JP2714281B2 - 固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

固体電解コンデンサおよびその製造方法

Info

Publication number
JP2714281B2
JP2714281B2 JP22034691A JP22034691A JP2714281B2 JP 2714281 B2 JP2714281 B2 JP 2714281B2 JP 22034691 A JP22034691 A JP 22034691A JP 22034691 A JP22034691 A JP 22034691A JP 2714281 B2 JP2714281 B2 JP 2714281B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid electrolytic
electrolytic capacitor
capacitor
fluororesin
metal case
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP22034691A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0562864A (ja
Inventor
勝則 水富
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP22034691A priority Critical patent/JP2714281B2/ja
Publication of JPH0562864A publication Critical patent/JPH0562864A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2714281B2 publication Critical patent/JP2714281B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は固体電解質として、TC
NQ錯塩を用いた固体電解コンデンサに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】電解質としてTCNQ錯塩を用いた有機
半導体固体電解コンデンサに関しては、本願出願人が既
に種々提案している。すなわち、特開昭58−1914
14号(H01G 9/02)等に開示されているN位
をアルキル基で置換したイソキノリンとのTCNQ錯塩
を用いた固体電解コンデンサは、特に優れた高周波特性
を持っているため、スイッチング電源用などに広く採用
されているが、近年、機器の小型化の必要性から、この
種のコンデンサも表面実装用部品(チップ部品)として
の対応を迫られている。
【0003】しかしながら、上述の従来技術によるコン
デンサにおいては、表面実装用部品として必須の、半田
付け時の熱ストレス(通常230℃)には耐えられず、
著しい漏れ電流増大等の特性劣化を招くという欠点があ
った。
【0004】この欠点を改善するために、本願出願人
は、150℃以上の温度で電圧処理(エージング)を行
うことを提案している。すなわち、特開平2−2788
07号公報(H01G 9/04)に記載されているよ
うに、コンデンサを、150℃以上の所定の温度に加熱
した円筒状穴あき熱板に収納し、定格電圧を印加しなが
らエージングを行うものであり、これによって、漏れ電
流による特性劣化を防ぐものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術によれ
ば漏れ電流による特性劣化を防ぐ事は可能であるが、コ
ンデンサを加熱した円筒状穴あき熱板に収納し定格電圧
を印加することは、極めて作業性が悪く、量産に適さな
いという欠点があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の従来技術
の欠点を解決するためのものであり、陽極箔と陰極箔と
をセパレータを介して巻回したコンデンサ素子と、該コ
ンデンサ素子に含浸後冷却固化されたTCNQ塩と、該
コンデンサを封入する金属ケースとからなる固体電解コ
ンデンサにおいて、前記金属ケースの底面をフッ素樹脂
で被覆したことを特徴とするものである。また、本発明
は、陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコ
ンデンサ素子と、該コンデンサ素子に含浸後冷却固化さ
れたTCNQ塩と、該コンデンサを封入する金属ケース
とからなる固体電解コンデンサにおいて、前記金属ケー
スの底面をフッ素樹脂で被覆するとともに、150℃以
上の温度の溶融した半田中に浸漬させエージングを行う
ことを特徴とするものである。
【0007】
【作用】本発明では、固体電解コンデンサを150℃以
上の温度の溶融した半田中に浸漬させエージングを行う
ので、漏れ電流を修復するために生じる絶縁被膜の耐熱
性が増し、半田付け時に相当する高温下に放置した場合
でも漏れ電流の増大を押さえる。また、金属ケースの底
面をフッ素樹脂で被覆することにより、エージング後に
溶融半田から取り出した際、金属ケースに不要な半田が
付着することが防止される。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図1は本
発明に使用するコンデンサ素子を示す。まず、高純度
(99.99%以上)のアルミニウム箔を化学的処理に
より粗面化し、実効表面積を増加させるためのいわゆる
エッチング処理を行う。次に電解液中にて、電気化学的
にアルミニウム箔表面に酸化被膜(酸化アルミニウムの
薄膜)を形成する(化成処理)。次にエッチング処理、
化成処理を行ったアルミニウム箔を陽極箔1とし、対向
陰極箔2との間にセパレータ3としてマニラ紙をはさ
み、図1に示すように円筒状に巻き取る。このように、
アルミニウム箔に酸化被膜を形成した陽極箔1と陰極箔
2との両電極箔間にセパレータ3を巻回して、コンデン
サ素子6が形成される。なお、4、5はリード線であ
る。
【0009】次に、コンデンサ素子6に熱処理を施し、
セパレータ3を構成するマニラ紙を炭化することによっ
て、繊維の細径化による密度の低下を図る。なお、セパ
レータとして、マニラ紙をあらかじめ所定の温度と時間
(例えば240℃、40分)で熱処理を施して炭化した
ものや、カーボン不織布を用い、陽極箔と陰極箔との間
にはさんで巻回してもよい。
【0010】次に、図2に示すように、金属(アルミ)
ケース7内で TCNQ塩、例えば、N,N−ペンタメ
チレンルチジニウム2・TCNQ4とN−フェネチルルチ
ジニウム・TCNQ2の等量混合物を300℃で加熱融解
させ、その中に予熱した化成・炭化処理済みのコンデン
サ素子6を挿入し、融解したTCNQ塩をコンデンサ素
子6に含浸させ急冷する。その後、TCNQ塩とは反応
しにくい樹脂9を封入し、さらにエポキシ樹脂等10で
封口する。
【0011】さらに、図3に示すようにアルミケース7
の底面7aをフッ素樹脂11で被覆する。被覆の方法は
種々考えられるが、たとえば、フッ素を含む高分子の溶
液から溶媒を揮発させることによりフッ素被膜を形成す
るようにすれば、膜厚の管理が容易になる。また、水を
溶媒として用いれば安全性が高い。図4はこのようにし
て形成したフッ素被膜の状態を示す拡大図である。
【0012】また、フッ素樹脂は次式で示されるような
構造の4フッ化されたホモポリマの、0.3ミクロン以
下の微粒子の密着したものを用いることにより、図5に
示すように、アルミケース7との密着強度の高い被膜が
形成される。
【0013】
【化1】
【0014】このようにして形成されたコンデンサを、
図6に示すような装置によりエージングを行う。すなわ
ち、半田槽12内で半田13を溶融し150℃以上の一
定温度(たとえば220℃)に維持し、この溶融半田1
3中にコンデンサを浸漬する。このとき、コンデンサの
陽極リード5と溶融半田13との間に定格電圧を印加
し、エージングを行う。エージング時間は30秒程度で
ある。
【0015】このような方法により、エージングを作業
性よく行うことができるとともに、アルミケース7の底
面7aをフッ素樹脂11で被覆しているので、底面7a
に半田が付着することはない。なお、図7はアルミケー
ス7の底面7aをフッ素樹脂11で被覆しない従来のコ
ンデンサを、本発明による方法でエージングを行った場
合の図であり、アルミケース7の底面7aに半田13が
付着し、この除去作業が別途必要となる。
【0016】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、陽極箔と
陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子
と、該コンデンサ素子に含浸後冷却固化されたTCNQ
塩と、該コンデンサを封入する金属ケースとからなる固
体電解コンデンサにおいて、前記金属ケースの底面をフ
ッ素樹脂で被覆したものであり、さらに、このように形
成した固体電解コンデンサを150℃以上の温度の溶融
した半田中に浸漬させエージングを行うようにしたの
で、作業性良くエージングを行うことができ、半田付け
後においても漏れ電流特性の極めて優れた固体電解コン
デンサを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に用いるコンデンサ素子を示す斜視図で
ある。
【図2】本発明の固体電解コンデンサの断面図である。
【図3】本発明の固体電解コンデンサを示す図である。
【図4】本発明の固体電解コンデンサのフッ素被膜を示
す図である。
【図5】本発明の固体電解コンデンサのフッ素被膜を示
す図である。
【図6】本発明の固体電解コンデンサのエージング方法
を示す図である。
【図7】従来技術による固体電解コンデンサのエージン
グ後の状態を示す図である。
【符号の説明】
1 陽極箔 2 陰極箔 3 セパレータ 4、5 リード線 6 コンデンサ素子 7 アルミケース 8 TCNQ塩 9 樹脂 10 エポキシ樹脂 11 フッ素樹脂被膜 12 半田槽 13 半田

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して
    巻回したコンデンサ素子と、該コンデンサ素子に含浸後
    冷却固化されたTCNQ塩と、該コンデンサを封入する
    金属ケースとからなる固体電解コンデンサにおいて、前
    記金属ケースの底面をフッ素樹脂で被覆したことを特徴
    とする固体電解コンデンサ。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の固体電解コンデンサにお
    いて、フッ素樹脂の被膜はフッ素を含む高分子の溶液か
    ら溶媒を揮発させることにより形成されるフッ素を含む
    高分子被膜であることを特徴とする固体電解コンデン
    サ。
  3. 【請求項3】 フッ素を含む溶液の溶媒は水であること
    を特徴とする請求項2記載の固体電解コンデンサ。
  4. 【請求項4】 フッ素樹脂はフッ素を含む高分子の微粒
    子の密着したものである請求項2記載の固体電解コンデ
    ンサ。
  5. 【請求項5】 フッ素を含む高分子の微粒子はホモポリ
    マが4フッ化されたものである請求項4記載の固体電解
    コンデンサ。
  6. 【請求項6】 フッ素を含む高分子の微粒子は0.3ミ
    クロン以下のものである請求項4記載の固体電解コンデ
    ンサ。
  7. 【請求項7】 陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して
    巻回したコンデンサ素子と、該コンデンサ素子に含浸後
    冷却固化されたTCNQ塩と、該コンデンサを封入する
    金属ケースとからなる固体電解コンデンサの製造方法に
    おいて、前記金属ケースの底面をフッ素樹脂で被覆する
    とともに、150℃以上の温度の溶融した半田中に浸漬
    させエージングを行うことを特徴とする固体電解コンデ
    ンサの製造方法。
JP22034691A 1991-08-30 1991-08-30 固体電解コンデンサおよびその製造方法 Expired - Fee Related JP2714281B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22034691A JP2714281B2 (ja) 1991-08-30 1991-08-30 固体電解コンデンサおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22034691A JP2714281B2 (ja) 1991-08-30 1991-08-30 固体電解コンデンサおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0562864A JPH0562864A (ja) 1993-03-12
JP2714281B2 true JP2714281B2 (ja) 1998-02-16

Family

ID=16749704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22034691A Expired - Fee Related JP2714281B2 (ja) 1991-08-30 1991-08-30 固体電解コンデンサおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2714281B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998010590A1 (fr) 1996-09-02 1998-03-12 Sony Corporation Dispositif et procede de transmission d'un signal video

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0562864A (ja) 1993-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04229611A (ja) 固体電解コンデンサ
JPH0750663B2 (ja) 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法
JPH07211596A (ja) 電子部品及びその製造方法
JP2714281B2 (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP3550232B2 (ja) 電解コンデンサ用タブ端子の製造方法
JP3123772B2 (ja) 有機半導体固体電解コンデンサ
JP3326196B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0744131B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP2950898B2 (ja) 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法
JP3438900B2 (ja) 固体電解コンデンサ
JPH06163323A (ja) 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法
JPH06151257A (ja) 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法
JP2755767B2 (ja) 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法
KR0154126B1 (ko) 고체 전해 콘덴서 및 그의 제조방법
JP3474986B2 (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP3162738B2 (ja) 固体電解コンデンサ
JPS60214519A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP3123773B2 (ja) 有機半導体固体電解コンデンサ
JPH09260215A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP2999842B2 (ja) 有機半導体固体電解コンデンサ
KR100434216B1 (ko) 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법
JP2000277389A (ja) 固体電解コンデンサとその製造方法
JPH04206922A (ja) 固体電解コンデンサ
JP2771767B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JPH06181144A (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071031

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081031

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081031

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 12

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091031

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees