JPH0547607A - 電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH0547607A JPH0547607A JP3232204A JP23220491A JPH0547607A JP H0547607 A JPH0547607 A JP H0547607A JP 3232204 A JP3232204 A JP 3232204A JP 23220491 A JP23220491 A JP 23220491A JP H0547607 A JPH0547607 A JP H0547607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic semiconductor
- cooling
- electrolytic capacitor
- capacitor element
- case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機半導体の冷却固化工程を改善することに
より、電解コンデンサの諸特性の向上に貢献可能な、優
れた電解コンデンサの製造方法を提供する。 【構成】 弁作用金属からなる陽極箔1と陰極箔2間に
スペーサ3を介在すると共に、各電極箔にそれぞれ陽極
端子4及び陰極端子5を取着して巻回してコンデンサ素
子6を形成する。有機半導体材料を上部開口型のケース
7内に収納し、加熱溶融して、有機半導体溶融液8(図
3)とする。コンデンサ素子6に有機半導体溶融液8を
含浸した後、複数の温度段階の冷媒を使用して有機半導
体を段階的に冷却する。少なくとも、60℃〜150℃
の第1の冷媒9(図4)を使用して冷却した後、0℃〜
60℃の第2の冷媒11(図4)を使用して冷却し、固
化状態の有機半導体13とする。ケース7の開口部を封
口体14にて密封する。
より、電解コンデンサの諸特性の向上に貢献可能な、優
れた電解コンデンサの製造方法を提供する。 【構成】 弁作用金属からなる陽極箔1と陰極箔2間に
スペーサ3を介在すると共に、各電極箔にそれぞれ陽極
端子4及び陰極端子5を取着して巻回してコンデンサ素
子6を形成する。有機半導体材料を上部開口型のケース
7内に収納し、加熱溶融して、有機半導体溶融液8(図
3)とする。コンデンサ素子6に有機半導体溶融液8を
含浸した後、複数の温度段階の冷媒を使用して有機半導
体を段階的に冷却する。少なくとも、60℃〜150℃
の第1の冷媒9(図4)を使用して冷却した後、0℃〜
60℃の第2の冷媒11(図4)を使用して冷却し、固
化状態の有機半導体13とする。ケース7の開口部を封
口体14にて密封する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、有機半導体材料を含浸
させてなる電解コンデンサの製造方法に係り、特に、コ
ンデンサ素子に含浸した後の有機半導体材料の冷却固化
方法の改良に関するものである。
させてなる電解コンデンサの製造方法に係り、特に、コ
ンデンサ素子に含浸した後の有機半導体材料の冷却固化
方法の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、乾式箔形電解コンデンサにおい
ては、高純度アルミニウム箔からなる一対の陽極・陰極
箔に、同じくアルミニウムからなる一対の引き出し端子
を接続し、前記一対の陽極・陰極箔相互間にスペーサを
介在して巻回してなるコンデンサ素子を使用している。
このようなコンデンサ素子を使用してなる電解コンデン
サとして、例えば、コンデンサ素子に駆動用電解液を含
浸してケースに収納し、このケース開口部を密閉するな
どの外装を施してなる電解コンデンサが存在している。
ては、高純度アルミニウム箔からなる一対の陽極・陰極
箔に、同じくアルミニウムからなる一対の引き出し端子
を接続し、前記一対の陽極・陰極箔相互間にスペーサを
介在して巻回してなるコンデンサ素子を使用している。
このようなコンデンサ素子を使用してなる電解コンデン
サとして、例えば、コンデンサ素子に駆動用電解液を含
浸してケースに収納し、このケース開口部を密閉するな
どの外装を施してなる電解コンデンサが存在している。
【0003】しかしながら、上記駆動用電解液として
は、例えば、エチレングリコールなどの有機溶媒にアジ
ピン酸アンモニウムなどの有機カルボン酸塩を使用して
いるため、tanδ特性改善に限度があり、また、低温
で比抵抗が上がり、低温特性が極度に悪化してしまうた
め、広域温度範囲で使用するには信頼性に欠ける。従っ
て、駆動用電解液を使用してなる電解コンデンサによっ
て市場要求を満足することは不可能である。そのため、
近年では、駆動用電解液に代えて、TCNQ錯体からな
る有機半導体を用いた電解コンデンサが種々提案され、
その一部は実用化されている。
は、例えば、エチレングリコールなどの有機溶媒にアジ
ピン酸アンモニウムなどの有機カルボン酸塩を使用して
いるため、tanδ特性改善に限度があり、また、低温
で比抵抗が上がり、低温特性が極度に悪化してしまうた
め、広域温度範囲で使用するには信頼性に欠ける。従っ
て、駆動用電解液を使用してなる電解コンデンサによっ
て市場要求を満足することは不可能である。そのため、
近年では、駆動用電解液に代えて、TCNQ錯体からな
る有機半導体を用いた電解コンデンサが種々提案され、
その一部は実用化されている。
【0004】以上のように、コンデンサ素子にTCNQ
錯体からなる有機半導体を含浸化する方法としては、一
般に、溶液含浸法、分散含浸法、さらには真空蒸着法が
あるが、TCNQ錯体は、多種多様の条件で特性が変化
し、極めて扱い難い物質であるため、使用に当たっては
各種の工夫が講じられている。特に、固体電解質の条件
としては、コンデンサ特性としてのtanδ及び等価直
列抵抗に影響するそれ自体としての抵抗値が小さく、且
つ、広範囲の温度範囲においても、安定した比抵抗値が
あることが重要である。そして、コンデンサ素子に対す
るTCNQ錯体からなる有機半導体の含浸に際しては、
コンデンサ素子内部に一様に必要量浸透させることが要
求される。
錯体からなる有機半導体を含浸化する方法としては、一
般に、溶液含浸法、分散含浸法、さらには真空蒸着法が
あるが、TCNQ錯体は、多種多様の条件で特性が変化
し、極めて扱い難い物質であるため、使用に当たっては
各種の工夫が講じられている。特に、固体電解質の条件
としては、コンデンサ特性としてのtanδ及び等価直
列抵抗に影響するそれ自体としての抵抗値が小さく、且
つ、広範囲の温度範囲においても、安定した比抵抗値が
あることが重要である。そして、コンデンサ素子に対す
るTCNQ錯体からなる有機半導体の含浸に際しては、
コンデンサ素子内部に一様に必要量浸透させることが要
求される。
【0005】このようなコンデンサ素子へのTCNQ錯
体からなる有機半導体の含浸方法としては、特許公報や
技術文献によって従来提案されているように、加熱溶融
液化処理が有望視されている。この加熱溶融液化処理の
具体的な方法としては、一般的に、外装ケースに入れ、
加熱溶融させた所望のTCNQ錯体からなる有機半導体
溶融液に、予め加熱してなるコンデンサ素子を収納し、
この素子を構成する絶縁紙の繊維と電極箔の微細なエッ
チングピットを介して含浸する方法が採用されている。
また、コンデンサ素子に含浸した後に、有機半導体を冷
却固化する方法としては、通常、ケースの外面を、水そ
の他の冷媒を用いて急激に冷却する方法が採用されてい
る。
体からなる有機半導体の含浸方法としては、特許公報や
技術文献によって従来提案されているように、加熱溶融
液化処理が有望視されている。この加熱溶融液化処理の
具体的な方法としては、一般的に、外装ケースに入れ、
加熱溶融させた所望のTCNQ錯体からなる有機半導体
溶融液に、予め加熱してなるコンデンサ素子を収納し、
この素子を構成する絶縁紙の繊維と電極箔の微細なエッ
チングピットを介して含浸する方法が採用されている。
また、コンデンサ素子に含浸した後に、有機半導体を冷
却固化する方法としては、通常、ケースの外面を、水そ
の他の冷媒を用いて急激に冷却する方法が採用されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の電解コンデンサの製造方法には、次のよう
な欠点があった。すなわち、含浸した後の有機半導体の
冷却固化処理において、有機半導体は、約15%の比率
で収縮する。そのため、前記のような急激な冷却を行う
と、有機半導体が急激に収縮することによって、電極箔
の微細で且つ複雑なエッチングピットが破壊してしま
う。この場合、TCNQ錯体からなる有機半導体は、駆
動用電解液と異なり、最終工程における酸化皮膜の修復
が期待できないため、完成した電解コンデンサにおいて
は、漏れ電流の増大や短絡不良発生率の増大などの諸特
性低下を生じる。また、有機半導体が急激に収縮した場
合には、固化した有機半導体に歪みが生じる。この場合
には、高温で長時間の高信頼性試験の後で歪みが緩み、
特性の低下、特に、静電容量特性が低下するなどの不都
合を生じてしまう。
ような従来の電解コンデンサの製造方法には、次のよう
な欠点があった。すなわち、含浸した後の有機半導体の
冷却固化処理において、有機半導体は、約15%の比率
で収縮する。そのため、前記のような急激な冷却を行う
と、有機半導体が急激に収縮することによって、電極箔
の微細で且つ複雑なエッチングピットが破壊してしま
う。この場合、TCNQ錯体からなる有機半導体は、駆
動用電解液と異なり、最終工程における酸化皮膜の修復
が期待できないため、完成した電解コンデンサにおいて
は、漏れ電流の増大や短絡不良発生率の増大などの諸特
性低下を生じる。また、有機半導体が急激に収縮した場
合には、固化した有機半導体に歪みが生じる。この場合
には、高温で長時間の高信頼性試験の後で歪みが緩み、
特性の低下、特に、静電容量特性が低下するなどの不都
合を生じてしまう。
【0007】以上のように、従来の電解コンデンサの製
造方法においては、含浸した有機半導体の冷却固化工程
における急激な収縮により、漏れ電流の増大や短絡の発
生などの諸特性の低下を生じてしまうという欠点があっ
た。
造方法においては、含浸した有機半導体の冷却固化工程
における急激な収縮により、漏れ電流の増大や短絡の発
生などの諸特性の低下を生じてしまうという欠点があっ
た。
【0008】本発明は、このような従来技術の課題を解
決するために提案されたものであり、その目的は、有機
半導体の冷却固化工程を改善することにより、電解コン
デンサの諸特性の向上に貢献可能な、優れた電解コンデ
ンサの製造方法を提供することである。
決するために提案されたものであり、その目的は、有機
半導体の冷却固化工程を改善することにより、電解コン
デンサの諸特性の向上に貢献可能な、優れた電解コンデ
ンサの製造方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明による電解コンデ
ンサの製造方法は、弁作用金属からなる陽極箔と陰極箔
間にスペーサを介在して巻回してコンデンサ素子を形成
し、このコンデンサ素子をケース内に収納すると共に、
コンデンサ素子に有機半導体材料を含浸し、その後、有
機半導体材料を冷却固化して電解コンデンサを製造する
方法において、特に、以下の特徴を有するものである。
すなわち、本発明は、有機半導体材料の冷却固化工程と
して、複数の温度段階の冷媒を使用して有機半導体材料
を段階的に冷却し、少なくとも、60℃〜150℃の第
1の冷媒を使用して有機半導体材料を冷却する段階と、
この後に、0℃〜60℃の第2の冷媒を使用して有機半
導体材料を冷却する段階とを有することを特徴としてい
る。
ンサの製造方法は、弁作用金属からなる陽極箔と陰極箔
間にスペーサを介在して巻回してコンデンサ素子を形成
し、このコンデンサ素子をケース内に収納すると共に、
コンデンサ素子に有機半導体材料を含浸し、その後、有
機半導体材料を冷却固化して電解コンデンサを製造する
方法において、特に、以下の特徴を有するものである。
すなわち、本発明は、有機半導体材料の冷却固化工程と
して、複数の温度段階の冷媒を使用して有機半導体材料
を段階的に冷却し、少なくとも、60℃〜150℃の第
1の冷媒を使用して有機半導体材料を冷却する段階と、
この後に、0℃〜60℃の第2の冷媒を使用して有機半
導体材料を冷却する段階とを有することを特徴としてい
る。
【0010】具体的には、第1の冷媒としては、60℃
〜100℃の水、または、60℃〜150℃のエチレン
グリコール、シリコン油などが使用可能である。また、
第2の冷媒としては、0℃〜60℃の水、より限定的に
は20℃以下の水を使用する。
〜100℃の水、または、60℃〜150℃のエチレン
グリコール、シリコン油などが使用可能である。また、
第2の冷媒としては、0℃〜60℃の水、より限定的に
は20℃以下の水を使用する。
【0011】
【作用】以上のような構成を有する本発明の製造方法に
おいては、コンデンサ素子に含浸した有機半導体を、高
温の第1の冷媒を使用して一旦冷却した後、低温の第2
の冷媒を使用して冷却することにより、有機半導体の冷
却固化の速度が低く抑制される。すなわち、高温の有機
半導体溶融液は、高温の第1の冷媒によって緩やかに冷
却され、第1の冷媒と同程度の温度まで緩やかに温度下
降した後、低温の第2の冷媒によって再び緩やかに冷却
される。
おいては、コンデンサ素子に含浸した有機半導体を、高
温の第1の冷媒を使用して一旦冷却した後、低温の第2
の冷媒を使用して冷却することにより、有機半導体の冷
却固化の速度が低く抑制される。すなわち、高温の有機
半導体溶融液は、高温の第1の冷媒によって緩やかに冷
却され、第1の冷媒と同程度の温度まで緩やかに温度下
降した後、低温の第2の冷媒によって再び緩やかに冷却
される。
【0012】従って、有機半導体は緩やかに冷却固化さ
れ、緩やかに収縮するため、有機半導体が急激に収縮し
た場合に生ずるような、電極箔の微細なエッチングピッ
トの破壊を生ずることがなくなり、完成した電解コンデ
ンサにおける漏れ電流や短絡不良発生率を低減でき、諸
特性を向上できる。また、有機半導体の収縮に伴って生
じる歪みも、収縮速度の低速化に伴い、高速で収縮した
場合に比べて格段に緩和されるため、この点からも諸特
性を向上できる。
れ、緩やかに収縮するため、有機半導体が急激に収縮し
た場合に生ずるような、電極箔の微細なエッチングピッ
トの破壊を生ずることがなくなり、完成した電解コンデ
ンサにおける漏れ電流や短絡不良発生率を低減でき、諸
特性を向上できる。また、有機半導体の収縮に伴って生
じる歪みも、収縮速度の低速化に伴い、高速で収縮した
場合に比べて格段に緩和されるため、この点からも諸特
性を向上できる。
【0013】
【実施例】以下には、本発明による電解コンデンサの製
造方法の一実施例に関して、図1乃至図4を参照して具
体的に説明する。この場合、図1は、本発明の一実施例
によって製造した電解コンデンサを示す断面図、図2
は、同じ実施例において形成したコンデンサ素子の構造
を示す展開斜視図、図3は、同じ実施例における有機半
導体の加熱溶融工程を示す断面図、図4は、同じ実施例
における有機半導体の含浸・冷却固化工程を示す断面図
である。
造方法の一実施例に関して、図1乃至図4を参照して具
体的に説明する。この場合、図1は、本発明の一実施例
によって製造した電解コンデンサを示す断面図、図2
は、同じ実施例において形成したコンデンサ素子の構造
を示す展開斜視図、図3は、同じ実施例における有機半
導体の加熱溶融工程を示す断面図、図4は、同じ実施例
における有機半導体の含浸・冷却固化工程を示す断面図
である。
【0014】まず、図2に示すように、アルミニウム箔
表面をエッチング液で粗面化し、表面積を拡大した後、
陽極酸化皮膜を生成して陽極箔1を用意する。同様に、
アルミニウム箔表面をエッチング液で粗面化し、表面積
を拡大して陰極箔2を用意する。これらの陽極箔1、陰
極箔2間に、クラフト紙またはマニラ紙などからなるス
ペーサ3を介在すると共に、陽極箔1及び陰極箔2の任
意の箇所それぞれに陽極端子4及び陰極端子5を取着し
て巻回し、コンデンサ素子6を形成する。
表面をエッチング液で粗面化し、表面積を拡大した後、
陽極酸化皮膜を生成して陽極箔1を用意する。同様に、
アルミニウム箔表面をエッチング液で粗面化し、表面積
を拡大して陰極箔2を用意する。これらの陽極箔1、陰
極箔2間に、クラフト紙またはマニラ紙などからなるス
ペーサ3を介在すると共に、陽極箔1及び陰極箔2の任
意の箇所それぞれに陽極端子4及び陰極端子5を取着し
て巻回し、コンデンサ素子6を形成する。
【0015】次に、図3に示すように、例えば、アルミ
ニウムなどからなる上部開口型のケース7内に、TCN
Q錯体からなる有機半導体を必要な一定量だけ収納し、
加熱溶融して、有機半導体溶融液8とする。この後、図
4に示すように、コンデンサ素子6を予熱状態でケース
7内に収納することにより、有機半導体溶融液8をコン
デンサ素子6に含浸する。
ニウムなどからなる上部開口型のケース7内に、TCN
Q錯体からなる有機半導体を必要な一定量だけ収納し、
加熱溶融して、有機半導体溶融液8とする。この後、図
4に示すように、コンデンサ素子6を予熱状態でケース
7内に収納することにより、有機半導体溶融液8をコン
デンサ素子6に含浸する。
【0016】そして、十分な含浸時間の後、2段階の冷
却固化処理を行う。すなわち、第1の段階として、図4
の(a)に示すように、100℃のエチレングリコール
(第1の冷媒)9を充填してなる冷媒槽10中に、ケー
ス7を10秒間浸漬する。続いて、第2の段階として、
図4の(b)に示すように、20℃の水(第2の冷媒)
11を充填してなる冷媒槽12中に、ケース7を10秒
間浸漬する。この一連の冷却固化処理により、有機半導
体を固化し、固化状態の有機半導体13とする。最終的
に、ケース7の開口部を封口体14にて密封して電解コ
ンデンサを完成する。
却固化処理を行う。すなわち、第1の段階として、図4
の(a)に示すように、100℃のエチレングリコール
(第1の冷媒)9を充填してなる冷媒槽10中に、ケー
ス7を10秒間浸漬する。続いて、第2の段階として、
図4の(b)に示すように、20℃の水(第2の冷媒)
11を充填してなる冷媒槽12中に、ケース7を10秒
間浸漬する。この一連の冷却固化処理により、有機半導
体を固化し、固化状態の有機半導体13とする。最終的
に、ケース7の開口部を封口体14にて密封して電解コ
ンデンサを完成する。
【0017】以上の工程においては、高温の有機半導体
溶融液8は、100℃のエチレングリコール(第1の冷
媒)9によって緩やかに冷却され、100℃に近い温度
まで緩やかに温度下降した後、20℃の水(第2の冷
媒)11によって再び緩やかに冷却される。すなわち、
本実施例において、有機半導体は緩やかに冷却固化さ
れ、緩やかに収縮するため、有機半導体の急激な収縮に
伴って従来生じていた電極箔のエッチングピットの破壊
を生ずることがなくなっている。従って、完成した電解
コンデンサにおける漏れ電流や短絡不良発生率を低減で
き、諸特性を従来よりも向上できる。また、有機半導体
の高速な収縮に伴って従来生じていた大きな歪みも、本
実施例においては、収縮速度の低速化に伴い、格段に緩
和されるため、この点からも諸特性を向上できる。
溶融液8は、100℃のエチレングリコール(第1の冷
媒)9によって緩やかに冷却され、100℃に近い温度
まで緩やかに温度下降した後、20℃の水(第2の冷
媒)11によって再び緩やかに冷却される。すなわち、
本実施例において、有機半導体は緩やかに冷却固化さ
れ、緩やかに収縮するため、有機半導体の急激な収縮に
伴って従来生じていた電極箔のエッチングピットの破壊
を生ずることがなくなっている。従って、完成した電解
コンデンサにおける漏れ電流や短絡不良発生率を低減で
き、諸特性を従来よりも向上できる。また、有機半導体
の高速な収縮に伴って従来生じていた大きな歪みも、本
実施例においては、収縮速度の低速化に伴い、格段に緩
和されるため、この点からも諸特性を向上できる。
【0018】続いて、実際に、前記の工程に基づいて、
本発明の製造方法により電解コンデンサ(本発明品A)
を製造すると共に、従来の製造方法により電解コンデン
サ(従来品B)を製造した。すなわち、本発明及び従来
例共に、幅5mm、長さ25mmの陽極箔と、幅5m
m、長さ35mmの陰極箔を使用し、これらの陽極箔・
陰極箔間に、幅6mm、厚さ50μmのマニラ紙をスペ
ーサとして介在させ、巻回してコンデンサ素子を形成し
た。
本発明の製造方法により電解コンデンサ(本発明品A)
を製造すると共に、従来の製造方法により電解コンデン
サ(従来品B)を製造した。すなわち、本発明及び従来
例共に、幅5mm、長さ25mmの陽極箔と、幅5m
m、長さ35mmの陰極箔を使用し、これらの陽極箔・
陰極箔間に、幅6mm、厚さ50μmのマニラ紙をスペ
ーサとして介在させ、巻回してコンデンサ素子を形成し
た。
【0019】次に、有機半導体材料として、本発明及び
従来例共に、N−nアミルイソキノリニウムのTCNQ
錯体を用意した。そして、本発明及び従来例共に、直径
5mm、高さ10mmの円筒状アルミケースを用意し、
コンデンサ素子への含浸に必要な一定量のTCNQ錯体
をそれぞれ収納した。この状態で、有機半導体を加熱溶
融し、有機半導体溶融液中に、予熱したコンデンサ素子
を浸漬し、有機半導体溶融液を含浸した。
従来例共に、N−nアミルイソキノリニウムのTCNQ
錯体を用意した。そして、本発明及び従来例共に、直径
5mm、高さ10mmの円筒状アルミケースを用意し、
コンデンサ素子への含浸に必要な一定量のTCNQ錯体
をそれぞれ収納した。この状態で、有機半導体を加熱溶
融し、有機半導体溶融液中に、予熱したコンデンサ素子
を浸漬し、有機半導体溶融液を含浸した。
【0020】十分な含浸時間の後、本発明においては、
100℃のエチレングリコール中に、ケースを10秒間
浸漬し、続いて、20℃の水中に、ケースを10秒間浸
漬して、有機半導体を固化し、固化状態の有機半導体と
した。これに対し、従来例においては、含浸時間の後
に、直ちに20℃の水にケースを浸漬し、有機半導体を
冷却固化した。最終的に、本発明及び従来例共に、ケー
スの開口部を封口体にて密封して、定格16V−10μ
Fの電解コンデンサを完成した。
100℃のエチレングリコール中に、ケースを10秒間
浸漬し、続いて、20℃の水中に、ケースを10秒間浸
漬して、有機半導体を固化し、固化状態の有機半導体と
した。これに対し、従来例においては、含浸時間の後
に、直ちに20℃の水にケースを浸漬し、有機半導体を
冷却固化した。最終的に、本発明及び従来例共に、ケー
スの開口部を封口体にて密封して、定格16V−10μ
Fの電解コンデンサを完成した。
【0021】このようにして完成した本発明による電解
コンデンサ(本発明品A)と従来技術による電解コンデ
ンサ(比較品B)における漏れ電流分布を調査したとこ
ろ、図5に示すような結果が得られた。図5から明らか
なように、従来品Bに比べて、本発明品Aの漏れ電流特
性は、格段に高いレベルでしかも均一化されている。
コンデンサ(本発明品A)と従来技術による電解コンデ
ンサ(比較品B)における漏れ電流分布を調査したとこ
ろ、図5に示すような結果が得られた。図5から明らか
なように、従来品Bに比べて、本発明品Aの漏れ電流特
性は、格段に高いレベルでしかも均一化されている。
【0022】なお、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、有機半導体の種類や冷媒の種類及び冷媒の
温度設定は、自由に選択可能である。例えば、第1の冷
媒としては、60℃〜150℃のエチレングリコールの
代わりに、同じ温度範囲のシリコン油または60℃〜1
00℃の水などの他の冷媒を自由に使用可能である。同
様に、第2の冷媒としては、水以外の他の冷媒を自由に
使用可能である。また、冷却固化の段階は、2段階に限
らず、温度をより細かく段階化して、3段階以上の多数
段階の冷却を行う構成も同様に可能であり、前記実施例
と同様の作用効果を得られるものである。
のではなく、有機半導体の種類や冷媒の種類及び冷媒の
温度設定は、自由に選択可能である。例えば、第1の冷
媒としては、60℃〜150℃のエチレングリコールの
代わりに、同じ温度範囲のシリコン油または60℃〜1
00℃の水などの他の冷媒を自由に使用可能である。同
様に、第2の冷媒としては、水以外の他の冷媒を自由に
使用可能である。また、冷却固化の段階は、2段階に限
らず、温度をより細かく段階化して、3段階以上の多数
段階の冷却を行う構成も同様に可能であり、前記実施例
と同様の作用効果を得られるものである。
【0023】さらに、本発明は、前記実施例の寸法及び
定格を有する電解コンデンサに限定されるものではな
く、多種多様な寸法及び定格を有する各種電解コンデン
サに適用可能であり、その場合にも、前記実施例と同様
の優れた作用効果を得られるものである。すなわち、本
発明は、有機半導体材料の冷却固化工程において、複数
の温度段階(60℃〜150℃及び0℃〜60℃)の冷
媒を使用して、有機半導体材料を段階的に冷却すること
に特徴を有するものであるため、この特徴を有する製造
方法である限り、他の各種工程の具体的な構成は自由に
選択可能であり、これらの他の工程の構成に拘らず、前
記実施例と同様の優れた作用効果を得られるものであ
る。
定格を有する電解コンデンサに限定されるものではな
く、多種多様な寸法及び定格を有する各種電解コンデン
サに適用可能であり、その場合にも、前記実施例と同様
の優れた作用効果を得られるものである。すなわち、本
発明は、有機半導体材料の冷却固化工程において、複数
の温度段階(60℃〜150℃及び0℃〜60℃)の冷
媒を使用して、有機半導体材料を段階的に冷却すること
に特徴を有するものであるため、この特徴を有する製造
方法である限り、他の各種工程の具体的な構成は自由に
選択可能であり、これらの他の工程の構成に拘らず、前
記実施例と同様の優れた作用効果を得られるものであ
る。
【0024】
【発明の効果】以上述べたように、本発明においては、
有機半導体材料の冷却固化工程において、有機半導体材
料を、複数の温度段階の冷媒を使用して段階的に冷却す
ることにより、従来に比べて、電解コンデンサの諸特性
の向上に貢献可能な、優れた電解コンデンサの製造方法
を提供することができる。
有機半導体材料の冷却固化工程において、有機半導体材
料を、複数の温度段階の冷媒を使用して段階的に冷却す
ることにより、従来に比べて、電解コンデンサの諸特性
の向上に貢献可能な、優れた電解コンデンサの製造方法
を提供することができる。
【図1】本発明に従う電解コンデンサの製造方法の一実
施例によって製造した電解コンデンサを示す断面図。
施例によって製造した電解コンデンサを示す断面図。
【図2】図1の製造方法において形成したコンデンサ素
子の構造を示す展開斜視図。
子の構造を示す展開斜視図。
【図3】図1の製造方法における有機半導体の加熱溶融
工程を示す断面図。
工程を示す断面図。
【図4】図1の製造方法における有機半導体の含浸・冷
却固化工程を示す断面図。
却固化工程を示す断面図。
【図5】本発明の製造方法による電解コンデンサ(本発
明品A)と従来の製造方法による電解コンデンサ(従来
品B)における漏れ電流分布を示す特性図。
明品A)と従来の製造方法による電解コンデンサ(従来
品B)における漏れ電流分布を示す特性図。
1…陽極箔 2…陰極箔 3…スペーサ 4…陽極端子 5…陰極端子 6…コンデンサ素子 7…ケース 8…有機半導体溶融液 9…エチレングリコール(第1の冷媒) 10,12…冷媒槽 11…水(第2の冷媒) 13…固化状態の有機半導体 14…封口体
Claims (1)
- 【請求項1】 弁作用金属からなる陽極箔と陰極箔間に
スペーサを介在して巻回してコンデンサ素子を形成し、
このコンデンサ素子をケース内に収納すると共に、コン
デンサ素子に有機半導体材料を含浸し、その後、有機半
導体材料を冷却固化して電解コンデンサを製造する方法
において、 前記有機半導体材料の冷却固化工程として、複数の温度
段階の冷媒を使用して有機半導体材料を段階的に冷却
し、少なくとも、60℃〜150℃の第1の冷媒を使用
して有機半導体材料を冷却する段階と、この後に、0℃
〜60℃の第2の冷媒を使用して有機半導体材料を冷却
する段階とを有することを特徴とする電解コンデンサの
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3232204A JPH0547607A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3232204A JPH0547607A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0547607A true JPH0547607A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16935621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3232204A Pending JPH0547607A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0547607A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100791088B1 (ko) * | 2007-09-03 | 2008-01-03 | 기술사사무소 세일엔지니어링(주) | 안전사고 방지형 지중전선의 단전형 분배전함 |
-
1991
- 1991-08-19 JP JP3232204A patent/JPH0547607A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100791088B1 (ko) * | 2007-09-03 | 2008-01-03 | 기술사사무소 세일엔지니어링(주) | 안전사고 방지형 지중전선의 단전형 분배전함 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH04229611A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH0547607A (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
JPH07115042A (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
JP3253126B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2783932B2 (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製法 | |
JPH03241726A (ja) | 電解コンデンサ | |
JPH062675U (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH09260215A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0590082A (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
JP2811646B2 (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
JPS6151910A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP3162738B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2755767B2 (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0590083A (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
JPS63100710A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH03280522A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2811645B2 (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0337854B2 (ja) | ||
JPH03280521A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH03280520A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH03276711A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH06181145A (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
JPH05326344A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JPH0744131B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH05326345A (ja) | 固体電解コンデンサ |