JPH03276711A - 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
有機半導体固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH03276711A JPH03276711A JP7794590A JP7794590A JPH03276711A JP H03276711 A JPH03276711 A JP H03276711A JP 7794590 A JP7794590 A JP 7794590A JP 7794590 A JP7794590 A JP 7794590A JP H03276711 A JPH03276711 A JP H03276711A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は有機半導体固体電解コンデンサの製造方法に関
するものである。更に詳説すると、本発明は電解質とし
てTCNQ錯塩を使用する有機半導体固体電解コンデン
サにおける漏れ電流を抑制できるコンデンサの製造方法
に関するものである。
するものである。更に詳説すると、本発明は電解質とし
てTCNQ錯塩を使用する有機半導体固体電解コンデン
サにおける漏れ電流を抑制できるコンデンサの製造方法
に関するものである。
(ロ)従来の技術
電解質としてTCNQ錯塩を使用する有機半導体固体電
解コンデンサに関しては、本願出願人より既に種々提案
している。即ち、特開昭58−191414号(HOI
G9102)等に開示されているN位をアルキル基で置
換したイソキノリンとのTCNQ錯塩を用いた固体電解
コンデンサは、特に優れた高周波特性をもっているため
、スイッチング電源用などに広く採用されている。
解コンデンサに関しては、本願出願人より既に種々提案
している。即ち、特開昭58−191414号(HOI
G9102)等に開示されているN位をアルキル基で置
換したイソキノリンとのTCNQ錯塩を用いた固体電解
コンデンサは、特に優れた高周波特性をもっているため
、スイッチング電源用などに広く採用されている。
次にコンデンサ素子について説明する。第1図は従来使
用されているコンデンサ素子を示す。まず、高純度(9
9,99%以上)のアルミニウム箔を化学的処理により
粗面化し、実効表面積を増加させるためのいわゆるエツ
チング処理を行なう。次に電解液中にて、電気化学的に
アルミニウム箔表面に酸化皮膜(酸化アルミニウムの薄
膜)を形成する(化成処理)。次にエツチング処理、化
成処理を行なったアルミニウム箔を陽極箔(1)とし、
対向陰極箔(2)との間にセパレータ(3)としてマニ
ラ紙を挟み、第1図に示すように円筒状に巻き取る。こ
うしてアルミニウム箔に酸化皮膜を形成した陽極箔(1
)及び陰極箔(2)と両電極箔間に介挿されたセパレー
タ(3)とを捲回してコンデンサ素子(6)が形成され
る。なお(4)(4’)はアルミリード、(5)(5’
)はリード線である。
用されているコンデンサ素子を示す。まず、高純度(9
9,99%以上)のアルミニウム箔を化学的処理により
粗面化し、実効表面積を増加させるためのいわゆるエツ
チング処理を行なう。次に電解液中にて、電気化学的に
アルミニウム箔表面に酸化皮膜(酸化アルミニウムの薄
膜)を形成する(化成処理)。次にエツチング処理、化
成処理を行なったアルミニウム箔を陽極箔(1)とし、
対向陰極箔(2)との間にセパレータ(3)としてマニ
ラ紙を挟み、第1図に示すように円筒状に巻き取る。こ
うしてアルミニウム箔に酸化皮膜を形成した陽極箔(1
)及び陰極箔(2)と両電極箔間に介挿されたセパレー
タ(3)とを捲回してコンデンサ素子(6)が形成され
る。なお(4)(4’)はアルミリード、(5)(5’
)はリード線である。
さらにコンデンサ素子(6)に熱処理を施し、セパレー
タ(3)を構成するマニラ紙を炭化して繊維の細径化に
よる密度の低下を計る。
タ(3)を構成するマニラ紙を炭化して繊維の細径化に
よる密度の低下を計る。
第2図はこのコンデンサ素子(6)をアルミケース(7
)内に収納した状態の断面図である。即ち、所定量のT
CNQCN上8)をケース(7)内に入れ、加熱した熱
板」二にアルミケース(7)を載置し、本実施例では3
10〜315℃にてケース(7)中の粉末状TCNQ錯
塩を加熱融解させる。
)内に収納した状態の断面図である。即ち、所定量のT
CNQCN上8)をケース(7)内に入れ、加熱した熱
板」二にアルミケース(7)を載置し、本実施例では3
10〜315℃にてケース(7)中の粉末状TCNQ錯
塩を加熱融解させる。
一方、予め加熱しであるコンデンサ素子(6)をアルミ
ケース(7)内に挿入して、融解したTCNQCN上混
合液をコンデンサ素子(6)に含浸させ、すぐに冷却固
化させる。その後、TCNQCN上は反応し難い樹脂(
9)を封入し、さらにエポキシ樹脂等(10)で成形す
る。前述の如き従来技術においては化成したエツチドア
ルミニウム箔(])と陰極箔(2)をセパレーク(3)
を介して巻回したコンデンサ素子(6)を素子形成時に
損傷した陽極箔の化成皮膜修復のため再度アジピン酸ア
ンモニウムの水溶液にて再化成並びに熱処理していた。
ケース(7)内に挿入して、融解したTCNQCN上混
合液をコンデンサ素子(6)に含浸させ、すぐに冷却固
化させる。その後、TCNQCN上は反応し難い樹脂(
9)を封入し、さらにエポキシ樹脂等(10)で成形す
る。前述の如き従来技術においては化成したエツチドア
ルミニウム箔(])と陰極箔(2)をセパレーク(3)
を介して巻回したコンデンサ素子(6)を素子形成時に
損傷した陽極箔の化成皮膜修復のため再度アジピン酸ア
ンモニウムの水溶液にて再化成並びに熱処理していた。
そして該コンデンサ素子に融解液化したTCNQ塩(8
)を含浸し、樹脂(9)又はゴムで封口した後、コンデ
ンサの陽極リード線(5)と陰極リード線(5′)間に
正の定格直流電圧(順方向)を印加する工程を経て目的
とする有機半導体固体電解コンデンサを完成させていた
。
)を含浸し、樹脂(9)又はゴムで封口した後、コンデ
ンサの陽極リード線(5)と陰極リード線(5′)間に
正の定格直流電圧(順方向)を印加する工程を経て目的
とする有機半導体固体電解コンデンサを完成させていた
。
しかし、有機半導体固体電解コンデンサは一般の電解液
を用いたコンデンサに比べ酸化皮膜の修復性が若干弱く
、アジピン酸アンモニウムの再度の化成により形成させ
た皮膜においてもTCNQ塩含浸時の機械的ストレス、
熱的ストレス或いは化学的なストレスにより化成皮膜に
は弱体部が存在することになる。これらの要因により高
電圧印加時においては上記弱体部が破壊し、漏れ電流が
増大する。
を用いたコンデンサに比べ酸化皮膜の修復性が若干弱く
、アジピン酸アンモニウムの再度の化成により形成させ
た皮膜においてもTCNQ塩含浸時の機械的ストレス、
熱的ストレス或いは化学的なストレスにより化成皮膜に
は弱体部が存在することになる。これらの要因により高
電圧印加時においては上記弱体部が破壊し、漏れ電流が
増大する。
而して、前述の如く、コンデンサ素子の陽極には誘電体
である酸化皮膜が形成されており、陰極もTCNQ塩と
陰極との密着性をより良好なものとするために僅かでは
あるが、酸化皮膜が形成されている。しかしながらTC
NQ塩含浸時等の熱的、機械的、或いは化学的ストレス
により前記陽極及び陰極の酸化皮膜は少なからず影響を
受け、損傷する場合がある。このため陽極の酸化皮膜に
ついては、陽極と陰極リード間にプラスのDC電圧(順
方向)を印加することにより酸化皮膜の損傷部は修復さ
れ、陽極酸化皮膜の損傷部に起因する漏れ電流の増大化
については現在対策が施されている。ところが陰極の酸
化皮膜の損傷部については何ら対策が取られていない。
である酸化皮膜が形成されており、陰極もTCNQ塩と
陰極との密着性をより良好なものとするために僅かでは
あるが、酸化皮膜が形成されている。しかしながらTC
NQ塩含浸時等の熱的、機械的、或いは化学的ストレス
により前記陽極及び陰極の酸化皮膜は少なからず影響を
受け、損傷する場合がある。このため陽極の酸化皮膜に
ついては、陽極と陰極リード間にプラスのDC電圧(順
方向)を印加することにより酸化皮膜の損傷部は修復さ
れ、陽極酸化皮膜の損傷部に起因する漏れ電流の増大化
については現在対策が施されている。ところが陰極の酸
化皮膜の損傷部については何ら対策が取られていない。
(ハ)発明が解決しようとする課題
本発明は、TCNQ塩を固体電解質に用いた有機半導体
固体電解コンデンサにおいて、陽極と陰極の間に逆方向
のマイナスのり、C電圧を印加(逆印加)することによ
り漏れ電流の増大化を抑制するものである。
固体電解コンデンサにおいて、陽極と陰極の間に逆方向
のマイナスのり、C電圧を印加(逆印加)することによ
り漏れ電流の増大化を抑制するものである。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明はコンデンサ素子に融解液化したTCNQ塩を含
浸し、冷却、固化した後、陽極と陰極の間に逆方向のり
、C電圧を印加(逆印加)する工程を有するものである
。
浸し、冷却、固化した後、陽極と陰極の間に逆方向のり
、C電圧を印加(逆印加)する工程を有するものである
。
(ホ)作 用
詳細な作用については現在の所、判らない部分があるが
、凡そ次のようであると推測される。即ち、多くは不明
であるが以下のことが推測される。
、凡そ次のようであると推測される。即ち、多くは不明
であるが以下のことが推測される。
通常、コンデンサの順方向にり、C電圧が印加されると
、陰極及び陽極の酸化皮膜にり、C電圧が分散する。と
ころが、陰極の酸化皮膜は、破壊し易いため、欠如とし
て陰極酸化皮膜が破壊する場合がある。その結果、陽極
及び陰極側の電圧の偏りはなくなり、陰極側の酸化皮膜
に分散していた電圧は全て陽極の酸化皮膜に移る。この
電圧の変化に対して陽極の酸化皮膜自体も破損する場合
がある。而して、コンデンサの陽極と陰極の間に逆方向
の電圧を印加(逆印加)することにより陰極の酸化皮膜
は、堅固なものとなる。従って上述の要因、即ち陰極酸
化皮膜の破壊に起因する陽極酸化皮膜の破損が防止でき
る。この結果、漏れ電流増大化を抑制できる。
、陰極及び陽極の酸化皮膜にり、C電圧が分散する。と
ころが、陰極の酸化皮膜は、破壊し易いため、欠如とし
て陰極酸化皮膜が破壊する場合がある。その結果、陽極
及び陰極側の電圧の偏りはなくなり、陰極側の酸化皮膜
に分散していた電圧は全て陽極の酸化皮膜に移る。この
電圧の変化に対して陽極の酸化皮膜自体も破損する場合
がある。而して、コンデンサの陽極と陰極の間に逆方向
の電圧を印加(逆印加)することにより陰極の酸化皮膜
は、堅固なものとなる。従って上述の要因、即ち陰極酸
化皮膜の破壊に起因する陽極酸化皮膜の破損が防止でき
る。この結果、漏れ電流増大化を抑制できる。
(へ)実施例
TCNQ塩(例えばN−n−ブチルイソキノリニウムT
CNQ、)の粉末をケースに収納し、290〜300℃
の温度でTCNQ塩を融解液化し、コンデンサ素子を浸
漬してTCNQ塩を含浸する。含浸後ケースを冷却し、
コンデンサ素子に含浸したTCNQ塩を冷却固化し、ケ
ースにコンデンサ素子を固定する。次にケース開口部を
樹脂またはゴムにて封止する。封止後、125℃の温度
で30分程度、コンデンサの陽極と陰極のリード間に逆
方向のり、C電圧(−5V)を印加する。続いてり、C
定格電圧を順方向に1時間程印加し、目的とする固体電
解コンデンサを完成させる。
CNQ、)の粉末をケースに収納し、290〜300℃
の温度でTCNQ塩を融解液化し、コンデンサ素子を浸
漬してTCNQ塩を含浸する。含浸後ケースを冷却し、
コンデンサ素子に含浸したTCNQ塩を冷却固化し、ケ
ースにコンデンサ素子を固定する。次にケース開口部を
樹脂またはゴムにて封止する。封止後、125℃の温度
で30分程度、コンデンサの陽極と陰極のリード間に逆
方向のり、C電圧(−5V)を印加する。続いてり、C
定格電圧を順方向に1時間程印加し、目的とする固体電
解コンデンサを完成させる。
第1表は本発明の実施例と従来例のコンデンサ完成後の
漏れ電流値の比較を示す。而して、この従来例において
は周囲温度125℃において従来の電圧処理、即ち定格
り、C電圧を順方向に1時間印加している。
漏れ電流値の比較を示す。而して、この従来例において
は周囲温度125℃において従来の電圧処理、即ち定格
り、C電圧を順方向に1時間印加している。
第 1 表
第1表においては試験コンデンサはいずれも定格電圧D
、 CIOV、容量47μFであり、漏れ電流(L、
C,)のデータはD 、 CIOV印加30秒後の値で
、試料20個の平均値である。
、 CIOV、容量47μFであり、漏れ電流(L、
C,)のデータはD 、 CIOV印加30秒後の値で
、試料20個の平均値である。
この表から本発明の実施例は従来例に比較して著しく漏
れ電流が減少していることが分かる。
れ電流が減少していることが分かる。
(ト)発明の効果
このように本発明によれば、TCNQ塩を使用する有機
半導体固体電解コンデンサにおいてアルミニラムの陰極
箔上の酸化皮膜が極めて安定したものとなり、漏れ電流
が著しく低減する。
半導体固体電解コンデンサにおいてアルミニラムの陰極
箔上の酸化皮膜が極めて安定したものとなり、漏れ電流
が著しく低減する。
第1図はコンデンサ素子の斜視図、第2図は固体電解コ
ンデンサの断面図である。 (1)(2”)・・・陽、陰極箔、(3)・・・セパレ
ータ、(6)・・・コンデンサ素子、(7)・・・アル
ミケース、(8)・・・TCNQ錯塩。
ンデンサの断面図である。 (1)(2”)・・・陽、陰極箔、(3)・・・セパレ
ータ、(6)・・・コンデンサ素子、(7)・・・アル
ミケース、(8)・・・TCNQ錯塩。
Claims (1)
- (1)アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用を有
する金属を化成しエッチングした箔よりなる陽極箔と該
金属の薄箔よりなる陰極箔との間にセパレータ紙を介し
て巻回して形成したコンデンサ素子に、加熱融解可能で
且つ冷却固化後コンデンサ用電解質として使用し得る電
導度を有するTCNQ塩を加熱して含浸させ、冷却固化
させた後、前記コンデンサ素子の陽極箔と陰極箔間にマ
イナスの直流電圧(逆電圧)を印加する工程を含むこと
を特徴とする有機半導体固体電解コンデンサの製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7794590A JPH03276711A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7794590A JPH03276711A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03276711A true JPH03276711A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13648179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7794590A Pending JPH03276711A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03276711A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112185691A (zh) * | 2020-09-04 | 2021-01-05 | 湖南盛通电子科技有限公司 | 一体型固态电容及其制造方法 |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP7794590A patent/JPH03276711A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112185691A (zh) * | 2020-09-04 | 2021-01-05 | 湖南盛通电子科技有限公司 | 一体型固态电容及其制造方法 |
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