JP2857366B2 - 半導体素子製造方法 - Google Patents
半導体素子製造方法Info
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- JP2857366B2 JP2857366B2 JP8085502A JP8550296A JP2857366B2 JP 2857366 B2 JP2857366 B2 JP 2857366B2 JP 8085502 A JP8085502 A JP 8085502A JP 8550296 A JP8550296 A JP 8550296A JP 2857366 B2 JP2857366 B2 JP 2857366B2
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子製造方法に関
し、特に高集積化された半導体素子のキャパシターを形
成することにおいて、高誘電率を有する誘電体膜を形成
することができるよう組織が緻密で平坦な下部電極を形
成する技術に関する。
し、特に高集積化された半導体素子のキャパシターを形
成することにおいて、高誘電率を有する誘電体膜を形成
することができるよう組織が緻密で平坦な下部電極を形
成する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】通常、白金電極は電荷蓄積用誘電体薄膜
のための下部電極材料としてDRAM又は非揮発性RA
Mに用いられており、さらに、表示素子用薄膜のための
下部電極材として赤外線感知用薄膜(IR senso
r)、光メモリ、光スイッチ及び光変調器等に用いられ
ている。単位セルが一つのモス トランジスタとキャパ
シターで構成されるディーラム素子は、下記のようなキ
ャパシターの静電容量Cを有する。
のための下部電極材料としてDRAM又は非揮発性RA
Mに用いられており、さらに、表示素子用薄膜のための
下部電極材として赤外線感知用薄膜(IR senso
r)、光メモリ、光スイッチ及び光変調器等に用いられ
ている。単位セルが一つのモス トランジスタとキャパ
シターで構成されるディーラム素子は、下記のようなキ
ャパシターの静電容量Cを有する。
【0003】C=(Eo×Er×A)/T (但し、Eoは真空誘電率、Erは誘電膜の誘電率、A
はキャパシターの面積、なおTは誘電膜の厚さ) 静電容量Cに対する表現式から理解できるように、半導
体素子が高集積化されセルの大きさが低減することによ
り貯蔵電極の表面積に比例する静電容量を充分に確保す
ることが難しくなっている。なぜならば、チップ上で広
い面積を占めるキャパシターの静電容量Cを大きくしな
がら面積を減らすことがディーラム素子の高集積化に重
要な要因となるので、静電容量Cを増加させるため誘電
常数Erが高い物質、即ち高誘電率を有する物質を用い
て誘電膜の厚さTを薄く形成しなければならないためで
ある。さらに、下部電極の表面構造(Surface
Morphology)はキャパシターを形成する場
合、重要な要素として作用する。即ち、下部電極の表面
構造が粗い表面である場合、その下部電極上部の誘電膜
と上部電極を形成すると、下部電極の表面で発生するヒ
ルロック(hillock)及びピンホール(pinh
ole)により、上部及び下部電極が電気的な特性でシ
ョート(short)する現象が起る。このような現象
が発生すると、電気素子の故障(fail)が生じ、そ
のため製品の歩留りが保障されないので半導体素子の信
頼性及び生産性を低下させ、高集積化を達成するには問
題点を有することになる。
はキャパシターの面積、なおTは誘電膜の厚さ) 静電容量Cに対する表現式から理解できるように、半導
体素子が高集積化されセルの大きさが低減することによ
り貯蔵電極の表面積に比例する静電容量を充分に確保す
ることが難しくなっている。なぜならば、チップ上で広
い面積を占めるキャパシターの静電容量Cを大きくしな
がら面積を減らすことがディーラム素子の高集積化に重
要な要因となるので、静電容量Cを増加させるため誘電
常数Erが高い物質、即ち高誘電率を有する物質を用い
て誘電膜の厚さTを薄く形成しなければならないためで
ある。さらに、下部電極の表面構造(Surface
Morphology)はキャパシターを形成する場
合、重要な要素として作用する。即ち、下部電極の表面
構造が粗い表面である場合、その下部電極上部の誘電膜
と上部電極を形成すると、下部電極の表面で発生するヒ
ルロック(hillock)及びピンホール(pinh
ole)により、上部及び下部電極が電気的な特性でシ
ョート(short)する現象が起る。このような現象
が発生すると、電気素子の故障(fail)が生じ、そ
のため製品の歩留りが保障されないので半導体素子の信
頼性及び生産性を低下させ、高集積化を達成するには問
題点を有することになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、下部
電極の表面に発生するヒルロック及びピンホールによる
ショート現象を減少させるため緻密で平坦な下部電極を
有する半導体素子製造方法を提供することにある。
電極の表面に発生するヒルロック及びピンホールによる
ショート現象を減少させるため緻密で平坦な下部電極を
有する半導体素子製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体素子製造方法の第1態様によれ
ば、ウェーハが装着された反応チャンバ内部を高真空に
形成する工程と、ウェーハを上昇した温度で加熱させる
工程と、反応チャンバ内でシリコン酸化膜が形成された
ウェーハ上部に下部電極用導電層をプラズマ蒸着により
形成する工程と、下部電極用導電層を安定させるため熱
処理する工程とを有し、キャパシター下部電極を形成す
る。
めに、本発明の半導体素子製造方法の第1態様によれ
ば、ウェーハが装着された反応チャンバ内部を高真空に
形成する工程と、ウェーハを上昇した温度で加熱させる
工程と、反応チャンバ内でシリコン酸化膜が形成された
ウェーハ上部に下部電極用導電層をプラズマ蒸着により
形成する工程と、下部電極用導電層を安定させるため熱
処理する工程とを有し、キャパシター下部電極を形成す
る。
【0006】さらに、本発明の半導体素子製造方法の第
2態様によれば、酸化膜が蒸着されたウェーハを装着し
た反応チャンバ内部を高真空に形成する工程と、ウェー
ハを上昇した温度で加熱させる工程と、ウェーハに形成
された酸化膜上部に下部電極用第1ターゲット物質をプ
ラズマ蒸着方法で形成する工程と、第1ターゲット物質
層上部に第2ターゲット物質層をプラズマ蒸着方法で形
成する工程と、下部電極用第1及び第2ターゲット物質
層を安定させるため後続熱処理する工程とを有し、キャ
パシター下部電極を形成する。
2態様によれば、酸化膜が蒸着されたウェーハを装着し
た反応チャンバ内部を高真空に形成する工程と、ウェー
ハを上昇した温度で加熱させる工程と、ウェーハに形成
された酸化膜上部に下部電極用第1ターゲット物質をプ
ラズマ蒸着方法で形成する工程と、第1ターゲット物質
層上部に第2ターゲット物質層をプラズマ蒸着方法で形
成する工程と、下部電極用第1及び第2ターゲット物質
層を安定させるため後続熱処理する工程とを有し、キャ
パシター下部電極を形成する。
【0007】
【作用】このような本発明による半導体素子製造方法に
よれば、緻密で平坦な下部電極を形成することができ、
その表面が平滑で結晶性が優れた高誘電体薄膜を得るこ
とができる。
よれば、緻密で平坦な下部電極を形成することができ、
その表面が平滑で結晶性が優れた高誘電体薄膜を得るこ
とができる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態による半
導体素子製造方法を添付の図面と共に参照して本発明を
詳細に説明する。
導体素子製造方法を添付の図面と共に参照して本発明を
詳細に説明する。
【0009】図1は本発明の一実施形態である半導体素
子製造方法により下部電極を形成する際に用いられるス
パッタリング装置を示す。図1において、反応チャンバ
11の内部には、例えばマグネトロンスパッタリング装
置のような反応チャンバ11内の温度を維持させるため
外部のサーモカップル25と連結した加熱機13、加熱
機13上の中央部に配置されるウェーハ15、このウェ
ーハ15に白金を蒸着する際にその厚さを一定に調節す
るためのシャッター21、及びDC電源供給装置17か
らウェーハ15を加熱させるために反応チャンバ11上
部に固定して取り付けられた高純度の白金ターゲット1
9が備えられる。反応チャンバ11の一側面には真空ポ
ンプ100が固定される。加熱器13はその内部にカン
タル(Kantal)を有するレジスタンスヒーティン
グ(resistance−heating)方式また
は他の方式により、常温で700℃まで加熱することが
できる。
子製造方法により下部電極を形成する際に用いられるス
パッタリング装置を示す。図1において、反応チャンバ
11の内部には、例えばマグネトロンスパッタリング装
置のような反応チャンバ11内の温度を維持させるため
外部のサーモカップル25と連結した加熱機13、加熱
機13上の中央部に配置されるウェーハ15、このウェ
ーハ15に白金を蒸着する際にその厚さを一定に調節す
るためのシャッター21、及びDC電源供給装置17か
らウェーハ15を加熱させるために反応チャンバ11上
部に固定して取り付けられた高純度の白金ターゲット1
9が備えられる。反応チャンバ11の一側面には真空ポ
ンプ100が固定される。加熱器13はその内部にカン
タル(Kantal)を有するレジスタンスヒーティン
グ(resistance−heating)方式また
は他の方式により、常温で700℃まで加熱することが
できる。
【0010】かかるスパッタリング装置を用いてウェー
ハ上部にキャパシターの下部電極を蒸着する過程を記述
すると次の通りである。先ず、スパッタリングチャンバ
11内を高真空状態、例えば数乃至数十×10-6Tor
rに維持するためディビュジョンのような真空ポンプ1
00を稼働する。その後、チャンバ11内が高真空とな
った状態で30分乃至1時間の間、ウェーハ15を35
0乃至450℃に加熱する。
ハ上部にキャパシターの下部電極を蒸着する過程を記述
すると次の通りである。先ず、スパッタリングチャンバ
11内を高真空状態、例えば数乃至数十×10-6Tor
rに維持するためディビュジョンのような真空ポンプ1
00を稼働する。その後、チャンバ11内が高真空とな
った状態で30分乃至1時間の間、ウェーハ15を35
0乃至450℃に加熱する。
【0011】そして、チャンバ11内に不活性ガスを流
入させ直流電源供給装置17に所定電圧を供給させプラ
ズマを起こすようにする。アルゴンガス23をフローさ
せると共に白金ターゲット19とウェーハ15の下部に
印加するDC電源17の電圧を270乃至310ボル
ト、電流を0.05乃至0.10アンペアで供給するこ
とにより、プラズマを発生させ、シリコン酸化膜が蒸着
されたウェーハ15に下部電極で用いられる白金19を
蒸着する。ここで、白金19の蒸着の厚さを調節するた
めに、白金ターゲット19とウェーハ15との間にある
シャッター21を閉めた状態で充分な時間の間、プリー
スパッタリング(pre−sputtering)を行
い、その後シャッター21をオープンしてスパッタリン
グを行う。白金を蒸着した後は2×10-6Torrの真
空雰囲気でウェーハ温度を600乃至700℃にし、後
処理工程を30分程度行う。ウェーハ15に蒸着される
白金19の蒸着の厚さは80乃至120nmである。次
に、ウェーハ15を真空雰囲気でゆっくり冷却する。
入させ直流電源供給装置17に所定電圧を供給させプラ
ズマを起こすようにする。アルゴンガス23をフローさ
せると共に白金ターゲット19とウェーハ15の下部に
印加するDC電源17の電圧を270乃至310ボル
ト、電流を0.05乃至0.10アンペアで供給するこ
とにより、プラズマを発生させ、シリコン酸化膜が蒸着
されたウェーハ15に下部電極で用いられる白金19を
蒸着する。ここで、白金19の蒸着の厚さを調節するた
めに、白金ターゲット19とウェーハ15との間にある
シャッター21を閉めた状態で充分な時間の間、プリー
スパッタリング(pre−sputtering)を行
い、その後シャッター21をオープンしてスパッタリン
グを行う。白金を蒸着した後は2×10-6Torrの真
空雰囲気でウェーハ温度を600乃至700℃にし、後
処理工程を30分程度行う。ウェーハ15に蒸着される
白金19の蒸着の厚さは80乃至120nmである。次
に、ウェーハ15を真空雰囲気でゆっくり冷却する。
【0012】シリコンウェーハ15上部にシリコン酸化
膜が形成され、その上部にチタンまたはタンタル、そし
て白金の2層構造でキャパシターの下部電極を形成する
場合、チタンまたはタンタルは常温でシリコン酸化膜上
部に蒸着され、チタンやタンタルは20乃至30nmの
厚さに蒸着し、その上部には白金を100乃至120n
mの厚さに蒸着する。
膜が形成され、その上部にチタンまたはタンタル、そし
て白金の2層構造でキャパシターの下部電極を形成する
場合、チタンまたはタンタルは常温でシリコン酸化膜上
部に蒸着され、チタンやタンタルは20乃至30nmの
厚さに蒸着し、その上部には白金を100乃至120n
mの厚さに蒸着する。
【0013】図2乃至図3は、本発明の実施形態による
白金で下部電極を形成する際、又はチタン(タンタル)
と白金との2層構造で下部電極を形成する際、白金の蒸
着温度によるXRD;X−ray Diffracti
onのパターンを示したグラフであり、X線パターンは
次の式を満足する際、発生する。
白金で下部電極を形成する際、又はチタン(タンタル)
と白金との2層構造で下部電極を形成する際、白金の蒸
着温度によるXRD;X−ray Diffracti
onのパターンを示したグラフであり、X線パターンは
次の式を満足する際、発生する。
【0014】nλ=2dsinθ 但し、n:回折常数、λ:X−ray波長長さ、d:距
離、θ:ブレグ回折角を示す。
離、θ:ブレグ回折角を示す。
【0015】図2は、本発明の第1実施例によりウェー
ハ表面に形成されたシリコン酸化物上部に、下部電極と
して白金を100nm厚さに蒸着する時の温度に応じた
X−線パターンを示したグラフである。図2を参照する
と、シリコン酸化膜が蒸着されたウェーハ15に白金1
9を蒸着してキャパシターの下部電極を形成する工程の
うち、ブレグ回折角θ(X−軸)に対するエックスレイ
の強度(Y−軸)を下部電極の温度変化により測定した
ものである。図2のグラフは白金電極の蒸着温度が25
℃から400℃に増加するにしたがい結晶性および11
1配向性が増加し、350乃至450℃温度からは大き
な変化がないことを示す。即ち、このX線パターンは常
温で蒸着する時を除いた温度では下部電極構造が111
方向性を有するよう形成されることを示す。
ハ表面に形成されたシリコン酸化物上部に、下部電極と
して白金を100nm厚さに蒸着する時の温度に応じた
X−線パターンを示したグラフである。図2を参照する
と、シリコン酸化膜が蒸着されたウェーハ15に白金1
9を蒸着してキャパシターの下部電極を形成する工程の
うち、ブレグ回折角θ(X−軸)に対するエックスレイ
の強度(Y−軸)を下部電極の温度変化により測定した
ものである。図2のグラフは白金電極の蒸着温度が25
℃から400℃に増加するにしたがい結晶性および11
1配向性が増加し、350乃至450℃温度からは大き
な変化がないことを示す。即ち、このX線パターンは常
温で蒸着する時を除いた温度では下部電極構造が111
方向性を有するよう形成されることを示す。
【0016】一方、白金電極蒸着温度を常温乃至200
℃として蒸着すれば、蒸着された白金電極の微細構造は
組織が密でないため多様の孔が形成され、ヒルロックが
形成され平坦にならなくなる。また、600℃以上の蒸
着温度で蒸着さた下部電極は組織は緻密であるが、ピン
ホールが現われる現象を現す。
℃として蒸着すれば、蒸着された白金電極の微細構造は
組織が密でないため多様の孔が形成され、ヒルロックが
形成され平坦にならなくなる。また、600℃以上の蒸
着温度で蒸着さた下部電極は組織は緻密であるが、ピン
ホールが現われる現象を現す。
【0017】しかし、350乃至450℃の温度で蒸着
された下部電極は非常に平坦で緻密な構造に形成され
る。さらに、真空熱処理工程で残っているヒルロックを
除去して一層平坦な下部電極を形成する。この際、真空
熱処理工程は説明したような工程の流れで行ったもので
ある。このような現象等は白金19をウェーハ15上部
に80乃至120nm厚さで形成した後に測定しグラフ
で示したものである。
された下部電極は非常に平坦で緻密な構造に形成され
る。さらに、真空熱処理工程で残っているヒルロックを
除去して一層平坦な下部電極を形成する。この際、真空
熱処理工程は説明したような工程の流れで行ったもので
ある。このような現象等は白金19をウェーハ15上部
に80乃至120nm厚さで形成した後に測定しグラフ
で示したものである。
【0018】図3は、本発明の実施例により白金を蒸着
する際、白金薄膜の蒸着温度による高誘電率薄膜(BS
T)のXRDパターンを示したグラフを示す。図3を参
照すると、下部電極で用いられる白金表面に高誘電率薄
膜(Barium Strontium Titani
de;BST)蒸着工程の際、白金電極の蒸着温度によ
りブレグ回折角(X−軸)に対するXRDの強度パター
ンを示したものである。高誘電率薄膜(BST)は55
0乃至650℃温度で厚さ100nmに蒸着する。この
白金電極19はシリコン酸化膜が蒸着されたシリコンウ
ェーハ13上部に積層される。ここで、高誘電率薄膜の
結晶性は110配向性を有する。即ち、下部電極の製造
温度により高誘電率薄膜の結晶性が大きく変わるが、4
00℃以上では殆ど同様のピーク(peak)が現われ
ることが判る。
する際、白金薄膜の蒸着温度による高誘電率薄膜(BS
T)のXRDパターンを示したグラフを示す。図3を参
照すると、下部電極で用いられる白金表面に高誘電率薄
膜(Barium Strontium Titani
de;BST)蒸着工程の際、白金電極の蒸着温度によ
りブレグ回折角(X−軸)に対するXRDの強度パター
ンを示したものである。高誘電率薄膜(BST)は55
0乃至650℃温度で厚さ100nmに蒸着する。この
白金電極19はシリコン酸化膜が蒸着されたシリコンウ
ェーハ13上部に積層される。ここで、高誘電率薄膜の
結晶性は110配向性を有する。即ち、下部電極の製造
温度により高誘電率薄膜の結晶性が大きく変わるが、4
00℃以上では殆ど同様のピーク(peak)が現われ
ることが判る。
【0019】図4は、本発明の実施例により下部電極を
形成する際、下部電極表面に形成される高誘電率薄膜で
電圧に対する漏洩電流特性を示し、これはX.R.D.
(XRD;X−ray Diffraction、以下
でXRDという)パターンと白金の下部電極の蒸着温度
による高誘電率薄膜の漏洩電流特性を示すグラフ図であ
る。図4を参照すると、この電極は高誘電率薄膜の電圧
に対する漏洩電流特性が約400℃近傍で優れているこ
とが明らかである。即ち、常温よりも700℃近傍でさ
らに小さい漏洩電流が発生し、700℃より400℃付
近で一層小さい漏洩電流が発生する。
形成する際、下部電極表面に形成される高誘電率薄膜で
電圧に対する漏洩電流特性を示し、これはX.R.D.
(XRD;X−ray Diffraction、以下
でXRDという)パターンと白金の下部電極の蒸着温度
による高誘電率薄膜の漏洩電流特性を示すグラフ図であ
る。図4を参照すると、この電極は高誘電率薄膜の電圧
に対する漏洩電流特性が約400℃近傍で優れているこ
とが明らかである。即ち、常温よりも700℃近傍でさ
らに小さい漏洩電流が発生し、700℃より400℃付
近で一層小さい漏洩電流が発生する。
【0020】
【発明の効果】以上で説明したように、本発明の実施例
による半導体素子の製造方法は、酸化膜が一定厚さ形成
されたウェーハ上部に白金でキャパシターの下部電極を
形成する場合、350乃至450℃で形成することによ
り組織が緻密で平坦な下部電極を形成することができ、
さらに、下部電極上部に高誘電率薄膜を蒸着可能にする
ことにより、半導体素子の信頼性及び生産製品の均一性
を向上させ半導体素子の高集積化を可能にする利点があ
る。
による半導体素子の製造方法は、酸化膜が一定厚さ形成
されたウェーハ上部に白金でキャパシターの下部電極を
形成する場合、350乃至450℃で形成することによ
り組織が緻密で平坦な下部電極を形成することができ、
さらに、下部電極上部に高誘電率薄膜を蒸着可能にする
ことにより、半導体素子の信頼性及び生産製品の均一性
を向上させ半導体素子の高集積化を可能にする利点があ
る。
【図1】通常のマグネトロンスパッタリング装置の概略
図。
図。
【図2】本発明の第1実施例により下部電極で白金を蒸
着する際の温度によるX線を示したグラフ。
着する際の温度によるX線を示したグラフ。
【図3】本発明の実施例により白金を蒸着する際の白金
蒸着温度による高誘電率薄膜(BST)のX−線パター
ンを示したグラフ。
蒸着温度による高誘電率薄膜(BST)のX−線パター
ンを示したグラフ。
【図4】本発明の実施例による白金蒸着の際、白金上部
に蒸着される高誘電率薄膜の漏洩電流を示した図。
に蒸着される高誘電率薄膜の漏洩電流を示した図。
11:反応チャンバ 13:加熱器 15:ウェーハ 17:DC電源 19:白金ターゲット 21:シャッタ
ー 23:アルゴンガス 25:サーモカ
ップル 100:真空ポンプ
ー 23:アルゴンガス 25:サーモカ
ップル 100:真空ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 27/04 (72)発明者 金 鍾哲 大韓民国京畿道利川郡夫鉢邑牙美里山 136−1 現代電子産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−326270(JP,A) 特開 平4−14862(JP,A) 特開 平7−30071(JP,A) 特開 平7−263570(JP,A) 特開 平8−55967(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 27/108 H01L 21/31 H01L 21/316 H01L 21/822 H01L 21/8242 H01L 27/04
Claims (8)
- 【請求項1】 半導体素子製造方法において、 シリコン酸化膜が形成されたウェーハが装着されたスパ
ッタリング装置の反応チャンバ内部を高真空に形成する
工程と、 前記ウェーハを上昇した350℃〜450℃の温度で加
熱させる工程と、 前記反応チャンバ内に不活性ガスを導入し、前記シリコ
ン酸化膜上にキャパシター下部電極用の白金導電層を形
成するために350℃〜450℃の温度で白金ターゲッ
トを用いてスパッタリングする工程と、6 00℃〜700℃範囲の温度に保持される真空雰囲気
下で前記ウェーハを熱処理して前記導電層を安定化させ
る工程と、 真空雰囲気下で、前記ウェーハを徐々に冷却させる工程
でなるキャパシタ下部電極形成方法を含むことを特徴と
する半導体素子製造方法。 - 【請求項2】 前記下部電極用白金導電層の厚さは、7
0乃至90nmであることを特徴とする請求項1記載の
半導体素子製造方法。 - 【請求項3】 前記下部電極用白金導電層を蒸着する際
に印加される電源は、電圧270乃至310ボルト、電
流0.05乃至0.10アンペアであることを特徴とす
る請求項1記載の半導体素子製造方法。 - 【請求項4】 半導体素子製造方法において、 酸化膜が蒸着されたウェーハを装着したスパッタリング
装置の反応チャンバ内部を高真空に形成する工程と、 前記ウェーハを上昇した350℃〜450℃の温度に加
熱させる工程と、 前記反応チャンバ内に不活性ガスを導入し、前記酸化膜
上にキャパシター下部電極用の第1物質導電層を形成す
るために350℃〜450℃の温度で第1ターゲット物
質を用いてスパッタリングする工程と、 前記第1ターゲット物質層上にキャパシター下部電極用
の第2物質導電層を形成するために350℃〜450℃
の温度で第2ターゲット物質を用いてスパッタリングす
る工程と、6 00℃〜700℃範囲の温度に保持される真空雰囲気
下で前記ウェーハを熱処理して前記第1および第2導電
層を安定化させる工程と、 真空雰囲気下で、前記ウェーハを徐々に冷却させる工程
でなるキャパシタ下部電極形成方法を含むことを特徴と
する半導体素子製造方法。 - 【請求項5】 前記第1ターゲット物質層はタンタル又
はチタンであることを特徴とする請求項4記載の半導体
素子製造方法。 - 【請求項6】 前記第2ターゲット物質は白金であるこ
とを特徴とする請求項4記載の半導体素子製造方法。 - 【請求項7】 前記第1ターゲット物質層は常温で蒸着
されることを特徴とする請求項4記載の半導体素子製造
方法。 - 【請求項8】 前記下部電極は400℃で蒸着された白
金を含むことを特徴とする請求項4記載の半導体素子製
造方法。
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