JP2823583B2 - 原子吸収スペクトロメータ - Google Patents
原子吸収スペクトロメータInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 原子吸収スペクトルメータは、試料中の探査元素の量
または濃度を測定するために用いられる。この目的のた
めに線放射する光源、例えば中空カソードランプから測
光束が光電検出器に導かれる。この測光束の光路に原子
化装置が配設されている。この原子化装置において探査
すべき試料が原子化され、その結果試料の構成成分は原
子状態において存在する。測光束は探査される元素の共
振線を含んでいる。測光束のこの共振線は探査される元
素の原子によって原子雲に吸収され、一方理想の場合試
料中に含まれている別の元素は測光束に何の影響も与え
ない。従って測光束は、測光束の通路に存在する、探査
される元素の原子の数に対する尺度であって、適用され
る原子化方法に応じて探査される元素の濃度または量に
対する尺度となる減衰を受ける。しかし測光束が受ける
吸収は探査される元素の原子によってのみ惹き起こされ
るのではない。例えば分子による光の吸収に基づく“バ
ックグラウンド吸収”がある。このバックグラウンド吸
収は殊に、高感度測定において補償されなければならな
い。
または濃度を測定するために用いられる。この目的のた
めに線放射する光源、例えば中空カソードランプから測
光束が光電検出器に導かれる。この測光束の光路に原子
化装置が配設されている。この原子化装置において探査
すべき試料が原子化され、その結果試料の構成成分は原
子状態において存在する。測光束は探査される元素の共
振線を含んでいる。測光束のこの共振線は探査される元
素の原子によって原子雲に吸収され、一方理想の場合試
料中に含まれている別の元素は測光束に何の影響も与え
ない。従って測光束は、測光束の通路に存在する、探査
される元素の原子の数に対する尺度であって、適用され
る原子化方法に応じて探査される元素の濃度または量に
対する尺度となる減衰を受ける。しかし測光束が受ける
吸収は探査される元素の原子によってのみ惹き起こされ
るのではない。例えば分子による光の吸収に基づく“バ
ックグラウンド吸収”がある。このバックグラウンド吸
収は殊に、高感度測定において補償されなければならな
い。
原子化装置として、試料が溶解液としてその中に噴霧
される炎を用いることができる。しかし高感度測定に対
して有利には電熱式の原子化方法が使用される。即ち試
料は、電流が貫流することで高温に加熱される炉内に供
給される。これにより試料は炉内で最初乾燥され、それ
から灰になり、最終的に原子化される。その際炉内で、
探査される原子が原子状態で存在する“原子雲”が形成
される。測光束がこの炉を通って案内される。この種の
炉は種々の形状を有し、通例はグラファイトから製造さ
れる。
される炎を用いることができる。しかし高感度測定に対
して有利には電熱式の原子化方法が使用される。即ち試
料は、電流が貫流することで高温に加熱される炉内に供
給される。これにより試料は炉内で最初乾燥され、それ
から灰になり、最終的に原子化される。その際炉内で、
探査される原子が原子状態で存在する“原子雲”が形成
される。測光束がこの炉を通って案内される。この種の
炉は種々の形状を有し、通例はグラファイトから製造さ
れる。
バックグラウンド補償のために“ゼーマン効果”が利
用される。原子化された試料における吸収する原子に磁
界が加わるとき、これら原子の共振線の分裂およびシフ
トが生じる。そこでこれら原子の共振線はもはや測光束
のスペクトル線と一致せず、限界状態ではもはや原子の
吸収は行われない。これにより、磁界を加えた場合にも
生じる原子によらないバックグラウンド吸収と、磁界を
加えていない場合にバックグラウンド吸収に重畳される
真の原子吸収とを区別することができる。
用される。原子化された試料における吸収する原子に磁
界が加わるとき、これら原子の共振線の分裂およびシフ
トが生じる。そこでこれら原子の共振線はもはや測光束
のスペクトル線と一致せず、限界状態ではもはや原子の
吸収は行われない。これにより、磁界を加えた場合にも
生じる原子によらないバックグラウンド吸収と、磁界を
加えていない場合にバックグラウンド吸収に重畳される
真の原子吸収とを区別することができる。
本発明は、試料の原子化が上述の電熱式原子化によっ
て行われかつバックグラウンド補償のために同じく上述
のようにゼーマン効果が利用される、原子吸収スペクト
ロメータに関する。
て行われかつバックグラウンド補償のために同じく上述
のようにゼーマン効果が利用される、原子吸収スペクト
ロメータに関する。
従来の技術 西独国特許出願広告第1964469号公報により、ビーム
が線放射器として形成されている唯一のビーム源から出
て、該ビーム源の、試料を通過するビームが縦方向ゼー
マン効果を利用して周波数変調される、原子吸収スペク
トロメータが公知である。この公知の原子吸収スペクト
ロメータでは、電磁石の磁極片の間に中空カソードラン
プが装着されている。磁極片の１つは、測光束を通す貫
通孔を有している。それから測光束は原子化装置として
用いられる炎およびモノクロメータを通って進みかつ光
電検出器に入射する。電磁石は投入および遮断可能であ
り、その際電磁石が投入されている場合と遮断されてい
る場合との信号の差から、バックグラウンド吸収に関し
て補償された、試料原子の原子吸収を測定することがで
きる。ここでは電磁石の巻線は磁極片に装着されてい
る。
が線放射器として形成されている唯一のビーム源から出
て、該ビーム源の、試料を通過するビームが縦方向ゼー
マン効果を利用して周波数変調される、原子吸収スペク
トロメータが公知である。この公知の原子吸収スペクト
ロメータでは、電磁石の磁極片の間に中空カソードラン
プが装着されている。磁極片の１つは、測光束を通す貫
通孔を有している。それから測光束は原子化装置として
用いられる炎およびモノクロメータを通って進みかつ光
電検出器に入射する。電磁石は投入および遮断可能であ
り、その際電磁石が投入されている場合と遮断されてい
る場合との信号の差から、バックグラウンド吸収に関し
て補償された、試料原子の原子吸収を測定することがで
きる。ここでは電磁石の巻線は磁極片に装着されてい
る。
この公知の原子吸収スペクトロメータにおいて、線放
射する光源の放射線はゼーマン効果によって周期的にシ
フトされかつ従って放射光は周波数変調され、試料の吸
収線は周波数変調されない。光源として中空カソードラ
ンプを使用した場合問題が生じる可能性がある。という
のは中空カソードランプの放電は磁界によって影響を受
けるからであり、この点は上記の西独国特許出願広告第
1964469号公報にも既に指摘されている通りである。
射する光源の放射線はゼーマン効果によって周期的にシ
フトされかつ従って放射光は周波数変調され、試料の吸
収線は周波数変調されない。光源として中空カソードラ
ンプを使用した場合問題が生じる可能性がある。という
のは中空カソードランプの放電は磁界によって影響を受
けるからであり、この点は上記の西独国特許出願広告第
1964469号公報にも既に指摘されている通りである。
西独国特許第2165106号明細書によって、投入および
遮断可能な電磁石の磁界を光源にではなくて原子化装
置、すなわち原子化された試料に加えることが公知であ
る。その際原子化装置は炎である。磁界は測光束の走行
方向に対して垂直方向に加えられる。ここで“横方向”
ゼーマン効果に基づいて吸収線の分裂が生じる。この場
合にも、測光束の放射線と試料の吸収線との間に相対的
なずれが生じる。磁界の投入および遮断によってこの場
合も、探査される元素の原子による原子の吸収と、特定
できないバックグラウンド吸収とを区別することができ
る。
遮断可能な電磁石の磁界を光源にではなくて原子化装
置、すなわち原子化された試料に加えることが公知であ
る。その際原子化装置は炎である。磁界は測光束の走行
方向に対して垂直方向に加えられる。ここで“横方向”
ゼーマン効果に基づいて吸収線の分裂が生じる。この場
合にも、測光束の放射線と試料の吸収線との間に相対的
なずれが生じる。磁界の投入および遮断によってこの場
合も、探査される元素の原子による原子の吸収と、特定
できないバックグラウンド吸収とを区別することができ
る。
横方向ゼーマン効果を使用した場合、スペクトル線
は、その波長が磁界が遮断されている場合の当該線のシ
フトしていない波長に相応する中央線と、これに対して
高い方の波長にシフトしている側方線および低い方の波
長にシフトしている側方線とに分裂される。中央線およ
び側方線は異なって偏向されている。それ故に中央線の
影響は偏光子によって取り除くことができる。しかしこ
の種の偏光子には50％の光損失が生じる。
は、その波長が磁界が遮断されている場合の当該線のシ
フトしていない波長に相応する中央線と、これに対して
高い方の波長にシフトしている側方線および低い方の波
長にシフトしている側方線とに分裂される。中央線およ
び側方線は異なって偏向されている。それ故に中央線の
影響は偏光子によって取り除くことができる。しかしこ
の種の偏光子には50％の光損失が生じる。
原子化装置として試料を電熱式に原子化するための炉
が公知である。このようなものとして例えば、リング状
の接触部材の間に保持されているグラファイト管が用い
られ、この管を通って測光束が長手方向に走行する。リ
ング状の接触部材を介して強い電流がグラファイト管を
通って案内される。これによりグラファイト管に挿入さ
れている試料は原子化されかつグラファイト管内に“原
子雲”を形成する。この原子雲において探査される元素
は原子状態で存在する。グラファイト管によって動作す
るこのような原子装置は例えば、西独国特許第2314207
号明細書および西独国特許第2148783号明細書から公知
である。
が公知である。このようなものとして例えば、リング状
の接触部材の間に保持されているグラファイト管が用い
られ、この管を通って測光束が長手方向に走行する。リ
ング状の接触部材を介して強い電流がグラファイト管を
通って案内される。これによりグラファイト管に挿入さ
れている試料は原子化されかつグラファイト管内に“原
子雲”を形成する。この原子雲において探査される元素
は原子状態で存在する。グラファイト管によって動作す
るこのような原子装置は例えば、西独国特許第2314207
号明細書および西独国特許第2148783号明細書から公知
である。
長手方向に電流が貫流するグラファイト管によって動
作するこの種の原子化装置においてゼーマン効果を利用
してバックグラウンド吸収の補償を行うことも公知であ
る。この目的のために電磁石によって測光束の走行方向
を横断する方向に配向された交番磁界が加えられる。そ
の際同様横方向ゼーマン効果が惹き起こされ、このため
に光路に偏光子が必要になってくる。
作するこの種の原子化装置においてゼーマン効果を利用
してバックグラウンド吸収の補償を行うことも公知であ
る。この目的のために電磁石によって測光束の走行方向
を横断する方向に配向された交番磁界が加えられる。そ
の際同様横方向ゼーマン効果が惹き起こされ、このため
に光路に偏光子が必要になってくる。
電流がグラファイト管を通って長手方向ではなくて、
周方向に案内される、原子吸収スペクトロメータにおけ
る試料の電熱式原子化に対する炉が公知である。このた
めの例は、米国特許第4407582号明細書および西独国特
許公開第3534417号公報並びに実質的に内容の等しい刊
行物“Analytical Chemistry"58（1986）,1973である。
周方向に案内される、原子吸収スペクトロメータにおけ
る試料の電熱式原子化に対する炉が公知である。このた
めの例は、米国特許第4407582号明細書および西独国特
許公開第3534417号公報並びに実質的に内容の等しい刊
行物“Analytical Chemistry"58（1986）,1973である。
未公開の西独国特許出願第3726533.4号明細書によっ
て、原子吸収スペクトロスコープにおける電熱式原子化
のための横断方向加熱される管状の炉に電流を供給する
ための２つの接触部材を有する接触部材−装置が公知で
あり、その際管状の炉は長手方向に延在する、直径をは
さんで対向する接触部材リブを有している。軸線が炉の
軸線および測光束の走行方向に対して垂直方向に延在す
る、この接触部材−装置の接触部材は作動状態において
中空室を形成する。この中空室に管状の炉が収容され
る。そこで炉は接触部材のｖ字形の溝の間に保持され
る。中空室は実質的に、接触部材の１つにおける凹所に
よって形成される。この凹所は別の接触部材によって分
離ギャップまで被覆される。保護ガス通路が上記の溝に
つながっている。
て、原子吸収スペクトロスコープにおける電熱式原子化
のための横断方向加熱される管状の炉に電流を供給する
ための２つの接触部材を有する接触部材−装置が公知で
あり、その際管状の炉は長手方向に延在する、直径をは
さんで対向する接触部材リブを有している。軸線が炉の
軸線および測光束の走行方向に対して垂直方向に延在す
る、この接触部材−装置の接触部材は作動状態において
中空室を形成する。この中空室に管状の炉が収容され
る。そこで炉は接触部材のｖ字形の溝の間に保持され
る。中空室は実質的に、接触部材の１つにおける凹所に
よって形成される。この凹所は別の接触部材によって分
離ギャップまで被覆される。保護ガス通路が上記の溝に
つながっている。
未公開の西独国特許出願第3735013.7号明細書によっ
て、原子吸収スペクトロスコープにおいて試料を電熱式
に原子化するための管状の炉が公知である。この炉は、
対向する側に接触部材突起が取り付けられている管状の
炉体を含んでいる。これら接触部材突起は、管状の、本
来の炉体に沿って延在するリブを有しており、これらリ
ブに円筒状の接続部材の円錐形の接触面が接続されてい
る。接触部材のリブはくびれ部を有している。このよう
なくびれ部は西独国特許出願第3735013.7号明細書では
円筒状のねじ込みによって形成されている。この構造に
よって炉体に沿って一様な温度を得ようとする。接触部
材−装置は、上述の西独国特許出願第3726533.4号明細
書と類似している。
て、原子吸収スペクトロスコープにおいて試料を電熱式
に原子化するための管状の炉が公知である。この炉は、
対向する側に接触部材突起が取り付けられている管状の
炉体を含んでいる。これら接触部材突起は、管状の、本
来の炉体に沿って延在するリブを有しており、これらリ
ブに円筒状の接続部材の円錐形の接触面が接続されてい
る。接触部材のリブはくびれ部を有している。このよう
なくびれ部は西独国特許出願第3735013.7号明細書では
円筒状のねじ込みによって形成されている。この構造に
よって炉体に沿って一様な温度を得ようとする。接触部
材−装置は、上述の西独国特許出願第3726533.4号明細
書と類似している。
発明が解決しようとする問題点 本発明の課題は、冒頭に述べた形式の原子吸収スペク
トロメータにおける改善された有効信号を得ることであ
る。
トロメータにおける改善された有効信号を得ることであ
る。
本発明の別の課題は、冒頭に述べた形式の原子吸収ス
ペクトロメータにおいて、従来の“ゼーマン”原子吸収
スペクトロメータにおいて可能であったよりも一層一様
な、炉体に沿った温度経過が得られるようにすることで
ある。
ペクトロメータにおいて、従来の“ゼーマン”原子吸収
スペクトロメータにおいて可能であったよりも一層一様
な、炉体に沿った温度経過が得られるようにすることで
ある。
問題点を解決するための手段 本発明によれば上述の課題は、次の組み合わせによっ
て解決される： （ａ）原子吸収スペクトロメータの測光束の走行方向を
横断する方向において加熱される、試料の電熱式原子化
に対する炉を備え、 （ｂ）前記試料の配置場所に、前記測光束の走行方向に
対して平行に延在する磁界を発生するための切換可能な
電磁石を備え、それにより該電磁石の投入接続の際に縦
方向ゼーマン効果が生じるようにし、 （ｃ）磁界を発生するための前記電磁石は、前記測光束
を通過させるように整列されている貫通孔を備えた磁極
片を有し、かつ （ｄ）前記電磁石はエアギャップを有しており、 （ｅ）該磁極片に接触部材支持体が配設されており、該
接触部材支持体において、軸線が前記測光束の軸線に対
して平行に延在する接触部材が、前記電磁石のエアギャ
ップにおいて前記試料を電熱式に電子化するための前記
測光束の走行方向を横断する方向に加熱される炉を保持
しかつ該炉に電流を供給するために保持されている。
て解決される： （ａ）原子吸収スペクトロメータの測光束の走行方向を
横断する方向において加熱される、試料の電熱式原子化
に対する炉を備え、 （ｂ）前記試料の配置場所に、前記測光束の走行方向に
対して平行に延在する磁界を発生するための切換可能な
電磁石を備え、それにより該電磁石の投入接続の際に縦
方向ゼーマン効果が生じるようにし、 （ｃ）磁界を発生するための前記電磁石は、前記測光束
を通過させるように整列されている貫通孔を備えた磁極
片を有し、かつ （ｄ）前記電磁石はエアギャップを有しており、 （ｅ）該磁極片に接触部材支持体が配設されており、該
接触部材支持体において、軸線が前記測光束の軸線に対
して平行に延在する接触部材が、前記電磁石のエアギャ
ップにおいて前記試料を電熱式に電子化するための前記
測光束の走行方向を横断する方向に加熱される炉を保持
しかつ該炉に電流を供給するために保持されている。
更に、請求項４記載の構成によれば （ａ）測光束を発生する、線放射する第１の光源に対し
て付加的に、該線放射する第１の光源と交互に作動接続
される、バックグラウンド補償のための連続放射する第
２の光源が設けられており、かつ （ｂ）部分透過性の鏡を選択的に光路内に旋回可能と
し、該鏡によって前記第２の光源から放射される光束が
測光束の光路内に反射可能とする ことが可能である。
て付加的に、該線放射する第１の光源と交互に作動接続
される、バックグラウンド補償のための連続放射する第
２の光源が設けられており、かつ （ｂ）部分透過性の鏡を選択的に光路内に旋回可能と
し、該鏡によって前記第２の光源から放射される光束が
測光束の光路内に反射可能とする ことが可能である。
本発明の別の構成は、その他の請求項に記載されてい
る。
る。
実施例 次に本発明を図示の実施例につき図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
第１図には、原子吸収スペクトロメータ全体が略示さ
れている。
れている。
原子吸収スペクトロメータは、その中にランプ、光学
系および光電検出器が収容されているケーシング10を有
している。ケーシング10は試料室12を形成する。試料室
12には原子化装置14が配設されている。
系および光電検出器が収容されているケーシング10を有
している。ケーシング10は試料室12を形成する。試料室
12には原子化装置14が配設されている。
原子吸収スペクトロメータは第１の光源16として中空
カソードランプ16を有している。光源16は、所定の、探
査される元素の共振線に相応する線スペクトルを放射す
る。光源16から測光束18が出ていく。測光束18は平面鏡
20によって方向変換されかつ凹面鏡22によってケーシン
グ10の開口24を通って試料室の真ん中に集められる。そ
れから測光束は開口24と心が合うように整列されてい
る、ケーシング10の開口26から出てかつ第２の凹面鏡28
に入射する。この第２の凹面鏡28から測光束18は平面鏡
30を介してモノクロメータ34に入射スリット32に集束さ
れる。モノクロメータ34の出射スリット34の後方に光電
検出器38が配設されている。光電検出器38の信号は信号
処理回路40に加えられる。
カソードランプ16を有している。光源16は、所定の、探
査される元素の共振線に相応する線スペクトルを放射す
る。光源16から測光束18が出ていく。測光束18は平面鏡
20によって方向変換されかつ凹面鏡22によってケーシン
グ10の開口24を通って試料室の真ん中に集められる。そ
れから測光束は開口24と心が合うように整列されてい
る、ケーシング10の開口26から出てかつ第２の凹面鏡28
に入射する。この第２の凹面鏡28から測光束18は平面鏡
30を介してモノクロメータ34に入射スリット32に集束さ
れる。モノクロメータ34の出射スリット34の後方に光電
検出器38が配設されている。光電検出器38の信号は信号
処理回路40に加えられる。
原子化装置14は、電熱式原子化のための炉、および試
料の配置場所に磁界を発生するための投入および遮断可
能な電磁石44を含んでいる。炉のうち第１図には本来の
炉体42しか図示されていない。電磁石44は２つの心が合
うように整列されている磁極片46および48を有してお
り、両磁極片の間に炉体42が装着されている。磁極片46
および48には整列されている貫通孔50および52があけら
れている。これら貫通孔50および52は炉体42の長手孔54
と整列されている。測光束18は孔50および52並びに炉体
の長手孔を通って延在している。磁極片46および48にコ
イル保持体56ないし58が固着されている。このコイル保
持体56および58に電磁石44のコイル60ないし62が巻き付
けられている。64は、炉体42を流れる電流を制御する電
源部である。図からわかるように、電流は測光束18の走
行方向を横断する方向に供給されかつ管状の炉体42を周
方向において流れる。電磁石44は磁石制御部66によっ
て、磁界が交互に投入および遮断されるように制御され
る。電磁石44の磁界は炉体内の試料の配置場所において
測光束18の走行方向において延在する。それ故に磁界が
投入されているとき、試料原子に縦方向ゼーマン効果が
発生される。すなわち、試料原子の吸収線はその都度、
雑音の影響を受けていない本来の吸収線に比べてシフト
している２つの線に分裂される。本来の吸収線の波長に
おいてもはや試料中の原子吸収が生じない。それ故に探
査される元素の原子も測光束18をもはや吸収しない。そ
の理由はこの測光束が、元素を特徴付けるずれていない
共振線しか含んでいないからである。それ故に磁界が投
入されているときにはバックグラウンド吸収のみが測定
される。磁界の投入および遮断時の測定から、バックグ
ラウンド吸収に関して補正された、真の原子吸収の成分
を測定することができる。この目的のために電磁石44の
投入および遮断のタイミングは、線68によって図示され
ているように、信号評価回路40に供給される。縦方向ゼ
ーマン効果の使用によって光路における偏光子は不必要
になりかつ有効信号は改善される。
料の配置場所に磁界を発生するための投入および遮断可
能な電磁石44を含んでいる。炉のうち第１図には本来の
炉体42しか図示されていない。電磁石44は２つの心が合
うように整列されている磁極片46および48を有してお
り、両磁極片の間に炉体42が装着されている。磁極片46
および48には整列されている貫通孔50および52があけら
れている。これら貫通孔50および52は炉体42の長手孔54
と整列されている。測光束18は孔50および52並びに炉体
の長手孔を通って延在している。磁極片46および48にコ
イル保持体56ないし58が固着されている。このコイル保
持体56および58に電磁石44のコイル60ないし62が巻き付
けられている。64は、炉体42を流れる電流を制御する電
源部である。図からわかるように、電流は測光束18の走
行方向を横断する方向に供給されかつ管状の炉体42を周
方向において流れる。電磁石44は磁石制御部66によっ
て、磁界が交互に投入および遮断されるように制御され
る。電磁石44の磁界は炉体内の試料の配置場所において
測光束18の走行方向において延在する。それ故に磁界が
投入されているとき、試料原子に縦方向ゼーマン効果が
発生される。すなわち、試料原子の吸収線はその都度、
雑音の影響を受けていない本来の吸収線に比べてシフト
している２つの線に分裂される。本来の吸収線の波長に
おいてもはや試料中の原子吸収が生じない。それ故に探
査される元素の原子も測光束18をもはや吸収しない。そ
の理由はこの測光束が、元素を特徴付けるずれていない
共振線しか含んでいないからである。それ故に磁界が投
入されているときにはバックグラウンド吸収のみが測定
される。磁界の投入および遮断時の測定から、バックグ
ラウンド吸収に関して補正された、真の原子吸収の成分
を測定することができる。この目的のために電磁石44の
投入および遮断のタイミングは、線68によって図示され
ているように、信号評価回路40に供給される。縦方向ゼ
ーマン効果の使用によって光路における偏光子は不必要
になりかつ有効信号は改善される。
ケーシング10に、連続放射する第２の光源70が配設さ
れている。この第２の光源はジューテリウムランプであ
る。第２の光源70は光束72を放射する。第２の光源70か
らの光束72は光路に選択的に挿入接続可能なビームスプ
リッタ74を介して測光束18の光路内に旋回されて入るこ
とができる。第１および第２の光源16ないし70は高速に
順次交互に挿入接続することができ、その結果第１の光
源（中空カソードランプ）16からの線スペクトルを有す
る測光束18または第２の光源（ジュートリウムランプ）
からの連続スペクトルを有する測光束が交互に炉体内に
形成された原子雲を通っていく。挿入接続されるビーム
スプリッタ74を用いたこの作動法では電磁石は遮断され
ている。その場合バックグラウンド吸収は、第１の光源
の非常に狭いスペクトル線の吸収およびこのスペクトル
線に比べて広範な、モノクロメータ34によって規定され
る、連続ビームの幅の吸収を交互に測定することによっ
て、検出することができる。第１の光源と第２の光源と
の間の交代は500Hz以上の周波数、すなわち1000Hzによ
って行われる。基準光源として連続放射する第２の光源
を用いた作動法では、電磁石44を用いたゼーマン効果を
利用した場合に検出することができない、バックグラウ
ンド吸収の比較的迅速な変化を検出することができる。
電磁石44は比較的慣性が大なので、原子吸収測定とバッ
クグラウンド測定との交代の周波数には制約がある。縦
方向ゼーマン効果によって光路には偏光子が必要でな
い。それ故に電磁石の遮断後原子吸収スペクトメータ
は、偏光子および付加的にビームスプリッタ74による２
重の光減衰が生じることもなく、連続放射する第２の光
源70によって動作することができる。
れている。この第２の光源はジューテリウムランプであ
る。第２の光源70は光束72を放射する。第２の光源70か
らの光束72は光路に選択的に挿入接続可能なビームスプ
リッタ74を介して測光束18の光路内に旋回されて入るこ
とができる。第１および第２の光源16ないし70は高速に
順次交互に挿入接続することができ、その結果第１の光
源（中空カソードランプ）16からの線スペクトルを有す
る測光束18または第２の光源（ジュートリウムランプ）
からの連続スペクトルを有する測光束が交互に炉体内に
形成された原子雲を通っていく。挿入接続されるビーム
スプリッタ74を用いたこの作動法では電磁石は遮断され
ている。その場合バックグラウンド吸収は、第１の光源
の非常に狭いスペクトル線の吸収およびこのスペクトル
線に比べて広範な、モノクロメータ34によって規定され
る、連続ビームの幅の吸収を交互に測定することによっ
て、検出することができる。第１の光源と第２の光源と
の間の交代は500Hz以上の周波数、すなわち1000Hzによ
って行われる。基準光源として連続放射する第２の光源
を用いた作動法では、電磁石44を用いたゼーマン効果を
利用した場合に検出することができない、バックグラウ
ンド吸収の比較的迅速な変化を検出することができる。
電磁石44は比較的慣性が大なので、原子吸収測定とバッ
クグラウンド測定との交代の周波数には制約がある。縦
方向ゼーマン効果によって光路には偏光子が必要でな
い。それ故に電磁石の遮断後原子吸収スペクトメータ
は、偏光子および付加的にビームスプリッタ74による２
重の光減衰が生じることもなく、連続放射する第２の光
源70によって動作することができる。
電磁石44および炉を有する原子化装置の構造は第２図
および第３図に詳細に図示されている。
および第３図に詳細に図示されている。
電磁石44は、成層化鉄心から成るｕ字形の磁束帰路部
材76および整列されている磁極片46,48を有している。
磁極片46および48は円筒形でありかつ互いに向き合う端
面がさい頭円錐形状に先細になっている。磁極片46およ
び48は、ｕ字形の磁束帰路部材76の脚部に取り付けられ
ておりかつそれより内方向に突出している、同じく心合
わせされて整列されている終端部材78ないし80に固着さ
れている。磁極片46および48および終端部材78ないし80
を通って、心合わせされて整列されている貫通孔50ない
し52が延在している。磁極片46および48において貫通孔
50ないし52は、測光束を炉体42の中心に集束することが
できるように、円錐状の内壁を有している。終端部材78
および80の領域において貫通孔50ないし52は肩状部82を
形成している。貫通孔50および52にウィンドウホルダ84
ないし86が挿入されかつＯリング88によってシールされ
ている。ウィンドウホルダ84および86には、反射を避け
るためにウィンドウホルダ84ないし86に斜めに配設され
ておりかつパッキンリング92によって保持されるウィン
ドウ90が装着されている。
材76および整列されている磁極片46,48を有している。
磁極片46および48は円筒形でありかつ互いに向き合う端
面がさい頭円錐形状に先細になっている。磁極片46およ
び48は、ｕ字形の磁束帰路部材76の脚部に取り付けられ
ておりかつそれより内方向に突出している、同じく心合
わせされて整列されている終端部材78ないし80に固着さ
れている。磁極片46および48および終端部材78ないし80
を通って、心合わせされて整列されている貫通孔50ない
し52が延在している。磁極片46および48において貫通孔
50ないし52は、測光束を炉体42の中心に集束することが
できるように、円錐状の内壁を有している。終端部材78
および80の領域において貫通孔50ないし52は肩状部82を
形成している。貫通孔50および52にウィンドウホルダ84
ないし86が挿入されかつＯリング88によってシールされ
ている。ウィンドウホルダ84および86には、反射を避け
るためにウィンドウホルダ84ないし86に斜めに配設され
ておりかつパッキンリング92によって保持されるウィン
ドウ90が装着されている。
磁極片46および48に、アルミニウムのような非磁性材
料から成る統合ユニット94が固着されている。このユニ
ットは一方において、磁気コイル60ないし62が巻き付け
られているコイル保持体56および58を形成し、他方にお
いてその間に炉を保持する接触部材のうち１つを支持す
る接触部材支持体96を形成する。磁気コイル60および62
は第２図および第３図にはわかりやすくために図示され
ていない。
料から成る統合ユニット94が固着されている。このユニ
ットは一方において、磁気コイル60ないし62が巻き付け
られているコイル保持体56および58を形成し、他方にお
いてその間に炉を保持する接触部材のうち１つを支持す
る接触部材支持体96を形成する。磁気コイル60および62
は第２図および第３図にはわかりやすくために図示され
ていない。
コイル保持体56および58は、２つのフラン98および10
0ないし102および104およびボス部分106ないし108を有
する巻型形状の部材によって形成されている。ボス部分
106および108は磁極片46ないし48の形状に整合されてい
る。２つのコイル保持体56および58の互いに向き合って
いるフランジ100および102の間に、孔112を有するブロ
ック110が装着されている。孔112において、その外面に
ミアンダ状の溝116を有する挿入体114が装着されてお
り、その際溝は112の内面とともに冷却通路を形成して
いる。この冷却通路は冷却液に対する入口118および出
口120に接続されている。挿入体は、保護ガス用入口124
が設けられているヘッド部122を有している。挿入体114
を通って軸線方向孔126が延在しているが、この孔は第
３図では左側の端部で閉鎖されている。この軸線方向孔
に接触部材128が装着されており、この接触部材によっ
て電熱式の原子化のための炉130が一方の側において保
持されておりかつ接触部材を介して炉130に対する電流
供給も行われる。
0ないし102および104およびボス部分106ないし108を有
する巻型形状の部材によって形成されている。ボス部分
106および108は磁極片46ないし48の形状に整合されてい
る。２つのコイル保持体56および58の互いに向き合って
いるフランジ100および102の間に、孔112を有するブロ
ック110が装着されている。孔112において、その外面に
ミアンダ状の溝116を有する挿入体114が装着されてお
り、その際溝は112の内面とともに冷却通路を形成して
いる。この冷却通路は冷却液に対する入口118および出
口120に接続されている。挿入体は、保護ガス用入口124
が設けられているヘッド部122を有している。挿入体114
を通って軸線方向孔126が延在しているが、この孔は第
３図では左側の端部で閉鎖されている。この軸線方向孔
に接触部材128が装着されており、この接触部材によっ
て電熱式の原子化のための炉130が一方の側において保
持されておりかつ接触部材を介して炉130に対する電流
供給も行われる。
接触部材128は、軸線方向の孔126に装着されている軸
部132、およびヘッド部134を有している。ヘッド部134
はその端面において切欠き136を有している。この切欠
き136は端面に接しているところで最初横断面箇所138に
おいて円筒形でありかつそれから横断面箇所140におい
て円錐形に狭まっていく。軸部132に、切欠き136の底部
までつながっている中央の軸線方向孔142が延在してい
る。円筒形状の横断面箇所138において第３図の上側の
ヘッド部134に、炉に試料を供給することができる半径
方向の供給用開口144が形成されている。
部132、およびヘッド部134を有している。ヘッド部134
はその端面において切欠き136を有している。この切欠
き136は端面に接しているところで最初横断面箇所138に
おいて円筒形でありかつそれから横断面箇所140におい
て円錐形に狭まっていく。軸部132に、切欠き136の底部
までつながっている中央の軸線方向孔142が延在してい
る。円筒形状の横断面箇所138において第３図の上側の
ヘッド部134に、炉に試料を供給することができる半径
方向の供給用開口144が形成されている。
電磁石44の磁束帰路部材76は、横断面がｕ字形の薄板
部分146によって取り囲まれており、この薄板部分内に
支承部材148がボルト150によって保持されている。支承
部材のピン軸152に旋回アーム154が軸受ブッシュ156を
介して旋回可能に支承されている。旋回アーム154に可
動のブロック158が固着されている。このブロック158は
ブロック110と類似して孔160を有している。この孔160
には挿入体114と類似した挿入体162が装着されている。
この挿入体162はその外面に、孔160の内面とともに冷却
通路を形成するミアンダ状の溝164を有している。この
冷却通路はその端部が、冷却液に対する入口用接続部16
6および出口用接続部168に接続されている。挿入体162
はヘッド部170を有している。中央の軸線方向の孔172は
挿入体162およびヘッド部170を通って延在している。軸
線方向の孔172は第３図の右側においてウィンドウによ
って閉鎖されている。この軸線方向の孔172に保護ガス
接続部174がつながっている。軸線方向の孔172には接触
部材176が装着されている。接触部材176は円筒形の軸部
178およびヘッド部180を有している。ヘッド部180の端
面において円錐形の凹部182が形成されている。この凹
部182は横断面箇所140の凹部にほぼ相応する。接触部材
176の軸部178に、孔142に類似した中央の軸線方向の孔1
84が延在している。
部分146によって取り囲まれており、この薄板部分内に
支承部材148がボルト150によって保持されている。支承
部材のピン軸152に旋回アーム154が軸受ブッシュ156を
介して旋回可能に支承されている。旋回アーム154に可
動のブロック158が固着されている。このブロック158は
ブロック110と類似して孔160を有している。この孔160
には挿入体114と類似した挿入体162が装着されている。
この挿入体162はその外面に、孔160の内面とともに冷却
通路を形成するミアンダ状の溝164を有している。この
冷却通路はその端部が、冷却液に対する入口用接続部16
6および出口用接続部168に接続されている。挿入体162
はヘッド部170を有している。中央の軸線方向の孔172は
挿入体162およびヘッド部170を通って延在している。軸
線方向の孔172は第３図の右側においてウィンドウによ
って閉鎖されている。この軸線方向の孔172に保護ガス
接続部174がつながっている。軸線方向の孔172には接触
部材176が装着されている。接触部材176は円筒形の軸部
178およびヘッド部180を有している。ヘッド部180の端
面において円錐形の凹部182が形成されている。この凹
部182は横断面箇所140の凹部にほぼ相応する。接触部材
176の軸部178に、孔142に類似した中央の軸線方向の孔1
84が延在している。
第３図に図示されている、旋回アーム154の動作位置
において、炉130は円錐形の接触面186および188によっ
て接触部材128と176との間に保持される。その際接触部
材128および176の軸線は一線を成すように整列されてい
る。また、ブロック110および158,挿入体114および162
および接触部材128および176を介して電流が炉130に案
内される。この目的のためにブロック110よび挿入体162
は、高電流通路に対する差し込み接続部190ないし192を
備えている。
において、炉130は円錐形の接触面186および188によっ
て接触部材128と176との間に保持される。その際接触部
材128および176の軸線は一線を成すように整列されてい
る。また、ブロック110および158,挿入体114および162
および接触部材128および176を介して電流が炉130に案
内される。この目的のためにブロック110よび挿入体162
は、高電流通路に対する差し込み接続部190ないし192を
備えている。
炉130は、第２図においてもっともよくわかる本来の
炉体42を含んでいる。炉体42に沿って、第２図において
見て取れる直径をはさんで向かい合う接触部材リブ194
および196が延在している。これら接触部材リブ194およ
び196に、実質的に円筒形の接続部材198および200が接
続されており、これら接続部材の円錐形の接触面186お
よび188が接触部材128および176の間に保持されてい
る。従ってこれら接続部材198および200の軸線は、第３
図の図平面において接触部材128および176の軸線と一線
を成すように整列されておりかつ測光束18と一線を成す
ように整列されている、炉体42の軸線に対して垂直方向
に位置している。第２図および第３図の上側にあるこれ
ら２つの軸線に対して司直方向に炉体42中に、供給用開
口部144と一線を成すように整列されておりかつ試料を
炉130に供給することができる供給用開口部が設けられ
ている。
炉体42を含んでいる。炉体42に沿って、第２図において
見て取れる直径をはさんで向かい合う接触部材リブ194
および196が延在している。これら接触部材リブ194およ
び196に、実質的に円筒形の接続部材198および200が接
続されており、これら接続部材の円錐形の接触面186お
よび188が接触部材128および176の間に保持されてい
る。従ってこれら接続部材198および200の軸線は、第３
図の図平面において接触部材128および176の軸線と一線
を成すように整列されておりかつ測光束18と一線を成す
ように整列されている、炉体42の軸線に対して垂直方向
に位置している。第２図および第３図の上側にあるこれ
ら２つの軸線に対して司直方向に炉体42中に、供給用開
口部144と一線を成すように整列されておりかつ試料を
炉130に供給することができる供給用開口部が設けられ
ている。
接触部材128および176はそれらの凹所136および182
で、炉130を収容する中空室を形成している。その際接
触部材128および176は比較的狭い分離ギャップ202によ
ってのみ相互に分離されている。（図示されていない）
ニューマチック旋回装置によって旋回アーム154は第３
図において時計の指針の進行方向に旋回することができ
る。これは第３図では矢印によって示されている。これ
により挿入体162および接触部材176を有するブロック15
8が戻し旋回されかつ炉130は接近操作可能になる。この
ようにして炉130の交換を行うことができる。保護ガス
接続部124および174を介して保護ガスが供給される。こ
の保護ガスは孔126ないし172および軸線方向の孔142な
いし184を介して炉130の接続部材198ないし200に流れ
る。それから保護ガスは後で説明する通路を介して炉13
0に分配される。接触部材128および176並びに炉130はグ
ラファイトから製造されている。保護ガスは、炉130の
加熱、従って燃焼の際に炉130に空気中の酸素が入り込
むことがないようにする。
で、炉130を収容する中空室を形成している。その際接
触部材128および176は比較的狭い分離ギャップ202によ
ってのみ相互に分離されている。（図示されていない）
ニューマチック旋回装置によって旋回アーム154は第３
図において時計の指針の進行方向に旋回することができ
る。これは第３図では矢印によって示されている。これ
により挿入体162および接触部材176を有するブロック15
8が戻し旋回されかつ炉130は接近操作可能になる。この
ようにして炉130の交換を行うことができる。保護ガス
接続部124および174を介して保護ガスが供給される。こ
の保護ガスは孔126ないし172および軸線方向の孔142な
いし184を介して炉130の接続部材198ないし200に流れ
る。それから保護ガスは後で説明する通路を介して炉13
0に分配される。接触部材128および176並びに炉130はグ
ラファイトから製造されている。保護ガスは、炉130の
加熱、従って燃焼の際に炉130に空気中の酸素が入り込
むことがないようにする。
第２図からわかるように、接触部材128と磁極片48の
端面との間に測光束に対する中央の貫通孔を有する遮蔽
板204が装着されている。被覆板204は、この遮蔽板204
の平面において高い熱伝導率を有しかつこの平面に対し
て垂直な方向において低い熱伝導率を有する熱分解性の
炭素から成っている。このようにして磁極片48は炉130
および接触部材128の高温に対して遮蔽される。
端面との間に測光束に対する中央の貫通孔を有する遮蔽
板204が装着されている。被覆板204は、この遮蔽板204
の平面において高い熱伝導率を有しかつこの平面に対し
て垂直な方向において低い熱伝導率を有する熱分解性の
炭素から成っている。このようにして磁極片48は炉130
および接触部材128の高温に対して遮蔽される。
挿入体162および接触部材176における軸線方向孔172
および184並びに接続部材200および接触部材条片196は
同時に、高温計光路208を形成するために用いられる。
この光路において光線検出器210から結像系212を用いて
炉体42の壁の一部が観察される。光線検出器210の信号
は、炉体42の温度に対する尺度を表しているので、炉温
度の調整のために使用することができる。
および184並びに接続部材200および接触部材条片196は
同時に、高温計光路208を形成するために用いられる。
この光路において光線検出器210から結像系212を用いて
炉体42の壁の一部が観察される。光線検出器210の信号
は、炉体42の温度に対する尺度を表しているので、炉温
度の調整のために使用することができる。
第６図および第７図は、遮蔽板204を有する接触部材1
28自体を示している。第８図は対向する接触部材を示し
ている。
28自体を示している。第８図は対向する接触部材を示し
ている。
第９図ないし第11図には炉130が詳しく図示されてい
る。
る。
第９図ないし第11図の炉において220で、その基本形
において上側の平坦な面222および下側の平坦な面224を
有するプレートを形成するグラファイト部材が示されて
いる。グラファイト部材220は、平面で見て実質的に規
則的な８角形をしている中央部分226を有している。こ
の８角形の直径を挟んで対向する２つの辺に、接続部材
198および200を形成する突起が固着されている。これら
接続部材198および200は円筒形の周面232ないし234を有
しているが、平坦な面222ないし224によって上側および
下側において制限されておりかつこれにより偏平に切取
られている。接続部材198および200は円酢形の接触面18
6ないし188を有している。これらの接触面186および188
によって炉130は、電流供給を行う装置側の接触部材128
および176の間に保持されている。
において上側の平坦な面222および下側の平坦な面224を
有するプレートを形成するグラファイト部材が示されて
いる。グラファイト部材220は、平面で見て実質的に規
則的な８角形をしている中央部分226を有している。こ
の８角形の直径を挟んで対向する２つの辺に、接続部材
198および200を形成する突起が固着されている。これら
接続部材198および200は円筒形の周面232ないし234を有
しているが、平坦な面222ないし224によって上側および
下側において制限されておりかつこれにより偏平に切取
られている。接続部材198および200は円酢形の接触面18
6ないし188を有している。これらの接触面186および188
によって炉130は、電流供給を行う装置側の接触部材128
および176の間に保持されている。
８角形の、接続部材198,200を有する辺に垂直である
辺は、貫通孔240によって接続されている。この貫通孔2
40の軸線242は接続部材の軸線244に対して垂直方向に延
びている。中心部分226の、貫通孔240を介して接続され
ている辺間の部分が、炉体42を形成している。
辺は、貫通孔240によって接続されている。この貫通孔2
40の軸線242は接続部材の軸線244に対して垂直方向に延
びている。中心部分226の、貫通孔240を介して接続され
ている辺間の部分が、炉体42を形成している。
炉体42の２つの辺に接触部材リブ194および196が続い
ている。これら接触部材リブ194および196は第10図の平
面図において台形をしている。接触部材リブ194および1
96は平坦な面222および224によって上側および下側にお
いて制限されておりかつ辺は斜めに延びている側面252,
254ないし256,258によって制限されている。台形の平行
な長い方の辺は炉体42に接している。狭い方の辺はそれ
ぞれ、８角形の最初に述べた辺でありかつ接続部材198
ないし200を支持している。接触部材リブ194および196
は横断面が縮小された領域を有している。
ている。これら接触部材リブ194および196は第10図の平
面図において台形をしている。接触部材リブ194および1
96は平坦な面222および224によって上側および下側にお
いて制限されておりかつ辺は斜めに延びている側面252,
254ないし256,258によって制限されている。台形の平行
な長い方の辺は炉体42に接している。狭い方の辺はそれ
ぞれ、８角形の最初に述べた辺でありかつ接続部材198
ないし200を支持している。接触部材リブ194および196
は横断面が縮小された領域を有している。
第９図ないし第11図に図示の炉において、炉体42の中
央領域に沿ってスリット292および296,298を通って平坦
な面222および224に電流供給するために横断面が縮小さ
れている。これらスリットは炉体42の軸線242に対して
平行であって、側面252,254ないし256,258から間隔をお
いて所で終わっている。第９図からわかるように、スリ
ット、例えば296および298は保護ガス通路、例えば206
から始まっている。それ故に保護ガス通路を介して流れ
る保護ガスは開口300および302を通ってスリット296,29
8に入りかつ両側のこれらスリットを通って、炉体42全
体に沿って出ていく。
央領域に沿ってスリット292および296,298を通って平坦
な面222および224に電流供給するために横断面が縮小さ
れている。これらスリットは炉体42の軸線242に対して
平行であって、側面252,254ないし256,258から間隔をお
いて所で終わっている。第９図からわかるように、スリ
ット、例えば296および298は保護ガス通路、例えば206
から始まっている。それ故に保護ガス通路を介して流れ
る保護ガスは開口300および302を通ってスリット296,29
8に入りかつ両側のこれらスリットを通って、炉体42全
体に沿って出ていく。
保護ガス通路206は軸線244に沿って接続部材198およ
び200内に延びている。保護ガス通路は中央部分226まで
延在している。保護ガス通路を介して保護ガスが装置の
側の接触部材128,176から保護通路206を通って供給され
るとき、この保護ガスはスリット296,298を介して分配
されかつ炉130に４方から噴霧される。これにより炉へ
の空気の浸入、従って高い原子化温度の際の炉の燃焼が
妨げられる。
び200内に延びている。保護ガス通路は中央部分226まで
延在している。保護ガス通路を介して保護ガスが装置の
側の接触部材128,176から保護通路206を通って供給され
るとき、この保護ガスはスリット296,298を介して分配
されかつ炉130に４方から噴霧される。これにより炉へ
の空気の浸入、従って高い原子化温度の際の炉の燃焼が
妨げられる。
炉体42の中央領域において電流供給に対して横断面を
縮小したことによって、特特別一様な温度分配が実現さ
れる。
縮小したことによって、特特別一様な温度分配が実現さ
れる。
炉体42は、分析すべき試料を炉に供給することができ
る供給用開口282を有している。この供給用開口282の軸
線284は、炉体42および接続部材198,200の軸線242およ
び244に対して垂直方向である。
る供給用開口282を有している。この供給用開口282の軸
線284は、炉体42および接続部材198,200の軸線242およ
び244に対して垂直方向である。
発明の効果 本発明によれば、グラファイト製炉の電流が測光束の
方向を横断する方向において供給される。これにより一
様な温度分布が得られる。それにも拘わらず磁界が測光
束の走行方向において発生されることで、グラファイト
製炉の一方の側を試料の供給のために使用することがで
きる。
方向を横断する方向において供給される。これにより一
様な温度分布が得られる。それにも拘わらず磁界が測光
束の走行方向において発生されることで、グラファイト
製炉の一方の側を試料の供給のために使用することがで
きる。
本発明の別の利点は、試料に縦方向ゼーマン効果、従
って中央線なしの吸収線の分裂が本来の波長において生
じることである。それ故に、この種の中央線を光路に偏
光子を配設することで取り除く必要がない。これにより
改善された有効信号が得られる。
って中央線なしの吸収線の分裂が本来の波長において生
じることである。それ故に、この種の中央線を光路に偏
光子を配設することで取り除く必要がない。これにより
改善された有効信号が得られる。
第１図はバックグラウンド吸収が縦方向ゼーマン効果を
利用して補償される、原子吸収スペクトロメータの構成
全体を略示するブロック線図であり、第２図は縦方向ゼ
ーマン効果が発生される電磁石と、該電磁石のギャップ
において試料を電熱式に原子化するための炉とを、一部
断面にて示す側面図であり、第３図は第２図の線III−I
IIに沿って切断して見た断面図であり、第４図は炉の保
持のための接触部材の１つおよび炉への電流供給部を支
持する接触部材支持体そのものと、該接点支持体ととも
に統合ユニットを形成するコイル保持体とを第２図と類
似した側面において示す図であり、第５図は第４図の構
成部分の平面図であり、第６図は第２図と類似した、炉
を一方の側において保持している接触部材の概略図であ
り、第７図は第６図の線VII−VIIに沿って切断して見た
断面図であり、第８図は第６図と類似した、対向接触部
材の概略図であり、第９図は第１図ないし第３図の原子
吸収スペクトロメータにおける試料の電熱式原子化のた
めの炉そのものを第３図に類似して、一部断面にて示す
概略図であり、第10図は第９図の炉の平面図であり、第
11図は炉を第９図の左側から見た、一部を断面にて示す
概略図である。 12……試料室、14……原子化装置、16……第１の光源、
18……測光束、42……炉体、44……電磁石、46,48……
磁石片、56,58……コイル保持体、70……第２の光源、6
9……接触部材支持体、128,176……接触部材、130……
炉
利用して補償される、原子吸収スペクトロメータの構成
全体を略示するブロック線図であり、第２図は縦方向ゼ
ーマン効果が発生される電磁石と、該電磁石のギャップ
において試料を電熱式に原子化するための炉とを、一部
断面にて示す側面図であり、第３図は第２図の線III−I
IIに沿って切断して見た断面図であり、第４図は炉の保
持のための接触部材の１つおよび炉への電流供給部を支
持する接触部材支持体そのものと、該接点支持体ととも
に統合ユニットを形成するコイル保持体とを第２図と類
似した側面において示す図であり、第５図は第４図の構
成部分の平面図であり、第６図は第２図と類似した、炉
を一方の側において保持している接触部材の概略図であ
り、第７図は第６図の線VII−VIIに沿って切断して見た
断面図であり、第８図は第６図と類似した、対向接触部
材の概略図であり、第９図は第１図ないし第３図の原子
吸収スペクトロメータにおける試料の電熱式原子化のた
めの炉そのものを第３図に類似して、一部断面にて示す
概略図であり、第10図は第９図の炉の平面図であり、第
11図は炉を第９図の左側から見た、一部を断面にて示す
概略図である。 12……試料室、14……原子化装置、16……第１の光源、
18……測光束、42……炉体、44……電磁石、46,48……
磁石片、56,58……コイル保持体、70……第２の光源、6
9……接触部材支持体、128,176……接触部材、130……
炉
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−35440（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−88136（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−143683（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−134490（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−162596（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−92937（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01N 21/00 - 21/01,21/17 - 21/7 4 ＪＯＩＳ
Claims (5)
- 【請求項１】試料の電熱式の原子化およびゼーマン効果
を利用したバックグラウンド補償が行われる原子吸収ス
ペクトロメータにおいて、 （ａ）原子吸収スペクトロメータの測光束（18）の走行
方向を横断する方向において加熱される、試料の電熱式
原子化に対する炉（130）を備え、 （ｂ）前記試料の配置場所に、前記測光束（18）の走行
方向に対して平行に延在する磁界を発生するための切換
可能な電磁石（44）を備え、それにより該電磁石（44）
の投入接続の際に縦方向ゼーマン効果が生じるように
し、 （ｃ）磁界を発生するための前記電磁石（44）は、前記
測光束（18）を通過させるように整列されている貫通孔
（50,52）を備えた磁極片（46,48）を有し、かつ （ｄ）前記電磁石はエアギャップを有しており、 （ｅ）該磁極片（46,48）に接触部材支持体（96）が配
設されており、該接触部材支持体において、軸線が前記
測光束（18）が軸線に対して平行に延在する接触部材
（128,176）が、前記電磁石（44）のエアギャップにお
いて前記試料を電熱式に原子化するための前記測光束の
走行方向を横断する方向に加熱される炉（130）を保持
しかつ該炉（130）に電流を供給するために保持されて
いる ことを特徴とする原子吸収スペクトロメータ。 - 【請求項２】前記磁極片（46,48）に配設されているコ
イル保持体を備え、磁界を発生するための磁気コイル
（60,62）が該コイル保持体に配置されている請求項２
記載の原子吸収スペクトロメータ。 - 【請求項３】前記接触部材支持体（96）は、前記磁気コ
イル（60,62）を支持するコイル保持体（56,58）ととも
に、統合ユニットを形成し、該統合ユニットは前記コイ
ル保持体（56,58）とともに前記磁極片（46,48）上に載
着されている請求項２記載の原子吸収スペクトロメー
タ。 - 【請求項４】（ａ）測光束（18）を発生する、線放射す
る第１の光源（16）に付加的に、該線放射する第１の光
源（16）と交互に投入接続される、バックグラウンド補
償のための連続放射する第２の光源（70）が設けられて
おり、かつ （ｂ）ビームスプリッタ（74）が選択的に光路内に旋回
可能であり、該ビームスプリッタによって前記第２の光
源（70）から放射された光束が測光束（18）の光路内に
反射可能である請求項２記載の原子吸収スペクトルメー
タ。 - 【請求項５】第１および第２の光源（16ないし70）間の
交代は、500Hz以上の周波数によって行われる請求項４
記載の原子吸収スペククトルメータ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3809216A DE3809216A1 (de) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | Atomabsorptions-spektrometer |
| DE3809212.3 | 1988-03-18 | ||
| DE3809212A DE3809212A1 (de) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | Atomabsorptions-spektrometer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221242A JPH0221242A (ja) | 1990-01-24 |
| JP2823583B2 true JP2823583B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=39386399
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1503420A Expired - Lifetime JP2868561B2 (ja) | 1988-03-18 | 1989-03-13 | 原子吸光‐分光計 |
| JP1064007A Expired - Lifetime JP2823583B2 (ja) | 1988-03-18 | 1989-03-17 | 原子吸収スペクトロメータ |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1503420A Expired - Lifetime JP2868561B2 (ja) | 1988-03-18 | 1989-03-13 | 原子吸光‐分光計 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (2) | EP0365624B1 (ja) |
| JP (2) | JP2868561B2 (ja) |
| AT (1) | ATE110468T1 (ja) |
| AU (1) | AU618797B2 (ja) |
| DE (2) | DE3809212A1 (ja) |
| WO (2) | WO1989008833A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2749174B2 (ja) * | 1990-03-16 | 1998-05-13 | 株式会社日立製作所 | ゼーマン原子吸光光度計 |
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| DE4338233C2 (de) * | 1993-11-09 | 1997-02-06 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Anordnung zur abwechselnden Proben- und Untergrundmessung, insbesondere bei der hochempfindlichen absorptionsspektroskopischen, selektiven Spurengasanalyse |
| DE4401745C2 (de) * | 1994-01-21 | 2003-02-06 | Perkin Elmer Bodenseewerk Zwei | Verfahren zur Lichterzeugung für die Atomabsorptionsspektroskopie und Atomabsorptionsspektroskopiesystem zur Durchführung des Verfahrens |
| DE19940095A1 (de) * | 1999-08-24 | 2001-03-01 | Analytik Jena Ag | Zeeman-Atomisiereinrichtung für gelöste und feste Proben |
| EP1871149B1 (en) * | 2006-06-22 | 2011-08-03 | Sony Deutschland Gmbh | Zeeman-slower, coil for a Zeeman-slower device and method for cooling an atom beam |
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| CN105115923B (zh) * | 2015-09-22 | 2024-04-09 | 上海光谱仪器有限公司 | 一种可拆卸的交流塞曼石墨炉原子化器 |
| DE102017119631A1 (de) * | 2017-08-28 | 2019-02-28 | Analytik Jena Ag | Anordnung zur elektrothermischen Atomisierung und Atom-Absorptions-Spektrometer |
| DE102019103035A1 (de) | 2019-02-07 | 2020-08-13 | Analytik Jena Ag | Atomabsorptionsspektrometer |
| GB2611070B (en) * | 2021-09-24 | 2024-04-03 | Servomex Group Ltd | Electromagnetic control of absorption and suppression of spectral artefacts |
Family Cites Families (25)
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| DE1964469C3 (de) * | 1969-12-23 | 1974-05-02 | Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim | Vorrichtung zur Atomabsorptionsanalyse einer Probe |
| DE2165106C2 (de) * | 1971-01-05 | 1984-02-09 | Varian Techtron Proprietary Ltd., North Springvale, Victoria | Verfahren und Vorrichtung zur Analyse von Atomspektren |
| FR2153521A5 (ja) * | 1971-09-14 | 1973-05-04 | Commissariat Energie Atomique | |
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-
1988
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- 1988-03-18 DE DE3809216A patent/DE3809216A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-03-13 JP JP1503420A patent/JP2868561B2/ja not_active Expired - Lifetime
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- 1989-03-13 EP EP89903738A patent/EP0365624B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-13 AU AU32929/89A patent/AU618797B2/en not_active Ceased
- 1989-03-13 WO PCT/EP1989/000261 patent/WO1989008833A1/de active IP Right Grant
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