JP2735532B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置およびそ
の製造方法に関し、特に半導体チップを封止するリード
フレームテーピングあるいはテープキャリアに関する。
の製造方法に関し、特に半導体チップを封止するリード
フレームテーピングあるいはテープキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣあるいはＬＳＩはますます高
集積化され大容量化してきている。そして、半導体チッ
プを実装するパッケージは、小型化と共に多ピン化され
てきている。このために、リードの配列が多ピッチにな
りリード間はますす狭くなってきている。
集積化され大容量化してきている。そして、半導体チッ
プを実装するパッケージは、小型化と共に多ピン化され
てきている。このために、リードの配列が多ピッチにな
りリード間はますす狭くなってきている。
【０００３】このようなリードの多ピッチ化は、半導体
チップをモールド樹脂に封止する場合でも同様になって
てきている。そこで、半導体チップをマウントしエポキ
シ樹脂で封じるリードフレームのリードにリードフレー
ムテーピングし、リードフレームのリードを固定する方
法がとられている。すなわち、テーピングリードフレー
ムが多用されてきている。
チップをモールド樹脂に封止する場合でも同様になって
てきている。そこで、半導体チップをマウントしエポキ
シ樹脂で封じるリードフレームのリードにリードフレー
ムテーピングし、リードフレームのリードを固定する方
法がとられている。すなわち、テーピングリードフレー
ムが多用されてきている。
【０００４】以下、現状で使用されているリードフレー
ムテーピングの方法を、図１０および図１１に基づいて
概略的に説明する。ここで、図１０（ａ）はテーピング
リードフレームのテーピング部の平面図であり、図１０
（ｂ）はそのＡ’−Ｂ’面での断面図となっている。そ
して、図１１はリードフレームに絶縁テープ層を接着さ
せる方法を示す図である。
ムテーピングの方法を、図１０および図１１に基づいて
概略的に説明する。ここで、図１０（ａ）はテーピング
リードフレームのテーピング部の平面図であり、図１０
（ｂ）はそのＡ’−Ｂ’面での断面図となっている。そ
して、図１１はリードフレームに絶縁テープ層を接着さ
せる方法を示す図である。
【０００５】図１０（ａ）に示すように、リードフレー
ムのリード１０１に絶縁テープ層１０２が接着される。
ここで、リード材はＣｕであり、このリードの間隔は
０．２ｍｍ程度である。そして、絶縁テープ層はポリイ
ミド等の有機絶縁体で形成されるようになる。
ムのリード１０１に絶縁テープ層１０２が接着される。
ここで、リード材はＣｕであり、このリードの間隔は
０．２ｍｍ程度である。そして、絶縁テープ層はポリイ
ミド等の有機絶縁体で形成されるようになる。
【０００６】なお、図１０（ｂ）に示すように、リード
フレームのリード１０１は、接着材層１０３を介して絶
縁テープ層１０２に接着されている。ここで、このよう
な接着材層１０３はフェノール樹脂で構成される。以上
のようにして、互いに隣りあうリード１０１の接触が防
止されるようになる。
フレームのリード１０１は、接着材層１０３を介して絶
縁テープ層１０２に接着されている。ここで、このよう
な接着材層１０３はフェノール樹脂で構成される。以上
のようにして、互いに隣りあうリード１０１の接触が防
止されるようになる。
【０００７】このリード１０１と絶縁テープ層１０２の
接着方法は以下のようにして行われる。すなわち、図１
１（ａ）に示すように、片面に接着シート１０３’の形
成された絶縁シート１０２’が型抜きパンチで切断さ
れ、テーピング用型抜き１０４が形成される。このテー
ピング用型抜き１０４は、リードフレーム１０５に形成
されているリード１０１の配列形状に合わせた平面形状
に作製される。図１１（ｂ）の場合は、この平面形状が
正方形になるように型抜きがされている。
接着方法は以下のようにして行われる。すなわち、図１
１（ａ）に示すように、片面に接着シート１０３’の形
成された絶縁シート１０２’が型抜きパンチで切断さ
れ、テーピング用型抜き１０４が形成される。このテー
ピング用型抜き１０４は、リードフレーム１０５に形成
されているリード１０１の配列形状に合わせた平面形状
に作製される。図１１（ｂ）の場合は、この平面形状が
正方形になるように型抜きがされている。
【０００８】このようにして形成されたテーピング用型
抜き１０４は、図１１（ｂ）に示すようにリード１０１
に熱圧着される。このような工程を通して、絶縁テープ
層１０２が接着材層１０３を介してリード１０１に接着
されテーピングリードフレームが形成される。
抜き１０４は、図１１（ｂ）に示すようにリード１０１
に熱圧着される。このような工程を通して、絶縁テープ
層１０２が接着材層１０３を介してリード１０１に接着
されテーピングリードフレームが形成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のリードフレームテーピングの方法では、接着材層は絶
縁テープ層の全面に形成されている。そして、図１０
（ｂ）に示したように隣接するリード間にも接着材層が
形成されるようになる。このため、次のような２つの大
きな問題が生じる。これらの問題について図１２に基づ
いて説明する。
のリードフレームテーピングの方法では、接着材層は絶
縁テープ層の全面に形成されている。そして、図１０
（ｂ）に示したように隣接するリード間にも接着材層が
形成されるようになる。このため、次のような２つの大
きな問題が生じる。これらの問題について図１２に基づ
いて説明する。
【００１０】図１２（ａ）はその第１の問題を説明する
ためのテーピングリードフレームのテーピング部の断面
図である。図１２（ａ）に示すように、リードを構成す
る金属すなわちこの場合Ｃｕが、あるリード１０１から
隣接するリード１０１ａに、その間に介在する接着材層
１０３を通して移動する。すなわち、Ｃｕのイオンマイ
グレーションといわれる現象が生じる。なお、この接着
材層１０３を通してＣｕのイオンマイグレーションがお
こるという現象は本発明者が初めてみつけたものであ
る。
ためのテーピングリードフレームのテーピング部の断面
図である。図１２（ａ）に示すように、リードを構成す
る金属すなわちこの場合Ｃｕが、あるリード１０１から
隣接するリード１０１ａに、その間に介在する接着材層
１０３を通して移動する。すなわち、Ｃｕのイオンマイ
グレーションといわれる現象が生じる。なお、この接着
材層１０３を通してＣｕのイオンマイグレーションがお
こるという現象は本発明者が初めてみつけたものであ
る。
【００１１】そして、最終的には接着材層１０３に多量
に溶出したＣｕでリード１０１と１０１ａとが短絡する
ようになる。あるいは、短絡まではいかないまでも、こ
れらのリード間のリーク電流が増加する。このようなこ
とが起ると半導体装置は不良になってしまう。
に溶出したＣｕでリード１０１と１０１ａとが短絡する
ようになる。あるいは、短絡まではいかないまでも、こ
れらのリード間のリーク電流が増加する。このようなこ
とが起ると半導体装置は不良になってしまう。
【００１２】このようなイオンマイグレーションは、接
着材層１０３に含まれる水分により加速される。これ
は、Ｃｕがこの水分と反応しイオン化して溶出するた
め、あたかも、隣接する２つのリードが電池の電極のよ
うになり、このＣｕの溶出が加速されるためである。
着材層１０３に含まれる水分により加速される。これ
は、Ｃｕがこの水分と反応しイオン化して溶出するた
め、あたかも、隣接する２つのリードが電池の電極のよ
うになり、このＣｕの溶出が加速されるためである。
【００１３】また、図１２（ｂ）に示すように、このテ
ーピングリードフレームに半導体チップを搭載した樹脂
封止型の半導体装置において、接着材層１０３とモール
ド樹脂１０６との間の密着性が劣化する。そして、この
間に空隙１０７が形成されるようになり、この空隙１０
７に水分が溜る。この水分中にＣｕが溶出しリード１０
１および１０１ａ間にリーク電流が生じるようになり、
半導体装置は不良となる。
ーピングリードフレームに半導体チップを搭載した樹脂
封止型の半導体装置において、接着材層１０３とモール
ド樹脂１０６との間の密着性が劣化する。そして、この
間に空隙１０７が形成されるようになり、この空隙１０
７に水分が溜る。この水分中にＣｕが溶出しリード１０
１および１０１ａ間にリーク電流が生じるようになり、
半導体装置は不良となる。
【００１４】本発明の目的は、先述したような問題点を
解決し、信頼性の高いリードフレームあるいはテープキ
ャリアを用いた半導体装置とその製造方法を提供するこ
とにある。
解決し、信頼性の高いリードフレームあるいはテープキ
ャリアを用いた半導体装置とその製造方法を提供するこ
とにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】このために本発明の半導
体装置では、半導体チップを封止するためのリードフレ
ームのリードに絶縁テープ層が接着材層を通して接着さ
れるテーピングリードフレームにおいて、前記接着材層
が前記リード上に存在し、複数あるリードのうち一部の
リード間の前記絶縁テープ層表面には前記接着材層が存
在しない。
体装置では、半導体チップを封止するためのリードフレ
ームのリードに絶縁テープ層が接着材層を通して接着さ
れるテーピングリードフレームにおいて、前記接着材層
が前記リード上に存在し、複数あるリードのうち一部の
リード間の前記絶縁テープ層表面には前記接着材層が存
在しない。
【００１６】あるいは、半導体チップを封止するための
テープキャリアの絶縁テープ層に金属プリント配線が接
着材層を通して接着されるタブ（ＴＡＢ：Ｔａｐｅ Ａ
ｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）において、前記接
着材層が前記金属プリント配線に存在し、複数ある金属
プリント配線のうち一部の金属プリント配線間の前記絶
縁テープ層表面には前記接着材層が存在しない。
テープキャリアの絶縁テープ層に金属プリント配線が接
着材層を通して接着されるタブ（ＴＡＢ：Ｔａｐｅ Ａ
ｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）において、前記接
着材層が前記金属プリント配線に存在し、複数ある金属
プリント配線のうち一部の金属プリント配線間の前記絶
縁テープ層表面には前記接着材層が存在しない。
【００１７】また、本発明の半導体装置では、半導体チ
ップを封止するためのリードフレームのリードに絶縁テ
ープ層が接着材層を通して接着されるテーピングリード
フレームにおいて、電源用リードと接地用リードとが隣
接して形成され、前記電源用リードと接地用リードのリ
ード間の前記絶縁テープ層表面には前記接着材層が存在
せず、しかも、前記電源用リードおよび接地用リード間
以外のリード間の前記絶縁テープ層表面には前記接着材
層が存在している。
ップを封止するためのリードフレームのリードに絶縁テ
ープ層が接着材層を通して接着されるテーピングリード
フレームにおいて、電源用リードと接地用リードとが隣
接して形成され、前記電源用リードと接地用リードのリ
ード間の前記絶縁テープ層表面には前記接着材層が存在
せず、しかも、前記電源用リードおよび接地用リード間
以外のリード間の前記絶縁テープ層表面には前記接着材
層が存在している。
【００１８】あるいは、前記電源用リードと隣接するク
ロック信号用リードとのリード間および前記接地用リー
ドと隣接するクロック信号用リードとのリード間の前記
絶縁テープ層表面にも前記接着材層が存在しない。
ロック信号用リードとのリード間および前記接地用リー
ドと隣接するクロック信号用リードとのリード間の前記
絶縁テープ層表面にも前記接着材層が存在しない。
【００１９】また、半導体チップを封止するためのテー
プキャリアの絶縁テープ層に金属プリント配線が接着材
層を通して接着されるタブにおいて、電源用金属プリン
ト配線と接地用金属プリント配線とが隣接して形成さ
れ、前記電源用金属プリント配線と接地用金属プリント
配線との間の絶縁テープ層表面には前記接着材層が存在
せず、しかも、前記電源用金属プリント配線および接地
用金属プリント配線以外の金属プリント配線間の絶縁テ
ープ層表面には前記接着材層が存在している。
プキャリアの絶縁テープ層に金属プリント配線が接着材
層を通して接着されるタブにおいて、電源用金属プリン
ト配線と接地用金属プリント配線とが隣接して形成さ
れ、前記電源用金属プリント配線と接地用金属プリント
配線との間の絶縁テープ層表面には前記接着材層が存在
せず、しかも、前記電源用金属プリント配線および接地
用金属プリント配線以外の金属プリント配線間の絶縁テ
ープ層表面には前記接着材層が存在している。
【００２０】あるいは、前記電源用金属プリント配線と
隣接するクロック信号用金属プリント配線との配線間お
よび前記接地用金属プリント配線と隣接するクロック信
号用金属プリント配線との配線間の前記絶縁テープ層に
も前記接着材層が存在しないように形成される。
隣接するクロック信号用金属プリント配線との配線間お
よび前記接地用金属プリント配線と隣接するクロック信
号用金属プリント配線との配線間の前記絶縁テープ層に
も前記接着材層が存在しないように形成される。
【００２１】また、本発明の半導体装置では、半導体チ
ップを封止するためのリードフレームのリードに絶縁テ
ープ層が接着材層を通して接着されるテーピングリード
フレームにおいて、電源用リードと接地用リードとが隣
接して形成され、前記電源用リードと接地用リードのリ
ード間では前記絶縁テープ層と前記接着材層とが除去さ
れている。
ップを封止するためのリードフレームのリードに絶縁テ
ープ層が接着材層を通して接着されるテーピングリード
フレームにおいて、電源用リードと接地用リードとが隣
接して形成され、前記電源用リードと接地用リードのリ
ード間では前記絶縁テープ層と前記接着材層とが除去さ
れている。
【００２２】あるいは、半導体チップを封止するための
テープキャリアの絶縁テープ層に金属プリント配線が接
着材層を通して接着されるタブにおいて、電源用金属プ
リント配線と接地用金属プリント配線とが隣接して形成
され、前記電源用金属プリント配線と接地用金属プリン
ト配線との間では前記絶縁テープ層と前記接着材層とが
除去されていることを特徴とする半導体装置。
テープキャリアの絶縁テープ層に金属プリント配線が接
着材層を通して接着されるタブにおいて、電源用金属プ
リント配線と接地用金属プリント配線とが隣接して形成
され、前記電源用金属プリント配線と接地用金属プリン
ト配線との間では前記絶縁テープ層と前記接着材層とが
除去されていることを特徴とする半導体装置。
【００２３】本発明の半導体装置では、その製造方法
は、絶縁テープ層の片面全面に接着材層を貼付する工程
と、前記接着材層にリードフレームのリードあるいはテ
ープキャリアの金属プリント配線を接着して形成する工
程と、前記リードフレームのリードあるいはテープキャ
リアの金属プリント配線をエッチングマスクにして前記
接着材層を選択的にエッチング除去する工程とを含む。
は、絶縁テープ層の片面全面に接着材層を貼付する工程
と、前記接着材層にリードフレームのリードあるいはテ
ープキャリアの金属プリント配線を接着して形成する工
程と、前記リードフレームのリードあるいはテープキャ
リアの金属プリント配線をエッチングマスクにして前記
接着材層を選択的にエッチング除去する工程とを含む。
【００２４】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
絶縁テープ層の片面全面に接着材層を貼付する工程と、
前記接着材層にリードフレームの電源用リードと接地用
リードあるいはテープキャリアの電源用金属プリント配
線と接地用金属プリント配線とをそれぞれ隣接して接着
する工程と、前記リードフレームの電源用リードと接地
用リードとの間あるいはテープキャリアの電源用金属プ
リント配線と接地用金属プリント配線との間の絶縁テー
プ層と接着材層とを型抜きパンチで除去する工程とを含
む。
絶縁テープ層の片面全面に接着材層を貼付する工程と、
前記接着材層にリードフレームの電源用リードと接地用
リードあるいはテープキャリアの電源用金属プリント配
線と接地用金属プリント配線とをそれぞれ隣接して接着
する工程と、前記リードフレームの電源用リードと接地
用リードとの間あるいはテープキャリアの電源用金属プ
リント配線と接地用金属プリント配線との間の絶縁テー
プ層と接着材層とを型抜きパンチで除去する工程とを含
む。
【００２５】本発明では、接着材層が絶縁テープ層上で
島状に孤立して形成されるようになる。そして、絶縁テ
ープ層に接着されるリードフレームの一部のリード間あ
るいはタブの一部の金属プリント配線間の絶縁テープ層
上には前記接着材層は存在しない。このために、リード
あるいは金属プリント配線を構成する金属原子の接着材
層を通したイオンマイグレーションが防止されるように
なる。
島状に孤立して形成されるようになる。そして、絶縁テ
ープ層に接着されるリードフレームの一部のリード間あ
るいはタブの一部の金属プリント配線間の絶縁テープ層
上には前記接着材層は存在しない。このために、リード
あるいは金属プリント配線を構成する金属原子の接着材
層を通したイオンマイグレーションが防止されるように
なる。
【００２６】また、複数あるリードのうち、電源用リー
ドと接地用リードが隣接する場合、常にこの２本のリー
ド間には一定方向の電界が生じる。このため、この場合
に最もイオンマイグレーションが生じ易くなる。一方、
他のクロック信号用のリードに関しては電位が常に変化
するため、リード間に一定の電位が生じ難くイオンマイ
グレーションによる短絡故障までの寿命が長くなる。
ドと接地用リードが隣接する場合、常にこの２本のリー
ド間には一定方向の電界が生じる。このため、この場合
に最もイオンマイグレーションが生じ易くなる。一方、
他のクロック信号用のリードに関しては電位が常に変化
するため、リード間に一定の電位が生じ難くイオンマイ
グレーションによる短絡故障までの寿命が長くなる。
【００２７】そこで、電源用リードと接地用リードの間
の接着材層の除去が、特にイオンマイグレーションの防
止に効果的になる。このことは、タブのテープキャリア
でも同じである。
の接着材層の除去が、特にイオンマイグレーションの防
止に効果的になる。このことは、タブのテープキャリア
でも同じである。
【００２８】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の第
１の実施の形態を説明する。図１（ａ）は本発明の半導
体装置のリードフレームのテーピング部の平面図であ
る。図１（ｂ）は図１（ａ）に記すＡ−Ｂで切断したと
ころの断面図である。
１の実施の形態を説明する。図１（ａ）は本発明の半導
体装置のリードフレームのテーピング部の平面図であ
る。図１（ｂ）は図１（ａ）に記すＡ−Ｂで切断したと
ころの断面図である。
【００２９】図１（ａ）に示すように、リードフレーム
のリード１に絶縁テープ層２が、互いに切り離されて形
成された孤立接着材層３を介してそれぞれに接着され
る。ここで、リード材はＣｕあるいはＡｇメッキの施さ
れた金属合金であり、このリードの間隔は０．１ｍｍ〜
０．２ｍｍ程度である。そして、絶縁テープ層２は従来
の技術と同様にポリイミド等の有機絶縁体で形成され
る。
のリード１に絶縁テープ層２が、互いに切り離されて形
成された孤立接着材層３を介してそれぞれに接着され
る。ここで、リード材はＣｕあるいはＡｇメッキの施さ
れた金属合金であり、このリードの間隔は０．１ｍｍ〜
０．２ｍｍ程度である。そして、絶縁テープ層２は従来
の技術と同様にポリイミド等の有機絶縁体で形成され
る。
【００３０】このように、図１（ｂ）に示すリードフレ
ームのリード１は、それぞれ個々に、それぞれのリード
に対応し島状に孤立して形成された孤立接着材層３を介
して絶縁テープ層２に接着される。ここで、このような
孤立接着材層３はフェノール樹脂で構成されている。以
上のようにして、本発明では、互いに隣りあうリードの
接触が防止されている。
ームのリード１は、それぞれ個々に、それぞれのリード
に対応し島状に孤立して形成された孤立接着材層３を介
して絶縁テープ層２に接着される。ここで、このような
孤立接着材層３はフェノール樹脂で構成されている。以
上のようにして、本発明では、互いに隣りあうリードの
接触が防止されている。
【００３１】次に、本発明の第１の実施の形態での第１
の製造方法を図２に基づいて説明する。図２は本発明の
テーピングリードフレームの製造工程順の断面図であ
る。
の製造方法を図２に基づいて説明する。図２は本発明の
テーピングリードフレームの製造工程順の断面図であ
る。
【００３２】図２（ａ）に示すように、絶縁テープ層２
の片面に接着シート３’が形成される。ここで、この接
着シート３’は膜厚２０μｍ程度のフェノール樹脂であ
り、次のようにして形成される。すなわち、ポリイミド
で構成される絶縁テープ層２の片面全面にフェノール樹
脂が塗布される。そして、この塗布されたフェノール樹
脂の上にシートが貼付される。そして、このフェノール
樹脂は、貼付されたシート上からローラにより一様に引
延ばされる。このようした後、シートはフェノール樹脂
から剥され、接着シート３’が形成される。
の片面に接着シート３’が形成される。ここで、この接
着シート３’は膜厚２０μｍ程度のフェノール樹脂であ
り、次のようにして形成される。すなわち、ポリイミド
で構成される絶縁テープ層２の片面全面にフェノール樹
脂が塗布される。そして、この塗布されたフェノール樹
脂の上にシートが貼付される。そして、このフェノール
樹脂は、貼付されたシート上からローラにより一様に引
延ばされる。このようした後、シートはフェノール樹脂
から剥され、接着シート３’が形成される。
【００３３】次に、図２（ｂ）に示すように、リードフ
レームのリード１が接着シート３’に貼りつけられる。
ここで、リード１の間隔は０．１５ｍｍ程度に設定され
ている。次に、このリード１をエッチングマスクにし
て、接着シート３’が選択的にウェットエッチングされ
る。ここで、このウェットエッチングはメチルエチルケ
トン（ＭＥＫ）あるいはアセトン等の有機溶剤中で行わ
れる。このようにして、図２（ｃ）に示すように、個々
のリード１に孤立接着材層３ａが形成される。
レームのリード１が接着シート３’に貼りつけられる。
ここで、リード１の間隔は０．１５ｍｍ程度に設定され
ている。次に、このリード１をエッチングマスクにし
て、接着シート３’が選択的にウェットエッチングされ
る。ここで、このウェットエッチングはメチルエチルケ
トン（ＭＥＫ）あるいはアセトン等の有機溶剤中で行わ
れる。このようにして、図２（ｃ）に示すように、個々
のリード１に孤立接着材層３ａが形成される。
【００３４】なお、この接着シート３’の選択的なエッ
チングでは、ドライエッチングの方法が用いられてもよ
い。但し、この場合には、接着シート３’の膜厚は１０
μｍ程度に形成される。
チングでは、ドライエッチングの方法が用いられてもよ
い。但し、この場合には、接着シート３’の膜厚は１０
μｍ程度に形成される。
【００３５】次に、図２（ｃ）状態のリードフレームが
炉内で焼きしめ処理される。ここで、この処理温度は１
５０℃程度であり処理雰囲気は空気あるいは窒素ガスで
ある。この焼きしめの熱処理で、図２（ｄ）に示すよう
に、孤立接着材層３ａは熱硬化すると共にリード１との
接着領域が広がり孤立接着材層３になる。以上のように
して、リード１はそれぞれ島状に形成される孤立接着材
層３を通して絶縁テープ層２に接着されるようになる。
炉内で焼きしめ処理される。ここで、この処理温度は１
５０℃程度であり処理雰囲気は空気あるいは窒素ガスで
ある。この焼きしめの熱処理で、図２（ｄ）に示すよう
に、孤立接着材層３ａは熱硬化すると共にリード１との
接着領域が広がり孤立接着材層３になる。以上のように
して、リード１はそれぞれ島状に形成される孤立接着材
層３を通して絶縁テープ層２に接着されるようになる。
【００３６】次に、この実施の形態の第２の製造方法を
図３に基づいて説明する。図３も本発明のテーピングリ
ードフレームの製造工程順の断面図である。図３（ａ）
に示すように、この場合は、リードフレームの個々のリ
ード１に孤立接着材層３ａが予め形成される。ここで、
この孤立接着材層３ａはリード１に刷毛等で塗布される
ものとする。
図３に基づいて説明する。図３も本発明のテーピングリ
ードフレームの製造工程順の断面図である。図３（ａ）
に示すように、この場合は、リードフレームの個々のリ
ード１に孤立接着材層３ａが予め形成される。ここで、
この孤立接着材層３ａはリード１に刷毛等で塗布される
ものとする。
【００３７】次に、図３（ｂ）に示すように、孤立接着
材層３ａの形成されたリードフレームのリード１に絶縁
テープ層２が貼りつけられる。ここで、リード１の間隔
は０．１ｍｍ程度に設定されている。
材層３ａの形成されたリードフレームのリード１に絶縁
テープ層２が貼りつけられる。ここで、リード１の間隔
は０．１ｍｍ程度に設定されている。
【００３８】次に、図３（ｃ）状態のリードフレームの
炉内での焼きしめ処理が行われる。ここで、処理温度は
２００℃程度であり処理雰囲気は窒素ガスである。この
熱処理で、孤立接着材層３ａは熱硬化すると共にリード
１との接着領域が広がり孤立接着材層３になる。以上の
ようにして、リード１はそれぞれ島状に形成される孤立
接着材層３を通して絶縁テープ層２に接着されるように
なる。
炉内での焼きしめ処理が行われる。ここで、処理温度は
２００℃程度であり処理雰囲気は窒素ガスである。この
熱処理で、孤立接着材層３ａは熱硬化すると共にリード
１との接着領域が広がり孤立接着材層３になる。以上の
ようにして、リード１はそれぞれ島状に形成される孤立
接着材層３を通して絶縁テープ層２に接着されるように
なる。
【００３９】この第２の製造方法の場合には、孤立接着
材層３ａはリード１表面の一部領域に形成される。この
ために、図３（ｃ）に示すように、リード１と絶縁テー
プ層２とを接着させる孤立接着材層３の面積が小さくな
るように設定できる。そして、リード間の間隔が小さく
なる。
材層３ａはリード１表面の一部領域に形成される。この
ために、図３（ｃ）に示すように、リード１と絶縁テー
プ層２とを接着させる孤立接着材層３の面積が小さくな
るように設定できる。そして、リード間の間隔が小さく
なる。
【００４０】次に、第１の実施の形態の第３の製造方法
を図４に基づいて説明する。図４も本発明のテーピング
リードフレームの製造工程順の断面図である。図４
（ａ）に示すように、この場合は、絶縁テープ層２の片
面に孤立接着材層３ａが予じめ形成される。ここで、こ
の孤立接着材層３ａはリード１の接着される領域にノズ
ル等を通して塗布される。
を図４に基づいて説明する。図４も本発明のテーピング
リードフレームの製造工程順の断面図である。図４
（ａ）に示すように、この場合は、絶縁テープ層２の片
面に孤立接着材層３ａが予じめ形成される。ここで、こ
の孤立接着材層３ａはリード１の接着される領域にノズ
ル等を通して塗布される。
【００４１】次に、図３（ｂ）に示すように、孤立接着
材層３ａの形成された絶縁テープ層２はリード１に貼り
つけられる。ここで、リード１の間隔は０．２ｍｍ程度
に設定されている。
材層３ａの形成された絶縁テープ層２はリード１に貼り
つけられる。ここで、リード１の間隔は０．２ｍｍ程度
に設定されている。
【００４２】次に、図４（ｃ）状態のリードフレームの
炉内での焼きしめ処理が行われる。ここで、処理温度は
１００℃程度であり処理雰囲気は窒素ガスである。この
熱処理で、孤立接着材層３ａは熱硬化すると共にリード
１との接着領域が広がり孤立接着材層３になる。以上の
ようにして、リード１はそれぞれ島状に形成される孤立
接着材層３を通して絶縁テープ層２に接着されるように
なる。
炉内での焼きしめ処理が行われる。ここで、処理温度は
１００℃程度であり処理雰囲気は窒素ガスである。この
熱処理で、孤立接着材層３ａは熱硬化すると共にリード
１との接着領域が広がり孤立接着材層３になる。以上の
ようにして、リード１はそれぞれ島状に形成される孤立
接着材層３を通して絶縁テープ層２に接着されるように
なる。
【００４３】次に、本発明の第２の実施の形態を説明す
る。図５（ａ）は本発明の半導体装置のタブ（ＴＡＢ：
Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）のテ
ープキャリアの平面図である。図５（ｂ）は図５（ａ）
に記すＣ−Ｄで切断したところの断面図である。
る。図５（ａ）は本発明の半導体装置のタブ（ＴＡＢ：
Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）のテ
ープキャリアの平面図である。図５（ｂ）は図５（ａ）
に記すＣ−Ｄで切断したところの断面図である。
【００４４】図５（ａ）に示すように、金属プリント配
線４に絶縁テープ層２が、互いに切り離されて形成され
た孤立接着材層３を介してそれぞれに接着され、テープ
キャリア５が作製される。ここで、金属プリント配線材
はＣｕであり、この金属プリント配線４の間隔は５０μ
ｍ程度である。そして、絶縁テープ層は従来の技術と同
様にポリイミド等の有機絶縁体である。
線４に絶縁テープ層２が、互いに切り離されて形成され
た孤立接着材層３を介してそれぞれに接着され、テープ
キャリア５が作製される。ここで、金属プリント配線材
はＣｕであり、この金属プリント配線４の間隔は５０μ
ｍ程度である。そして、絶縁テープ層は従来の技術と同
様にポリイミド等の有機絶縁体である。
【００４５】このように、図５（ｂ）に示すテープキャ
リアの金属プリント配線４は、それぞれ個々に、それぞ
れの金属プリント配線に対応し島状に孤立して形成され
た孤立接着材層３を介して絶縁テープ層２に接着され
る。ここで、このような孤立接着材層３はフェノール樹
脂で構成される。以上のようにして、互いに隣りあう金
属プリント配線の接触は防止される。
リアの金属プリント配線４は、それぞれ個々に、それぞ
れの金属プリント配線に対応し島状に孤立して形成され
た孤立接着材層３を介して絶縁テープ層２に接着され
る。ここで、このような孤立接着材層３はフェノール樹
脂で構成される。以上のようにして、互いに隣りあう金
属プリント配線の接触は防止される。
【００４６】次に、本発明の第２の実施の形態であるテ
ープキャリアの製造方法を図６に基づいて説明する。図
６は本発明のテープキャリアの配線部を製造工程順に示
す断面図である。
ープキャリアの製造方法を図６に基づいて説明する。図
６は本発明のテープキャリアの配線部を製造工程順に示
す断面図である。
【００４７】図６（ａ）に示すように、絶縁テープ層２
の片面に接着シート３’が形成される。ここで、この接
着シート３’は膜厚１０μｍ程度のフェノール樹脂であ
り、次のようにして形成される。すなわち、ポリイミド
で構成される絶縁テープ層２の片面全面にフェノール樹
脂が塗布される。そして、この塗布されたフェノール樹
脂の上にシートが貼付される。そして、このフェノール
樹脂は、貼付されたシート上からローラにより一様に引
延ばされる。このようにした後、シートはフェノール樹
脂から剥され、接着シート３’が形成される。次に、接
着シート３’に金属薄膜６が張りつけられる。ここで、
この金属薄膜６はＣｕで構成される。
の片面に接着シート３’が形成される。ここで、この接
着シート３’は膜厚１０μｍ程度のフェノール樹脂であ
り、次のようにして形成される。すなわち、ポリイミド
で構成される絶縁テープ層２の片面全面にフェノール樹
脂が塗布される。そして、この塗布されたフェノール樹
脂の上にシートが貼付される。そして、このフェノール
樹脂は、貼付されたシート上からローラにより一様に引
延ばされる。このようにした後、シートはフェノール樹
脂から剥され、接着シート３’が形成される。次に、接
着シート３’に金属薄膜６が張りつけられる。ここで、
この金属薄膜６はＣｕで構成される。
【００４８】次に、図６（ｂ）に示すように、公知の写
真食刻技術でレジストマスク７が金属薄膜６上に形成さ
れる。ここで、このレジストマスクのパターン幅は５０
μｍ程度に設定される。なお、このレジストマスク７は
感光性のあるポリイミド膜で形成されたものである。
真食刻技術でレジストマスク７が金属薄膜６上に形成さ
れる。ここで、このレジストマスクのパターン幅は５０
μｍ程度に設定される。なお、このレジストマスク７は
感光性のあるポリイミド膜で形成されたものである。
【００４９】次に、図６（ｃ）に示すように、このレジ
ストマスク７をエッチングのマスクにして金属薄膜６が
ウェットエッチングされ、金属プリント配線４が形成さ
れる。ここで、このウェットエッチングは王水等の化学
薬液中で行われる。そして、図６（ｄ）に示すように、
レジストマスク７はアッシングあるいは有機溶剤で除去
される。
ストマスク７をエッチングのマスクにして金属薄膜６が
ウェットエッチングされ、金属プリント配線４が形成さ
れる。ここで、このウェットエッチングは王水等の化学
薬液中で行われる。そして、図６（ｄ）に示すように、
レジストマスク７はアッシングあるいは有機溶剤で除去
される。
【００５０】次に、金属プリント配線４をマスクにして
接着シート３’は有機溶剤中で選択的にエッチングされ
る。そして、炉内での焼きしめ処理が行われる。ここ
で、処理温度は１５０℃程度であり処理雰囲気は窒素ガ
スである。この熱処理で、図６（ｅ）に示すように、金
属プリント配線４はそれぞれ島状に形成される孤立接着
材層３を通して絶縁テープ層２に接着されるようにな
る。
接着シート３’は有機溶剤中で選択的にエッチングされ
る。そして、炉内での焼きしめ処理が行われる。ここ
で、処理温度は１５０℃程度であり処理雰囲気は窒素ガ
スである。この熱処理で、図６（ｅ）に示すように、金
属プリント配線４はそれぞれ島状に形成される孤立接着
材層３を通して絶縁テープ層２に接着されるようにな
る。
【００５１】次に、本発明の第３の実施の形態を説明す
る。図７（ａ）は本発明の半導体装置のリードフレーム
のテーピング部の断面図である。
る。図７（ａ）は本発明の半導体装置のリードフレーム
のテーピング部の断面図である。
【００５２】図７（ａ）に示すように、リードフレーム
の電源用リード１ａと接地用リード１ｂが互いに隣接し
て形成される。そして、他のリード１は半導体装置に使
用されるクロック信号用のリードとなる。
の電源用リード１ａと接地用リード１ｂが互いに隣接し
て形成される。そして、他のリード１は半導体装置に使
用されるクロック信号用のリードとなる。
【００５３】これらの電源用リード１ａ、接地用リード
１ｂおよびリード１は、接着材層３ｂを介して絶縁テー
プ層２に貼付される。ここで、図７（ａ）に示すよう
に、電源用リード１ａと接地用リード１ｂとのリード間
の絶縁テープ層では、接着材層は除去されている。な
お、リード材はＣｕあるいはＡｇメッキの施された金属
合金であり、電源用リード１ａと接地用リード１ｂとの
リード間隔は０．１５ｍｍ程度に設定され、信号用の他
のリード１のリード間隔は０．１ｍｍと狭くなるように
設定される。ここで、電源用リード１ａと接地用リード
１ｂとの間隔が他のリード間より広いのは、この間の接
着材層が選択的に除去され易くするためである。なお、
接着材層の除去の必要のないリード間はできるだけ狭ピ
ッチにされ、多ピン化に対応できるようにされる。
１ｂおよびリード１は、接着材層３ｂを介して絶縁テー
プ層２に貼付される。ここで、図７（ａ）に示すよう
に、電源用リード１ａと接地用リード１ｂとのリード間
の絶縁テープ層では、接着材層は除去されている。な
お、リード材はＣｕあるいはＡｇメッキの施された金属
合金であり、電源用リード１ａと接地用リード１ｂとの
リード間隔は０．１５ｍｍ程度に設定され、信号用の他
のリード１のリード間隔は０．１ｍｍと狭くなるように
設定される。ここで、電源用リード１ａと接地用リード
１ｂとの間隔が他のリード間より広いのは、この間の接
着材層が選択的に除去され易くするためである。なお、
接着材層の除去の必要のないリード間はできるだけ狭ピ
ッチにされ、多ピン化に対応できるようにされる。
【００５４】このような構造のリードフレームと図１０
で説明した従来の技術のリードフレームとの間でマイグ
レーション寿命の比較を行った。その結果、上記の構造
の場合には、加速試験でのマイグレーション寿命は従来
の技術の場合の１００倍以上になることが判った。ここ
で、加速試験の条件として、雰囲気温度は１４０℃、雰
囲気湿度は８５％、電源用リードの印加電圧は直流電圧
６Ｖ、信号用リードの電圧は交流６Ｖになるように設定
された。
で説明した従来の技術のリードフレームとの間でマイグ
レーション寿命の比較を行った。その結果、上記の構造
の場合には、加速試験でのマイグレーション寿命は従来
の技術の場合の１００倍以上になることが判った。ここ
で、加速試験の条件として、雰囲気温度は１４０℃、雰
囲気湿度は８５％、電源用リードの印加電圧は直流電圧
６Ｖ、信号用リードの電圧は交流６Ｖになるように設定
された。
【００５５】このことは、直流電圧の印加されるリード
間の接着材層を除去するだけで、テーピングリードフレ
ームの長寿命化が可能になり、その長期信頼性の向上に
有効となることを示している。
間の接着材層を除去するだけで、テーピングリードフレ
ームの長寿命化が可能になり、その長期信頼性の向上に
有効となることを示している。
【００５６】次に、本発明の第３の実施の形態の別の例
を説明する。図７（ｂ）も本発明の半導体装置のリード
フレームのテーピング部の断面図である。
を説明する。図７（ｂ）も本発明の半導体装置のリード
フレームのテーピング部の断面図である。
【００５７】この場合も、図７（ａ）で説明したよう
に、リードフレームの電源用リード１ａと接地用リード
１ｂが互いに隣接して形成される。そして、他のリード
１は半導体装置に使用されるクロック信号用のリードと
なる。
に、リードフレームの電源用リード１ａと接地用リード
１ｂが互いに隣接して形成される。そして、他のリード
１は半導体装置に使用されるクロック信号用のリードと
なる。
【００５８】そして、電源用リード１ａと接地用リード
１ｂは、孤立接着材層３を介して絶縁テープ層２に貼付
される。また、クロック信号用の他のリード１は全て着
材層３ｂを介して絶縁テープ層２に貼付される。ここ
で、リード材はＣｕあるいはＡｇメッキの施された金属
合金である。そして、電源用リード１ａと接地用リード
１ｂとのリード間隔は０．１５ｍｍ程度に、電源用リー
ド１ａあるいは接地用リード１ｂと隣接する信号用の他
のリード１とのリード間隔も０．１５ｍｍに設定され、
信号用の他のリード１のリード間隔は０．１ｍｍと狭く
なるように設定される。この間隔の違いの理由は、上述
した第３の実施の形態で説明した通りである。
１ｂは、孤立接着材層３を介して絶縁テープ層２に貼付
される。また、クロック信号用の他のリード１は全て着
材層３ｂを介して絶縁テープ層２に貼付される。ここ
で、リード材はＣｕあるいはＡｇメッキの施された金属
合金である。そして、電源用リード１ａと接地用リード
１ｂとのリード間隔は０．１５ｍｍ程度に、電源用リー
ド１ａあるいは接地用リード１ｂと隣接する信号用の他
のリード１とのリード間隔も０．１５ｍｍに設定され、
信号用の他のリード１のリード間隔は０．１ｍｍと狭く
なるように設定される。この間隔の違いの理由は、上述
した第３の実施の形態で説明した通りである。
【００５９】この場合も、上述した第３の実施の形態と
同程度かそれより高い効果が生じる。これらのことは、
以下のことを示している。すなわち、複数あるリードの
うち、電源用リードと接地用リードが隣接する場合、常
にこの２本のリード間には一定方向の電界が生じる。こ
のため、この場合に最もイオンマイグレーションが生じ
易く、短絡故障までの寿命が短くなる。一方、他のリー
ドに関しては電位が常に変化するため、リード間に一定
の電位が生じ難くイオンマイグレーションによる短絡故
障までの寿命が長くなる。
同程度かそれより高い効果が生じる。これらのことは、
以下のことを示している。すなわち、複数あるリードの
うち、電源用リードと接地用リードが隣接する場合、常
にこの２本のリード間には一定方向の電界が生じる。こ
のため、この場合に最もイオンマイグレーションが生じ
易く、短絡故障までの寿命が短くなる。一方、他のリー
ドに関しては電位が常に変化するため、リード間に一定
の電位が生じ難くイオンマイグレーションによる短絡故
障までの寿命が長くなる。
【００６０】そこで、次に、本発明の第４の実施の形態
として、電源用リードと接地用リードの間の接着材層を
絶縁テープとともに除去する場合を図８および図９に基
づいて説明する。ここで、図８はその平面図であり、図
９は図８に記すＥ−Ｆで切断したところの断面図であ
る。
として、電源用リードと接地用リードの間の接着材層を
絶縁テープとともに除去する場合を図８および図９に基
づいて説明する。ここで、図８はその平面図であり、図
９は図８に記すＥ−Ｆで切断したところの断面図であ
る。
【００６１】図８に示すように、電源用リード１ａと接
地用リード１ｂは互いに隣接して設けられる。そして、
電源用リード１ａと接地用リード１ｂとは、この間で分
離された絶縁テープ層２ａに接着材層を介してそれぞれ
貼付されている。
地用リード１ｂは互いに隣接して設けられる。そして、
電源用リード１ａと接地用リード１ｂとは、この間で分
離された絶縁テープ層２ａに接着材層を介してそれぞれ
貼付されている。
【００６２】このようにすることで、第３の実施の形態
の２つの例の場合と同様に、テーピングリードフレーム
の長寿命化が可能になり、その長期信頼性がさらに向上
するようになる。
の２つの例の場合と同様に、テーピングリードフレーム
の長寿命化が可能になり、その長期信頼性がさらに向上
するようになる。
【００６３】次に、図９でこの断面構造をその製法に従
って説明する。図９（ａ）に示すように、電源用リード
１ａと接地用リード１ｂとが互いに隣接して設けられ
る。そして、この電源用リード１ａ、接地用リード１ｂ
および信号用の他のリード１が接着シート３’を介して
絶縁テープ２に貼付される。そして、電源用リード１ａ
と接地用リード１ｂとの間が型抜きパンチ８で切断され
る。この結果、図９（ｂ）に示すように、電源用リード
１ａと接地用リード１ｂとの間の接着材層と絶縁テープ
層とが一緒に除去される。
って説明する。図９（ａ）に示すように、電源用リード
１ａと接地用リード１ｂとが互いに隣接して設けられ
る。そして、この電源用リード１ａ、接地用リード１ｂ
および信号用の他のリード１が接着シート３’を介して
絶縁テープ２に貼付される。そして、電源用リード１ａ
と接地用リード１ｂとの間が型抜きパンチ８で切断され
る。この結果、図９（ｂ）に示すように、電源用リード
１ａと接地用リード１ｂとの間の接着材層と絶縁テープ
層とが一緒に除去される。
【００６４】ここで、電源用リード１ａと接地用リード
１ｂとのリード間隔は０．１５ｍｍ程度に設定され、信
号用の他のリード１のリード間隔は０．１ｍｍと狭くな
るように設定される。このようにして、型抜きパンチ８
がリード間に入り易くなるようにしてある。この場合
は、接着材層および絶縁テープ層の除去が簡単であり、
その工程が短く製造コストが大幅に低減する。
１ｂとのリード間隔は０．１５ｍｍ程度に設定され、信
号用の他のリード１のリード間隔は０．１ｍｍと狭くな
るように設定される。このようにして、型抜きパンチ８
がリード間に入り易くなるようにしてある。この場合
は、接着材層および絶縁テープ層の除去が簡単であり、
その工程が短く製造コストが大幅に低減する。
【００６５】なお、リードフレームのテーピングは、本
来、リードを固定し隣接するリード間の接触を防止する
ためにある。通常、隣接した電源用リードと接地用リー
ドはパッケージの１辺に１対で在る。このため、切断部
は１辺の１箇所に形成されるようになる。そして、電源
用リードと接地用リードの間の１箇所の絶縁テープ層を
除去しても、リード間の接触の問題は生じない。
来、リードを固定し隣接するリード間の接触を防止する
ためにある。通常、隣接した電源用リードと接地用リー
ドはパッケージの１辺に１対で在る。このため、切断部
は１辺の１箇所に形成されるようになる。そして、電源
用リードと接地用リードの間の１箇所の絶縁テープ層を
除去しても、リード間の接触の問題は生じない。
【００６６】以上の第３および第４の実施の形態で説明
した方法は、同様にしてタブ構造の半導体装置にも適用
できる。この場合は、上記の実施の形態でのリードを金
属プリント配線で、電源用リードを電源用金属プリント
配線で、接地用リードを接地用金属プリント配線でそれ
ぞれ置き換えて考えればよい。そして、その効果も上記
の実施の形態で説明したものと同様になる。
した方法は、同様にしてタブ構造の半導体装置にも適用
できる。この場合は、上記の実施の形態でのリードを金
属プリント配線で、電源用リードを電源用金属プリント
配線で、接地用リードを接地用金属プリント配線でそれ
ぞれ置き換えて考えればよい。そして、その効果も上記
の実施の形態で説明したものと同様になる。
【００６７】
【発明の効果】先述したように、本発明のリードフレー
ムテーピングあるいはタブの方法では、リードあるいは
金属プリント配線は、孤立して形成される接着材層を通
して絶縁テープ層に接着される。そして、隣接するリー
ド間あるいは隣接する金属プリント配線間には接着材層
は形成されない。
ムテーピングあるいはタブの方法では、リードあるいは
金属プリント配線は、孤立して形成される接着材層を通
して絶縁テープ層に接着される。そして、隣接するリー
ド間あるいは隣接する金属プリント配線間には接着材層
は形成されない。
【００６８】このために、隣接するリード間あるいは金
属プリント配線間で、その間に介在する接着材層を通し
てＣｕが移動する現象、すなわち、Ｃｕのイオンマイグ
レーションといわれる現象は完全に抑制される。そし
て、先述したようなリード間あるいは金属プリント配線
間の短絡あるいはリーク電流の発生は皆無になる。
属プリント配線間で、その間に介在する接着材層を通し
てＣｕが移動する現象、すなわち、Ｃｕのイオンマイグ
レーションといわれる現象は完全に抑制される。そし
て、先述したようなリード間あるいは金属プリント配線
間の短絡あるいはリーク電流の発生は皆無になる。
【００６９】また、このテーピングリードフレームある
いはタブに半導体チップを搭載した樹脂封止型の半導体
装置において、絶縁テープ層あるいはテープキャリアと
モールド樹脂との間の密着性が大幅に向上するようにな
る。
いはタブに半導体チップを搭載した樹脂封止型の半導体
装置において、絶縁テープ層あるいはテープキャリアと
モールド樹脂との間の密着性が大幅に向上するようにな
る。
【００７０】複数あるリードのうち、電源用リードと接
地用リードが隣接する場合には、このリード間には常に
一定方向の電界が形成されている。このため、この間の
接着材層を選択的に除去することも非常に効果的にな
る。この場合には型抜きパンチで接着材層は絶縁テープ
層と一緒に簡単に除去できるため、工程が短縮され製造
コストが大幅に削減される。このような効果は、隣接し
て形成した電源用金属プリント配線と接地用金属プリン
ト配線間の接着材層の除去でも同様に生じるものであ
る。
地用リードが隣接する場合には、このリード間には常に
一定方向の電界が形成されている。このため、この間の
接着材層を選択的に除去することも非常に効果的にな
る。この場合には型抜きパンチで接着材層は絶縁テープ
層と一緒に簡単に除去できるため、工程が短縮され製造
コストが大幅に削減される。このような効果は、隣接し
て形成した電源用金属プリント配線と接地用金属プリン
ト配線間の接着材層の除去でも同様に生じるものであ
る。
【００７１】あるいは、リードの狭ピッチ化に対応する
方法として、電源用リードと接地用リード間のみの間隔
を拡げ、他リード間の間隔を狭める方法が用いられる場
合には、上記の２つの手法が併用される。このようにす
ると、短絡故障の長寿命化と製造コストの低減との両立
が容易になる。
方法として、電源用リードと接地用リード間のみの間隔
を拡げ、他リード間の間隔を狭める方法が用いられる場
合には、上記の２つの手法が併用される。このようにす
ると、短絡故障の長寿命化と製造コストの低減との両立
が容易になる。
【００７２】このようにして、高い信頼性を有する半導
体装置が形成されると共に、その製造方法が高精度化さ
れるようになる。
体装置が形成されると共に、その製造方法が高精度化さ
れるようになる。
【図１】本発明の第１の実施形態を説明するテーピング
リードフレーム図である。
リードフレーム図である。
【図２】本発明の第１の実施形態での第１の製造工程順
の断面図である。
の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態での第２の製造工程順
の断面図である。
の断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態での第３の製造工程順
の断面図である。
の断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態を説明するテーピング
キャリア図である。
キャリア図である。
【図６】本発明の第２の実施形態での製造工程順の断面
図である。
図である。
【図７】本発明の第３の実施形態を説明するための断面
図である。
図である。
【図８】本発明の第４の実施形態を説明するための平面
図である。
図である。
【図９】本発明の第４の実施形態を説明するための断面
図である。
図である。
【図１０】従来の技術でのテーピングリードフレーム図
である。
である。
【図１１】従来のリードフレームテーピングの方法を示
す斜視断面図である。
す斜視断面図である。
【図１２】従来の技術のテーピングリードフレームの断
面図である。
面図である。
１，１０１ リード ２，２ａ，１０２ 絶縁テープ層 ３，３ａ 孤立接着材層 ３ｂ，１０３ 接着材層 ３’，１０３’ 接着シート ４ 金属プリント配線 ５ テープキャリア ６ 金属薄膜 ７ レジストマスク ８ 型抜きパンチ １０２’ 絶縁シート １０３ 接着材層 １０４ テーピング用型抜き １０５ リードフレーム １０６ モールド樹脂 １０７ 空隙
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体チップを封止するためのリードフ
レームのリードに絶縁テープ層が接着材層を通して接着
されるテーピングリードフレームにおいて、電源用リー
ドと接地用リードとが隣接して形成され、前記電源用リ
ードと接地用リードのリード間の前記絶縁テープ層表面
には前記接着材層が存在せず、且つ、前記電源用リード
および接地用リード間以外のリード間の前記絶縁テープ
層表面には前記接着材層が存在していることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】 前記電源用リードと隣接するクロック信
号用リードとのリード間および前記接地用リードと隣接
するクロック信号用リードとのリード間の前記絶縁テー
プ層表面にも前記接着材層が存在しないことを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 半導体チップを封止するためのテープキ
ャリアの絶縁テープ層に金属プリント配線が接着材層を
通して接着されるタブ（ＴＡＢ：ＴａｐｅＡｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）において、電源用金属プリン
ト配線と接地用金属プリント配線とが隣接して形成さ
れ、前記電源用金属プリント配線と接地用金属プリント
配線との間の絶縁テープ層表面には前記接着材層が存在
せず、且つ、前記電源用金属プリント配線および接地用
金属プリント配線間以外の金属プリント配線間の絶縁テ
ープ層表面には前記接着材層が存在していることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項４】 前記電源用金属プリント配線と隣接する
クロック信号用金属プリント配線との配線間および前記
接地用金属プリント配線と隣接するクロック信号用金属
プリント配線との配線間の前記絶縁テープ層にも前記接
着材層が存在しないことを特徴とする請求項３記載の半
導体装置。 - 【請求項５】 半導体チップを封止するためのリードフ
レームのリードに絶縁テープ層が接着材層を通して接着
されるテーピングリードフレームにおいて、電源用リー
ドと接地用リードとが隣接して形成され、前記電源用リ
ードと接地用リードのリード間では前記絶縁テープ層と
前記接着材層とが除去されていることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項６】 半導体チップを封止するためのテープキ
ャリアの絶縁テープ 層に金属プリント配線が接着材層を
通して接着されるタブにおいて、電源用金属プリント配
線と接地用金属プリント配線とが隣接して形成され、前
記電源用金属プリント配線と接地用金属プリント配線と
の間では前記絶縁テープ層と前記接着材層とが除去され
ていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項７】 絶縁テープ層の片面全面に接着材層を貼
付する工程と、前記接着材層にリードフレームの電源用
リードと接地用リードあるいはテープキャリアの電源用
金属プリント配線と接地用金属プリント配線とをそれぞ
れ隣接して接着する工程と、前記リードフレームの電源
用リードと接地用リードとの間あるいはテープキャリア
の電源用金属プリント配線と接地用金属プリント配線と
の間の絶縁テープ層と接着材層とを型抜きパンチで除去
する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8136681A JP2735532B2 (ja) | 1995-09-28 | 1996-05-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US08/864,828 US5982025A (en) | 1996-05-30 | 1997-05-29 | Wire fixation structure |
| KR1019970022158A KR100251330B1 (ko) | 1996-05-30 | 1997-05-30 | 칩 접속용 리드 구조 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25061595 | 1995-09-28 | ||
| JP7-250615 | 1995-09-28 | ||
| JP8136681A JP2735532B2 (ja) | 1995-09-28 | 1996-05-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153587A JPH09153587A (ja) | 1997-06-10 |
| JP2735532B2 true JP2735532B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=26470187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8136681A Expired - Lifetime JP2735532B2 (ja) | 1995-09-28 | 1996-05-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735532B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4426917B2 (ja) | 2004-07-16 | 2010-03-03 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008282905A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP5119981B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2013-01-16 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04133459A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nec Corp | リードフレーム |
| JP3218724B2 (ja) * | 1992-09-29 | 2001-10-15 | 松下電器産業株式会社 | 半導体素子実装体及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-05-30 JP JP8136681A patent/JP2735532B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09153587A (ja) | 1997-06-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971209 |