JP3253126B2 - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JP3253126B2 JP3253126B2 JP13592692A JP13592692A JP3253126B2 JP 3253126 B2 JP3253126 B2 JP 3253126B2 JP 13592692 A JP13592692 A JP 13592692A JP 13592692 A JP13592692 A JP 13592692A JP 3253126 B2 JP3253126 B2 JP 3253126B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tcnq
- complex
- solid electrolytic
- tcnq complex
- organic semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサ素子に含浸
する有機半導体材料を改良した固体電解コンデンサに関
する。
する有機半導体材料を改良した固体電解コンデンサに関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、乾式箔形電解コンデンサは、例
えば高純度アルミニウム箔からなる一対の陽・陰極箔に
同じくアルミニウムからなる一対の引出端子を接続し、
前記一対の陽・陰極箔相互間にスペーサを介在して巻回
してなるコンデンサ素子に駆動用電解液を含浸してケー
スに収納し、このケース開口部を密閉するかなどの外装
を施してなるものである。
えば高純度アルミニウム箔からなる一対の陽・陰極箔に
同じくアルミニウムからなる一対の引出端子を接続し、
前記一対の陽・陰極箔相互間にスペーサを介在して巻回
してなるコンデンサ素子に駆動用電解液を含浸してケー
スに収納し、このケース開口部を密閉するかなどの外装
を施してなるものである。
【０００３】このように、前記駆動用電解液は、例えば
エチレングリコールなどの有機溶媒にアジピン酸アンモ
ニウムなどの有機カルボン酸塩を使用しているため、ｔ
ａｎδ特性改善に限度があり、また、低温で比抵抗が上
がり低温特性が極度に悪化し、広域温度範囲で使用する
には信頼性に欠けるなど市場要求を満足するためには解
決すべき課題をかかえていた。
エチレングリコールなどの有機溶媒にアジピン酸アンモ
ニウムなどの有機カルボン酸塩を使用しているため、ｔ
ａｎδ特性改善に限度があり、また、低温で比抵抗が上
がり低温特性が極度に悪化し、広域温度範囲で使用する
には信頼性に欠けるなど市場要求を満足するためには解
決すべき課題をかかえていた。
【０００４】そのため近年、駆動用電解液にかえ、ＴＣ
ＮＱ錯体からなる有機半導体を用いたものが種々提案さ
れ一部実用化を迎えている。
ＮＱ錯体からなる有機半導体を用いたものが種々提案さ
れ一部実用化を迎えている。
【０００５】コンデンサ素子にＴＣＮＱ錯体を含浸化す
る方法として一般に溶液含浸法、分散含浸法さらには真
空蒸着法があるが、ＴＣＮＱ錯体の特性はいろいろの条
件で変化し、極めて扱いにくい物質であるため、使用に
当たっては種々の工夫が講じられている。
る方法として一般に溶液含浸法、分散含浸法さらには真
空蒸着法があるが、ＴＣＮＱ錯体の特性はいろいろの条
件で変化し、極めて扱いにくい物質であるため、使用に
当たっては種々の工夫が講じられている。
【０００６】特に、固体電解質の条件としては、コンデ
ンサ特性としてのｔａｎδ及び等価直列抵抗に影響する
それ自体としての抵抗値が小さく、かつ温度、特に高温
下でも安定した比抵抗値があることが重要である。
ンサ特性としてのｔａｎδ及び等価直列抵抗に影響する
それ自体としての抵抗値が小さく、かつ温度、特に高温
下でも安定した比抵抗値があることが重要である。
【０００７】以上のことから、コンデンサ素子へのＴＣ
ＮＱ錯体の含浸手段として工業的に素子内部へ満遍なく
必要量透過させるには、従来提案されている特許公報又
は技術文献によって加熱溶融液化処理が有効とされてい
る。
ＮＱ錯体の含浸手段として工業的に素子内部へ満遍なく
必要量透過させるには、従来提案されている特許公報又
は技術文献によって加熱溶融液化処理が有効とされてい
る。
【０００８】なお、加熱溶融液化処理の具体的手段は、
外装ケースに入れ加熱溶融させた所望のＴＣＮＱ錯体液
にあらかじめ加熱してなるコンデンサ素子を収納し、こ
の素子を構成する絶縁紙（スペーサ）の繊維と電極箔の
微細なエッチングピットを介して含浸している。
外装ケースに入れ加熱溶融させた所望のＴＣＮＱ錯体液
にあらかじめ加熱してなるコンデンサ素子を収納し、こ
の素子を構成する絶縁紙（スペーサ）の繊維と電極箔の
微細なエッチングピットを介して含浸している。
【０００９】以上のようにＴＣＮＱ錯体をコンデンサ素
子に含浸するには加熱溶融液化法が最も好ましいが、電
極箔、特に陽極の酸化皮膜はＴＣＮＱ錯体の溶融温度に
対して劣化が生じ、また、ＴＣＮＱ錯体溶融液にコンデ
ンサ素子を浸漬後ケースを水などの冷媒に入れ冷却固化
するときＴＣＮＱ錯体が収縮するために酸化皮膜に亀裂
が生じ欠陥部発生による漏れ電流が増大する。一方、Ｔ
ＣＮＱ錯体は溶融状態で長時間維持すると特性が変化
し、ＴＣＮＱ錯体の抵抗が大きくなるのでコンデンサ素
子浸漬後は素早く冷却固化させる必要がある。溶融液化
含浸法に使用可能なＴＣＮＱ錯体は種々あるが、それら
の固有抵抗が陽極，陰極間に存在するため、抵抗が低け
れば等価直列抵抗，損失が小さくなり、理想的なコンデ
ンサになることは周知である。
子に含浸するには加熱溶融液化法が最も好ましいが、電
極箔、特に陽極の酸化皮膜はＴＣＮＱ錯体の溶融温度に
対して劣化が生じ、また、ＴＣＮＱ錯体溶融液にコンデ
ンサ素子を浸漬後ケースを水などの冷媒に入れ冷却固化
するときＴＣＮＱ錯体が収縮するために酸化皮膜に亀裂
が生じ欠陥部発生による漏れ電流が増大する。一方、Ｔ
ＣＮＱ錯体は溶融状態で長時間維持すると特性が変化
し、ＴＣＮＱ錯体の抵抗が大きくなるのでコンデンサ素
子浸漬後は素早く冷却固化させる必要がある。溶融液化
含浸法に使用可能なＴＣＮＱ錯体は種々あるが、それら
の固有抵抗が陽極，陰極間に存在するため、抵抗が低け
れば等価直列抵抗，損失が小さくなり、理想的なコンデ
ンサになることは周知である。
【００１０】しかし、抵抗が低くなると、陽極の酸化皮
膜の微小な欠陥部でも漏れ電流が増大し、しかも耐圧低
下となり、製造工程においても良品率の低下など問題が
生じてくる。
膜の微小な欠陥部でも漏れ電流が増大し、しかも耐圧低
下となり、製造工程においても良品率の低下など問題が
生じてくる。
【００１１】この対策としては、近年特許公報又は技術
文献により種々方法がある。例えば、ＴＣＮＱ錯体と有
機溶媒を混合して含浸する方法や、水の添加によりエー
ジングでの酸化皮膜修復能力を向上する方法などがあ
る。しかし、ＴＣＮＱ錯体と前記した有機溶媒や水を添
加したものでは、いったんＴＣＮＱ錯体を加熱溶融する
と添加した物質の蒸発度合いがバラツキ、漏れ電流の分
布が広くなり、良品率も顕著な効果はみられない。ま
た、このようにして作製した製品を長時間高温信頼性試
験を行った場合、静電容量の減少が大きく、ＴＣＮＱ錯
体の構造に悪い影響を及ぼすと考えられている。
文献により種々方法がある。例えば、ＴＣＮＱ錯体と有
機溶媒を混合して含浸する方法や、水の添加によりエー
ジングでの酸化皮膜修復能力を向上する方法などがあ
る。しかし、ＴＣＮＱ錯体と前記した有機溶媒や水を添
加したものでは、いったんＴＣＮＱ錯体を加熱溶融する
と添加した物質の蒸発度合いがバラツキ、漏れ電流の分
布が広くなり、良品率も顕著な効果はみられない。ま
た、このようにして作製した製品を長時間高温信頼性試
験を行った場合、静電容量の減少が大きく、ＴＣＮＱ錯
体の構造に悪い影響を及ぼすと考えられている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、上記構
成になる固体電解コンデンサは、コンデンサ素子に対す
るＴＣＮＱ錯体の抵抗値により漏れ電流が変化する。良
品率向上のため高い抵抗値のものを使用すると等価直列
抵抗値が増大したり、信頼性試験でも静電容量の変化が
大きく減少する。抵抗値が低いＴＣＮＱ錯体では、漏れ
電流が増加し、良品率が低下する。また、ＴＣＮＱ錯体
を使用したコンデンサで高圧製品（例えば３５Ｖ）の作
製が困難であるのもＴＣＮＱ錯体と酸化皮膜の界面で問
題があると考えられる。
成になる固体電解コンデンサは、コンデンサ素子に対す
るＴＣＮＱ錯体の抵抗値により漏れ電流が変化する。良
品率向上のため高い抵抗値のものを使用すると等価直列
抵抗値が増大したり、信頼性試験でも静電容量の変化が
大きく減少する。抵抗値が低いＴＣＮＱ錯体では、漏れ
電流が増加し、良品率が低下する。また、ＴＣＮＱ錯体
を使用したコンデンサで高圧製品（例えば３５Ｖ）の作
製が困難であるのもＴＣＮＱ錯体と酸化皮膜の界面で問
題があると考えられる。
【００１３】本発明は、このような点に鑑みて成された
もので、ＴＣＮＱ錯体の組成を変更し諸特性良好な固体
電解コンデンサを提供することを目的とするものであ
る。
もので、ＴＣＮＱ錯体の組成を変更し諸特性良好な固体
電解コンデンサを提供することを目的とするものであ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の固体電解コンデ
ンサは、弁作用金属からなる陽極箔と陰極箔間にスペー
サを介在して巻回したコンデンサ素子に有機半導体を含
浸してなる固体電解コンデンサにおいて、前記有機半導
体がＴＣＮＱ錯体にＴＣＮＱを１０〜５０ｗｔ％添加し
たものからなることを特徴とするものである。
ンサは、弁作用金属からなる陽極箔と陰極箔間にスペー
サを介在して巻回したコンデンサ素子に有機半導体を含
浸してなる固体電解コンデンサにおいて、前記有機半導
体がＴＣＮＱ錯体にＴＣＮＱを１０〜５０ｗｔ％添加し
たものからなることを特徴とするものである。
【００１５】
【作用】以上の構成によれば、有機半導体がＴＣＮＱ錯
体にＴＣＮＱを添加したものからなることにより、ＴＣ
ＮＱ錯体のバランスが崩れ抵抗値を操作できる。しか
も、ＴＣＮＱ錯体に対しＴＣＮＱであるので溶融液化，
固化では問題なく、信頼性寿命試験においても良好であ
り、溶融含浸により特性、特に漏れ電流改善が容易に可
能となる。また、損失，等価直列抵抗などの劣化要因解
消に有効である。
体にＴＣＮＱを添加したものからなることにより、ＴＣ
ＮＱ錯体のバランスが崩れ抵抗値を操作できる。しか
も、ＴＣＮＱ錯体に対しＴＣＮＱであるので溶融液化，
固化では問題なく、信頼性寿命試験においても良好であ
り、溶融含浸により特性、特に漏れ電流改善が容易に可
能となる。また、損失，等価直列抵抗などの劣化要因解
消に有効である。
【００１６】なお、ＴＣＮＱ錯体にＴＣＮＱを１０〜５
０ｗｔ％添加するのは１０ｗｔ％未満では添加の効果が
小さく、また、５０ｗｔ％を超えた場合は比抵抗が大き
くなる理由によるものである。
０ｗｔ％添加するのは１０ｗｔ％未満では添加の効果が
小さく、また、５０ｗｔ％を超えた場合は比抵抗が大き
くなる理由によるものである。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１８】すなわち、図２に示すように、まず例えば
アルミニウム箔表面をエッチング液で粗面化し表面積を
拡大した後、陽極酸化皮膜を生成した陽極箔１と、アル
ミニウム箔表面を前記同様エッチング液で粗面化し表面
積を拡大した陰極箔２間にクラフト紙又はマニラ紙など
からなるスペーサ３を介在し、途中前記陽極箔１及び陰
極箔２の任意な箇所それぞれに陽極引出端子４及び陰極
引出端子５を取着して巻回しコンデンサ素子６を形成す
る。
アルミニウム箔表面をエッチング液で粗面化し表面積を
拡大した後、陽極酸化皮膜を生成した陽極箔１と、アル
ミニウム箔表面を前記同様エッチング液で粗面化し表面
積を拡大した陰極箔２間にクラフト紙又はマニラ紙など
からなるスペーサ３を介在し、途中前記陽極箔１及び陰
極箔２の任意な箇所それぞれに陽極引出端子４及び陰極
引出端子５を取着して巻回しコンデンサ素子６を形成す
る。
【００１９】次に、図３に示すように、例えばアルミニ
ウムなどからなるケース７内にＴＣＮＱ錯体にＴＣＮＱ
を１０〜５０ｗｔ％添加し加熱溶融し有機半導体溶融液
８とし、図１に示すように前記コンデンサ素子６を予熱
状態で収納し、前記有機半導体溶融液８を前記コンデン
サ素子６内に含浸し、しかる後、冷却固化し、前記ケー
ス７開口部を封口体９にて密閉してなるものである。
ウムなどからなるケース７内にＴＣＮＱ錯体にＴＣＮＱ
を１０〜５０ｗｔ％添加し加熱溶融し有機半導体溶融液
８とし、図１に示すように前記コンデンサ素子６を予熱
状態で収納し、前記有機半導体溶融液８を前記コンデン
サ素子６内に含浸し、しかる後、冷却固化し、前記ケー
ス７開口部を封口体９にて密閉してなるものである。
【００２０】図中、１０はケース内に残留固化した有機
半導体である。
半導体である。
【００２１】なお、ＴＣＮＱ錯体にＴＣＮＱを１０〜５
０ｗｔ％添加する理由は、ＴＣＮＱを１０ｗｔ％未満と
した場合、ＴＣＮＱ錯体のみの特性と大差なく、大きな
改善は見られず、ＴＣＮＱを５０ｗｔ％を超えて添加し
た場合比抵抗が大きくなり、初期特性での等価直列抵
抗，ｔａｎδが増大し、かつ寿命試験での静電容量の減
少が大きくなることによるものである。
０ｗｔ％添加する理由は、ＴＣＮＱを１０ｗｔ％未満と
した場合、ＴＣＮＱ錯体のみの特性と大差なく、大きな
改善は見られず、ＴＣＮＱを５０ｗｔ％を超えて添加し
た場合比抵抗が大きくなり、初期特性での等価直列抵
抗，ｔａｎδが増大し、かつ寿命試験での静電容量の減
少が大きくなることによるものである。
【００２２】以上の構成になる固体電解コンデンサは、
有機半導体１０を構成するＴＣＮＱ錯体のアクセプタ
（電子授与体）であるＴＣＮＱの適切な存在により、電
子伝導のバランスが崩れ、比抵抗が大きくなり、また、
酸化皮膜の界面においても酸化皮膜欠陥に及ぼす影響も
減少する。
有機半導体１０を構成するＴＣＮＱ錯体のアクセプタ
（電子授与体）であるＴＣＮＱの適切な存在により、電
子伝導のバランスが崩れ、比抵抗が大きくなり、また、
酸化皮膜の界面においても酸化皮膜欠陥に及ぼす影響も
減少する。
【００２３】さらに、有機溶媒，水の混合における溶媒
のバラツキがなく、漏れ電流改善に大きく貢献できるほ
か、静電容量変化，損失増大が信頼性寿命試験で改善で
きる。
のバラツキがなく、漏れ電流改善に大きく貢献できるほ
か、静電容量変化，損失増大が信頼性寿命試験で改善で
きる。
【００２４】次に、本発明と従来例及び参考例の比較の
一例について述べる。すなわち、本発明はＮ−ｎブチル
イソキノリニウムのＴＣＮＱ錯体６ｇの粉末にＴＣＮＱ
を０．５ｇ添加した参考例Ａ、１ｇ添加した実施例Ｂ、
２ｇ添加した実施例Ｃ、６ｇ添加した実施例Ｄ、また、
参考例Ｅは、ＴＣＮＱ錯体６ｇの粉末にＴＣＮＱ９ｇを
添加したもので、さらに従来例Ｆは、Ｎ−ｎブチルイソ
キノリニウムのＴＣＮＱ錯体のみとしたものである。
一例について述べる。すなわち、本発明はＮ−ｎブチル
イソキノリニウムのＴＣＮＱ錯体６ｇの粉末にＴＣＮＱ
を０．５ｇ添加した参考例Ａ、１ｇ添加した実施例Ｂ、
２ｇ添加した実施例Ｃ、６ｇ添加した実施例Ｄ、また、
参考例Ｅは、ＴＣＮＱ錯体６ｇの粉末にＴＣＮＱ９ｇを
添加したもので、さらに従来例Ｆは、Ｎ−ｎブチルイソ
キノリニウムのＴＣＮＱ錯体のみとしたものである。
【００２５】なお、コンデンサ素子は、いずれも幅３ｍ
ｍ，長さ４０ｍｍの陽極箔と、幅３ｍｍ，長さ５０ｍｍ
の陰極箔それぞれに端子を取着し、陽極箔，陰極箔の間
に幅４ｍｍのスペーサ（マニラ紙）を介在させ巻回して
構成し、アルミニウムケースは直径６．３ｍｍ，長さ
６．５ｍｍのものを使用し、開口部をエポキシ樹脂で密
閉した。定格はいずれも１６Ｖ １５μＦである。
ｍ，長さ４０ｍｍの陽極箔と、幅３ｍｍ，長さ５０ｍｍ
の陰極箔それぞれに端子を取着し、陽極箔，陰極箔の間
に幅４ｍｍのスペーサ（マニラ紙）を介在させ巻回して
構成し、アルミニウムケースは直径６．３ｍｍ，長さ
６．５ｍｍのものを使用し、開口部をエポキシ樹脂で密
閉した。定格はいずれも１６Ｖ １５μＦである。
【００２６】しかして、上記した参考例Ａ，実施例Ｂ，
実施例Ｃ，実施例Ｄ，参考例Ｅ及び従来例Ｆにおける漏
れ電流分布、等価直列抵抗分布及び静電容量状況を調べ
た結果、図４〜図６に示すようになった。また、良品歩
留りは表１に示すようになった。
実施例Ｃ，実施例Ｄ，参考例Ｅ及び従来例Ｆにおける漏
れ電流分布、等価直列抵抗分布及び静電容量状況を調べ
た結果、図４〜図６に示すようになった。また、良品歩
留りは表１に示すようになった。
【００２７】
【表１】
【００２８】図４〜図６及び表１から明らかなように、
参考例Ａ及び従来例Ｆは漏れ電流特性は高いレベルでば
らつき、かつ良品歩留りが悪く、また、参考例Ｅは等価
直列抵抗が高いレベルでばらつき、かつ静電容量変化率
が大きいのに対して、実施例Ｂ，Ｃ，Ｄはいずれの特性
においても安定した結果を示し、有機半導体としてＴＣ
ＮＱ錯体にＴＣＮＱを１０〜５０ｗｔ％添加した本発明
の優れた効果を実証した。
参考例Ａ及び従来例Ｆは漏れ電流特性は高いレベルでば
らつき、かつ良品歩留りが悪く、また、参考例Ｅは等価
直列抵抗が高いレベルでばらつき、かつ静電容量変化率
が大きいのに対して、実施例Ｂ，Ｃ，Ｄはいずれの特性
においても安定した結果を示し、有機半導体としてＴＣ
ＮＱ錯体にＴＣＮＱを１０〜５０ｗｔ％添加した本発明
の優れた効果を実証した。
【００２９】なお、参考までに上記実施例と同一手段に
よって作製した定格２５Ｖ １０μＦ及び３５Ｖ ４．
７μＦの試料についての良品歩留りを調べた結果、表２
に示すように高い電圧のコンデンサにおいても同様な傾
向を示し耐圧向上が望めることがわかった。
よって作製した定格２５Ｖ １０μＦ及び３５Ｖ ４．
７μＦの試料についての良品歩留りを調べた結果、表２
に示すように高い電圧のコンデンサにおいても同様な傾
向を示し耐圧向上が望めることがわかった。
【００３０】
【表２】
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＴＣＮＱ錯体にＴＣＮＱを１０〜５０ｗｔ％添加するこ
とにより、ＴＣＮＱ錯体のアクセプタドナーのバランス
が崩れ抵抗値が変化し、酸化皮膜の微小な欠陥部が存在
しても短絡，漏れ電流の増大が抑制され、良品歩留りが
良好になり漏れ電流レベルも低く改善される。
ＴＣＮＱ錯体にＴＣＮＱを１０〜５０ｗｔ％添加するこ
とにより、ＴＣＮＱ錯体のアクセプタドナーのバランス
が崩れ抵抗値が変化し、酸化皮膜の微小な欠陥部が存在
しても短絡，漏れ電流の増大が抑制され、良品歩留りが
良好になり漏れ電流レベルも低く改善される。
【図１】本発明に係る固体電解コンデンサを示す断面
図。
図。
【図２】図１に示す固体電解コンデンサを構成するコン
デンサ素子の展開斜視図。
デンサ素子の展開斜視図。
【図３】本発明に係る有機半導体の含浸・冷却固化工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図４】漏れ電流分布図。
【図５】等価直列抵抗分布図。
【図６】時間−静電容量変化率曲線図。
１ 陽極箔 ２ 陰極箔 ３ スペーサ ４ 陽極引出端子 ５ 陰極引出端子 ６ コンデンサ素子 ７ ケース ８ 有機半導体溶融液 ９ 封口体 １０ 有機半導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 9/028
Claims (1)
- 【請求項１】弁作用金属からなる陽極箔と、陰極箔間に
スペーサを介在して巻回したコンデンサ素子に有機半導
体を含浸してなる固体電解コンデンサにおいて、前記有
機半導体がＴＣＮＱ錯体にＴＣＮＱを１０〜５０ｗｔ％
添加したものからなることを特徴とする固体電解コンデ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13592692A JP3253126B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13592692A JP3253126B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304057A JPH05304057A (ja) | 1993-11-16 |
| JP3253126B2 true JP3253126B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=15163090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13592692A Expired - Fee Related JP3253126B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3253126B2 (ja) |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP13592692A patent/JP3253126B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05304057A (ja) | 1993-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04229611A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3253126B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| EP0285728B1 (en) | Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same | |
| JPH05304055A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2783932B2 (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製法 | |
| KR970004277B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서의 제조방법 | |
| JPH07115042A (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3123772B2 (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサ | |
| JPH062675U (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3162738B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0547607A (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH05326344A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH03241726A (ja) | 電解コンデンサ | |
| JPH0260047B2 (ja) | ||
| JP2811640B2 (ja) | 固体電解コンデンサのエージング方法 | |
| JP2771767B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0744131B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH09260215A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH01205412A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2919726B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0337854B2 (ja) | ||
| JP2022167434A (ja) | 固体電解コンデンサ、及び固体電解コンデンサの製造方法 | |
| KR0154126B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 및 그의 제조방법 | |
| JP2950898B2 (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2999842B2 (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |