JPH01205412A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH01205412A JPH01205412A JP63264571A JP26457188A JPH01205412A JP H01205412 A JPH01205412 A JP H01205412A JP 63264571 A JP63264571 A JP 63264571A JP 26457188 A JP26457188 A JP 26457188A JP H01205412 A JPH01205412 A JP H01205412A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- H01G9/028—Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
」〈発明は、ＴＣＮＱ塩からなる有機半導体を固体電解
質とする固体電解コンデンサの製造方法に関する。
質とする固体電解コンデンサの製造方法に関する。
（ロ） ｆａｔ来の技術
固体′電解コンデンサの固体電解質としてＴＣＮＱ塩か
らなる有機半導体を用い得ることは既に知らノ１でいる
。この場合、固体電解質は酸化皮膜を有するアルミニウ
ムなどの皮膜形成性金属に直接１・１着さノするもので
あるが、異なる形態として、陽極箔と陰極箔とをセパレ
ータ紙を挟んで巻取り、１−記セパレータ紙に上記の固
体電解質を含浸することも持１ｉｉ昭５６−１１．６８
６＋号（特公昭６２−５２９３９号（ＨＯＩＧ９１０２
））の発明として既に提案されている。尚ＴＣＮＱとは
７，７゜８．８．テトラシアノキノジメタンを意味する
。
らなる有機半導体を用い得ることは既に知らノ１でいる
。この場合、固体電解質は酸化皮膜を有するアルミニウ
ムなどの皮膜形成性金属に直接１・１着さノするもので
あるが、異なる形態として、陽極箔と陰極箔とをセパレ
ータ紙を挟んで巻取り、１−記セパレータ紙に上記の固
体電解質を含浸することも持１ｉｉ昭５６−１１．６８
６＋号（特公昭６２−５２９３９号（ＨＯＩＧ９１０２
））の発明として既に提案されている。尚ＴＣＮＱとは
７，７゜８．８．テトラシアノキノジメタンを意味する
。
このような従来の技術においては、有機半導体の粉末を
適度に加圧して良熱伝導性のアルミケースに詰め、これ
を２５０〜３００”Ｃにて融解液化し、コンデンサ素子
を予熱後浸漬して含浸し、アルミケースごと素子を冷却
固化し、樹脂封口、電圧処理（エージング）等の工程を
経て完成させている。
適度に加圧して良熱伝導性のアルミケースに詰め、これ
を２５０〜３００”Ｃにて融解液化し、コンデンサ素子
を予熱後浸漬して含浸し、アルミケースごと素子を冷却
固化し、樹脂封口、電圧処理（エージング）等の工程を
経て完成させている。
ところでコンデンサ素子の陽極は誘導体である酸化皮膜
が形成せｉ−しているが、素子予熱及び含浸時の熱的衝
撃又は素子運１般及び含浸時の機械的衝撃によって酸化
皮膜が傷つけられる。そのため有機半導体を含浸後又は
樹脂封口後酸化皮膜を修復し、漏れ電流値を小さくする
目的で１００℃前後の高温で電圧処理（エージング）を
行なっている。
が形成せｉ−しているが、素子予熱及び含浸時の熱的衝
撃又は素子運１般及び含浸時の機械的衝撃によって酸化
皮膜が傷つけられる。そのため有機半導体を含浸後又は
樹脂封口後酸化皮膜を修復し、漏れ電流値を小さくする
目的で１００℃前後の高温で電圧処理（エージング）を
行なっている。
しかしながら有機半導体から成る固体電解質は、」−記
一般の電解コンデンサに使用されている電解液に比べ、
酸化皮膜のイｌｆ復性が弱いという欠点があり、このた
め漏れ電流値が大きく歩留りが低いという問題がある。
一般の電解コンデンサに使用されている電解液に比べ、
酸化皮膜のイｌｆ復性が弱いという欠点があり、このた
め漏れ電流値が大きく歩留りが低いという問題がある。
（ハ）発明が解決しようとする課頌
本発明は、ＴＣＮＱ塩から成る有機半導体を固体電解質
に用いた固体電解コンデンサにおける上記問題点、即ち
固体電解質の酸化皮膜の修復性が弱く、漏メ″Ｌ電流値
が大きく歩留りが低いという問題を解決するものであり
、また、アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用を
有する金属粉末を加圧成形し、或は焼結してなるコンデ
ンサ陽極素ｆに、ＴＣＮＱ塩からなる有機半導体を固体
電解質に用いた固体電解コンデンサにおける前述と同様
の酸化皮膜の修復性、漏れ電流、歩留りの問題を解決す
るものである。
に用いた固体電解コンデンサにおける上記問題点、即ち
固体電解質の酸化皮膜の修復性が弱く、漏メ″Ｌ電流値
が大きく歩留りが低いという問題を解決するものであり
、また、アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用を
有する金属粉末を加圧成形し、或は焼結してなるコンデ
ンサ陽極素ｆに、ＴＣＮＱ塩からなる有機半導体を固体
電解質に用いた固体電解コンデンサにおける前述と同様
の酸化皮膜の修復性、漏れ電流、歩留りの問題を解決す
るものである。
にン 課題を解決するための手段
イ（発明は、皮膜形成性金属に陽極酸化皮膜を形成して
なるコンデンサ素子に、或はアルミニウム、タンタル、
ニオブ等の弁作用を有する金属粉末を加圧成形したり、
または焼結してなるコンデンサ陽極素子に、融解液化し
た有機半導体を含浸し、冷却固化した後に、素子の内部
に純水を含浸させ、次に素子の水分を乾燥させる固体電
解コンデンサの製造方法である。
なるコンデンサ素子に、或はアルミニウム、タンタル、
ニオブ等の弁作用を有する金属粉末を加圧成形したり、
または焼結してなるコンデンサ陽極素子に、融解液化し
た有機半導体を含浸し、冷却固化した後に、素子の内部
に純水を含浸させ、次に素子の水分を乾燥させる固体電
解コンデンサの製造方法である。
（ホ）作用
ＴＣＮＱ塩を含浸した素子内部に純水を含浸後乾燥させ
ることにより、酸化皮膜の欠損部に入りこんだ有機半導
体は絶縁体化しやすくなり、電圧処理（エージング）で
の酸化皮膜の修復性が著しく向−］−する。
ることにより、酸化皮膜の欠損部に入りこんだ有機半導
体は絶縁体化しやすくなり、電圧処理（エージング）で
の酸化皮膜の修復性が著しく向−］−する。
−（へ）実施例
以下本発明を実施例に沿って説明する。本発明の実施例
として、陽極用アルミニウム箔（陽極箔）と陰極用アル
ミニウム箔（陰極箔）とを厚さ５０１ｉのマニラ紙をセ
パレータ紙として巻取った巻取り素子（コンデンサ素子
）に、固体電解質として、Ｎ （ｎ−プロピル）−キノ
リニウム、Ｎ−（ｎ−ブチル）−イソキノリニウム、Ｎ
−（ｎ−アミル）−イソキノリニウム、Ｎ−（イソアミ
ル）−イソキノリニウムの各ＴＣＮＱ塩を用いた場合の
製造過程を説明する。
として、陽極用アルミニウム箔（陽極箔）と陰極用アル
ミニウム箔（陰極箔）とを厚さ５０１ｉのマニラ紙をセ
パレータ紙として巻取った巻取り素子（コンデンサ素子
）に、固体電解質として、Ｎ （ｎ−プロピル）−キノ
リニウム、Ｎ−（ｎ−ブチル）−イソキノリニウム、Ｎ
−（ｎ−アミル）−イソキノリニウム、Ｎ−（イソアミ
ル）−イソキノリニウムの各ＴＣＮＱ塩を用いた場合の
製造過程を説明する。
まず」−記巻き取り素子の陽極箔の切り口を、化成液を
用いて陽極化成電圧とほぼ同じ電圧を印加して化成する
。一方、有底円筒状のアルミニウムケース内に」１記Ｔ
ＣＮ Ｑ塩の粉末を適量入れ、ＴＣＮＱ塩の融点以−
１−１好ましくは２８０〜３００℃に保持された鉄板上
に上記ケースを加熱保持する。尚、斯るケースは最終的
にコンデンサの外囲器となる乙のである。上記ＴＣＮＱ
塩の融点は２１０〜２３０℃であり、従って上記加熱に
よりケース内のＴＣＮＱ塩は融解液化する。続く工程で
は直ちにこの状態でケースごと急冷し、ＴＣＮＱ塩を固
化させる。斯る工程により巻き取り素子に液状のＴＣＮ
Ｑ塩が含浸され、その後の急冷却によりＴＣＮＱ塩は再
結晶化して、２〜３０Ωｃｍ（２５℃）の高い電導度を
示す固体電解を形成する。
用いて陽極化成電圧とほぼ同じ電圧を印加して化成する
。一方、有底円筒状のアルミニウムケース内に」１記Ｔ
ＣＮ Ｑ塩の粉末を適量入れ、ＴＣＮＱ塩の融点以−
１−１好ましくは２８０〜３００℃に保持された鉄板上
に上記ケースを加熱保持する。尚、斯るケースは最終的
にコンデンサの外囲器となる乙のである。上記ＴＣＮＱ
塩の融点は２１０〜２３０℃であり、従って上記加熱に
よりケース内のＴＣＮＱ塩は融解液化する。続く工程で
は直ちにこの状態でケースごと急冷し、ＴＣＮＱ塩を固
化させる。斯る工程により巻き取り素子に液状のＴＣＮ
Ｑ塩が含浸され、その後の急冷却によりＴＣＮＱ塩は再
結晶化して、２〜３０Ωｃｍ（２５℃）の高い電導度を
示す固体電解を形成する。
続く工程では、前記ＴＣＮＱ塩含浸済み素子を純水中に
浸漬し、減圧下で素子内部まで純水を含浸させる。さら
に次の工程で、８５〜１０５℃にて］時間〜８時間、コ
ンデンサ素子の水分を乾燥させる。−］−記乾燥時間は
コンデンサ素子外径にほぼ比例する。最後に、上記ケー
スの開１］部を樹脂又はゴムにて封目する。そして、１
２５℃にて１時間、はぼコンデンサの定格電圧を印加（
エーシング）して、固体電解コンデンサが完成する。以
Ｆに本発明の実施例と従来例との特性比較データを記載
する。
浸漬し、減圧下で素子内部まで純水を含浸させる。さら
に次の工程で、８５〜１０５℃にて］時間〜８時間、コ
ンデンサ素子の水分を乾燥させる。−］−記乾燥時間は
コンデンサ素子外径にほぼ比例する。最後に、上記ケー
スの開１］部を樹脂又はゴムにて封目する。そして、１
２５℃にて１時間、はぼコンデンサの定格電圧を印加（
エーシング）して、固体電解コンデンサが完成する。以
Ｆに本発明の実施例と従来例との特性比較データを記載
する。
第 ］ 表
実施例］〜・１は純水をコンデンサ素子内に含浸後、８
５℃で３．５〜・１．５時間、コンデンサ素子の水分を
乾燥させ、エポキシ樹脂で封口したものであり、従来例
］〜４はＴＣＮＱ塩含浸後、純水含浸をすることなくエ
ポキシ樹脂で封口したものである。
５℃で３．５〜・１．５時間、コンデンサ素子の水分を
乾燥させ、エポキシ樹脂で封口したものであり、従来例
］〜４はＴＣＮＱ塩含浸後、純水含浸をすることなくエ
ポキシ樹脂で封口したものである。
第２表は、同一のＴＣＮＱ塩を使用した同一定格電圧、
容量の固体電解コンデンサの実施例と従来とを比較した
ものである。
容量の固体電解コンデンサの実施例と従来とを比較した
ものである。
ＣａＴ）、’１２０Ｈｚにおける静電容量ｔａｎδ １
２０Ｈ２における誘電正接１、、、Ｃ漏れ電流値（定格
電圧印加３０秒後）Ｅ ＳＲ： １００ＫＩ−ｂにおけ
る等個直列抵抗（以下、余白） 第 ２ 表 第２表において、実施例（２′）、従来例（２′）は、
実施例（２）、従来例（２）と同一のＴＣＮＱ塩である
。第２表の各数値は１０個の平均値を示すが、Ｌ、Ｃ，
値については規格内の良品１０個の平均値を示し、Ｌ、
Ｃ，の歩留りは試料各１００個中の歩留りを示す。
２０Ｈ２における誘電正接１、、、Ｃ漏れ電流値（定格
電圧印加３０秒後）Ｅ ＳＲ： １００ＫＩ−ｂにおけ
る等個直列抵抗（以下、余白） 第 ２ 表 第２表において、実施例（２′）、従来例（２′）は、
実施例（２）、従来例（２）と同一のＴＣＮＱ塩である
。第２表の各数値は１０個の平均値を示すが、Ｌ、Ｃ，
値については規格内の良品１０個の平均値を示し、Ｌ、
Ｃ，の歩留りは試料各１００個中の歩留りを示す。
なお各機種の１７．Ｃ１規格は、
２５＼’、３．３ｐＦ−０，８３ｕＡ／３０ｓｅｃ、以
下１０＼・、 ２２０μＦ−４４１１Ａ／３０ＳｅＣ以
下３５〜．４．７ｕＦ−３，３ｐＡ／３０ｓｅｃ以下１
６Ｖ、＋５＊Ｆ ・＝２．４μＡ／３０ｓｅｃ、以下と
なっている。
下１０＼・、 ２２０μＦ−４４１１Ａ／３０ＳｅＣ以
下３５〜．４．７ｕＦ−３，３ｐＡ／３０ｓｅｃ以下１
６Ｖ、＋５＊Ｆ ・＝２．４μＡ／３０ｓｅｃ、以下と
なっている。
第２表からあきらがなように、実施例は従来例と比較し
て、Ｌ、Ｃ，の歩留りにおいて著しい差があり、純水を
含浸した効果がはっきりあられれている。
て、Ｌ、Ｃ，の歩留りにおいて著しい差があり、純水を
含浸した効果がはっきりあられれている。
尚、本発明はコンデンサ素子として陽極箔と陰極箔とを
セパレータ紙を介して巻回した巻取り素ｒ−を使用した
場合に限られるものではなく、コンデンサ素子として弁
作用を有する金属粉末を加圧成形し焼結した焼結素子を
使用した場合にも適用されるものである。
セパレータ紙を介して巻回した巻取り素ｒ−を使用した
場合に限られるものではなく、コンデンサ素子として弁
作用を有する金属粉末を加圧成形し焼結した焼結素子を
使用した場合にも適用されるものである。
次に焼結素子に本発明を実施する例について説明する。
アルミニウム微粉末（粒径的１０〜４０１．１ ）に陽
極用アルミリード線を植立させて焼結してなるコンデン
サ素子を化成液を用いて誘電体となる酸化皮膜層を電気
料学的に形成させる。該コンデンサ素子に固体電解質と
して前述の実施例と同様の４種類のＴＣＮＱ塩を用いる
場合の製造過程を説明する。
極用アルミリード線を植立させて焼結してなるコンデン
サ素子を化成液を用いて誘電体となる酸化皮膜層を電気
料学的に形成させる。該コンデンサ素子に固体電解質と
して前述の実施例と同様の４種類のＴＣＮＱ塩を用いる
場合の製造過程を説明する。
まず、焼結してなるアルミニウムコンデンサ素ｆ−をア
ジピン酸アンモニウムからなる化成液を用いて陽極酸化
する。化成電圧はおよそ１００Ｖ〜２００Ｖ （Ｄ、
Ｃ０）で本実施例では定格電圧２５■、定格静電容量
１μＦの素子を使用したので、化成電圧１９０Ｖである
。
ジピン酸アンモニウムからなる化成液を用いて陽極酸化
する。化成電圧はおよそ１００Ｖ〜２００Ｖ （Ｄ、
Ｃ０）で本実施例では定格電圧２５■、定格静電容量
１μＦの素子を使用したので、化成電圧１９０Ｖである
。
一方、有底円筒状のアルミニウムケース内に上記ＴＣＮ
Ｑ塩の粉末を適量入れ、ＴＣＮＱの融点以１−１好まし
くは２８０℃〜；３００℃に保持された鉄板Ｉ−に上記
ケースを加熱保持する。」−記ＴＣＮＱ塩の融点は２１
０’Ｃ〜２３０℃であり、従って−１−記加熱によりケ
ース内のＴ ＣＮ Ｑ塩は融解液化する。
Ｑ塩の粉末を適量入れ、ＴＣＮＱの融点以１−１好まし
くは２８０℃〜；３００℃に保持された鉄板Ｉ−に上記
ケースを加熱保持する。」−記ＴＣＮＱ塩の融点は２１
０’Ｃ〜２３０℃であり、従って−１−記加熱によりケ
ース内のＴ ＣＮ Ｑ塩は融解液化する。
続くｔ稈では、ケース内の液化ＴＣＮＱ塩中にあらかじ
め予熱されているコンデンサ素子を浸漬し、ＴＣＮＱ塩
を含浸させる。次の工程では直ちにコンデンサ素子をケ
ースから抜きとり、エアーにて急冷し、ＴＣＮＱ塩を固
化させる。斯る工程により、コンデンサ素子内部に液状
のＴＣＮＱ塩が含浸され、その後の急冷却によりＴＣＮ
Ｑ塩は再結晶化して、２〜３０Ω、ｃｍ（２５℃）の高
い電導度を示す固体電解質を形成する。
め予熱されているコンデンサ素子を浸漬し、ＴＣＮＱ塩
を含浸させる。次の工程では直ちにコンデンサ素子をケ
ースから抜きとり、エアーにて急冷し、ＴＣＮＱ塩を固
化させる。斯る工程により、コンデンサ素子内部に液状
のＴＣＮＱ塩が含浸され、その後の急冷却によりＴＣＮ
Ｑ塩は再結晶化して、２〜３０Ω、ｃｍ（２５℃）の高
い電導度を示す固体電解質を形成する。
続く工程では、前記ＴＣＮＱ塩含浸済み素子を純水中に
浸漬し、約２０ｍｍＩ（ｇの減圧下で素子内部まで純水
を含浸させる。
浸漬し、約２０ｍｍＩ（ｇの減圧下で素子内部まで純水
を含浸させる。
更に次の工程で、８５℃〜１０５℃にて１時間〜８時間
、該コンデンサの水分を乾燥させる。上記乾燥時間はコ
ンデンサ素子の体積にほぼ比例し、本実施例では、８５
℃×５時間乾燥させる。
、該コンデンサの水分を乾燥させる。上記乾燥時間はコ
ンデンサ素子の体積にほぼ比例し、本実施例では、８５
℃×５時間乾燥させる。
尚、本実施例の素子寸法は直径３８ｍｍ、長さ３，５ｍ
ｍである。
ｍである。
続く工程で、銀ペイント導電層、はんだ層を形成し、陰
極用リード線を導出し、陽極用リード線をコンデンサ素
子に植立しているアルミリードと溶接する。最後にエポ
キシ樹脂にて外装し、１２５℃にて１時間、はぼコンデ
ンサの定格電圧を印加（エーシング）して、目的とする
固体電解コンデンサが完成する。
極用リード線を導出し、陽極用リード線をコンデンサ素
子に植立しているアルミリードと溶接する。最後にエポ
キシ樹脂にて外装し、１２５℃にて１時間、はぼコンデ
ンサの定格電圧を印加（エーシング）して、目的とする
固体電解コンデンサが完成する。
次に、本発明の実施例と従来例との特性比較データを第
３表及び第４表に示す。
３表及び第４表に示す。
なお、第４表における初期特性は２０℃における値であ
り、また、Ｌ、 Ｃは漏れ電流値（定格電圧（２５〜
ｌ）印加３０秒後の値であり規格内（０，５μＡ／′３
０ｓｅｃ以下）の良品１０個の１Ｖ均値を示し、Ｌ、
Ｃ，歩留りは試料各１００個中の歩留りを示す。第４
表のその他の項目は各１０個の平均値を示す。
り、また、Ｌ、 Ｃは漏れ電流値（定格電圧（２５〜
ｌ）印加３０秒後の値であり規格内（０，５μＡ／′３
０ｓｅｃ以下）の良品１０個の１Ｖ均値を示し、Ｌ、
Ｃ，歩留りは試料各１００個中の歩留りを示す。第４
表のその他の項目は各１０個の平均値を示す。
第１図はこの実施例を示す断面図であり、（１）はコン
デンサ素子、（２）はアルミ陽極リード、（３）は陽極
リード線、（４）は陰極リード線、（５）は有機半導体
、（６）は銀ペイント導電層、（７）は１′・円層、（
８）はエポキシ樹脂である。
デンサ素子、（２）はアルミ陽極リード、（３）は陽極
リード線、（４）は陰極リード線、（５）は有機半導体
、（６）は銀ペイント導電層、（７）は１′・円層、（
８）はエポキシ樹脂である。
（ト）発明の詳細
な説明したように本発明によれば、有機半導体を電解質
に用いた固体電解コンデンサにおいて、水を含浸させ、
次にこれを乾燥させるという簡単な工程で、漏れ電流ち
を小さくし、歩留りを大幅に向Ｉ−させることが出来、
斯種固体電解コンデンサの実用化に寄与することが大で
ある。
に用いた固体電解コンデンサにおいて、水を含浸させ、
次にこれを乾燥させるという簡単な工程で、漏れ電流ち
を小さくし、歩留りを大幅に向Ｉ−させることが出来、
斯種固体電解コンデンサの実用化に寄与することが大で
ある。
第１図は本発明の焼結形固体電解コンデンサの実施例を
示す断面図である。 （１）・・・コンデンサ素子、（２）・・アルミ陽極リ
ード、（３） 陽極リード線、（・１）・・・陰極リー
ド線、（５）有機半導体、（６）銀ペイント導電層、（
７）・・・はんだ層、（８）−エポキシ樹脂。
示す断面図である。 （１）・・・コンデンサ素子、（２）・・アルミ陽極リ
ード、（３） 陽極リード線、（・１）・・・陰極リー
ド線、（５）有機半導体、（６）銀ペイント導電層、（
７）・・・はんだ層、（８）−エポキシ樹脂。
Claims (4)
- （１）皮膜形成性金属に陽極酸化皮膜を形成してなるコ
ンデンサ素子に、融解液化した有機半導体を含浸し、冷
却固化した固体電解コンデンサの製造方法において、 前記有機半導体を含浸し、冷却固化した前記コンデンサ
素子の内部に純水を含浸させる工程と、該コンデンサ素
子の水分を乾燥させる工程とを含むことを特徴とする固
体電解コンデンサの製造方法。 - （２）前記有機半導体は、Ｎ−（アルキル）−キノリニ
ウム（又はイソキノリニウム）のＴＣＮＱ塩であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体電解コン
デンサの製造方法。 - （３）前記コンデンサ素子は陽極箔と陰極箔とをセパレ
ータ紙を介して巻回した巻取り素子であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の固体電解コ
ンデンサの製造方法。 - （４）前記コンデンサ素子はアルミニウム、タンタル、
ニオブ等の弁作用を有する金属粉末を加圧成形し、或は
焼結してなるコンデンサ素子であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項又は第２項記載の固体電解コンデン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26457188A JPH063786B2 (ja) | 1987-10-21 | 1988-10-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-267270 | 1987-10-21 | ||
| JP26727087 | 1987-10-21 | ||
| JP26457188A JPH063786B2 (ja) | 1987-10-21 | 1988-10-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205412A true JPH01205412A (ja) | 1989-08-17 |
| JPH063786B2 JPH063786B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=26546571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26457188A Expired - Lifetime JPH063786B2 (ja) | 1987-10-21 | 1988-10-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063786B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1102287A2 (en) * | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Nec Corporation | Fabrication method of solid electolytic capacitor |
| US6420043B1 (en) | 1996-11-07 | 2002-07-16 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US6616728B2 (en) | 1998-05-04 | 2003-09-09 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
-
1988
- 1988-10-20 JP JP26457188A patent/JPH063786B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420043B1 (en) | 1996-11-07 | 2002-07-16 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US6616728B2 (en) | 1998-05-04 | 2003-09-09 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US6896715B2 (en) | 1998-05-04 | 2005-05-24 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| EP1102287A2 (en) * | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Nec Corporation | Fabrication method of solid electolytic capacitor |
| EP1102287A3 (en) * | 1999-11-19 | 2006-04-12 | Nec Tokin Corporation | Fabrication method of solid electolytic capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH063786B2 (ja) | 1994-01-12 |
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Legal Events
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