JPH04229611A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH04229611A JPH04229611A JP3135053A JP13505891A JPH04229611A JP H04229611 A JPH04229611 A JP H04229611A JP 3135053 A JP3135053 A JP 3135053A JP 13505891 A JP13505891 A JP 13505891A JP H04229611 A JPH04229611 A JP H04229611A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体電解コンデンサに関
するものである。更に詳説すると、本発明は電解質とし
て７，７，８，８−テトラシアノキノジメタンの錯塩（
以下ＴＣＮＱ錯塩と略す）を使用する有機半導体固体電
解コンデンサにおける漏れ電流の改善に関するものであ
る。
するものである。更に詳説すると、本発明は電解質とし
て７，７，８，８−テトラシアノキノジメタンの錯塩（
以下ＴＣＮＱ錯塩と略す）を使用する有機半導体固体電
解コンデンサにおける漏れ電流の改善に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】電解質としてＴＣＮＱ錯塩を使用する有
機半導体固体電解コンデンサに関しては、本願出願人が
既に種々提案している。即ち、特開昭５８−１９１４１
４号（Ｈ０１Ｇ ９／０２）等に開示されているＮ位
をアルキル基で置換したイソキノリンとのＴＣＮＱ錯塩
を用いた固体電解コンデンサは、特に優れた高周波特性
を持っているため、スイッチング電源用などに広く採用
されているが、近年機器の小型化の必要性から、この種
のコンデンサも表面実装用部品（チップ部品）としての
対応を迫られている。
機半導体固体電解コンデンサに関しては、本願出願人が
既に種々提案している。即ち、特開昭５８−１９１４１
４号（Ｈ０１Ｇ ９／０２）等に開示されているＮ位
をアルキル基で置換したイソキノリンとのＴＣＮＱ錯塩
を用いた固体電解コンデンサは、特に優れた高周波特性
を持っているため、スイッチング電源用などに広く採用
されているが、近年機器の小型化の必要性から、この種
のコンデンサも表面実装用部品（チップ部品）としての
対応を迫られている。
【０００３】しかし、斯るＴＣＮＱ錯塩は、表面実装用
部品として必須のハンダ付時の熱ストレス（通常２３０
℃）には耐えられず、著しい漏れ電流増大等の特性劣化
を招く。そこで前述のＴＣＮＱ錯塩の耐熱性向上の一手
段として、前述のＴＣＮＱ錯塩の融点（ほぼ２１０〜２
３０℃）よりも一段と高い融点を有するＴＣＮＱ錯塩が
種々検討されている。
部品として必須のハンダ付時の熱ストレス（通常２３０
℃）には耐えられず、著しい漏れ電流増大等の特性劣化
を招く。そこで前述のＴＣＮＱ錯塩の耐熱性向上の一手
段として、前述のＴＣＮＱ錯塩の融点（ほぼ２１０〜２
３０℃）よりも一段と高い融点を有するＴＣＮＱ錯塩が
種々検討されている。
【０００４】例えば、従来のイソキノリン系ＴＣＮＱ錯
塩に代わり、高融点ＴＣＮＱ錯塩を用いると、一般に電
解質としての電導度の低下から、Ｅ．Ｓ．Ｒ．（等価直
列抵抗）の増大を招き、高周波特性の劣化が起こるが、
本願出願人が先に出願した特開平２−２７５６１２号（
Ｈ０１Ｇ ９／０２）においては、高融点であり、か
つ、カチオンの異なる２種以上のＴＣＮＱ錯塩を混合し
て加熱融解し、コンデンサ素子に含浸して冷却固化した
ものを電解質として使用することにより前述の固体電解
コンデサの耐熱性の改善と高周波特性の改善を両立して
解決する技術を提案している。
塩に代わり、高融点ＴＣＮＱ錯塩を用いると、一般に電
解質としての電導度の低下から、Ｅ．Ｓ．Ｒ．（等価直
列抵抗）の増大を招き、高周波特性の劣化が起こるが、
本願出願人が先に出願した特開平２−２７５６１２号（
Ｈ０１Ｇ ９／０２）においては、高融点であり、か
つ、カチオンの異なる２種以上のＴＣＮＱ錯塩を混合し
て加熱融解し、コンデンサ素子に含浸して冷却固化した
ものを電解質として使用することにより前述の固体電解
コンデサの耐熱性の改善と高周波特性の改善を両立して
解決する技術を提案している。
【０００５】しかし乍ら、このような技術を更に向上さ
せ、漏れ電流特性を改善する技術が必要とされている。
せ、漏れ電流特性を改善する技術が必要とされている。
【０００６】更に、漏れ電流特性を改善する重要な特性
として酸化皮膜の修復特性がある。
として酸化皮膜の修復特性がある。
【０００７】上述の従来例において、固体電解コンデン
サはＴＣＮＱ錯塩の粉末を適度の加圧化でケース（アル
ミ製）に詰め、これを２５０〜３００℃にて融解液化し
、予め熱しておいたコンデンサ素子を前記ケース内に素
早く挿入した後、アルミケースごと素子を冷却固化し、
樹脂封口、電圧処理（エージング）等の工程を経て完成
させている。即ち、コンデンサ素子の陽極は誘電体であ
る酸化皮膜が形成されているが、素子予熱及び含浸時の
熱的あるいは素子運搬及び含浸時の機械的衝撃によって
酸化皮膜が損傷する。そのため、ＴＣＮＱ錯塩を含浸後
或いは樹脂等で封口後、酸化皮膜を修復し、漏れ電流値
を小さくする目的で１００℃前後の高温でエージングを
行っている。ところがＴＣＮＱ錯塩である固体電解質は
一般の電解コンデンサに使用されている電解液に比べ、
酸化皮膜の修復性が若干弱いという欠点がある。
サはＴＣＮＱ錯塩の粉末を適度の加圧化でケース（アル
ミ製）に詰め、これを２５０〜３００℃にて融解液化し
、予め熱しておいたコンデンサ素子を前記ケース内に素
早く挿入した後、アルミケースごと素子を冷却固化し、
樹脂封口、電圧処理（エージング）等の工程を経て完成
させている。即ち、コンデンサ素子の陽極は誘電体であ
る酸化皮膜が形成されているが、素子予熱及び含浸時の
熱的あるいは素子運搬及び含浸時の機械的衝撃によって
酸化皮膜が損傷する。そのため、ＴＣＮＱ錯塩を含浸後
或いは樹脂等で封口後、酸化皮膜を修復し、漏れ電流値
を小さくする目的で１００℃前後の高温でエージングを
行っている。ところがＴＣＮＱ錯塩である固体電解質は
一般の電解コンデンサに使用されている電解液に比べ、
酸化皮膜の修復性が若干弱いという欠点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
み成されたものであり、固体電解コンデンサの漏れ電流
特性を改善することを目的とする。
み成されたものであり、固体電解コンデンサの漏れ電流
特性を改善することを目的とする。
【０００９】即ち、実施例１の発明はＴＣＮＱ錯塩を用
いた固体電解コンデンサを表面実装用部品として使用す
る際、クリーム半田による半田付時の熱ストレス（通常
２３０℃）によるコンデンサの漏れ電流の増大現象を抑
制する技術を提供することを目的とするものである。
いた固体電解コンデンサを表面実装用部品として使用す
る際、クリーム半田による半田付時の熱ストレス（通常
２３０℃）によるコンデンサの漏れ電流の増大現象を抑
制する技術を提供することを目的とするものである。
【００１０】また、実施例２の発明はエージングによる
陽極の酸化皮膜の修復能力を向上させ、漏れ電流特性を
改善する技術を提供することを目的とするものである。
陽極の酸化皮膜の修復能力を向上させ、漏れ電流特性を
改善する技術を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】実施例１の発明はＴＣＮ
Ｑ錯塩に添加物としてグルコース重合体を０．５重量パ
ーセント以上１０重量パーセント未満混合するもので、
半田付け後においても優れた漏れ電流特性を有するコン
デンサの実現を可能にする。
Ｑ錯塩に添加物としてグルコース重合体を０．５重量パ
ーセント以上１０重量パーセント未満混合するもので、
半田付け後においても優れた漏れ電流特性を有するコン
デンサの実現を可能にする。
【００１２】また、実施例２の発明は固体電解コンデン
サのＴＣＮＱ錯塩にイノシットを５重量パーセント未満
混合するもので、ＴＣＮＱ錯塩中に添加物として混合し
て融解液化するか、或いはＴＣＮＱ錯塩をコンデンサ素
子に含浸冷却後、該イノシットを溶媒中に溶解させたイ
ノシット溶液をコンデンサ素子内部に含浸させ、イノシ
ット溶液の溶媒を蒸発させることによりコンデンサ素子
中にＴＣＮＱ錯塩の５重量パーセント未満のイノシット
を添加してもよい。
サのＴＣＮＱ錯塩にイノシットを５重量パーセント未満
混合するもので、ＴＣＮＱ錯塩中に添加物として混合し
て融解液化するか、或いはＴＣＮＱ錯塩をコンデンサ素
子に含浸冷却後、該イノシットを溶媒中に溶解させたイ
ノシット溶液をコンデンサ素子内部に含浸させ、イノシ
ット溶液の溶媒を蒸発させることによりコンデンサ素子
中にＴＣＮＱ錯塩の５重量パーセント未満のイノシット
を添加してもよい。
【００１３】
【作用】実施例１の発明で示される固体電解質はＴＣＮ
Ｑ錯塩とグルコース重合体の混合系である。添加剤であ
るグルコース重合体が漏れ電流を低減するという効果は
、多くの実験から経験的にわかったものであるが、これ
は以下の理由によるものと推測される。
Ｑ錯塩とグルコース重合体の混合系である。添加剤であ
るグルコース重合体が漏れ電流を低減するという効果は
、多くの実験から経験的にわかったものであるが、これ
は以下の理由によるものと推測される。
【００１４】一般にＴＣＮＱ錯体には電子供与体と電子
受容体の組み合わせにより種々の化合物が存在する。し
かし電導性に関しては結晶構造により決定され、電子受
容体が重なった結晶構造をとることが電導性の必要条件
となる。従って、この種のコンデンサの電解質として、
電子供与体及び電子受容体が各々別のカラムを作るよう
な構造のＴＣＮＱ錯体が選択され使用されるに至ってい
る。本発明のグルコース重合体は、この電子伝導に必要
な結晶構造を漏れ電流によるジュール熱等の影響により
、部分的（漏れ電流大のＴＣＮＱ錯塩の部分）に破壊す
るものと考えられ、この結果、漏れ電流大の部分のＴＣ
ＮＱ錯塩が絶縁体化し、漏れ電流が著しく低減するもの
と考えられる。
受容体の組み合わせにより種々の化合物が存在する。し
かし電導性に関しては結晶構造により決定され、電子受
容体が重なった結晶構造をとることが電導性の必要条件
となる。従って、この種のコンデンサの電解質として、
電子供与体及び電子受容体が各々別のカラムを作るよう
な構造のＴＣＮＱ錯体が選択され使用されるに至ってい
る。本発明のグルコース重合体は、この電子伝導に必要
な結晶構造を漏れ電流によるジュール熱等の影響により
、部分的（漏れ電流大のＴＣＮＱ錯塩の部分）に破壊す
るものと考えられ、この結果、漏れ電流大の部分のＴＣ
ＮＱ錯塩が絶縁体化し、漏れ電流が著しく低減するもの
と考えられる。
【００１５】実施例２の発明で示されるイノシットを添
加することにより、陽極の酸化皮膜の修復性が飛躍的に
向上し、その結果、エージングによる酸化皮膜の修復能
力が向上し、漏れ電流特性が著しく改善される。
加することにより、陽極の酸化皮膜の修復性が飛躍的に
向上し、その結果、エージングによる酸化皮膜の修復能
力が向上し、漏れ電流特性が著しく改善される。
【００１６】
【実施例】本発明について説明する。
【００１７】図２は本発明に使用するコンデンサ素子を
示す。まず、高純度（９９．９９％以上）のアルミニウ
ム箔を化学的処理により粗面化し、実効表面積を増加さ
せるためのいわゆるエッチング処理を行う。次に電解液
中にて、電気化学的にアルミニウム箔表面に酸化皮膜（
酸化アルミニウムの薄膜）を形成する（化成処理）。 次にエッチング処理、化成処理を行ったアルミニウム箔
を陽極箔１とし、対向陰極箔２との間にセパレータ３と
してマニラ紙を挟み、図２に示すように円筒状に巻き取
る。こうしてアルミニウム箔に酸化皮膜を形成した陽極
箔１及び陰極箔２との両電極箔間に介挿されたセパレー
タ３とを巻回してコンデンサ素子６が形成される。なお
４，４’はアルミリード、５，５’はリード線である。
示す。まず、高純度（９９．９９％以上）のアルミニウ
ム箔を化学的処理により粗面化し、実効表面積を増加さ
せるためのいわゆるエッチング処理を行う。次に電解液
中にて、電気化学的にアルミニウム箔表面に酸化皮膜（
酸化アルミニウムの薄膜）を形成する（化成処理）。 次にエッチング処理、化成処理を行ったアルミニウム箔
を陽極箔１とし、対向陰極箔２との間にセパレータ３と
してマニラ紙を挟み、図２に示すように円筒状に巻き取
る。こうしてアルミニウム箔に酸化皮膜を形成した陽極
箔１及び陰極箔２との両電極箔間に介挿されたセパレー
タ３とを巻回してコンデンサ素子６が形成される。なお
４，４’はアルミリード、５，５’はリード線である。
【００１８】更にコンデンサ素子６に熱処理を施し、セ
パレータ３を構成するマニラ紙を炭化して繊維の細径化
による密度の低下を図る。
パレータ３を構成するマニラ紙を炭化して繊維の細径化
による密度の低下を図る。
【００１９】なお、セパレータとしてマニラ紙にあらか
じめ所定の温度と時間（例えば２４０℃、４０分間）で
熱処理を施して炭化したものやカーボン不織布を用い、
陽極箔と陰極箔との間に挟んで巻回してもよい。
じめ所定の温度と時間（例えば２４０℃、４０分間）で
熱処理を施して炭化したものやカーボン不織布を用い、
陽極箔と陰極箔との間に挟んで巻回してもよい。
【００２０】（実施例１）
まず、ＴＣＮＱ錯塩（例えばＮ，Ｎ−ペンタメチレンル
チジウム２・ＴＣＮＱ４とＮ−フェネチルルチジニウム
・ＴＣＮＱ２の等量混合物）とその錯塩の０．５ 重量
パーセント以上１０重量パーセント未満のグルコース重
合体を均一になるように混合する。
チジウム２・ＴＣＮＱ４とＮ−フェネチルルチジニウム
・ＴＣＮＱ２の等量混合物）とその錯塩の０．５ 重量
パーセント以上１０重量パーセント未満のグルコース重
合体を均一になるように混合する。
【００２１】その後、図１に示す如く、混合物８をケー
ス７内に入れ、加熱した熱板上にアルミケース７を載置
し、本実施例１では３００℃にてケース７中の粉末状混
合物を加熱融解させる。一方、予め加熱してあるコンデ
ンサ素子６をアルミケース７内に挿入して、融解したＴ
ＣＮＱ錯塩の混合液をコンデンサ素子６に含浸させ、す
ぐに冷却固化させる。その後、ＴＣＮＱ錯塩とは反応し
難い樹脂９を封入し、更にエポキシ樹脂等で成形する。 次にエージングを行う。
ス７内に入れ、加熱した熱板上にアルミケース７を載置
し、本実施例１では３００℃にてケース７中の粉末状混
合物を加熱融解させる。一方、予め加熱してあるコンデ
ンサ素子６をアルミケース７内に挿入して、融解したＴ
ＣＮＱ錯塩の混合液をコンデンサ素子６に含浸させ、す
ぐに冷却固化させる。その後、ＴＣＮＱ錯塩とは反応し
難い樹脂９を封入し、更にエポキシ樹脂等で成形する。 次にエージングを行う。
【００２２】表１に実施例１による本発明品と従来品に
おける表面実装時のハンダ付け時の熱を想定したリフロ
ー試験の結果を示す。
おける表面実装時のハンダ付け時の熱を想定したリフロ
ー試験の結果を示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】このリフロー試験とはリフロー炉の中でコ
ンデンサを１６０℃に２分間保持し、それに引き続いて
２３０℃に３０秒間保持した際の特性である。
ンデンサを１６０℃に２分間保持し、それに引き続いて
２３０℃に３０秒間保持した際の特性である。
【００２５】なお、表１において（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（
Ｄ）（Ｅ）（Ｆ）は本実施例１による発明品を示し、Ｔ
ＣＮＱ錯塩にグルコース重合体を添加剤として順に０．
４，０．５，２，５，９，１０重量パーセント使用した
コンデンサである。（Ｇ）は従来のコンデンサである。 更に表１において（Ａ）〜（Ｇ）は全て定格１６Ｖ、６
．８μＦのコンデンサである。
Ｄ）（Ｅ）（Ｆ）は本実施例１による発明品を示し、Ｔ
ＣＮＱ錯塩にグルコース重合体を添加剤として順に０．
４，０．５，２，５，９，１０重量パーセント使用した
コンデンサである。（Ｇ）は従来のコンデンサである。 更に表１において（Ａ）〜（Ｇ）は全て定格１６Ｖ、６
．８μＦのコンデンサである。
【００２６】なお、漏れ電流値は、１６Ｖ印加１分後の
値で試料各１０個の平均値を示している。
値で試料各１０個の平均値を示している。
【００２７】表１からグルコース重合体を添加剤として
使用した場合、漏れ電流値が改善されていることが理解
できる。また、添加剤として使用する量を０．５重量パ
ーセント以上１０重量パーセント未満の範囲に定めるこ
とにより、漏れ電流が著しく低下し、加えて等価直列抵
抗などの他の特性についても非常に安定したコンデンサ
が得られることがわかる。
使用した場合、漏れ電流値が改善されていることが理解
できる。また、添加剤として使用する量を０．５重量パ
ーセント以上１０重量パーセント未満の範囲に定めるこ
とにより、漏れ電流が著しく低下し、加えて等価直列抵
抗などの他の特性についても非常に安定したコンデンサ
が得られることがわかる。
【００２８】（実施例２）
上述の図１及び図２に示す如く形成したコンデンサ素子
６にＴＣＮＱ錯塩、例えばＮ−ｎ−ブチルイソキノリニ
ウムのＴＣＮＱ錯塩［（Ｎ−ｎ−ブチルイソキノリニウ
ム）＋（ＴＣＮＱ）−（ＴＣＮＱ）］と該ＴＣＮＱ錯塩
の５重量パーセント未満のイノシット（Ｃ６Ｈ１２Ｏ６
）を均一に混合する。次に該混合物８の粉末をケース７
に収納し、２９０〜３００℃の温度でＴＣＮＱ錯塩とイ
ノシットの混合物８を融解液化し、コンデンサ素子６を
浸積してＴＣＮＱ錯塩とイノシットを含浸させる。含浸
後ケース７を冷却し、コンデンサ素子６に含浸したＴＣ
ＮＱ錯塩とイノシットを冷却固化し、ケース７内にコン
デンサ素子６を固定する。そしてケースの開口部を樹脂
９にて封止し、１２５℃にて１時間コンデンサの定格電
圧を印加（エージング）して目的とする固体電解コンデ
ンサを完成する。
６にＴＣＮＱ錯塩、例えばＮ−ｎ−ブチルイソキノリニ
ウムのＴＣＮＱ錯塩［（Ｎ−ｎ−ブチルイソキノリニウ
ム）＋（ＴＣＮＱ）−（ＴＣＮＱ）］と該ＴＣＮＱ錯塩
の５重量パーセント未満のイノシット（Ｃ６Ｈ１２Ｏ６
）を均一に混合する。次に該混合物８の粉末をケース７
に収納し、２９０〜３００℃の温度でＴＣＮＱ錯塩とイ
ノシットの混合物８を融解液化し、コンデンサ素子６を
浸積してＴＣＮＱ錯塩とイノシットを含浸させる。含浸
後ケース７を冷却し、コンデンサ素子６に含浸したＴＣ
ＮＱ錯塩とイノシットを冷却固化し、ケース７内にコン
デンサ素子６を固定する。そしてケースの開口部を樹脂
９にて封止し、１２５℃にて１時間コンデンサの定格電
圧を印加（エージング）して目的とする固体電解コンデ
ンサを完成する。
【００２９】更に、他の実施例として、コンデンサ素子
６にＮ−ｎ−ブチルイソキノリニウムのＴＣＮＱ錯塩の
みの粉末をケース７に収納し、２９０〜３００℃の温度
で融解液化し、コンデンサ素子６を浸積してＴＣＮＱ錯
塩８を含浸させる。含浸後ケース７を冷却し、コンデン
サ素子６に含浸したＴＣＮＱ錯塩８を冷却固化し、ケー
ス７内にコンデンサ素子６を固定する。次に、コンデン
サ素子６を固定したケース７内にイノシットの水溶液を
ケース開口部まで注入し、その後８５℃で１〜８時間程
度（時間は素子により異なるが、素子の外形にほぼ比例
）放置してイノシット水溶液中の水を全て蒸発させる。 そしてケース７の開口部を樹脂９にて封止し、１２５℃
にて１時間コンデンサの定格電圧を印加して目的とする
固体電解コンデンサを完成する。なお、前記イノシット
水溶液におけるイノシットの溶解量（濃度）はコンデン
サ素子中の含浸したＴＣＮＱ錯塩の５重量パーセント未
満となるように調整する。
６にＮ−ｎ−ブチルイソキノリニウムのＴＣＮＱ錯塩の
みの粉末をケース７に収納し、２９０〜３００℃の温度
で融解液化し、コンデンサ素子６を浸積してＴＣＮＱ錯
塩８を含浸させる。含浸後ケース７を冷却し、コンデン
サ素子６に含浸したＴＣＮＱ錯塩８を冷却固化し、ケー
ス７内にコンデンサ素子６を固定する。次に、コンデン
サ素子６を固定したケース７内にイノシットの水溶液を
ケース開口部まで注入し、その後８５℃で１〜８時間程
度（時間は素子により異なるが、素子の外形にほぼ比例
）放置してイノシット水溶液中の水を全て蒸発させる。 そしてケース７の開口部を樹脂９にて封止し、１２５℃
にて１時間コンデンサの定格電圧を印加して目的とする
固体電解コンデンサを完成する。なお、前記イノシット
水溶液におけるイノシットの溶解量（濃度）はコンデン
サ素子中の含浸したＴＣＮＱ錯塩の５重量パーセント未
満となるように調整する。
【００３０】表２に実施例２の固体電解コンデンサと従
来の固体電解コンデンサのエージング後の漏れ電流の歩
留り及び８５℃における容量変化率を記載する。
来の固体電解コンデンサのエージング後の漏れ電流の歩
留り及び８５℃における容量変化率を記載する。
【００３１】
【表２】
【００３２】表２において、（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）
（Ｅ）（Ｆ）は本発明品を示し、（Ｇ）は従来のコンデ
ンサである。本実施例２によるコンデンサ（Ａ）〜（Ｆ
）の内、（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）のコンデンサはＴＣ
ＮＱ錯塩とイノシットの混合物を融解液化したものを使
用しており、イノシットの添加量は順に２，４．５，５
，８重量パーセントである。（Ｅ）（Ｆ）のコンデンサ
はＴＣＮＱ錯塩のみをコンデンサ素子に含浸させた後、
イノシット水溶液をケース内に注入し蒸発させたもので
あり、完成した固体電解コンデンサ中のイノシット量は
夫々、ＴＣＮＱ錯塩の４．９，５重量パーセントである
。更に表２において、（Ａ）〜（Ｇ）は全て定格３５Ｖ
、０．４７μＦのコンデンサである。
（Ｅ）（Ｆ）は本発明品を示し、（Ｇ）は従来のコンデ
ンサである。本実施例２によるコンデンサ（Ａ）〜（Ｆ
）の内、（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）のコンデンサはＴＣ
ＮＱ錯塩とイノシットの混合物を融解液化したものを使
用しており、イノシットの添加量は順に２，４．５，５
，８重量パーセントである。（Ｅ）（Ｆ）のコンデンサ
はＴＣＮＱ錯塩のみをコンデンサ素子に含浸させた後、
イノシット水溶液をケース内に注入し蒸発させたもので
あり、完成した固体電解コンデンサ中のイノシット量は
夫々、ＴＣＮＱ錯塩の４．９，５重量パーセントである
。更に表２において、（Ａ）〜（Ｇ）は全て定格３５Ｖ
、０．４７μＦのコンデンサである。
【００３３】なお、Ｌ．Ｃ．は漏れ電流のデータで試料
１００個中の不良数と歩留りを示しているが、Ｌ．Ｃ．
規格は３５Ｖ，０．４７μＦの場合、０．５［μＡ／１
０ｓｅｃ．］以下のものを良品としている。ΔＣ／Ｃ（
８５℃）は、２０℃に対する８５℃の静電容量の変化率
（％）を示している。
１００個中の不良数と歩留りを示しているが、Ｌ．Ｃ．
規格は３５Ｖ，０．４７μＦの場合、０．５［μＡ／１
０ｓｅｃ．］以下のものを良品としている。ΔＣ／Ｃ（
８５℃）は、２０℃に対する８５℃の静電容量の変化率
（％）を示している。
【００３４】図３にイノシットの添加量に対するΔＣ／
Ｃ（８５℃）の変化量を示す。イノシットの添加量は５
重量パーセント以上であっても、漏れ電流の歩留りは著
しく改善される。しかしながら図３より５重量パーセン
ト以上のイノシットをコンデンサ素子中に添加すれば、
コンデンサとしての性能が急激に悪化する（８５℃にお
ける容量変化率が従来に比べ急激に増大する）。
Ｃ（８５℃）の変化量を示す。イノシットの添加量は５
重量パーセント以上であっても、漏れ電流の歩留りは著
しく改善される。しかしながら図３より５重量パーセン
ト以上のイノシットをコンデンサ素子中に添加すれば、
コンデンサとしての性能が急激に悪化する（８５℃にお
ける容量変化率が従来に比べ急激に増大する）。
【００３５】従って、イノシットの添加量はＴＣＮＱ錯
塩の５重量パーセント未満が好ましい。
塩の５重量パーセント未満が好ましい。
【００３６】更に上述の実施例においてはコンデンサ素
子としてアルミ箔の巻回型コンデンサについて示したが
、アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用を有する
金属粉末を加圧成形し、或いは焼結してなるコンデンサ
陽極素子に上述の本発明のＴＣＮＱ錯塩を電解質として
使用してもよいことは言うまでもない。
子としてアルミ箔の巻回型コンデンサについて示したが
、アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用を有する
金属粉末を加圧成形し、或いは焼結してなるコンデンサ
陽極素子に上述の本発明のＴＣＮＱ錯塩を電解質として
使用してもよいことは言うまでもない。
【００３７】
【発明の効果】このように本発明は固体電解コンデンサ
の漏れ電流特性を改善することができる。
の漏れ電流特性を改善することができる。
【００３８】実施例１の発明は、ＴＣＮＱ錯塩よりなる
固体電解質に添加物としてグルコース重合体を０．５重
量パーセント以上１０重量パーセント未満含むことを特
徴とする固体電解コンデンサであり、本発明によれば半
田付け後においても漏れ電流特性の極めて優れた固体電
解コンデンサが得られる。
固体電解質に添加物としてグルコース重合体を０．５重
量パーセント以上１０重量パーセント未満含むことを特
徴とする固体電解コンデンサであり、本発明によれば半
田付け後においても漏れ電流特性の極めて優れた固体電
解コンデンサが得られる。
【００３９】実施例２の発明は、ＴＣＮＱ錯塩よりなる
固体電解質に添加物としてイノシットを５重量パーセン
ト未満含むことを特徴とする固体電解コンデンサであり
、本発明によれば、エージングによる陽極の酸化皮膜の
修復性が著しく改善され、漏れ電流特性の極めて優れた
固体電解コンデンサが得られるため、歩留りが向上する
。
固体電解質に添加物としてイノシットを５重量パーセン
ト未満含むことを特徴とする固体電解コンデンサであり
、本発明によれば、エージングによる陽極の酸化皮膜の
修復性が著しく改善され、漏れ電流特性の極めて優れた
固体電解コンデンサが得られるため、歩留りが向上する
。
【図１】本発明の固体電解コンデンサの断面図である。
【図２】本発明に使用するコンデンサ素子の斜視図であ
る。
る。
【図３】イノシット添加量と容量変化率の関係である。
１ 陽極箔
２ 陰極箔
３ セパレータ
６ コンデンサ素子
７ アルミケース
８ エチレングリコールを混合したＴＣＮＱ錯塩（も
しくは混合物）
しくは混合物）
Claims (2)
- 【請求項１】 陽極酸化或いは陽極化成により表面に
酸化皮膜を設けたアルミニウム、タンタル、ニオブ等の
弁作用を有する金属上に、ＴＣＮＱ錯塩を加熱融解の後
冷却固化させる固体電解コンデンサにおいて、前記ＴＣ
ＮＱ錯塩よりなる固体電解質に添加物としてグルコース
重合体を０．５重量パーセント以上１０重量パーセント
未満を含むことを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】 陽極酸化或いは陽極化成により表面に
酸化皮膜を設けたアルミニウム、タンタル、ニオブ等の
弁作用を有する金属上に、ＴＣＮＱ錯塩を加熱融解の後
冷却固化させる固体電解コンデンサにおいて、前記ＴＣ
ＮＱ錯塩よりなる固体電解質に添加物としてイノシット
を５重量パーセント未満を含むことを特徴とする固体電
解コンデンサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3135058A JPH04253044A (ja) | 1990-12-27 | 1991-06-06 | 液晶プロジェクタ |
| US07/813,633 US5250967A (en) | 1990-12-27 | 1991-12-26 | Liquid crystal projector |
| CA002058519A CA2058519C (en) | 1990-12-27 | 1991-12-27 | Liquid crystal projector |
| EP91122320A EP0492661B1 (en) | 1990-12-27 | 1991-12-27 | Liquid crystal projector |
| DE69118849T DE69118849T2 (de) | 1990-12-27 | 1991-12-27 | Flüssigkristallprojektor |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-334954 | 1990-11-29 | ||
| JP2-408215 | 1990-12-27 | ||
| JP40821590 | 1990-12-27 | ||
| JP3135058A JPH04253044A (ja) | 1990-12-27 | 1991-06-06 | 液晶プロジェクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04229611A true JPH04229611A (ja) | 1992-08-19 |
| JPH04253044A JPH04253044A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=26469003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3135058A Pending JPH04253044A (ja) | 1990-12-27 | 1991-06-06 | 液晶プロジェクタ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5250967A (ja) |
| EP (1) | EP0492661B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04253044A (ja) |
| CA (1) | CA2058519C (ja) |
| DE (1) | DE69118849T2 (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| WO2019027019A1 (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | 三洋化成工業株式会社 | 電解コンデンサ用添加剤、導電性高分子分散液、電解液及び電解コンデンサ |
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1991
- 1991-06-06 JP JP3135058A patent/JPH04253044A/ja active Pending
- 1991-12-26 US US07/813,633 patent/US5250967A/en not_active Expired - Lifetime
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