステル０．４３ｇ（１、５
ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　）と５−オクチル−２−（４−ヒドロ
キシフェニル）ピリミジン０．２８ｇ　（１，０ｍｍｏ
ｌ）に１−ブタノール０　、２　ｍ　ｌを加えよ（撹拌
した。

その溶液に、あらかじめ１−ブタノール１．Ｏｍｊ！に
水酸化ナトリウム０．０４８ｇ　（１，２ｍｍｏｌ）を
溶解させて調製しておいたアルカリ溶液を速やかに注ぎ
５時間半、加熱還流した。反応終了後蒸留水１０ｍ！！
を加え、ベンゼン１０　ｍ　ｌおよび５　ｍ　！！でそ
れぞれ１回づつ抽出を行った後、その抽出液に無水硫酸
ナトリウムを適宜加えて乾燥した。乾燥後、溶媒を留去
し、シリカゲルカラム（クロロホルム）により目的物で
ある（＋）−５−オクチル−２［４−（２−フルオロヘ
プチルオキシ）フェニル］ピリミジン０　、１７　ｇ　
（０、４３ｍ　ｍ　ｏ　Ｉ　）を得た。

収率は４３％であり、以下のような比旋光度およびＩＲ
データが得られた。

比旋光度［α］漬＋０．４４°　　（ｃｍ１、ＣＨＣｆ
　３　）。

比旋光度［α］宗＋４．１９°　　（Ｃ−１、ＣＨＣｌ
３）。

ＩＲ（ｃｍ−’）　： ２９００．２８５０．１６００．１５８０．１４２０．
１２５０．１１６０．８００．７２０．６５０．５５０
゜前記−数式 で表わされる液晶性化合物の 具体的な化合物例を以下に示す。

本発明の一般式（Ｉ）と−数式（ｎ）で示される液晶性
化合物、それぞれ少なくとも１種と後述するその他の液
晶性化合物１種以上あるいは液晶組成物（以下、液晶材
料と略す。）とを混合する場合、混合して得られた液晶
組成物中に占める本発明の一般式（Ｉ）、−数式（ｎ）
で示される液晶性化合物の割合は次に示す様にすること
が望ましい。

−数式（Ｉ）で示される液晶性化合物／−一般式ｎ）で
示される液晶性化合物／液晶材料０．５〜８０％１０．
５〜８０％／１０〜９９％より好ましくは、 １〜７０％／ｌ〜７０％／２０〜９８％また、本発明の
一般式（Ｉ）と−数式（ＩＩ）で示される液晶性化合物
の一方、もしくは両方において２種以上用いる場合も混
合して得られた液晶組成物中に占める本発明の一般式（
Ｉ）、−数式（ＩＩ）で示される液晶性化合物の割合は
、上述した割合であることが望ましい。

さらに、本発明の一般式（Ｉ）と−数式（ＩＩ）と−数
式（ｍ）で示される液晶性化合物と液晶材料とを混合す
る場合、混合して得られた液晶組成物中に占める本発明
の一般式（Ｉ）、−数式（ｎ）、数式（ｍ）で示される
液晶性化合物の割合は、次に示す様にすることが望まし
い。

一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物／−一般式Ｉ［）
で示される液晶性化合物／−一般式ｍ）で示される液晶
性化合物／液晶材料 ０．５〜８０％１０．５〜８０％／１〜３０％／１０〜
９９％より好ましくは、 １〜７０％／ｌ〜７０％／２〜２０％／２０〜９６％さ
らにまた、本発明の一般式（１）と−数式（Ｉｔ）と−
数式（ＩＩＩ）で示される液晶性化合物のいずれか、あ
るいは全てにおいて２種以上用いる場合も、混合して得
られた液晶組成物中に占める本発明の一般式（Ｉ）、−
数式（ＩＩ）、−数式（ＩＩＩ）で示される液晶性化合
物の割合は、上述した割合であることが望ましい。

又、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物、
特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好まし
い。

本発明で用いる他の液晶性化合物を一般式（ＩＶ） （■） で下記に挙げる。

（ただし、Ｒ１′、Ｒ２′は炭素数１〜１８の直鎖状又
は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の１つも
しくは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２−基は−ＣＨＣＮ
−、−Ｃ（−ＣＨ３ＨＣＮ−、−ＣＨＣｆＣＨＢｒ−に
よって置き換えられてもよく、さらに２１′、２２′と
直接結合する一ＣＨ２−基を除（１つもしくは２つ以上
の−ＣＨ２−基は−Ｏ＜、Ｒ１，Ｒ２’の少なくとも一
方は光学活性である。

２２′ は単結合。

ＣＯ− Ｉ は２であり、 ＋ｂ は１又は２である。） （Ｖ） （ただし、Ｒ３′、Ｒ４′は炭素数１〜１８の直鎖状又
は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の１つも
しくは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２−基はＣＨＣＮ−
、−ＣモＣＨ３：）−ＣＮ、−、−ＣＨＣＩ！−ＣＨＢ
ｒ−によって置き換えられてもよ（、さらにＺ３′、２
４′と直接結合する一ＣＨ２−基を除く１つもしくは２
つ以上の−ＣＨ２−基は一０ｃ−−ｏｃ−−ｃｏ−に置
き換えられてもよい。

がともに単結合であることはない。Ａ１は は水素原子、 ハロゲン原子、 ＣＨ ３又はＣＦ３であ る。） （ＶＩ） （ただし、Ｒ５、Ｒ６′は炭素数１〜１８の直鎖状又は
分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の１つもし
くは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２−基はＣＨＣＮ　　
、　　Ｃ（−ＣＨ３）　ＣＮ　　、　　ＣＨＣＩ！−Ｃ
ＨＢｒ−によって置き換えられてもよ＜、Ｚ５Ｚ６′と
直接結合する一ＣＨ２−基を除く１つもしくは２つ以上
（７）−ＣＨ２−基は−ｏ−−ｃ−−ｏｃに単結合であ
ることはない。

ｚ５ ２６′ は単結合。

は単結合であり、Ａ２′が単結合の時Ｘ３′は単結合で
あり、Ａ３′が単結合の時ｘ４′は単結合である。

Ｙ２　、Ｙ３　、Ｙ４′は水素原子、ハロゲン原子、Ｃ
Ｈ３又はＣＦ３である。） （■） （ただし、Ｒ７、Ｒ８′は炭素数１〜１８の直鎖状又は
分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の１つもし
くは隣接しない２つ以上の−ＣＨ２−基は−ＣＨＣＮ−
、−Ｃ÷ＣＨ３モＣＮ−、−ＣＨ（１！−ＣＨＢｒ−に
よって置き換えられてもよ＜、Ｚ７ｚ８′と直接結合す
る一ＣＨ２−基を除く１つもしくＵ　　　　　　　　　
Ｕ ＣＯ− 一〇Ｃ− ＣＯ であり、 ＣＲ である。

ａ３＋ ｂ３は０又はｌである が、 Ｒ３゜ ３がともにＯであることはない。） （ここで、Ｒ、／は炭素数１〜１８の直鎖状又は分岐状
のアルキル基であり、ＲＩＯ′は炭素数１−１６の直鎖
状又は分岐状のアルキル基である。Ａ　５　’はＣＣＨ
２ −ＣＨ２ ＣＨ２ −である。

は光学活性な不斉炭素原子を示す。） （ｒＶ） 式〜（■） 式の好ましい化合物として （ＩＶａ） （■ｅ） が挙げられる。

ＲＩ５’−Ｚ　、’　＋ｘ　３’　＃Ｚ　６−Ｒ６（Ｖ
ｌ　ｄ） Ｆ３ （■ｂ） （■Ｃ） （■ｅ） さらに、本発明による強誘電性液晶素子における強誘電
性液晶層は、先に示したようにして作製した強誘電性液
晶組成物を真空中、等方性液体温度まで加熱し、素子セ
ル中に封入し、徐々に冷却して液晶層を形成させ、常圧
にもどすことが好ましい。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の一例の断面概略
図である。

第１図において符号ｌは強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ　２０３　＋Ｓ
ｎＯ３あるいはＩＴＯ（インジウム　ティン　オキサイ
ド；　Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜
から成る透明電極３が被覆されている。その上にポリイ
ミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテート植毛布等
でラビングして、液晶をラビング方向に並べる絶縁性配
向制御層が形成されている。また絶縁物質として例えば
シリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭化物、シリ
コン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼素窒化物、
セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸
化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムなどの無機物
質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアルコール、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
リパラキシレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル
、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミ
ン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォトレジスト樹
脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、２層で絶縁
性配向制御層が形成されていてもよ（、また無機物質絶
縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向制御層単層
であっても良い。この絶縁性配向制御層が無機系ならば
蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶縁物質を溶
解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤に０．１〜
２０重量％、好ましくは０．２〜１０重量％）を用いて
、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷法、
スプレー塗布法、ロール塗布法等て塗布し、所定の硬化
条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させることがで
きる。

絶縁性配向制御層４の層厚は通常３０人〜１μｍ、好ま
しくは４０人〜３０００人、さらに好ましくは４０人〜
１０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挟持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層１は、一般に
は０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。

又、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に低
温側）でＳｍＣ＊相（カイラルスメクチツりＣ相）を有
し、かつ素子とした場合には駆動電圧マージン及び駆動
温度マージンが広いことが望まれる。

又、特に素子とした場合、良好な均−配向性を示し、モ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からｃｈ相（コレステリック相）−３ｍＡ相（スメクチ
ックＡ相）−５ｍＣ＊（カイラルスメクチックＣ相）と
いう相転移系例を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透過型なので光源９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極
で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊
相又はＳｍＨ＊相の液晶が封入されている。太線で示し
た線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子２３
はその分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ±）
２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一
定の闇値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ土）２４がすべ
て電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向方向を変え
ることができる。液晶分子２３は細長い形状を有してお
り、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光
子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液
晶光学変調素子となることは、容易に理解される。

本発明における光学変調素子で好ましく用いられる液晶
セルは、その厚さを充分に薄く（例えばｌＯμ以下）す
ることがで薔る。このように液晶層が薄くなるにしたが
い、第３図に示すように電界を印加していない状態でも
液晶分子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメント
ＰａまたはＰｂは上向き（３４ａ）又は下向き（３４ｂ
）のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図
に示す如く一定の闇値以上の極性の異る電界Ｅａ又はＥ
ｂを電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双
極子モーメントは電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対
応して上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあるい
は第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向き
の電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態３
３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界
を切ってもこの状態に留っている。又与える電界Ｅａあ
るいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ前の
配向状態にやはり維持されている。

この様な特性を有す強誘電性液晶材料を一対の基盤間に
挟持した素子で、単純マトリクス表示装置とした場合、
例えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９
３４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報、同６０
−１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用す
ることができる。

第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。又、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極を
配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第５
図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが互
いに交差して配線され、その交差部の走査線５２とデー
タ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。

第４図（Ａ）中のＳｓ選択された走査線に印加する選択
走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形を
、ＩＳは選択されたデータ線に印加する選択情報波形（
黒）を、ＩＮは選択されていないデータ線に印加する非
選択情報信号（白）を表わしている。又、図中（Ｉ　ｓ
　−Ｓ　ｓ　）と（Ｉ　Ｎ　−Ｓ　ｓ　）は選択された
走査線上の画素に印加する電圧波形で、電圧（Ｉ　ｓ　
−Ｓ　ｓ　）が印加された画素は黒の表示状態をとり、
電圧（ＩＮ−８ｓ）が印加された画素は白の表示状態を
とる。

第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）に示す駆動波形で、第６図
に示す表示を行ったときの時系列波形である。

第４図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間Δｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、１ラインクリヤｔ１位相の時間
が２Δｔに設定されている。

さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータＶｓ。

Ｖｌ、Δｔの値は使用する液晶材料のスイッチング特性
によって決定される。

第７図は後述するバイアス比を一定に保ったまま駆動電
圧（Ｖ　ｓ　十Ｖ　＋’）を変化させたときの透過率Ｔ
の変化、即ちＶ−Ｔ特性を示したものである。ここでは
Δｔ＝５０μｓｅｃ、バイアス比ｖ２／（ｖ２＋Ｖ３）
＝１／３に固定されている。第７図の正側は第４図で示
した（ＩＮ−３ｓ）、負側は（Ｉｓ−３ｓ）で示した波
形が印加される。

ここで、Ｖ、、Ｖ３をそれぞれ実駆動闇値電圧及びクロ
ストーク電圧と呼ぶ。但し、Ｖ２〈■１くｖ３、またΔ
Ｖ＝Ｖ　３−Ｖ　、を電圧マージンと呼び、マトリクス
駆動可能な電圧幅となる。■３はＦＬＣ表示表示素子駆
動−船釣に存在すると言ってよい。具体的には、第４図
（Ａ）　（ＩＮ−３ｓ）の波形におけるＶＢによるスイ
ッチングを起す電圧値である。勿論、バイアス比を大き
くすることによりＶ３の値を大きくすることは可能であ
るが、バイアス比を増すことは情報信号の振幅を大きく
することを意味し、画質的にはちらつきの増大、コント
ラストの低下を招き好ましくない。

我々の検討ではバイアス比１／３〜１／４程度が実用的
であった。ところで、バイアス比を固定すれば、電圧マ
ージンΔＶは液晶材料のスイッチング特性に強く依存し
、ΔＶの大きい液晶材料がマトリクス駆動上非常に有利
であることは言うまでもない。

この様なある一定温度において、情報信号の２通りの向
きによって選択画素に「黒」および「白」の２状態を書
き込むことが可能であり、非選択画素はその「黒」また
は「白」の状態を保持することが可能である印加電圧の
上下限の値およびその幅（駆動電圧マージンΔＶ）は、
液晶材料間で差があり、特有なものである。また、環境
温度の変化によっても駆動マージンはズしていくため、
実際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度に対して最
適駆動電圧にしておく必要がある。

しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大していく場合、各画素における液晶の存在
環境の差（具体的には温度や電極間のセルギャップの差
）は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶で
は表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来なくな
る。

以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例１ 下記化合物を下記の重量部で混合し、 液晶組成 物Ａを作成した。

構 造 式 構 造 式 さらにこの液晶組成物Ａに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物１−Ａ
を作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　構　造　式　　　　　　重量部
液晶組成物Ａ 次に、これらの液晶組成物を以下の手順で作成したセル
を用いて、光学的な応答を観察した。

２枚の０　、７　ｍ　ｍ厚のガラス板を用意し、それぞ
れのカラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作
成し、さらにこの上にＳｉＯ２を蒸着させ絶縁層とした
。ガラス板上にシランカップリング剤［信越化学（掬製
ＫＢＭ−６０２］　０．２％イソプロピルアルコール溶
液を回転数２００Ｏｒ、ｐ、ｍのスピンナーで１５秒間
塗布し、表面処理を施した。この後、１２０℃にて２０
分間加熱乾燥処理を施した。

さらに表面処理を行−なったＩＴＯ膜付きのガラス板上
にポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−５１０１１，０
％ジメチルアセトアミド溶液を回転数３００゜ｒ、ｐ、
ｍのスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後、６０分間
、３００℃加熱縮合焼成処理を施した。この時の塗膜の
膜厚は約１２０人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソ■）］を用いてガラス板をはり合わせ、６０分間
、１００’Ｃにて加熱乾燥しセルを作成した。このセル
のセル厚をベレツク位相板によって測定したところ約１
．５μｍであった。

このセルに液晶組成物ｌ−Ａを等方性液体状態で注入し
、等吉相から２０°Ｃ／ｈで２５°Ｃまて徐冷すること
により、強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を用いて前述した第４図に示す駆
動波形（１／３バイアス比）で、駆動電圧マージンΔＶ
（Ｖ３　　Ｖ２）を測定した。その結果を次に示す。（
尚、Δｔは■２＃１５ｖとなる様に設定） １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ 駆動電圧マージ：／　　　　　　１３．５Ｖ　　　　　
１４．３Ｖ　　　　　１３．ＩＶ（測定時設定Δｔ）　
　　　　（５９８μ５ｅｃ）　　（２１０μ５ｅｃ）　
　（８３μ５ｅｃ）さらに、２５℃における駆動電圧マ
ージン中央値に電圧を設定して、測定温度を変化させた
場合駆動可能な温度差（以下駆動温度マージンという。

）は上４゜５℃であった。

また、２５°Ｃにおけるこの駆動時のコントラストは１
３．２であった。

比較例１ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａのうち例示化合物
Ｎα２−２３．２−７８を混合せずに、Ａに対して例示
化合物Ｎα１−３８．１−１０８のみを実施例１と同様
の重量部にて混合した１−ＡＩと例示化合物Ｎα１−３
８．１−１０８を混合せずにＡに対して例示化合物Ｎα
２−２３．２−７８のみを混合した液晶組成物１−Ａｎ
を作成した。

液晶組成物１−Ａを用いる代わりに、液晶組成物Ａ、１
−ＡＩ、１−ＡＩ［をセル内に注入する以外は全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージンΔ■を測定した。

駆動電圧マージン（測定時設定Δｔ） １０’ｃ　　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ Ａ　　　　　　８．８Ｖ　　　　　８．８Ｖ　　　　　
７．６Ｖ（８５０ｐ　５ｅｃ）　　　（２５５μ５ｅｃ
）　　　（８６ｐ　５ｅｃ）１−Ａ　Ｉ　　　　　　９
．２Ｖ　　　　　　　　９．ＩＶ　　　　　　　　８．
ＩＶ（７５３μ５ｅｃ）（２３７μ５ｅｃ）　　　（７
９μ５ｅｃ）１−Ａ　ＩＩ　　　　　　　１１．ＯＶ　
　　　　　　１１．５Ｖ　　　　　　　ｌｏ、９Ｖ（７
８３μ５ｅｃ）　　　（２４５μ５ｅｃ）　　　（８８
μ５ｅｃ）さらに・２５℃における駆動温度マージンは
Ａ　　　　上１゜４°Ｃ １−Ａｌ　　　　上２゜８°Ｃ １−Ａｎ　　　　上３゜５°Ｃ であった。

実施例１と比較例１より明らかな様に、本発明による液
晶組成物１−Ａを含有する強誘電液晶素子の方が駆動電
圧マージン及び駆動温度マージンは広がっており、環境
温度の変化や、セルギャップバラツキに対して、画像を
良好に保つ能力に優れている。

実施例２ 実施例１で用いた液晶材注入セルの作成時において、ポ
リイミド樹脂の膜厚を６０人、１２０人、１８０人と変
化させた基板を作成し、さらに、アセテート植毛布によ
るラビング処理の条件、ラビングスピード、ラビング時
植毛布押し込み巾等を変更して、ラビング強度（配向規
制力）に強弱をつけた以外は、全〈実施例１と同様の方
法で液晶素子を作成し、素子内の配向性を観察した。

＊ｌ）ラビング強度は数字が大きい程強い◎：均−良好
な配向性モノドメイン状態欠陥全く無し ○：アルミナビーズ周辺の一部にスジ状配向欠陥がわず
かにある。

＊２）実施例１で用いたセル。

比較例２ 実施例２で使用した液晶組成物１−Ａに代えて、比較例
１て用いた液晶組成物Ａ、　　１−ＡＩ、　　１−Ａｎ
を用いた以外は、全〈実施例２と同様の方法で液晶素子
を作成し、素子内の配向性を観察した。

液晶組成物Ａを使用した素子 液晶組成物１−ＡＩを使用した素子 液晶組成物１−ＡＩＩを使用した素子 ＊ｌ） 比較例１で用いたセル △： 配向は均一モノ ドメイン的だがアル ミナビーズ周辺全てにスジ状配向欠 陥と一部ジグザグ欠陥有り。

×：　ジグザグ欠陥が多く確認される。

Ｘ：　はぼ全面にジグザグ欠陥が生じ、配向不均一 実施例２と比較例２より明らかな様に、本発明による液
晶組成物１−Ａは均一的なモノドメイン配同性を示し、
配向性の良好な液晶組成物といえる。

さらにまた、実施例１、比較例１と実施例２、比較例２
より明らかな様に、本発明による液晶組成物を用いるこ
とにより、強誘電性液晶素子の早期実用化が期待できる
。

実施例３ 実施例１て使用した例示化合物に加えて、以下に示す例
示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
３−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部液晶組成物Ａ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例１と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で駆動電圧マージン、駆動温度マージンを測定した。

測定結果を次に示す。

ｌＯｏＣ２５°Ｃ４０°Ｃ 駆動電圧？　−’）　ン１３．４Ｖ　　　　　１４．ｌ
Ｖ　　　　　１３．ＯＶ（測定時設定Δｔ）　　　　　
（５１８、ｃｚ　５ｅｃ）　　（１９５μ５ｅｃ）　　
（７２μ５ｅｃ）駆動温度マージン　　　　　　±４．
３°Ｃ駆動時コントラスト　　　　　　　１３．０比較
例３ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ａのうち例示化合物
Ｎα２−２３．２−７８を混合せずに、Ａに対して例示
化合物Ｎα１−３８．　１−１０８，１２８．３−８５
のみを実施例３と同様の重量部にて混合した３ＡＩと例
示化合物ＮＱＩ−３８，１−１０８を混合せずにＡに対
して例示化合物Ｎα２−２３．２−７８．３−２８゜３
−８５のみを混合した液晶組成物３−Ａｎを作成した。

液晶組成物１−Ａを用いる代わりに、液晶組成物Ａ、　
３−ＡＩ、　３−ＡＩＩをセル内に注入する以外は全〈
実施例３と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆
動電圧マージンΔＶを測定した。

駆動電圧マージン（測定時設定Δｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０°ＣＡ、　　　　　
　８．８Ｖ　　　　　８．８Ｖ　　　　　７．６Ｖ（８
５０μ５ｅｃ）　　　（２５５μ５ｅｃ）　　　（８６
μ５ｅｃ）３−Ａ　Ｉ　　　　９．ＯＶ　　　　　８．
９Ｖ　　　　　８．０Ｖ（６９４μ５ｅｃ）　　　（２
２２μ５ｅｃ）　　　（７３μ５ｅｃ）３−Ａ　ｎ　　
　　１０，８Ｖ　　　　　１１２Ｖ　　　　　１０．６
Ｖ（７１９μ５ｅｃ）　　　（２４０μ５ｅｃ）　　　
（７９μ５ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度マージ
ンはＡ　　　　±１，４°Ｃ ３−ＡＩ　　　　±２．６℃ ３−Ａｎ　　　　±３．４°Ｃ であった。

実施例３と比較例３より明らかな様に、本発明による液
晶組成物３−Ａを含有する強誘電液晶素子の方が駆動電
圧マージン及び駆動温度マージンは広がっており、環境
温度の変化や、セルギャップバラツキに対して、画像を
良好に保つ能力に優れている。

実施例４ 実施例３で用いた液晶組成物３−Ａを使用する以外は、
全（実施例２と同様の方法で液晶素子を作成し、素子内
の配向性を観察した。

＊ｌ）ラビング強度は数字が大きい程強い◎：均−良好
な配向性モノドメイン状態欠陥全く無し ○：アルミナビーズ周辺の一部にスジ状配向欠陥がわず
かにある。

＊２）実施例３で用いたセル。

比較例４ 実施例４で使用した液晶組成物３ Ａに代えて、 比較例３で用いた液晶組成物Ａ、　３−ＡＩ、　１−Ａ
ｎを用いた以外は、全〈実施例２と同様の方法で液晶素
子を作成し、素子内の配向性を観察した。

液晶組成物Ａを使用した素子 液晶組成物３−ＡＩを使用した素子 液晶組成物３ ＡＩを使用した素子 ＊■）比較例３て用いたセル △：配向は均一モノドメイン的だがアルミナビーズ周辺
全てにスジ状配向欠 陥と一部ジグザグ欠陥有り。

×：　ジグザグ欠陥が多く確認される。

×　：　はぼ全面にジグザグ欠陥が生じ、配向不均一 実施例４と比較例４より明らかな様に、本発明による液
晶組成物３−Ａは均一的なモノドメイン配同性を示し、
配向性の良好な液晶組成物といえる。

さらにまた、実施例３、比較例３と実施例４、比較例４
より明らかな様に、本発明による液晶組成物を用いるこ
とにより、強誘電性液晶素子の早期実用化が期待できる
。

実施例５ 下記化合物を下記の重量部で混合し、 液晶組成 物Ｂを作成した。

構 造 式 式 重量部 構 造 式 さらにこの液晶組成物Ｂに対して、以下に示す例示化合
物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物５−Ｂ
を作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　重量部
例示化合物Ｎｏ。

構 造 式 この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例１と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で駆動電圧マージン、駆動温度マージンを測定した。

測定結果を次に示す。

１０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ 駆動電圧マージン１２．８Ｖ　　　　　１３．ＯＶ　　
　　　１２，５Ｖ（測定時設定Δｔ）　　　　　（４１
０μ５ｅｃ）　　（１４０μ５ｅｃ）　　（５０μ５ｅ
ｃ）駆動温度マージン　　　　　　±３．９°Ｃ駆動時
コントラスト　　　　　　　１２．５比較例５ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ｂのうち例示化合物
Ｎα２−２２．２−１６３．２−７９．２−８０を混合
せずに、Ｂに対して例示化合物Ｎａ　ｌ　−４４，１−
４６゜１−９９．　１−１００のみを実施例５と同様の
重量部にて混合した５−ＢＩと例示化合物Ｎα１−４４
．１−４６゜１−９９．１−１００を混合せずにＢに対
して例示化合物Ｎα２−２２．２−１６３．２−７９．
２−８０のみを混合した液晶組成物５−ＢＩ［を作成し
た。

液晶組成物５−Ｂを用いる代わりに、液晶組成物Ｂ、５
−ＢＩ、５−Ｂｎをセル内に注入する以外は全〈実施例
５と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電圧
マージンΔＶを測定した。

駆動電圧マージン（測定時設定Δｔ） １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ Ｂ　　　　　　８．５Ｖ　　　　　９．ＯＶ　　　　　
８．２Ｖ（５０８μ５ｅｃ）　　　（１５８μ５ｅｃ）
　　　（５６μ５ｅｃ）５−Ｂ　Ｉ　　　　８．７Ｖ　
　　　　９．２Ｖ　　　　　８．ＩＶ（４３５μ５ｅｃ
）　　　（１４５μ５ｅｃ）　　　（５０μ５ｅｃ）５
−Ｂ　ｎ　　　　１０．５Ｖ　　　　　１０．８Ｖ　　
　　　ｌｏ、３Ｖ（４６０μ５ｅｃ）　　　（１５２ｐ
　５ｅｃ）　　　（５４μ５ｅｃ）さらに２５℃におけ
る駆動温度マージンはＢ　　　±２．０℃ ５−ＢＩ　　　±２．２°Ｃ ３−Ｂｎ　　　±３，０℃ であった。

実施例５と比較例５より明らかな様に、本発明による液
晶組成物５−Ｂを含有する強誘電液晶素子の方が駆動電
圧マージン及び駆動温度マージンは広がっており、環境
温度の変化や、セルギャップバラツキに対して、画像を
良好に保つ能力に優れている。

実施例６ 実施例５で用いた液晶組成物５−Ｂを使用する以外は、
全〈実施例２と同様の方法で液晶素子を作成し、素子内
の配向性を観察した。

＊ｌ）ラビング強度は数字が大きい程強い◎：均−良好
な配向性モノドメイン状態欠陥全く無し ○：アルミナビーズ周辺の一部にスジ状配向欠陥がわず
かにある。

＊２）実施例５で用いたセル。

比較例６ 実施例６で使用した液晶組成物５−Ｈに代えて、比較例
５で用いた液晶組成物Ｂ、５−ＢＩ、５−ＢＩ［を用い
た以外は、全〈実施例６と同様の方法で液晶素子を作成
し、素子内の配向性を観察した。

液晶組成物Ｂを使用した素子 液晶組成物５−ＢＩを使用した素子 液晶組成物５ ＢＩ［を使用した素子 ＊１）比較例５で用いたセル △・配向は均一モノドメイン的だがアルミナビーズ周辺
全てにスジ状配向欠 陥と一部ジグザグ欠陥有り。

×：ジグザグ欠陥が多く確認される。

Ｘ：はぼ全面にジグザグ欠陥が生じ、配向不均一 実施例６と比較例６より明らかな様に、本発明による液
晶組成物５−Ｂは均一的なモノドメイン配同性を示し、
配向性の良好な液晶組成物といえる。

さらにまた、実施例５、比較例５と実施例６、比較例６
より明らかな様に、本発明による液晶組成物を用いるこ
とにより、強誘電性液晶素子の早期実用化が期待できる
。

実施例７ 実施例５で使用した例示化合物に加えて、以下に示す例
示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
７−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　造　式　　　　　　重量
部液晶組成物Ｂ この液晶組成物を用いた以外は全〈実施例１と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で駆動電圧マージン、駆動温度マージンを測定した。

測定結果を次に示す。

１０℃　　　２５℃　　　４０’Ｃ 駆動電圧マージン　　　　　１２．５Ｖ　　　　　１２
．８Ｖ　　　　　１２．２Ｖ（測定時設定Δｔ）　　　
　　（３３３μ５ｅｃ）　　（１２２μ５ｅｃ）　　（
４０μ５ｅｃ）駆動温度マージン　　　　　　±３．７
℃駆動時コントラスト　　　　　　　１３．０比較例７ 実施例７で使用した液晶組成物７−Ｈのうち例示化合物
Ｎ（１２−２２，２−１６３，２−７９，２−８０を混
合せずに、Ｂに対して例示化合物Ｎα１−４４．　１−
４６゜１−９９．１−１００．３−２４．３−８０．３
−９０のみを実施例７と同様の重量部にて混合した７−
ＢＩと例示化合物ＮＱＩ　−４４，１−４６，１−９９
，ｌ−１００を混合せずにＢに対して例示化合物Ｎα２
−２２．　２−１６３．２−７９．２−８０．３−２４
．３−８０．３−９０のみを混合した液晶組成物７−Ｂ
ｎを作成した。

液晶組成物７−Ｂを用いる代わりに、液晶組成物Ｂ、７
−ＢＩ、７−Ｂｎをセル内に注入する以外は全〈実施例
７と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電圧
マージンΔＶを測定した。

駆動電圧マージン（測定時設定Δｔ） ｌＯｏｏ　　　　　２５°０　　　　４０℃Ｂ　　　　
　８．５Ｖ　　　　　９．ＯＶ　　　　　８．２Ｖ（５
０８ｐ　５ｅｃ）　　　（１５８ｐ　５ｅｃ）　　　（
５６μ５ｅｃ）７−Ｂ　Ｉ　　　　８．６Ｖ　　　　　
９．ＩＶ　　　　　８．１Ｖ（３８５μ５ｅｃ）　　　
（１３５ｐ　５ｅｃ）　　　（４３μ５ｅｃ）７−Ｂ　
ｎ　　　　１０．２Ｖ　　　　　１０．３Ｖ　　　　　
１０．０Ｖ（４２４μ５ｅｃ）　　　（１４５μ５ｅｃ
）　　　（４９μ５ｅｃ）さらに２５℃における駆動温
度マージンはＢ　　　　上２゜０℃ ７−ＢＩ　　　　±２　、１００ ７−Ｂｎ　　　　上２゜９°Ｃ であった。

実施例７と比較例７より明らかな様に、本発明による液
晶組成物７−Ｂを含有する強誘電液晶素子の方が駆動電
圧マージン及び駆動温度マージンは広がっており、環境
温度の変化や、セルギャップバラツキに対して、画像を
良好に保つ能力に優れている。

実施例８ 実施例７で用いた液晶組成物７−Ｂを使用する以外は、
全（実施例６と同様の方法で液晶素子を作成し、素子内
の配向性を観察した。

＊１）ラビング強度は数字が大きい程強い◎：均−良好
な配向性モノドメイン状態欠陥全（無し ○：アルミナビーズ周辺の一部にスジ状配向欠陥がわず
かにある。

＊２）実施例７で用いたセル。

比較例８ 実施例８で使用した液晶組成物７−Ｈに代えて、比較例
７で用いた液晶組成物Ｂ、　７−ＢＩ、　７−Ｂｎを用
いた以外は、全〈実施例８と同様の方法で液晶素子を作
成し、素子内の配向性を観察した。

液晶組成物Ｂを使用した素子 液晶組成物７ ＢＩを使用した素子 液晶組成物７−ＢＩ［を使用した素子 ＊ｌ） 比較例７で用いたセル △： 配向は均一モノ ドメイン的だがアル ミナビーズ周辺全てにスジ状配向欠 陥と一部ジグザグ欠陥有り。

×　ジグザグ欠陥が多（確認される。

Ｘ、はぼ全面にジグザグ欠陥が生じ、配向不均一 実施例８と比較例８より明らかな様に、本発明による液
晶組成物７−Ｂは均一的なモノドメイン配向性を示し、
配向性の良好な液晶組成物といえる。

さらにまた、実施例７、比較例７と実施例８、比較例８
より明らかな様に、本発明による液晶組成物を用いるこ
とにより、強誘電性液晶素子の早期実用化が期待できる
。

実施例９〜２４ 実施例１で用いた例示化合物及び液晶組成物または実施
例５で用いた例示化合物及び液晶組成物に代えて表１に
示した例示化合物及び液晶組成物を各重量部で用いて、
９−Ａ、１０−Ａ、１１−Ａ、１２−Ａ。

１３−Ａ、　　１４−Ａ、　　１５−Ａ、　　１６−Ａ
、　　１７．−Ｂ、　　１９Ｂ、　２０−Ｂ、　２１−
Ｂ、　２２−Ｂ、　２３−Ｂ、　２４−Ｂの液晶組成物
を得た。これらを用いた他は全〈実施例１と同様の方法
により液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動
電圧マージン、駆動温度マージンを測定し、スイッチン
グ状態等を観察した。

作成した各々の液晶素子内の均一モノドメイン配向性は
良好であった。

測定結果を表１に示す。

実施例９〜２４より明らかな様に、本発明による液晶組
成物を含有する液晶素子は良好な配向性を示し、かつ駆
動電圧マージン、駆動温度マージンが広がっており、環
境温度の変化や、セルギャップのバラツキに対して、画
像を良好に保つ能力に優れている。

さらに、測定時設定パルス幅Δｔに着目すると、本発明
による液晶組成物を含有する液晶素子は応答速度の温度
依存性も軽減されている。

このことにより明らかな様に、本発明による液晶組成物
を用いることにより、強誘電性液晶素子の早期実用化が
期待できる。

実施例２５ 実施例１で使用したポリイミド樹脂前駆体１．５％ジメ
チルアセトアミド溶液に代えて、ポリビニルアルコール
樹脂［クラレ■製ＰＶＡ−１１７］　２％水溶液を用い
た他は全く同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実
施例１と同様の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

１０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ 駆動電圧？−シン１３．６Ｖ　　　　　１４．５Ｖ　　
　　　１３．３ＶＣ６０３μ５ｅｃ）　　（２１５ｐ　
５ｅｃ）　　（８５ｐ　５ｅｃ）駆動温度マージン　　
　　　　±４．６℃実施例２６ 実施例１で使用した５ｉ０２を用いずに、ポリイミド樹
脂だけで配向制御層を作成した以外は全〈実施例１と同
様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様
の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

ｌＯｏｏ　　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ駆動電
圧マージン１３．３Ｖ　　　　　１４．２Ｖ　　　　　
１３．０Ｖ（５９０μ５ｅｃ）　　（２０８Ｂ　５ｅｃ
）　　（８３μ５ｅｃ）駆動温度マージン　　　　　　
±４．５°Ｃまた、素子構成を変えた場合でも、本発明
による液晶組成物を含有する実施例２５．２６の素子は
実施例１とほぼ同様に良好な配向性を示していた。

実施例２５〜２６より明らかな様に、素子構成を変えた
場合でも、本発明に従う液晶組成物を含有する液晶素子
は、良好な配向性を示し、かつ駆動電圧マージン、駆動
温度マージンが広がっており、環境温度や、セルギャッ
プのバラツキに対して、画像を良好に保つ能力に優れて
いる。

〔発明の効果〕

本発明の液晶組成物は簡便なラビング処理によって容易
に配向し、かつ欠陥の無い均一なモノドメイン配同性を
示す配向性良好な液晶組成物であり、さらに、本発明の
液晶組成物を用いた液晶素子は、スイッチング特性が良
好で、駆動電圧マージンが大きく、液晶素子の表示エリ
ア上に、ある程度の温度バラツキがあっても全画素が良
好にマトリクス駆動できる駆動温度マージンの広がった
液晶素子とすることができ、強誘電性液晶素子の早期実
用化に大きく寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は液晶を用いた液晶表示素子の一例の断面概略図
。 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの例を模式的に表わす斜視図。 第４図は実施例等の中で用いた駆動法の波形図。 第５図はマトリクス電極を配置した液晶パネルの平面図
。 第６図は第４図（Ｂ）に示す時系列駆動波形で実際の駆
動を行った時の表示パターンの模式図。 第７図は駆動電圧を変化させた時の透過率の変化を表わ
す（Ｖ−Ｔ特性図）。 第１図において、 ■ ■。 第２図において、 １ａ １ｂ 液晶層 ガラス基板 透明電極 絶縁性配向制御層 スペーサー リード線 電源 偏光板 光源 透過光 入射光 基板 基板 強誘電性液晶層 ２４　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・第３図において、 １ａ １ｂ ３ａ ３ｂ ３４ａ　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・３４ｂ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・ａ ｂ を示す。 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ土） 電圧印加手段 電圧印加手段 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界 寧ム日（△） ＳＮ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２は炭素数１〜１６の置換基を
   有してもよい直鎖状または分岐状のアルキル基であり、
   Ｚ＿１は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−であ
   り、Ｘ＿１はハロゲン原子、−Ａ＿１−は単結合あるい
   は▲数式、化学式、表等があります▼である。） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種と、下記一
   般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿３、Ｒ＿４は炭素数１〜１６の置換基を
   有していてもよい直鎖状または分岐状のアルキル基であ
   り、Ｚ＿２、Ｚ＿３は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−
   ＯＣＯ−である。Ａ＿２、Ａ＿３は単結合、▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等
   があります▼ である。Ｘ＿２は水素原子またはハロゲン原子である。 ただし、Ａ＿２が単結合の時Ｚ＿２は単結合であり、Ａ
   ＿３が単結合の時Ｚ＿３は単結合である。） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種とを含有す
   ることを特徴とする液晶組成物。
2. （２）下記一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （ただし、Ｒ＿５は置換基を有していても良い炭素数１
   〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。 Ｙ＿１は単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、
   −ＯＣＨ＿２−、−ＣＯＳ−、−ＳＣＯ−、−ＣＨ＝Ｃ
   Ｈ−ＣＯＯ−であり、Ｚ＿４は単結合、−Ｏ−、▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼、Ｚ＿５は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式
   、表等があります▼である。▲数式、化学式、表等があ
   ります▼は▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼もしくは▲数式、化
   学式、表等があります▼であり、ｌは１〜１２である。 ） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種をさらに含
   有することを特徴とする特許請求の範囲第１項の液晶組
   成物。
3. （３）特許請求の範囲第１項および第２項記載の液晶組
   成物を１対の電極基板間に配置してなることを特徴とす
   る液晶素子。