JPH04133459A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH04133459A JPH04133459A JP25562390A JP25562390A JPH04133459A JP H04133459 A JPH04133459 A JP H04133459A JP 25562390 A JP25562390 A JP 25562390A JP 25562390 A JP25562390 A JP 25562390A JP H04133459 A JPH04133459 A JP H04133459A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- leads
- tape
- bonding agent
- lead
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 abstract 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical class FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置用のリードフレームに関する。
樹脂封止型半導体装置は、低コストであるため半導体装
置の主流を占めている。
置の主流を占めている。
一般に、リードフレームは半導体素子搭載用のアイラン
ドと、アイランドを支持する吊りリードと、アイランド
の周囲に配置して設けた複数の内部リードと、内部リー
ドに接続する外部リードと、樹脂封止時に流出する樹脂
を防止するために外部リード相互間を連結するタイバー
と、これらを支持するフレームとで構成される。
ドと、アイランドを支持する吊りリードと、アイランド
の周囲に配置して設けた複数の内部リードと、内部リー
ドに接続する外部リードと、樹脂封止時に流出する樹脂
を防止するために外部リード相互間を連結するタイバー
と、これらを支持するフレームとで構成される。
近年、半導体装置の多ピン化が急速に進みリードフレー
ムのリードが非常に微細化されてきている。−160〜
208ビンを有するQFP(QuadFlat Pac
kage)のリードフレームにおいては、内部リードの
先端幅は100〜130μm程度である。リードフレー
ムの取り扱い時に生ずる内部リードの変形や、半導体素
子の組立時の熱変形を防止して良好なボンディングを得
るように、ポリイミド等の樹脂フィルムに接着剤層をも
うけた2層構造のフィルムを用い複数の内部リードを横
断して互に連結するように接着し、固定している。
ムのリードが非常に微細化されてきている。−160〜
208ビンを有するQFP(QuadFlat Pac
kage)のリードフレームにおいては、内部リードの
先端幅は100〜130μm程度である。リードフレー
ムの取り扱い時に生ずる内部リードの変形や、半導体素
子の組立時の熱変形を防止して良好なボンディングを得
るように、ポリイミド等の樹脂フィルムに接着剤層をも
うけた2層構造のフィルムを用い複数の内部リードを横
断して互に連結するように接着し、固定している。
また、小さなパッケージに大きなベレットを梧載するた
め、リードフレームのアイランドを設けることなく、内
部リード上に設けた絶縁テープの上に半導体素子をグイ
ボンディングするリードオンチップの技術も実用化され
はじめている。
め、リードフレームのアイランドを設けることなく、内
部リード上に設けた絶縁テープの上に半導体素子をグイ
ボンディングするリードオンチップの技術も実用化され
はじめている。
上述した従来のリードフレームは、内部リード相互間を
連結する絶縁テープとして、厚さ約50μmのポリイシ
ド等の樹脂フィルムをベースとしリードフレームとの接
着剤として用いる厚さ約20μmのアクリル系樹脂層等
を積層している。
連結する絶縁テープとして、厚さ約50μmのポリイシ
ド等の樹脂フィルムをベースとしリードフレームとの接
着剤として用いる厚さ約20μmのアクリル系樹脂層等
を積層している。
これを所定の形状に切断して内部リードに熱圧着し内部
リード間を同定する。
リード間を同定する。
絶縁テープで内部リードを固定したリードフレームは半
導体素子の組立工程中で高温に加熱されるが、その際熱
分解を起こし極性のあるイミダゾールやフッ化ホウ素系
化合物かイオン性不純物として遊離することがある。ま
た、接着層の原料の精製不足や半導体素子組立工程内で
の汚れによってもイオン性の不純物が生じる。特に半導
体装置の樹脂が水分を吸収している場合やリードフレー
ムと樹脂界面から水分が侵入する場合は、リード間のリ
ーク電流がこれらのイオン性不純物によって生じる欠点
があった。
導体素子の組立工程中で高温に加熱されるが、その際熱
分解を起こし極性のあるイミダゾールやフッ化ホウ素系
化合物かイオン性不純物として遊離することがある。ま
た、接着層の原料の精製不足や半導体素子組立工程内で
の汚れによってもイオン性の不純物が生じる。特に半導
体装置の樹脂が水分を吸収している場合やリードフレー
ムと樹脂界面から水分が侵入する場合は、リード間のリ
ーク電流がこれらのイオン性不純物によって生じる欠点
があった。
本発明のリードフレームは、内部リードの相互間を絶縁
テープで連結し固定した半導体装置用のリードフレーム
において、前記絶縁テープが前記内部リードと交差する
領域のみに設けた接着剤により接着されている。
テープで連結し固定した半導体装置用のリードフレーム
において、前記絶縁テープが前記内部リードと交差する
領域のみに設けた接着剤により接着されている。
次、に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)、(b)は本発明の一実施例の平面図及び
A−A’線断面図である。
A−A’線断面図である。
第1図(a)、(b)に示すように、アイランド6の周
囲に配置して設けた内部リード2と、内部リード2と接
続した外部リード7を互に接続するタイバー4と外部リ
ード7及びアイランド6を支持するフレーム5と、内部
リード2と交差する領域にのみ接着剤3を用いて接着し
内部リード2を互に連結して固定する樹脂フィルム等か
らなる絶縁テープ1とを有して構成される。
囲に配置して設けた内部リード2と、内部リード2と接
続した外部リード7を互に接続するタイバー4と外部リ
ード7及びアイランド6を支持するフレーム5と、内部
リード2と交差する領域にのみ接着剤3を用いて接着し
内部リード2を互に連結して固定する樹脂フィルム等か
らなる絶縁テープ1とを有して構成される。
第2図(a)、(b)は本発明の一実施例の第1の製造
方法を説明するための工程順に示した内部リードの断面
図である。
方法を説明するための工程順に示した内部リードの断面
図である。
まず、第2図(a)に示すように内部リード2の上面に
液状ポリイミド系樹脂または液状のエポキシ系樹脂から
なる接着剤8を塗布する。
液状ポリイミド系樹脂または液状のエポキシ系樹脂から
なる接着剤8を塗布する。
次に、第2図(b)に示すように、接着剤8の上に絶縁
テープ1を載せて接着剤8を熱硬化させ内部リード2と
絶縁テープ1を接着し、内部り−ド2を互に固定する。
テープ1を載せて接着剤8を熱硬化させ内部リード2と
絶縁テープ1を接着し、内部り−ド2を互に固定する。
ここで、接着剤8は内部リード2と絶縁テープ1との間
にのみ存在する。
にのみ存在する。
第3図(a)〜(c)は本発明の一実施例の第2の製造
方法を説明するための工程順に示した内部リードの断面
図である。
方法を説明するための工程順に示した内部リードの断面
図である。
第3図(a)に示すように、内部リード2の上にポリイ
ミド系樹脂やエポキシ系樹脂等の熱下塑性樹脂フィルム
9を熱圧着する。
ミド系樹脂やエポキシ系樹脂等の熱下塑性樹脂フィルム
9を熱圧着する。
次に、第3図(b)に示すように、酸に浸漬し内部リー
ド2の相互間に存在する樹脂フィルム9のみをエツチン
グして除去する。ここで、内部リード2の相互間に存在
する樹脂フィルム9は両面からエツチングされるが内部
リード2上に接着されている樹脂フィルム9は片面から
のみエツチングされるので内部リード2の上にのみ樹脂
フィルム9を残すことができる。
ド2の相互間に存在する樹脂フィルム9のみをエツチン
グして除去する。ここで、内部リード2の相互間に存在
する樹脂フィルム9は両面からエツチングされるが内部
リード2上に接着されている樹脂フィルム9は片面から
のみエツチングされるので内部リード2の上にのみ樹脂
フィルム9を残すことができる。
次に、第3図(C)に示すように樹脂フィルム9の上に
絶縁テープ1を重ねて熱圧着し、内部リード・2を互に
連結して固定する。
絶縁テープ1を重ねて熱圧着し、内部リード・2を互に
連結して固定する。
第4図は本発明の一実施例の第1及び第2の製造方法で
形成したリードフレームと従来のリードフレームについ
て121℃、2気圧のプレツシャクッ力試験を行った後
に隣接する内部リード間に10Vの電圧を印加したとき
のリーク電流特性を示した図である。
形成したリードフレームと従来のリードフレームについ
て121℃、2気圧のプレツシャクッ力試験を行った後
に隣接する内部リード間に10Vの電圧を印加したとき
のリーク電流特性を示した図である。
第4図に示すように、本発明の実施例では第1及び第2
の製造方法の場合の夫々についてはリーク電流値がIQ
−14〜1O−15Aであり、低く抑えられているのに
対して、従来の実施例では時間の経過とともにリーク電
流が増加して10−’Aにも達し、回路の誤動作が発生
することがある。
の製造方法の場合の夫々についてはリーク電流値がIQ
−14〜1O−15Aであり、低く抑えられているのに
対して、従来の実施例では時間の経過とともにリーク電
流が増加して10−’Aにも達し、回路の誤動作が発生
することがある。
また、第2の製造方法で形成したリードフレームは第1
の製造方法で形成したリードフレームと比較して接着剤
がフィレットを形成しない。したがって接着剤どうしの
距離が遠いためプレッシャクッ力試験によって発生する
リーク電流が少ない利点がある。
の製造方法で形成したリードフレームと比較して接着剤
がフィレットを形成しない。したがって接着剤どうしの
距離が遠いためプレッシャクッ力試験によって発生する
リーク電流が少ない利点がある。
以上説明したように本発明は、絶縁テープと内部リード
が交差する領域のみに接着剤を設けて内部リード相互間
を連結することにより、接着剤層で発生する内部リード
間のリーク電流値を低くできるという効果を有する。
が交差する領域のみに接着剤を設けて内部リード相互間
を連結することにより、接着剤層で発生する内部リード
間のリーク電流値を低くできるという効果を有する。
遣方法を説明するための工程順に示した内部リードの断
面図、第4図は本発明の一実施例と従来のリードフレー
ムについてのプレッシャクッ力試験後のリーク電流特性
を示した図である。
面図、第4図は本発明の一実施例と従来のリードフレー
ムについてのプレッシャクッ力試験後のリーク電流特性
を示した図である。
1・・・絶縁テープ、2・・・内部リード、3・・・接
着剤、4・・・タイバー、5・・・フレーム、6・・・
アイランド、7・・・外部リード、8・・・接着剤、9
・・樹脂フィルム。
着剤、4・・・タイバー、5・・・フレーム、6・・・
アイランド、7・・・外部リード、8・・・接着剤、9
・・樹脂フィルム。
Claims (1)
- 内部リードの相互間を絶縁テープで連結し固定した半
導体装置用のリードフレームにおいて前記絶縁テープが
前記内部リードと交差する領域のみに設けた接着剤によ
り接着されていることを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25562390A JPH04133459A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25562390A JPH04133459A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04133459A true JPH04133459A (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=17281325
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25562390A Pending JPH04133459A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04133459A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09153587A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-06-10 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US5637914A (en) * | 1994-05-16 | 1997-06-10 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device encapsulated by resin |
KR100251330B1 (ko) * | 1996-05-30 | 2000-04-15 | 가네꼬 히사시 | 칩 접속용 리드 구조 |
EP1261031A2 (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-27 | Lintec Corporation | Tape for forming resin tie bar on a lead frame |
JP2008282905A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009212269A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Denso Corp | モールドパッケージおよびその製造方法 |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP25562390A patent/JPH04133459A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5637914A (en) * | 1994-05-16 | 1997-06-10 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device encapsulated by resin |
EP0683518A3 (en) * | 1994-05-16 | 1998-09-09 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
US5837567A (en) * | 1994-05-16 | 1998-11-17 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
JPH09153587A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-06-10 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100251330B1 (ko) * | 1996-05-30 | 2000-04-15 | 가네꼬 히사시 | 칩 접속용 리드 구조 |
EP1261031A2 (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-27 | Lintec Corporation | Tape for forming resin tie bar on a lead frame |
EP1261031A3 (en) * | 2001-05-18 | 2004-06-02 | Lintec Corporation | Tape for forming resin tie bar on a lead frame |
US6855418B2 (en) | 2001-05-18 | 2005-02-15 | Lintec Corporation | Tape for forming resin tie bar, resin tie bar, lead frame equipped with resin tie bar, resin-molded semiconductor device, and method for producing same |
JP2008282905A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009212269A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Denso Corp | モールドパッケージおよびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5304842A (en) | Dissimilar adhesive die attach for semiconductor devices | |
KR100263723B1 (ko) | 가요성 박막 반도체 패키지 | |
KR100219791B1 (ko) | 반도체장치와 반도체장치의 제조방법 및 리드프레임의제조방법 | |
JP3238004B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004111965A (ja) | 接着テープがボンディングワイヤに貼付けられた半導体チップパッケージ | |
JP2002190488A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
TWI395316B (zh) | 多晶片模組封裝件 | |
JPH04133459A (ja) | リードフレーム | |
KR960005039B1 (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 | |
JPS6151933A (ja) | 半導体装置の製法 | |
US5633206A (en) | Process for manufacturing lead frame for semiconductor package | |
US6376916B1 (en) | Tape carrier for BGA and semiconductor device using the same | |
JPH01303730A (ja) | 半導体素子の実装構造とその製造方法 | |
JPH0582977B2 (ja) | ||
JPH04341896A (ja) | 半導体装置及びメモリーカード | |
JPH0366152A (ja) | 半導体集積回路モジュール | |
JP2815984B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2944586B2 (ja) | Bga型半導体装置及びその製造方法 | |
KR960012635B1 (ko) | 반도체 패키지 제조방법 | |
KR200179421Y1 (ko) | 적층형 반도체 패캐이지 | |
JP2596387B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH08274234A (ja) | 半導体装置およびその製造方法並びに半導体実装モジュール | |
JP3555790B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0547835A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
JPH02156661A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 |