JP2845085B2 - 磁気記録装置の高周波変調磁界発生回路 - Google Patents
磁気記録装置の高周波変調磁界発生回路Info
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- JP2845085B2 JP2845085B2 JP9968593A JP9968593A JP2845085B2 JP 2845085 B2 JP2845085 B2 JP 2845085B2 JP 9968593 A JP9968593 A JP 9968593A JP 9968593 A JP9968593 A JP 9968593A JP 2845085 B2 JP2845085 B2 JP 2845085B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録装置の高周波変
調磁界発生回路に係り、特に磁界変調方式によりオーバ
ーライトを行なう磁気記録装置の高周波変調磁界発生回
路に関する。
調磁界発生回路に係り、特に磁界変調方式によりオーバ
ーライトを行なう磁気記録装置の高周波変調磁界発生回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子計算機の発達にともない、光
磁気ディスク装置が低価格で大容量の補助記憶装置とし
て要望されている。光磁気ディスク装置によりデータの
記録を高速で行なうために、種々のオーバーライト方式
が提案されており、その一つとして、レーザ光強度を一
定にしておいてバイアス磁界の向きを変調して記録を行
なう磁界変調方式が知られている。また、バイアス磁界
の変調方法としては、励磁コイルに流す励磁電流の向き
をたとえばスイッチング素子を用いて反転させることで
変調を行なう方法がある。
磁気ディスク装置が低価格で大容量の補助記憶装置とし
て要望されている。光磁気ディスク装置によりデータの
記録を高速で行なうために、種々のオーバーライト方式
が提案されており、その一つとして、レーザ光強度を一
定にしておいてバイアス磁界の向きを変調して記録を行
なう磁界変調方式が知られている。また、バイアス磁界
の変調方法としては、励磁コイルに流す励磁電流の向き
をたとえばスイッチング素子を用いて反転させることで
変調を行なう方法がある。
【０００３】以下、図５に基づいて、従来の磁気記録装
置の高周波変調磁界発生回路の一例について説明する。
図５において、定電流源Ｊ１及びＪ２は定電圧源Ｅから
定電圧Ｖを供給されており、それぞれ所定の定電流を補
償コイルＬ１及びＬ２に供給する。両コイル間には励磁
コイルＬＭが接続されており、各々の接続点にはトラン
ジスタ、MOSFET等のスイッチング素子５１と５２が接続
されている。補償コイルＬ１及びＬ２のインダクタンス
値は、図示しない磁気記録媒体と所定距離離間して配設
される励磁コイルＬＭのインダクタンス値に比べて十分
大きな値とされている。
置の高周波変調磁界発生回路の一例について説明する。
図５において、定電流源Ｊ１及びＪ２は定電圧源Ｅから
定電圧Ｖを供給されており、それぞれ所定の定電流を補
償コイルＬ１及びＬ２に供給する。両コイル間には励磁
コイルＬＭが接続されており、各々の接続点にはトラン
ジスタ、MOSFET等のスイッチング素子５１と５２が接続
されている。補償コイルＬ１及びＬ２のインダクタンス
値は、図示しない磁気記録媒体と所定距離離間して配設
される励磁コイルＬＭのインダクタンス値に比べて十分
大きな値とされている。
【０００４】両スイッチング素子５１及び５２が外部か
ら入力される記録信号Ｒに応じてスイッチング制御部５
３によってスイッチング制御されることにより、励磁コ
イルＬＭに流れる励磁電流ＩＭの向きは記録信号Ｒに基
づいて変調される。この結果、磁気記録媒体のバイアス
磁界を高周波変調して所定の記録を行なえるよう構成さ
れている。
ら入力される記録信号Ｒに応じてスイッチング制御部５
３によってスイッチング制御されることにより、励磁コ
イルＬＭに流れる励磁電流ＩＭの向きは記録信号Ｒに基
づいて変調される。この結果、磁気記録媒体のバイアス
磁界を高周波変調して所定の記録を行なえるよう構成さ
れている。
【０００５】すなわち、スイッチング素子５１がオフ、
スイッチング素子５２がオンのときは、励磁電流ＩＭは
スイッチング素子５２を介して実線で示すとおりに流
れ、磁気記録媒体には励磁電流ＩＭの向きに応じた磁界
（正方向とする）が発生する。またこの時、電流源Ｊ２
から補償コイルＬ２を介してスイッチング素子５２に定
電流Ｉ２が流れ、スイッチング素子５２は飽和状態とさ
れている。
スイッチング素子５２がオンのときは、励磁電流ＩＭは
スイッチング素子５２を介して実線で示すとおりに流
れ、磁気記録媒体には励磁電流ＩＭの向きに応じた磁界
（正方向とする）が発生する。またこの時、電流源Ｊ２
から補償コイルＬ２を介してスイッチング素子５２に定
電流Ｉ２が流れ、スイッチング素子５２は飽和状態とさ
れている。
【０００６】つづいてスイッチング素子５１がオン、ス
イッチング素子５２がオフとされた場合には、電流Ｉ２
は破線で示すとおりに励磁コイルＬＭを流れて励磁電流
とされ、磁気記録媒体に負方向の磁界を発生させる。同
時に、電流Ｉ２は補償コイルＬ１を介して電流源Ｊ１か
ら供給される定電流Ｉ１と共にスイッチング素子５１に
流れ、所定のスイッチング時間後にこれを飽和状態とす
る。
イッチング素子５２がオフとされた場合には、電流Ｉ２
は破線で示すとおりに励磁コイルＬＭを流れて励磁電流
とされ、磁気記録媒体に負方向の磁界を発生させる。同
時に、電流Ｉ２は補償コイルＬ１を介して電流源Ｊ１か
ら供給される定電流Ｉ１と共にスイッチング素子５１に
流れ、所定のスイッチング時間後にこれを飽和状態とす
る。
【０００７】上記の回路において、補償コイルＬ１及び
Ｌ２には常時定電流が流れており、スイッチング時にこ
れらの電流を各スイッチング素子に流し込むことによっ
て各スイッチング素子のターンオン時間を短縮し、高速
でスイッチングされる場合でも励磁コイルＬＭにほぼ一
定振幅の励磁電流を供給する構成とされている。
Ｌ２には常時定電流が流れており、スイッチング時にこ
れらの電流を各スイッチング素子に流し込むことによっ
て各スイッチング素子のターンオン時間を短縮し、高速
でスイッチングされる場合でも励磁コイルＬＭにほぼ一
定振幅の励磁電流を供給する構成とされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の磁気記録装置の高周波変調磁界発生回路によれば、定
電流回路を使用しているために消費電力が多く、また回
路が複雑になる問題があった。
の磁気記録装置の高周波変調磁界発生回路によれば、定
電流回路を使用しているために消費電力が多く、また回
路が複雑になる問題があった。
【０００９】本発明は、上記の問題を解決した磁気記録
装置の高周波変調磁界発生回路を提供することを目的と
する。
装置の高周波変調磁界発生回路を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の問題は、図１の原
理図のとおり構成することにより解決される。
理図のとおり構成することにより解決される。
【００１１】すなわち、記録信号Ｒに基づいて変調され
た電流を励磁コイルに供給することで励磁コイルにより
高周波変調磁界を発生させ、高周波変調磁界を磁気記録
媒体Ｄに付与して磁気記録を行なう磁気記録装置の高周
波変調磁界発生回路において、夫々略同一のインピーダ
ンスを有すると共に夫々の一端を共通接続点Ｃに接続さ
れており共通接続点Ｃより入来する電流によって互いに
逆方向の磁界を発生するように巻回された夫々複数の第
１の励磁コイル11〜1m及び第２の励磁コイル２ 1 〜２n
(ただし、ｍ及びｎは２以上の整数）と、一端に定電圧
Ｖが入来し他端を共通接続点Ｃに接続された駆動コイル
３と、夫々略同一のオン抵抗を有すると共に夫々の一端
を複数の第１の励磁コイル11〜1m及び複数の第２の励磁
コイル２1〜２n の夫々の他端に接続された複数のスイ
ッチング手段４1 〜４m+n と、記録信号Ｒよりも高い周
波数のクロック信号CKと記録信号Ｒとに基づいて複数の
制御信号CT1 〜CTm+n を生成し複数の第１の励磁コイル
11〜1m及び複数の第２の励磁コイル２1 〜２n 夫々のい
ずれか一つをクロック信号CKに応じた一定のタイミング
で交互にオンさせるように複数のスイッチング手段４1
〜４m+n を複数の制御信号CT1 〜CTm+n によってスイッ
チング制御する制御手段５とを具備することにより解決
される。
た電流を励磁コイルに供給することで励磁コイルにより
高周波変調磁界を発生させ、高周波変調磁界を磁気記録
媒体Ｄに付与して磁気記録を行なう磁気記録装置の高周
波変調磁界発生回路において、夫々略同一のインピーダ
ンスを有すると共に夫々の一端を共通接続点Ｃに接続さ
れており共通接続点Ｃより入来する電流によって互いに
逆方向の磁界を発生するように巻回された夫々複数の第
１の励磁コイル11〜1m及び第２の励磁コイル２ 1 〜２n
(ただし、ｍ及びｎは２以上の整数）と、一端に定電圧
Ｖが入来し他端を共通接続点Ｃに接続された駆動コイル
３と、夫々略同一のオン抵抗を有すると共に夫々の一端
を複数の第１の励磁コイル11〜1m及び複数の第２の励磁
コイル２1〜２n の夫々の他端に接続された複数のスイ
ッチング手段４1 〜４m+n と、記録信号Ｒよりも高い周
波数のクロック信号CKと記録信号Ｒとに基づいて複数の
制御信号CT1 〜CTm+n を生成し複数の第１の励磁コイル
11〜1m及び複数の第２の励磁コイル２1 〜２n 夫々のい
ずれか一つをクロック信号CKに応じた一定のタイミング
で交互にオンさせるように複数のスイッチング手段４1
〜４m+n を複数の制御信号CT1 〜CTm+n によってスイッ
チング制御する制御手段５とを具備することにより解決
される。
【００１２】
【作用】上記構成の本発明によれば、複数の第１の励磁
コイル11〜1mと複数のスイッチング手段４1 〜４m 、及
び複数の第２の励磁コイル２1 〜２n と複数のスイッチ
ング手段４m+1 〜４m+n とが夫々直列に接続され、これ
らの直列回路には共通接続点Ｃから駆動コイル３を介し
て定電圧が入来する。そして、制御手段５が、記録信号
Ｒよりも高い周波数のクロック信号CKと記録信号Ｒとに
基づいて複数の制御信号CT1 〜CTm+n を生成し複数の第
１の励磁コイル11〜1m及び複数の第２の励磁コイル２1
〜２n 夫々のいずれか一つをクロック信号CKに応じた一
定のタイミングで、かつ略同一のオン抵抗で交互にオン
させるように複数のスイッチング手段４1 〜４m+n を複
数の制御信号CT1 〜CTm+n によってスイッチング制御す
ることで、記録信号Ｒに基づいて変調された電流が複数
の第１の励磁コイル11〜1m及び複数の第２の励磁コイル
２1 〜２n に一定のタイミングで供給されて夫々逆方向
の磁界が交互に発生し、高周波変調磁界を発生するよう
に作用する。
コイル11〜1mと複数のスイッチング手段４1 〜４m 、及
び複数の第２の励磁コイル２1 〜２n と複数のスイッチ
ング手段４m+1 〜４m+n とが夫々直列に接続され、これ
らの直列回路には共通接続点Ｃから駆動コイル３を介し
て定電圧が入来する。そして、制御手段５が、記録信号
Ｒよりも高い周波数のクロック信号CKと記録信号Ｒとに
基づいて複数の制御信号CT1 〜CTm+n を生成し複数の第
１の励磁コイル11〜1m及び複数の第２の励磁コイル２1
〜２n 夫々のいずれか一つをクロック信号CKに応じた一
定のタイミングで、かつ略同一のオン抵抗で交互にオン
させるように複数のスイッチング手段４1 〜４m+n を複
数の制御信号CT1 〜CTm+n によってスイッチング制御す
ることで、記録信号Ｒに基づいて変調された電流が複数
の第１の励磁コイル11〜1m及び複数の第２の励磁コイル
２1 〜２n に一定のタイミングで供給されて夫々逆方向
の磁界が交互に発生し、高周波変調磁界を発生するよう
に作用する。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の一実施例について、図２乃至
図４を参照して説明する。
図４を参照して説明する。
【００１４】図２は、オーバーライト可能な光磁気ディ
スク装置の高周波変調磁界発生回路の回路図である。図
２において、定電圧源Ｅは定電圧Ｖを発生し、これを駆
動コイルＬＤの一端に供給する。この定電圧源Ｅは、装
置内部に有っても、装置外部に有っても構わない。
スク装置の高周波変調磁界発生回路の回路図である。図
２において、定電圧源Ｅは定電圧Ｖを発生し、これを駆
動コイルＬＤの一端に供給する。この定電圧源Ｅは、装
置内部に有っても、装置外部に有っても構わない。
【００１５】駆動コイルＬＤの他端は共通接続点Ｃに接
続されている。この共通接続点Ｃには、励磁コイルＬＥ
１及びＬＥ２及びＬＥ３及びＬＥ４の夫々の一端が接続
されている。励磁コイルＬＥ１及びＬＥ２（第１の励磁
コイル）は互いに同一方向に共通の磁気コア１０に巻回
されている。磁気コア１０は、図示しない光磁気ディス
ク（磁気記録媒体）と所定距離離間して配設される。ま
た、光磁気ディスクには、一定強度のレーザ光が照射さ
れる。
続されている。この共通接続点Ｃには、励磁コイルＬＥ
１及びＬＥ２及びＬＥ３及びＬＥ４の夫々の一端が接続
されている。励磁コイルＬＥ１及びＬＥ２（第１の励磁
コイル）は互いに同一方向に共通の磁気コア１０に巻回
されている。磁気コア１０は、図示しない光磁気ディス
ク（磁気記録媒体）と所定距離離間して配設される。ま
た、光磁気ディスクには、一定強度のレーザ光が照射さ
れる。
【００１６】一方、励磁コイルＬＥ３及びＬＥ４（第２
の励磁コイル）は互いに同一方向で、かつ、励磁コイル
ＬＥ１及びＬＥ２の巻回方向とは逆方向に共通の磁気コ
ア１０に巻回されている。励磁コイルＬＥ１及びＬＥ２
及びＬＥ３及びＬＥ４は、夫々略同一のインダクタンス
値及び抵抗値を有するように巻回されている。
の励磁コイル）は互いに同一方向で、かつ、励磁コイル
ＬＥ１及びＬＥ２の巻回方向とは逆方向に共通の磁気コ
ア１０に巻回されている。励磁コイルＬＥ１及びＬＥ２
及びＬＥ３及びＬＥ４は、夫々略同一のインダクタンス
値及び抵抗値を有するように巻回されている。
【００１７】また、励磁コイルＬＥ１及びＬＥ２及びＬ
Ｅ３及びＬＥ４の夫々の他端には、MOS FET Ｑ１及びＱ
２及びＱ３及びＱ４（スイッチング手段）のソースが夫
々接続されている。MOS FET Ｑ１及びＱ２及びＱ３及び
Ｑ４のドレインは夫々接地されている。
Ｅ３及びＬＥ４の夫々の他端には、MOS FET Ｑ１及びＱ
２及びＱ３及びＱ４（スイッチング手段）のソースが夫
々接続されている。MOS FET Ｑ１及びＱ２及びＱ３及び
Ｑ４のドレインは夫々接地されている。
【００１８】MOS FET Ｑ１及びＱ２及びＱ３及びＱ４の
ゲートは、スイッチング制御部１１（制御手段）に接続
されている。これにより、MOS FET Ｑ１及びＱ２及びＱ
３及びＱ４は、スイッチング制御部１１からの制御信号
Ｃ1 及びＣ2 及びＣ3 及びＣ 4 によって後述のとおりに
スイッチング制御される。このとき、MOS FET Ｑ１及び
Ｑ２及びＱ３及びＱ４のオン抵抗は、夫々略同一とされ
ている。
ゲートは、スイッチング制御部１１（制御手段）に接続
されている。これにより、MOS FET Ｑ１及びＱ２及びＱ
３及びＱ４は、スイッチング制御部１１からの制御信号
Ｃ1 及びＣ2 及びＣ3 及びＣ 4 によって後述のとおりに
スイッチング制御される。このとき、MOS FET Ｑ１及び
Ｑ２及びＱ３及びＱ４のオン抵抗は、夫々略同一とされ
ている。
【００１９】MOS FET Ｑ１又はＱ２がオンしたときは、
励磁コイルＬＥ１又はＬＥ２に共通接続点Ｃより入来す
る電流によって、磁気コア１０にはたとえば正方向の磁
界が発生する。一方、MOS FET Ｑ３又はＱ４がオンした
ときは、励磁コイルＬＥ３又はＬＥ４に共通接続点Ｃよ
り入来する電流によって、磁気コア１０には逆方向の磁
界が発生する。
励磁コイルＬＥ１又はＬＥ２に共通接続点Ｃより入来す
る電流によって、磁気コア１０にはたとえば正方向の磁
界が発生する。一方、MOS FET Ｑ３又はＱ４がオンした
ときは、励磁コイルＬＥ３又はＬＥ４に共通接続点Ｃよ
り入来する電流によって、磁気コア１０には逆方向の磁
界が発生する。
【００２０】ところで、スイッチング制御部１１はゲー
ト回路１２及び１３及び１４及び１５から構成される。
各ゲート回路１２〜１５には記録信号Ｒとクロック信号
CKとが入来しており、ゲート回路１２は、記録信号Ｒと
クロック信号CKとのアンドをとって制御信号Ｃ1 を出力
する。ゲート回路１５は、記録信号Ｒとクロック信号CK
とのノアをとって制御信号Ｃ4 を出力する。
ト回路１２及び１３及び１４及び１５から構成される。
各ゲート回路１２〜１５には記録信号Ｒとクロック信号
CKとが入来しており、ゲート回路１２は、記録信号Ｒと
クロック信号CKとのアンドをとって制御信号Ｃ1 を出力
する。ゲート回路１５は、記録信号Ｒとクロック信号CK
とのノアをとって制御信号Ｃ4 を出力する。
【００２１】また、ゲート回路１３はクロック信号CKに
よって記録信号Ｒをインヒビットして制御信号Ｃ2 を、
ゲート回路１４は記録信号Ｒによってクロック信号CKを
インヒビットして制御信号Ｃ3 を出力する。これによ
り、スイッチング制御部１１は、図３のタイミングチャ
ートに示すとおりに制御信号Ｃ1 及びＣ2 及びＣ3 及び
Ｃ4 を生成する。
よって記録信号Ｒをインヒビットして制御信号Ｃ2 を、
ゲート回路１４は記録信号Ｒによってクロック信号CKを
インヒビットして制御信号Ｃ3 を出力する。これによ
り、スイッチング制御部１１は、図３のタイミングチャ
ートに示すとおりに制御信号Ｃ1 及びＣ2 及びＣ3 及び
Ｃ4 を生成する。
【００２２】図３において、（Ａ）は記録信号Ｒ、
（Ｂ）はクロック信号CK、（Ｃ）は制御信号Ｃ1 、
（Ｄ）は制御信号Ｃ2 、（Ｅ）は制御信号Ｃ3 、（Ｆ）
は制御信号Ｃ4 を夫々示している。
（Ｂ）はクロック信号CK、（Ｃ）は制御信号Ｃ1 、
（Ｄ）は制御信号Ｃ2 、（Ｅ）は制御信号Ｃ3 、（Ｆ）
は制御信号Ｃ4 を夫々示している。
【００２３】クロック信号CKは、周期Ｔでデューティ比
を５０パーセントとされている。クロック信号CKの周波
数は図示のとおり記録信号Ｒの周波数よりも高く、Ｔ／
２は記録信号Ｒの最小保持時間Ｔmin よりも充分小さ
い。また、クロック信号CKのエッジと記録信号Ｒのエッ
ジとは同期したタイミングとされている。
を５０パーセントとされている。クロック信号CKの周波
数は図示のとおり記録信号Ｒの周波数よりも高く、Ｔ／
２は記録信号Ｒの最小保持時間Ｔmin よりも充分小さ
い。また、クロック信号CKのエッジと記録信号Ｒのエッ
ジとは同期したタイミングとされている。
【００２４】したがって、たとえば時刻ｔ1 から時刻ｔ
2 までの記録信号Ｒのハイレベル期間には、制御信号Ｃ
1 と制御信号Ｃ2 がＴ／２の時間毎に交互にハイレベル
となる。この結果、MOS FET Ｑ１とMOS FET Ｑ２がＴ／
２の時間毎に交互にオンとなる。
2 までの記録信号Ｒのハイレベル期間には、制御信号Ｃ
1 と制御信号Ｃ2 がＴ／２の時間毎に交互にハイレベル
となる。この結果、MOS FET Ｑ１とMOS FET Ｑ２がＴ／
２の時間毎に交互にオンとなる。
【００２５】一方、たとえば時刻ｔ2 から時刻ｔ3 まで
の記録信号Ｒのローレベル期間には、制御信号Ｃ3 と制
御信号Ｃ4 がＴ／２の時間毎に交互にハイレベルとな
る。この結果、MOS FET Ｑ３とMOS FET Ｑ４がＴ／２の
時間毎に交互にオンとなる。
の記録信号Ｒのローレベル期間には、制御信号Ｃ3 と制
御信号Ｃ4 がＴ／２の時間毎に交互にハイレベルとな
る。この結果、MOS FET Ｑ３とMOS FET Ｑ４がＴ／２の
時間毎に交互にオンとなる。
【００２６】各MOS FET Ｑ１〜Ｑ４を以上のようにスイ
ッチング制御することにより、記録信号Ｒの周波数やデ
ューティ比にかかわらず、単位時間当たりのエネルギ損
失を一定とし、定電流源を必要とすることなく常に一定
の電流を各励磁コイルに流すことができる。
ッチング制御することにより、記録信号Ｒの周波数やデ
ューティ比にかかわらず、単位時間当たりのエネルギ損
失を一定とし、定電流源を必要とすることなく常に一定
の電流を各励磁コイルに流すことができる。
【００２７】ここで、図２の回路において各励磁コイル
に流れる電流の値を計算により求める。各MOS FET Ｑ１
〜Ｑ４が切り換わってオンとなったときのラプラス変換
後の等価回路を図４に示す。各励磁コイルＬＥ１〜ＬＥ
４のインダクタンスをＬｅ，駆動コイルＬＤのインダク
タンスをＬ3 とし、各コイルＬＥ１〜ＬＥ４及びＬＤの
抵抗値は無視する。また、電圧源Ｅの出力電圧をＶ，各
MOS FETのオン抵抗をＲONとおくと、図４から、
に流れる電流の値を計算により求める。各MOS FET Ｑ１
〜Ｑ４が切り換わってオンとなったときのラプラス変換
後の等価回路を図４に示す。各励磁コイルＬＥ１〜ＬＥ
４のインダクタンスをＬｅ，駆動コイルＬＤのインダク
タンスをＬ3 とし、各コイルＬＥ１〜ＬＥ４及びＬＤの
抵抗値は無視する。また、電圧源Ｅの出力電圧をＶ，各
MOS FETのオン抵抗をＲONとおくと、図４から、
【００２８】
【数１】
【００２９】逆ラプラス変換して、
【００３０】
【数２】
【００３１】ここで、Ｌｅ≫Ｌ3 とすると、
【００３２】
【数３】
【００３３】となる。
【００３４】したがって、励磁電流を表す（３）式から
インダクタンス値に依存する項がなくなり、各MOS FET
Ｑ１〜Ｑ４が交互にオンする毎に、励磁電流は迅速に立
ち上がる。
インダクタンス値に依存する項がなくなり、各MOS FET
Ｑ１〜Ｑ４が交互にオンする毎に、励磁電流は迅速に立
ち上がる。
【００３５】次に、各MOS FET Ｑ１〜Ｑ４がオンしてか
らオフするまでのＴ／２の間に各励磁コイルＬＥ１〜Ｌ
Ｅ４により消費される電流値Ｉonを求める。電磁エネル
ギの式から、 Ｖ・Ｉon・（Ｔ／２）＝Ion2・ＲON・（Ｔ／２） ＋（Ｌｅ・Ion2／２） (５) となる。
らオフするまでのＴ／２の間に各励磁コイルＬＥ１〜Ｌ
Ｅ４により消費される電流値Ｉonを求める。電磁エネル
ギの式から、 Ｖ・Ｉon・（Ｔ／２）＝Ion2・ＲON・（Ｔ／２） ＋（Ｌｅ・Ion2／２） (５) となる。
【００３６】ここで、ｆsw＝１／Ｔとすると、
【００３７】
【数４】
【００３８】となる。
【００３９】(６) 式において、Ｖ，ｆsw，及びＬｅは
一定の値である。したがって、MOSFET Ｑ１〜Ｑ４をク
ロック信号に応じた一定のタイミングで交互にオンする
ことによってｆswを一定とし、かつ、各MOS FET Ｑ１〜
Ｑ４を同一のオン抵抗ＲONのものを使用することで、励
磁コイルによってＴ／２の間に消費される電流Ｉon，す
なわち単位時間当たりのエネルギ損失を、記録信号Ｒの
周波数及びデューティ比にかかわらず一定とし、定電流
源を必要とすることなく常に一定の電流を励磁コイルに
流すことができる。
一定の値である。したがって、MOSFET Ｑ１〜Ｑ４をク
ロック信号に応じた一定のタイミングで交互にオンする
ことによってｆswを一定とし、かつ、各MOS FET Ｑ１〜
Ｑ４を同一のオン抵抗ＲONのものを使用することで、励
磁コイルによってＴ／２の間に消費される電流Ｉon，す
なわち単位時間当たりのエネルギ損失を、記録信号Ｒの
周波数及びデューティ比にかかわらず一定とし、定電流
源を必要とすることなく常に一定の電流を励磁コイルに
流すことができる。
【００４０】なお、駆動コイルＬＤと各励磁コイルＬＥ
１〜ＬＥ４の抵抗値はこれまで無視して計算してきた
が、これらの値をMOS FET のオン抵抗ＲONに加算して計
算しても同様の結果が得られる。
１〜ＬＥ４の抵抗値はこれまで無視して計算してきた
が、これらの値をMOS FET のオン抵抗ＲONに加算して計
算しても同様の結果が得られる。
【００４１】以上説明したとおり本実施例によれば、定
電流源を使用することなく常に一定の振幅値の励磁電流
を励磁コイルに供給することができて低消費電力に構成
することができ、かつ、回路構成を簡単にすることがで
きる利点がある。
電流源を使用することなく常に一定の振幅値の励磁電流
を励磁コイルに供給することができて低消費電力に構成
することができ、かつ、回路構成を簡単にすることがで
きる利点がある。
【００４２】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、制御手段
が、記録信号よりも高い周波数のクロック信号と記録信
号とに基づいて複数の制御信号を生成し複数の第１の励
磁コイル及び複数の第２の励磁コイル夫々のいずれか一
つをクロック信号に応じた一定のタイミングで交互にオ
ンさせるように複数のスイッチング手段を複数の制御信
号によってスイッチング制御して、記録信号に基づいて
変調された電流が複数の第１の励磁コイル及び複数の第
２の励磁コイルに一定のタイミングで供給されること
で、複数の第１の励磁コイル及び複数の第２の励磁コイ
ルによる単位時間当たりのエネルギ損失を常に一定にす
ることによって、低消費電力でヘッドの定電流駆動がで
き、かつ、回路構成を簡単にすることができるなどの特
長がある。
が、記録信号よりも高い周波数のクロック信号と記録信
号とに基づいて複数の制御信号を生成し複数の第１の励
磁コイル及び複数の第２の励磁コイル夫々のいずれか一
つをクロック信号に応じた一定のタイミングで交互にオ
ンさせるように複数のスイッチング手段を複数の制御信
号によってスイッチング制御して、記録信号に基づいて
変調された電流が複数の第１の励磁コイル及び複数の第
２の励磁コイルに一定のタイミングで供給されること
で、複数の第１の励磁コイル及び複数の第２の励磁コイ
ルによる単位時間当たりのエネルギ損失を常に一定にす
ることによって、低消費電力でヘッドの定電流駆動がで
き、かつ、回路構成を簡単にすることができるなどの特
長がある。
【図１】本発明の原理図である。
【図２】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図３】図２の回路の動作を示すタイミングチャートで
ある。
ある。
【図４】図２の回路についてラプラス変換により解析す
るための図である。
るための図である。
【図５】従来の高周波変調磁界発生回路の一例を示す図
である。
である。
１1,…１m 第１の励磁コイル ２1,…２n 第２の励磁コイル ３，ＬＤ 駆動コイル ４1,…４m+n スイッチング手段 ５ 制御手段 １１ スイッチング制御部 Ｄ 磁気記録媒体 ＬＥ1,…ＬＥ４ 励磁コイル Ｑ１，…Ｑ４ MOS FET
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/02 G11B 11/10
Claims (1)
- 【請求項１】 記録信号に基づいて変調された電流を励
磁コイルに供給することで該励磁コイルにより高周波変
調磁界を発生させ、該高周波変調磁界を磁気記録媒体に
付与して磁気記録を行なう磁気記録装置の高周波変調磁
界発生回路において、 夫々略同一のインピーダンスを有すると共に夫々の一端
を共通接続点に接続されており、該共通接続点より入来
する電流によって互いに逆方向の磁界を発生するように
巻回された夫々複数の第１の励磁コイル及び第２の励磁
コイルと、 一端に定電圧が入来し、他端を該共通接続点に接続され
た駆動コイルと、 夫々略同一のオン抵抗を有すると共に夫々の一端を該複
数の第１の励磁コイル及び該複数の第２の励磁コイルの
夫々の他端に接続された複数のスイッチング手段と、 該記録信号よりも高い周波数のクロック信号と該記録信
号とに基づいて複数の制御信号を生成し、該複数の第１
の励磁コイル及び該複数の第２の励磁コイル夫々のいず
れか一つを該クロック信号に応じた一定のタイミングで
交互にオンさせるように、該複数のスイッチング手段を
該複数の制御信号によってスイッチング制御する制御手
段とを具備したことを特徴とする磁気記録装置の高周波
変調磁界発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9968593A JP2845085B2 (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 磁気記録装置の高周波変調磁界発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9968593A JP2845085B2 (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 磁気記録装置の高周波変調磁界発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06309606A JPH06309606A (ja) | 1994-11-04 |
| JP2845085B2 true JP2845085B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=14253899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9968593A Expired - Lifetime JP2845085B2 (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 磁気記録装置の高周波変調磁界発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2845085B2 (ja) |
-
1993
- 1993-04-26 JP JP9968593A patent/JP2845085B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06309606A (ja) | 1994-11-04 |
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