JP2747474B2 - 電子写真感光体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【本発明の属する技術分野】本発明は、レーザビームプ
リンタなどの電子写真装置に適する電子写真感光体並び
にその電子写真感光体を用いた電子写真装置に関する。
本発明の電子写真装置は、各種計算機の出力装置、ファ
ックスあるいは複写機などの画像出力装置として適す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真に用いられる感光体の有
機光導電材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
をはじめとする高分子材料が提案されてきた。しかしな
がら、膜強度等実用上の問題を有していたため、その後
低分子化合物を樹脂分散したものが多く用いられるよう
になった。そのための低分子化合物として、特開昭52−
72231 号記載のピラゾリン化合物、特公昭55−42380 号
記載のヒドラゾン化合物や特開昭57−195254号記載のト
リフェニルアミン化合物など多くの材料が提案されてき
た。

【０００３】ここでいうところの「電子写真方式」と
は、光導電性の感光体をまず暗所で帯電させ、そののち
露光部のみの電荷を選択的に中和することにより静電画
像を形成し、この潜像部をトナーなどを用いた現像手段
で可視化し、画像を形成する方法である。

【０００４】このような電子写真方式に用いる感光体に
要求される特性は、（１）暗所において適当な電位に帯
電されること、（２）暗所における電荷の放電が少ない
こと、（３）露光により速やかに電荷を放電すること、
（４）繰返し使用時の劣化が少ないことなどが挙げられ
る。しかし、従来の光導電性有機材料はこれらの要求を
必ずしも充分に満足していないのが実状である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
のような要求特性を充分満足し、特に光応答性がよく耐
久性に優れた電子写真感光体を提供することにある。ま
た、本発明の他の目的は、メンテナンスの頻度が少な
く、出力速度が早く、良好な画像を得ることが出来る電
子写真装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の目
的を達成するため鋭意研究した結果、電荷搬送材料の最
高被占軌道の分布と光応答性を決定する因子であるドリ
フト移動度との間に強い相関を見出した。すなわち、ト
リフェニルアミン誘導体において、最高被占軌道の電子
が、トリフェニルアミン構造上に集中したものほど高い
ドリフト移動度を示すことを見出した。従って、そのよ
うなトリフェニルアミン誘導体を電荷輸送物質として使
用することにより、上記目的を満足する電子写真感光体
を提供することが出来る。

【０００７】本発明で用いるトリフェニルアミン誘導体
とは、最高被占軌道の電子がトリフェニルアミン構造上
に８０％以上特に８５％以上存在するもので、下記の一
般式で表されるものである。

【０００８】

【化２】

【０００９】Ｘ：少なくとも１つの窒素原子を有する複
素環基であり、置換されていても良い。

【００１０】Ｑ：単結合あるいは、−ＣＨ＝ＣＨ−であ
る。

【００１１】Ｚ_１，Ｚ_２，Ｚ_３：水素、置換されていて
もよい低級アルキル基、置換されていてもよい低級アル
コキシ基、置換されていてもよいアリール基、ニトロ
基、ジアルキルアミノ基、−Ｓ−Ｃ_６Ｈ_５，−Ｓ−Ｒ′
（Ｒ′は低級アルキル基を表す。）を表す。

【００１２】ここでいうところの「低級アルキル基」、
「低級アルコキシ基」とは、炭素数１から５までの基を
さすものである。

【００１３】特に有効な化合物の一つは、トリフェニル
アミン構造上に最高被占軌道の電子が８０％以上存在
し、かつ上記複素環の窒素原子がＱに隣接する不飽和炭
素原子と結合している複素環を有するものである。

【００１４】また他の有望な化合物としては、トリフェ
ニルアミン構造上に最高被占軌道の電子が８０％以上存
在し、トリフェニルアミン骨格にＣ−Ｃ二重結合を介し
て結合する複素環を有するものである。

【００１５】そのようなトリフェニルアミン誘導体の代
表例としては、以下のような化合物を上げることが出来
るが、これらの化合物に限定されるものではない。

【００１６】

【化３】

【００１７】

【化４】

【００１８】

【化５】

【００１９】

【化６】

【００２０】

【化７】

【００２１】

【化８】

【００２２】

【化９】

【００２３】

【化１０】

【００２４】

【化１１】

【００２５】

【化１２】

【００２６】

【化１３】

【００２７】

【化１４】

【００２８】

【化１５】

【００２９】

【化１６】

【００３０】

【化１７】

【００３１】

【化１８】

【００３２】このような化合物が高いドリフト移動度を
示す理由は、今のところ明らかではないが、次のような
理由が考えられる。

【００３３】電荷輸送物質間の電荷移動は、それぞれの
分子の最高被占軌道を介して起こる。従って、最高被占
軌道の電子は、電荷移動を起こしやすい部分に存在する
ことが望ましい。トリフェニルアミン骨格は、そのよう
な電荷移動を起こしやすい構造と考えられ、そのため、
上記のような傾向を示すものと推定される。

【００３４】上記化合物の最高被占軌道の電子の分布
は、汎用の分子軌道プログラムを用いることが出来る
が、計算時間や信頼性の店からＭＮＤＯ（Modified Neg
lect of Diatomic Orbital）法が好ましい。ＭＮＤＯ法
のプログラムは、ＱＣＰＥ（Quantum Chemistry Progra
m Exchange）、ＪＣＰＥ（日本化学プログラム交換機
構）等様々な機関より入手できる。本発明においては、
最高被占軌道の電子の分布は、ＭＯＰＡＣ ｖｅｒ．４
（ＱＣＰＥ Ｎｏ．４５５）中のＭＮＤＯ法のプログラ
ムを使用して計算したものと定義する。

【００３５】また、その他の有望な化合物としては、次
のような一般式で表されるトリフェニルアミン誘導体を
挙げることが出来る。

【００３６】

【化１９】

【００３７】

【化２０】

【００３８】

【化２１】

【００３９】

【化２２】

【００４０】

【化２３】

【００４１】

【化２４】

【００４２】

【化２５】

【００４３】のいずれかである。

【００４４】但し、ｍは１ないし２であり、Ｙは−Ｏ
−，−Ｓ−，−Ｓｅ−，−ＮＨ−，−ＮＲ_１−，＞ＣＲ
_２Ｒ_３のいずれかであり、Ｒ_１は低級アルキル基であ
り、Ｒ_２及びＲ_３は、水素あるいは低級アルキル基であ
る。

【００４５】Ｚ_２，Ｚ_３，Ｚ_４：水素、置換されていて
もよい低級アルキル基、置換されていてもよい低級アル
コキシ基、置換されていてもよいアリール基である。

【００４６】Ｘ′として特に好ましい構造は、次のよう
なものである。

【００４７】

【化２６】

【００４８】

【化２７】

【００４９】また、Ｘ′として好ましい構造としては、
次のような構造を挙げることが出来る。

【００５０】

【化２８】

【００５１】

【化２９】

【００５２】

【化３０】

【００５３】

【化３１】

【００５４】

【化３２】

【００５５】（但し、Ｒ′は、−Ｈあるいは、−ＯＣＨ
_３である。）

【００５６】

【化３３】

【００５７】

【化３４】

【００５８】

【化３５】

【００５９】

【化３６】

【００６０】

【化３７】

【００６１】

【化３８】

【００６２】

【化３９】

【００６３】

【化４０】

【００６４】

【化４１】

【００６５】

【化４２】

【００６６】

【化４３】

【００６７】

【化４４】

【００６８】このような置換基を有するトリフェニルア
ミン誘導体の代表例としては、以下のような化合物を挙
げることが出来るが、これらの化合物に限定されるもの
ではない。

【００６９】

【化４５】

【００７０】

【化４６】

【００７１】

【化４７】

【００７２】

【化４８】

【００７３】

【化４９】

【００７４】

【化５０】

【００７５】

【化５１】

【００７６】

【化５２】

【００７７】

【化５３】

【００７８】

【化５４】

【００７９】

【化５５】

【００８０】

【化５６】

【００８１】

【化５７】

【００８２】

【化５８】

【００８３】

【化５９】

【００８４】

【化６０】

【００８５】

【化６１】

【００８６】

【化６２】

【００８７】

【化６３】

【００８８】

【化６４】

【００８９】

【化６５】

【００９０】

【化６６】

【００９１】 ４

【化６７】

【００９２】

【化６８】

【００９３】

【化６９】

【００９４】

【化７０】

【００９５】

【化７１】

【００９６】

【化７２】

【００９７】本発明の感光体の構成図を図１に示した。
導電性基板１としては、アルミニウムや銅などの基板、
あるいは、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの高分
子薄膜にアルミニウムや酸化インジュウムなどを蒸着あ
るいは塗布した導電性シート使用することが出来る（図
８）。

【００９８】本発明の電荷発生層３としては、電荷発生
物質単独ないしは、樹脂に分散した塗膜を使用する。電
荷発生物質としては、フタロシアニン化合物，アゾ化合
物，ペリレン系化合物などの有機顔料やＳｅ，ＺｎＯな
どの無機材料等を適宜使用することが出来る。電荷発生
層用樹脂としては、ポリエステル樹脂，ブチラール樹
脂，シリコーン樹脂等を適宜使用することが出来る。ま
た、電荷輸送層３用樹脂としては、ポリカーボネート樹
脂，ポリエステル樹脂，ブチラール樹脂，ポリスチレン
樹脂等を適宜使用できる。また、図２に示したようなブ
ロッキング層４を設けることもできる。ブロッキング層
用樹脂としては、ポリアミド樹脂，ポリビニルアルコー
ル樹脂，ポリウレタン樹脂，酸化アルミニウム等を適宜
選択して使用する。また、図３に示したように、電荷発
生層２と電荷輸送層３の間に中間層５を設けることが出
来る。中間層５には、オキサゾール誘導体，ヒドラゾン
誘導体あるいはトリフェニルアミン誘導体などの電荷輸
送材料をポリカーボネート樹脂，ポリスチレン樹脂，ポ
リエステル樹脂などの樹脂に分散したものを使用する。
また、図４に示したように、表面保護層６を設けること
もできる。表面保護層６としては、メラミン樹脂，アル
キルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒド樹脂，ポリ
カーボネート樹脂，ポリウレタン樹脂などの単独膜ある
いは、電荷輸送物質をこれらに分散した塗膜を使用す
る。また、図５，図６に示したように、電荷発生物質
２′と電荷輸送物質３′を混合したいわゆる単層構造で
も使用することができる。

【００９９】また、図７に示したようないわゆる逆層構
造でも使用することができる。

【０１００】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらにより限定されるものではな
い。

【０１０１】＜合成例１＞ キナルジン１１．４ｇ，ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノベ
ンズアルデヒド２０．０ｇ，無水塩化亜鉛５．０ｇを１
６０−１７０℃の油浴上で８時間加熱する。その後、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍｌに溶解し、水
１０ｍｌ，濃アンモニア水２０ｍｌを加え、油分をベン
ゼン２００ｍｌに溶解した。有機層を水で数回洗浄し、
硫酸マグネシウムで乾燥後ベンゼンを留去した。生じた
油分をベンゼン−酢酸エチルを展開溶媒とするシリカゲ
ルカラムクロマトにより２回精製し、溶媒を留去後生じ
た油分を含水メタノールより再結晶し、２−（ｐ−ジ
（ｐ−トリル）アミノスチリル）キノリン（化合物（６
５））を得た。収量は、１５．５ｇ，融点は、１３０．
５−１３２．５℃であった。

【０１０２】＜実施例１＞ τ型無金属フタロシアニン（東洋インキ社製、リオフォ
トンＬＳ）１重量部と変性シリコーン樹脂（信越化学社
製、ＫＲ−５２２１，固形部６０％）２重量部とテトラ
ヒドロフラン３７重量部をボールミルで約５時間混練し
て電荷発生層用塗液を調合した。この塗液を厚さ１００
μｍのアルミニウム箔に、オートマチックアプリケータ
（東洋精機社製）を用いて上記塗液を塗工し、１３０
℃、２時間乾燥して電荷発生層を得た。その膜厚は１μ
ｍ以下であった。

【０１０３】次に、２−（ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノ
スチリル）キノリン（化合物（６５））５重量部、ポリ
カーボネート樹脂（ＧＥ社製、レキサン１４１）１０重
量部を塩化メチレン／１，２−ジクロロエタン＝５０／
５０（重量比）混合溶媒８４重量部に溶解させ、電荷搬
送層用塗液を得た。この塗液を用い、先の電荷発生層作
製時と同様な方法で、電荷搬送層を電荷発生層上に作製
し感光体を得た。電荷搬送層の膜厚は約２０μｍであっ
た。

【０１０４】上記感光体について、静電記録紙試験装置
（川口電機社製、ＳＰ−４２８型）を用いて電子写真特
性を測定した。測定は、ダイナミックモードで−５ｋＶ
のコロナ帯電を１０秒間行い、３０秒間暗所放置の後、
タングステン灯で露光を行った。この間感光体表面の電
位を記録し、コロナ帯電終了時の電位Ｖ_０、３０秒間暗
所放置後の電位Ｖ_３０、Ｖ_３０が１／２になるまでの半
減露光量Ｅ_５０（ｌｕｘ・sec)を読み取った。その結
果、 Ｖ_０＝−１２００Ｖ，Ｖ_３０／Ｖ_０＝０．８２，Ｅ_５０
＝１．２ｌｕｘ・ｓｅｃ であり、良好な電子写真特性を示した。

【０１０５】次に、耐久性は、下記のような劣化試験に
より評価した。周速１９０ｃｍ／分の回転ドラムに感光
体を貼り付け、ドラムを回転させながら、このドラム近
傍に設置されているコロナ帯電器に−５．２ｋｖの電圧
を印加させた後、コロナ帯電器と１８０度の方向に設置
されたタングステンランプ光（照度５０ｌｕｘ）で露光
する過程を繰り返し３時間行った。その後、電子写真学
会テストチャート（Ｎｏ．１−Ｒ，１９７５年度版）の
解像度パターンを用いて密着露光後現像し、目視で解像
度を評価した。

【０１０６】上記評価法による本実施例の感光体は、初
期の解像度１２．５本／ｍｍ，劣化試験後１２．５本／
ｍｍと変化がみられなかった。また、劣化試験後の電子
写真特性を上記と同様な方法で評価したが、Ｅ_５０＝
１．３ｌｕｘ・ｓｅｃと大きな変化はみられなかった。

【０１０７】＜実施例２−４＞ 実施例１の電荷輸送物質の代わりに化合物（７），（４
７），（５２）を使用し、実施例１と同様な方法で感光
体を作成した。作成した感光体の劣化試験前後の電子写
真特性及び解像度を実施例１と同様に評価した結果を表
１に示した。

【０１０８】

【表１】

【０１０９】＜実施例５＞ 実施例１の電荷発生物質の代わりにチタニルフタロシア
ニン（東洋インキ製造、ＴＯＰＡ８５）を使用して、実
施例１と同様な方法で感光体を作成した。作成した感光
体の初期の電子写真特性は、Ｖ_０＝−１１００Ｖ，Ｖ
_３０／Ｖ_０＝０．７５，Ｅ_５０＝１．２１ｕｘ・ｓｅｃ
であった。劣化試験後の電子写真特性は、Ｖ_０＝−１１
２０Ｖ，Ｖ_３０／Ｖ_０＝０．７４，Ｅ_５０＝１．２１ｕ
ｘ・ｓｅｃであり、殆ど変化はみられなかった。また初
期の解像度は、１２．５本／ｍｍ，劣化試験後の解像度
は１２．５本／ｍｍであり、変化はみられなかった。 ＜実施例６＞ ブロッキング層用の塗液を、ポリアミド樹脂（日本リル
サン社製、Ｈ−１０４）２重量部、メラミン樹脂（日立
化成工業社製、メラン−２００）０．５重量部を、１，
１，２−トリクロロエタン／エタノールの１／１混合溶
媒（重量比）１００重量部に溶解して作成した。その塗
液に実施例１で使用したアルミニウム板を浸漬して塗布
した後、１２０℃で３０分間加熱乾燥して、厚さ約０．
２μｍのブロッキング層を作成した。ブロッキング層上
に、実施例５と同様に電荷発生層，電荷輸送層を作成し
て感光体を作成した。作成した感光体の初期の電子写真
特性は、Ｖ_０＝−１１５５Ｖ，Ｖ_３０／Ｖ_０＝０．８
０，Ｅ_５０＝１．３ｌｕｘ・ｓｅｃ、解像度は、１２．
５本／ｍｍであり、劣化試験後の電子写真特性は、Ｖ_０
＝−１１７０Ｖ，Ｖ_３０／Ｖ_０＝０．８０，Ｅ_５０＝
１．３ｌｕｘ・ｓｅｃ、解像度は、１２．５本／ｍｍで
あった。

【０１１０】＜合成例２＞ キナルジン１０．０ｇ，ｐ−ジフェニルアミノベンズア
ルデヒド１９．０ｇより合成例１と同様な方法で２−
（ｐ−ジフェニルアミノスチリル）キノリン（化合物
（４４））５．７ｇを得た。融点は、１５３．５−１５
４．５℃であった。

【０１１１】＜合成例３＞ レピジン１０．０ｇ，ｐ−ジフェニルアミノベンズアル
デヒド１９．０ｇより合成例１と同様な方法で、４−
（ｐ−ジフェニルアミノスチリル）キノリン（化合物
（４５））６．９ｇを得た。融点は９２．５−９５．０
℃であった。

【０１１２】＜合成例４＞ レピジン１７．０ｇ，ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノベン
ズアルデヒド３０．０ｇより合成例１と同様な方法で、
４−（ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノスチリル）キノリン
（化合物（６２））１７．０ｇを得た。融点は、９０．
５−９３．０℃であった。

【０１１３】＜合成例５＞ ２，４−ジメチルチアゾール５．４ｇ，ｐ−ジ（ｐ−ト
リル）アミノベンズアルデヒド１２．０ｇより合成例１
と同様な方法で、２−（ｐ−ジ（ｐ−トリル）アミノス
チリル）−４−メチルチアゾール（化合物（７））３．
６ｇを得た。融点は、１００．０−１０２．０℃であっ
た。

【０１１４】＜実施例７−９＞ 実施例５の電荷輸送物質の代わりに合成例３，４及び５
の化合物を電荷輸送物質として使用して、実施例５と同
様に感光体を作成し、その特性を評価した。その劣化試
験前後の電子写真特性及び解像度を表２に示した。

【０１１５】

【表２】

【０１１６】＜実施例１０＞ 実施例６と同様に、アルミニウム盤上にブロッキング層
を作成し、ついで実施例１と同様に電荷発生層を作成し
た。その上に、電荷輸送物質として化合物（５）を使用
する以外は実施例１と同様にして、電荷輸送層を作成し
感光体を得た。

【０１１７】この感光体の電子写真特性を実施例１と同
様に測定した。その結果は、Ｖ_０＝−１１００Ｖ，Ｖ
_３０／Ｖ_０＝０．９０，Ｅ_５０＝１．１ｌｕｘ・ｓｅｃ
であった。

【０１１８】更に光応答性の評価を次のように行った。
高速光減衰測定装置（CHYTHIA ３０ＨＬ，ジェソテック
社製）を用い、コロナ帯電を行った後、感光体表面の電
位が−７００Ｖになった時点で、波長７８０ｎｍ，光量
４０ｍＪ／ｍ^２の光を照射し、表面電位が１／２になる
までの半減露光時間ｔ_５０を測定した。その結果、ｔ
_５０は１８ｍｓであった。

【０１１９】また、化合物（５）の最高被占軌道の電子
がトリフェニルアミン部分に存在する確率を計算したと
ころ、９１．４％であった。次に、劣化試験前後の解像
度を評価したところ、初期の解像度１２．５本／ｍｍ，
劣化試験後解像度１２．５本／ｍｍと変化がみられなか
った。

【０１２０】＜実施例１１＞ 化合物（５）の代わりに化合物（４５）を使用する以外
は、実施例１０と同様にして、感光体を作成した。最高
被占軌道の電子のトリフェニルアミン構造上の電子密度
は、７５．２％であった。電子写真特性及び光応答性を
実施例１０と同様に評価したところ、Ｖ_０＝−１１５０
Ｖ，Ｖ_３０／Ｖ_０＝０．９１，Ｅ_５０＝１．５ｌｕｘ・
ｓｅｃ、ｔ_５０＝４０ｍｓであった。

【０１２１】更に、特開昭58−65440 号２７０ページに
記載されている化合物Ａ−（１９）について最高被占軌
道の電子のトリフェニルアミン上の電子密度を計算した
ところ、７１．８％であった。

【０１２２】＜実施例１２−２０＞ 実施例１０で用いた電荷輸送物質の代わりに、化合物
（３），（７），（１２），（１３），（１７），
（４），（６），（１４），（１６）を用い、実施例１
０と同様にして、感光体を作成した。これらの初期及び
劣化試験後の電子写真特性光応答性、解像度並びにこれ
らの化合物の最高被占軌道の電子がトリフェニルアミン
構造上に存在する割合Ｄを表３に示した。

【０１２３】

【表３】

【０１２４】更に、化合物（２），（８），（９），
（１０），（１１），（１５）についてＤを計算したと
ころ、それぞれ、８０．２％，８０．５％，８４．５
％，８７．０％，８２．０％，８２．５％であった。ま
たこれらの化合物を用いた感光体はいずれも優れた特性
を示した。

【０１２５】＜実施例２１＞ アルミニウムを真空蒸着したマイラーフィルム上に、実
施例１０と同様に感光体を作成した。この感光体の初期
及び劣化試験後の電子写真特性、光応答性、解像度を同
様に評価した。初期の電子写真特性、光応答性及び解像
度は、Ｖ_０＝−１０５０Ｖ，Ｖ_３０／Ｖ_０＝０．８４，
Ｅ_５０＝１．０９ｌｕｘ・ｓｅｃ、ｔ_５０＝１８ｍｓ、
１２．５本／ｍｍであった。また劣化試験後は、Ｖ_０＝
−１０７０Ｖ，Ｖ_３０／Ｖ_０＝０．８６，Ｅ_５０＝１．
１０ｌｕｘ・ｓｅｃ、ｔ_５０＝１８ｍｓ、１２．５本／
ｍｍであった。

【０１２６】＜実施例２２＞ ブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒド樹脂６０
重量部、イソプロピルアルコール４０重量部、シランカ
ップリング剤０．０３重量部からなる表面保護層用塗液
を作成し、実施例１０の感光体上に電荷輸送層と同様に
塗工し、１２０℃で硬化させて、保護層を形成し感光体
を得た。

【０１２７】この感光体について、劣化試験前後の電子
写真特性、光応答性及び解像度を評価した。その結果、
初期の電子写真特性、光応答性は、Ｖ_０＝−１１５０
Ｖ，Ｖ_３０／Ｖ_０＝０．９５，Ｅ_５０＝１．１５ｌｕｘ
・ｓｅｃ、ｔ_５０＝１９ｍｓ、解像度は、１２．５本／
ｍｍであった。また劣化試験後の電子写真特性、光応答
性は、Ｖ_０＝−１１６０Ｖ，Ｖ_３０／Ｖ_０＝０．９６，
Ｅ_５０＝１．１６ｌｕｘ・ｓｅｃ、ｔ_５０＝１９ｍｓ、
解像度は、１２．５本／ｍｍであった。

【０１２８】＜実施例２３＞ ダイアンブルー（シーアイピグメントブルー２５、ＣＩ
２１１８０）１重量部とテトラヒドロフラン１５０重
量部を加えた混合物をボールミルで５時間混練したの
ち、これに２−（ｐ−ジトリルアミノスチリル）ベンゾ
チアゾール１２重量部、ポリエステル樹脂（デュポン社
製、アドヒーシブ４９０００）１８重量部を加えて更に
混練して感光層用塗液を作製した。厚さ１００μｍのア
ルミニウム箔に、オートマチックアプリケータ（東洋精
機社製）を用いて上記塗液を塗工し、１２０℃、２時間
乾燥して感光層を得た。その膜厚は約２０μｍであっ
た。

【０１２９】上記感光体について、静電記録紙試験装置
（川口電機社製、ＳＰ−４２８型）を用いて電子写真特
性を測定した。測定は、ダイナミックモードで＋５ｋＶ
のコロナ帯電を１０秒間行い、３０秒間暗所放置の後、
タングステン灯で露光を行った。この間感光体表面の電
位を記録し、コロナ帯電終了時の電位Ｖ_０、３０秒間暗
所放置後の電位Ｖ_３０、Ｖ_３０が１／２になるまでの半
減露光量Ｅ_５０（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を読み取った。その
結果、Ｖ_０＝１１８０Ｖ，Ｖ_３０／Ｖ_０＝０．７０，Ｅ
_５０＝４．１２ｕｘ・ｓｅｃであった。

【０１３０】次に、光応答性の評価として次のような実
験を行った。次に光応答性の評価として次のような実験
を行った。高速光減衰測定装置（ジェンテック社製、CY
NTHIA30HL)を用い、コロナ帯電を行ったのち、感光体表
面の電位が＋７００Ｖになった時点で、波長６５０ｎ
ｍ，光量４０ｍＪ／ｍ^２の光を４０ｍｓｅｃの間照射
し、表面電位が１／２になるまでの半減露光時間ｔ_５０
を測定した。その結果、ｔ_５０は４０ｍｓであった。

【０１３１】次に、耐久性は、下記のような劣化試験に
より評価した。周速１９０ｃｍ／分の回転ドラムに感光
体を貼り付け、ドラムを回転させながら、このドラム近
傍に設置されているコロナ帯電器に５．２ｋｖの電圧を
印加させた後、コロナ帯電器と１８０度の方向に設置さ
れたタングステンランプ光（照度５０ｌｕｘ）で露光す
る過程を繰返し３時間行った。その後、電子写真学会テ
ストチャート（Ｎｏ．１−Ｒ，１９７５年度版）の解像
度パターンを用いて密着露光後現像し、目視で解像度を
評価した。

【０１３２】上記評価法による本実施例の感光体は、初
期の解像度１２．５本／ｍｍ，劣化試験後１２．５本／
ｍｍと変化がみられなかった。

【０１３３】＜実施例２４＞ 実施例１１と同様な方法で、アルミニウム素管上に感光
体を作成した。この感光体ドラムを図９に示した構成の
電子写真装置にて試験したところ、Ａ４サイズの用紙を
１０万枚出力しても良好な画像が得られた。

【０１３４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、光応答性及び耐久性に優れた感光体を提供す
ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の感光体の断面図である。

【図２】本発明の感光体の断面図である。

【図３】本発明の感光体の断面図である。

【図４】本発明の感光体の断面図である。

【図５】本発明の感光体の断面図である。

【図６】本発明の感光体の断面図である。

【図７】本発明の感光体の断面図である。

【図８】本発明の感光体の断面図である。

【図９】本発明を適用する電子写真装置の概略図であ
る。

【符号の説明】

１……導電性基板、２……電荷発生層、３……電荷輸送
層、４……ブロッキング層、５……中間層、６……表面
保護層、７……有機高分子フィルム、８……導電性薄
膜、９……感光体ドラム、１０……現像剤、１１……ト
ナー、１２……現像器、１３……レーザー光、１４……
帯電器、１５……ファーブラシ、１６……転写器、１７
……用紙、１８……定着器。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｄ 233/64 １０１ Ｃ０７Ｄ 233/64 １０１ 235/04 235/04 263/32 263/32 263/56 263/56 277/28 277/28 277/66 277/66 277/84 277/84 (72)発明者 斎藤 俊郎 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所 日立研究所内 (72)発明者 鈴木 重雄 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所 日立研究所内 (72)発明者 細谷 明 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所 日立研究所内 (72)発明者 菅原 捷夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所 日立研究所内 (72)発明者 川西 恒明 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所 日立研究所内 (72)発明者 金城 徳幸 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地 株式会社 日立製作所内 (72)発明者 勝谷 康夫 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立 化成工業株式会社 山崎工場内 (72)発明者 景山 晃 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立 化成工業株式会社 山崎工場内 (72)発明者 松谷 謙三 岡山県岡山市下石井１丁目２番３号 株 式会社 日本感光色素研究所内 (72)発明者 神宝 昭 岡山県岡山市下石井１丁目２番３号 株 式会社 日本感光色素研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−201447（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−195550（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−44050（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−112163（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−18074（ＪＰ，Ａ)

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性基板上に、電荷発生物質及び電荷
   輸送物質よりなる感光層を設けた電子写真感光体におい
   て、トリフェニルアミン構造上に最高被占軌道の電子が
   ８０％以上存在し、かつ下記の構造式で表されるトリフ
   ェニルアミン誘導体を電荷輸送物質として使用すること
   を特徴とする電子写真感光体。 【化１】 Ｘ：窒素原子を１〜３個含み且つ−Ｎ＝結合を有する複
   素環基であり、置換されていてもよい低級アルキル基、
   置換されていてもよい低級アルコキシ基及び置換されて
   いてもよいアリール基で置換されていてもよい。 Ｑ：単結合あるいは、−ＣＨ＝ＣＨ−である。 Ｚ_１，Ｚ_２，Ｚ_３：水素、置換されていてもよい低級ア
   ルキル基、置換されていてもよい低級アルコキシ基、置
   換されていてもよいアリール基、ニトロ基、ジアルキル
   アミノ基、−Ｓ−Ｃ_６Ｈ_５，−Ｓ−Ｒ′（Ｒ′は低級ア
   ルキル基を表す。） を表す。
2. 【請求項２】 請求項１記載の電子写真感光体におい
   て、上記複素環の窒素原子が、上記Ｑに隣接する不飽和
   炭素原子に結合していることを特徴とする電子写真感光
   体。
3. 【請求項３】 導電性基板上に、電荷発生物質及び電荷
   輸送物質よりなる感光層を有する電子写真感光体におい
   て、トリフェニルアミン構造上に、最高被占軌道の電子
   が８０％以上存在し、かつトリフェニルアミン構造にＣ
   −Ｃ二重結合を介して複素環が結合しているトリフェニ
   ルアミン誘導体を電荷輸送物質として使用することを特
   徴とする電子写真感光体。
4. 【請求項４】 請求項３記載の電子写真感光体におい
   て、上記複素環の窒素原子が、−ＣＨ＝ＣＨ−を介して
   トリフェニルアミン構造と結合する不飽和炭素原子に結
   合していることを特徴とする電子写真感光体。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項に記載の電
   子写真感光体において、上記感光層が、上記電荷発生物
   質を含む第１層と、第１層より上記基板より離れたとこ
   ろにあり、かつ上記電荷輸送物質を含む第２層を有する
   構造であることを特徴とする電子写真感光体。
6. 【請求項６】 請求項１〜５記載のいずれか一項に記載
   の電子写真感光体において、上記感光層が、上記電荷発
   生物質と上記電荷輸送層の両方を含む層を有することを
   特徴とする電子写真感光体。
7. 【請求項７】 請求項１〜６記載のいずれか一項に記載
   の電子写真感光体において、上記感光層が、上記電荷発
   生物質と上記電荷輸送物質を含む層と上記基板との間に
   ブロッキング層を有することを特徴とする電子写真感光
   体。
8. 【請求項８】 請求項１〜７記載のいずれか一項に記載
   の電子写真感光体において、上記感光層が、上記電荷輸
   送物質を含む電荷輸送層と層を有することを特徴とする
   電子写真感光体。
9. 【請求項９】 請求項１〜８記載のいずれか一項に記載
   の電子写真感光体において、上記電荷発生物質が、フタ
   ロシアニン化合物であることを特徴とする電子写真感光
   体。
10. 【請求項１０】 請求項１〜９記載のいずれか一項に記
    載の電子写真感光体において、上記感光体がシート状で
    あり、且つ上記基板が高分子シートと導電性薄膜から成
    ることを特徴とする電子写真感光体。
11. 【請求項１１】 請求項１〜１０記載のいずれか一項に
    記載の電子写真感光体を少なくとも１つ有することを特
    徴とする電子写真装置。