JP2951039B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JP2951039B2 JP2951039B2 JP13281491A JP13281491A JP2951039B2 JP 2951039 B2 JP2951039 B2 JP 2951039B2 JP 13281491 A JP13281491 A JP 13281491A JP 13281491 A JP13281491 A JP 13281491A JP 2951039 B2 JP2951039 B2 JP 2951039B2
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電解質としてＴＣＮＱ
（７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）塩を使
用する有機半導体固体電解コンデンサに関するものであ
る。
（７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）塩を使
用する有機半導体固体電解コンデンサに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体電解コンデンサにおいて固体
電解質として有機半導体、特にＴＣＮＱ塩を用いること
が提案されており、例えば、特公昭６２−５２９３９号
公報（Ｈ０１Ｇ ９／０２）がある。
電解質として有機半導体、特にＴＣＮＱ塩を用いること
が提案されており、例えば、特公昭６２−５２９３９号
公報（Ｈ０１Ｇ ９／０２）がある。
【０００３】まず、陽極酸化或は陽極化成により表面に
酸化皮膜を設けたアルミニウム、タンタル、ニオブ等の
弁作用を有する金属箔と陰極箔とをセパレータ紙を介し
て巻回し、コンデンサ素子を形成する。
酸化皮膜を設けたアルミニウム、タンタル、ニオブ等の
弁作用を有する金属箔と陰極箔とをセパレータ紙を介し
て巻回し、コンデンサ素子を形成する。
【０００４】次に、ＴＣＮＱ塩の適量粉末を適度の加圧
下でアルミケースに詰め、これを２５０〜３００℃にて
融解液化し、そこに予熱したコンデンサ素子を素早く挿
入する。そしてアルミケースごと前記コンデンサ素子を
冷却し、ケース内にコンデンサ素子を固定する。そして
樹脂又はゴム（弾性体）にて封口し、電圧処理（エージ
ング）等の工程を経て完成させている。
下でアルミケースに詰め、これを２５０〜３００℃にて
融解液化し、そこに予熱したコンデンサ素子を素早く挿
入する。そしてアルミケースごと前記コンデンサ素子を
冷却し、ケース内にコンデンサ素子を固定する。そして
樹脂又はゴム（弾性体）にて封口し、電圧処理（エージ
ング）等の工程を経て完成させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の製
造方法において、特に樹脂にて封口する場合、ＴＣＮＱ
塩は封口材である樹脂との接触部分において化学反応に
より変質し、本来の半導体としての性質を有しなくなる
ため、そのＴＣＮＱ塩の変質部分においては電圧処理
（エージング）による酸化皮膜の修復能力が低下する。
そのため、この固体電解コンデンサに高電圧を印加する
場合、酸化皮膜の修復の不十分な部分が破壊されてしま
い、漏れ電流が増大することになる。
造方法において、特に樹脂にて封口する場合、ＴＣＮＱ
塩は封口材である樹脂との接触部分において化学反応に
より変質し、本来の半導体としての性質を有しなくなる
ため、そのＴＣＮＱ塩の変質部分においては電圧処理
（エージング）による酸化皮膜の修復能力が低下する。
そのため、この固体電解コンデンサに高電圧を印加する
場合、酸化皮膜の修復の不十分な部分が破壊されてしま
い、漏れ電流が増大することになる。
【０００６】また、ゴム（弾性体）にて封口する場合に
は、アルミケースの開口部に封口ゴムを装着後、該ケー
スの開口端部をカールさせるが、このケースカールによ
り、コンデンサ素子内に機械的ストレスがかかり、ＴＣ
ＮＱ塩の酸化皮膜への密着性の弱い部分が発生するた
め、電圧処理を行っても酸化皮膜の修復が不十分にな
る。従って、上述と同様、高電圧印加時はこの酸化皮膜
の修復の不十分な部分が破壊され、漏れ電流が増大する
ことになる。
は、アルミケースの開口部に封口ゴムを装着後、該ケー
スの開口端部をカールさせるが、このケースカールによ
り、コンデンサ素子内に機械的ストレスがかかり、ＴＣ
ＮＱ塩の酸化皮膜への密着性の弱い部分が発生するた
め、電圧処理を行っても酸化皮膜の修復が不十分にな
る。従って、上述と同様、高電圧印加時はこの酸化皮膜
の修復の不十分な部分が破壊され、漏れ電流が増大する
ことになる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の点に鑑み
成されたものであり、有機半導体を含浸したコンデンサ
素子をケース内に収納して封口した後、前記コンデンサ
素子内の有機半導体を再度融解させるかそれと同程度の
熱ストレスをかけることを特徴とするものである。
成されたものであり、有機半導体を含浸したコンデンサ
素子をケース内に収納して封口した後、前記コンデンサ
素子内の有機半導体を再度融解させるかそれと同程度の
熱ストレスをかけることを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】アルミケースの封口後、ＴＣＮＱ塩を再融解し
て再結晶化させるか、それと同程度の熱ストレスをかけ
ることにより、樹脂封口時に生じるＴＣＮＱ塩の変質物
は解消し、本来の半導体としての機能を取り戻す。
て再結晶化させるか、それと同程度の熱ストレスをかけ
ることにより、樹脂封口時に生じるＴＣＮＱ塩の変質物
は解消し、本来の半導体としての機能を取り戻す。
【０００９】また、ゴム封口時のケースカールに伴う機
械的ストレスにより生じたＴＣＮＱ塩と酸化皮膜との密
着性の弱い部分は、ＴＣＮＱ塩の再度の融解結晶化また
はそれと同程度の熱ストレスにより密着性が回復する。
械的ストレスにより生じたＴＣＮＱ塩と酸化皮膜との密
着性の弱い部分は、ＴＣＮＱ塩の再度の融解結晶化また
はそれと同程度の熱ストレスにより密着性が回復する。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を説明する。
【００１１】まず、エッチング処理、化成処理済みのア
ルミニウム箔を陽極箔とし、該陽極箔に対抗する陰極箔
との間にセパレータを挟んで円筒状に巻取り、コンデン
サ素子を形成する。そして、ＴＣＮＱ塩（例えばＮ−ｎ
−ブチルイソキノリニウム・ＴＣＮＱ２またはＮ，Ｎ−
ペンタメチレン・ルチジニウム２・ＴＣＮＱ４とＮ−フ
ェネチル・ルチジニウム・ＴＣＮＱ２の等量混合物）
の粉末をケースに収納し、 融点以上の温度（例えば２
９０〜３００℃）で上述のコンデンサ素子にＴＣＮＱ塩
を含浸させる。更に含浸後、ケースを冷却して該コンデ
ンサ素子に含浸したＴＣＮＱ塩を冷却固化してケース内
にコンデンサ素子を固定する。そして、ケース開口部を
樹脂またはゴムにて封口する。封口後、該コンデンサを
３００℃の温度で１５秒程度放置した後冷却することに
より、ＴＣＮＱ塩を再度融解し結晶化させる。あるい
は、それと同程度の熱ストレスをかけてもよい。
ルミニウム箔を陽極箔とし、該陽極箔に対抗する陰極箔
との間にセパレータを挟んで円筒状に巻取り、コンデン
サ素子を形成する。そして、ＴＣＮＱ塩（例えばＮ−ｎ
−ブチルイソキノリニウム・ＴＣＮＱ２またはＮ，Ｎ−
ペンタメチレン・ルチジニウム２・ＴＣＮＱ４とＮ−フ
ェネチル・ルチジニウム・ＴＣＮＱ２の等量混合物）
の粉末をケースに収納し、 融点以上の温度（例えば２
９０〜３００℃）で上述のコンデンサ素子にＴＣＮＱ塩
を含浸させる。更に含浸後、ケースを冷却して該コンデ
ンサ素子に含浸したＴＣＮＱ塩を冷却固化してケース内
にコンデンサ素子を固定する。そして、ケース開口部を
樹脂またはゴムにて封口する。封口後、該コンデンサを
３００℃の温度で１５秒程度放置した後冷却することに
より、ＴＣＮＱ塩を再度融解し結晶化させる。あるい
は、それと同程度の熱ストレスをかけてもよい。
【００１２】最後に１２５℃にて１時間程度、コンデン
サの定格電圧を印加（エージング）して、目的とする固
体電解コンデンサを完成する。
サの定格電圧を印加（エージング）して、目的とする固
体電解コンデンサを完成する。
【００１３】表１は、本発明によるコンデンサと従来例
との漏れ電流特性を比較したものである。
との漏れ電流特性を比較したものである。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１において、（Ａ）（Ｃ）（Ｅ）（Ｇ）
は本発明による固体電解コンデンサであり、（Ｂ）
（Ｄ）（Ｆ）（Ｈ）は従来の固体電解コンデンサであ
る。（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は定格３５Ｖ，容量０．
６８μＦのコンデンサであり、漏れ電流特性は０．５
［μＡ／１０ｓｅｃ．］以下のものを良品としており、
（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）（Ｈ）は定格２５Ｖ，容量１μＦの
コンデンサであり、漏れ電流特性は０．５［μＡ／１０
ｓｅｃ．］以下のものを良品としている。
は本発明による固体電解コンデンサであり、（Ｂ）
（Ｄ）（Ｆ）（Ｈ）は従来の固体電解コンデンサであ
る。（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は定格３５Ｖ，容量０．
６８μＦのコンデンサであり、漏れ電流特性は０．５
［μＡ／１０ｓｅｃ．］以下のものを良品としており、
（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）（Ｈ）は定格２５Ｖ，容量１μＦの
コンデンサであり、漏れ電流特性は０．５［μＡ／１０
ｓｅｃ．］以下のものを良品としている。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、有機半導体を含浸した
コンデンサ素子をケース内に収納して封口した後、前記
コンデンサ素子内の有機半導体を再度融解させるかそれ
と同程度の熱ストレスをかけることにより、樹脂封口時
に生じるＴＣＮＱ塩の変質物は解消して本来の半導体と
しての機能を取り戻す。
コンデンサ素子をケース内に収納して封口した後、前記
コンデンサ素子内の有機半導体を再度融解させるかそれ
と同程度の熱ストレスをかけることにより、樹脂封口時
に生じるＴＣＮＱ塩の変質物は解消して本来の半導体と
しての機能を取り戻す。
【００１７】また、ゴム封口時のケースカールに伴う機
械的ストレスにより生じたＴＣＮＱ塩と酸化皮膜との密
着性の弱い部分も、ＴＣＮＱ塩の再度の融解結晶化また
はそれと同程度の熱ストレスにより密着性が回復する。
械的ストレスにより生じたＴＣＮＱ塩と酸化皮膜との密
着性の弱い部分も、ＴＣＮＱ塩の再度の融解結晶化また
はそれと同程度の熱ストレスにより密着性が回復する。
【００１８】従って、酸化皮膜の修復能力が向上し、漏
れ電流特性が改善されるため、歩留りが向上する。
れ電流特性が改善されるため、歩留りが向上する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01G 9/028 H01G 9/10
Claims (4)
- 【請求項１】 陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して
巻回してなるコンデンサ素子に融解液化した有機半導体
を含浸させ、冷却固化する工程と、 前記コンデンサ素子をケース内に挿入し、該ケースの開
口部を樹脂および／または弾性体にて封口する工程と、 前記固体電解コンデンサ素子内の有機半導体を再度融解
させる工程とを備えることを特徴とする固体電解コンデ
ンサの製造方法。 - 【請求項２】 陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して
巻回してなるコンデンサ素子に融解液化した有機半導体
を含浸させ、冷却固化する工程と、 前記コンデンサ素子をケース内に挿入し、該ケースの開
口部を樹脂および／または弾性体にて封口する工程と、 前記ケース内のコンデンサ素子に、該コンデンサ素子内
の有機半導体を再度融解させるのと同程度の熱ストレス
をかける工程とを備えることを特徴とする固体電解コン
デンサの製造方法。 - 【請求項３】 陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して
巻回してなるコンデンサ素子をケース内で融解液化した
有機半導体に浸漬することにより、コンデンサ素子に有
機半導体を含浸させる工程と、 前記コンデンサ素子を前記ケースごと冷却することによ
り、有機半導体を冷却固化させるとともにケース内にコ
ンデンサ素子を固定する工程と、 前記ケースの開口部を樹脂および／または弾性体にて封
口する工程と、 前記コンデンサ素子内の有機半導体を再度融解させる工
程とを備えることを特徴とする固体電解コンデンサの製
造方法。 - 【請求項４】 陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して
巻回してなるコンデンサ素子をケース内で融解液化した
有機半導体に浸漬することにより、コンデンサ素子に有
機半導体を含浸させる工程と、 前記コンデンサ素子を前記ケースごと冷却することによ
り、有機半導体を冷却固化させるとともにケース内にコ
ンデンサ素子を固定する工程と、 前記ケースの開口部を樹脂および／または弾性体にて封
口する工程と、 前記ケース内のコンデンサ素子に、該コンデンサ素子内
の有機半導体を再度融解させるのと同程度の熱ストレス
をかける工程とを備えることを特徴とする固体電解コン
デンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13281491A JP2951039B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13281491A JP2951039B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357815A JPH04357815A (ja) | 1992-12-10 |
| JP2951039B2 true JP2951039B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=15090200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13281491A Expired - Fee Related JP2951039B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2951039B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5766271A (en) * | 1994-11-24 | 1998-06-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Process for producing solid electrolyte capacitor |
| JPH09148203A (ja) * | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| JP4678094B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2011-04-27 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP13281491A patent/JP2951039B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04357815A (ja) | 1992-12-10 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |