JPH03106010A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、電解質としてTCNQ塩(ここでTCNQ塩
とは7・7・8・8テトラシアノキノジメタンを意味す
る)よi)なる有機半導体を用いた固体電解コンデンサ
の製造方法に関する。
とは7・7・8・8テトラシアノキノジメタンを意味す
る)よi)なる有機半導体を用いた固体電解コンデンサ
の製造方法に関する。
(口)従来の技術
従来、固体電解コンデンサの固体電解質として有機半導
体、特にT C N Q tiを用いることが提案され
ている(例えば特公昭62−52939号公報(HOI
G9/02)参照)。このような従来技術においては、
第2図に示す如く、TCNQ塩からなる有機半導体の粉
末(6)を適量熱伝導性のケース(アルミニウムケース
等)(5)に適度に加圧して収納し、これを250〜3
00℃の温度で融解液化し、あらかじめ予熱しておいた
コンデンサ素子(1)を浸漬する。更にコンデンサ素子
をケースと共に急冷却後、ケース開口部に熱硬化性樹脂
(例えばエポキシ樹脂)(7)を充填し、85〜1.
0 5℃の温度で長時間放置して硬化させていた。尚、
ここでコンデンサ素子(1)とはアルミニウム、タンタ
ル、ニオブ等の弁作用を有する金属の化戊箔を陽極とし
、通常これら金属の化戊処理を施していない箔を陰極と
し,そしてこれら陰極箔と陽極箔の間にスペーサ紙を挟
んで巻回したものである。また、(2)(3)はそれぞ
れ陽極および陰極リード線、(4)はリードボスである
。
体、特にT C N Q tiを用いることが提案され
ている(例えば特公昭62−52939号公報(HOI
G9/02)参照)。このような従来技術においては、
第2図に示す如く、TCNQ塩からなる有機半導体の粉
末(6)を適量熱伝導性のケース(アルミニウムケース
等)(5)に適度に加圧して収納し、これを250〜3
00℃の温度で融解液化し、あらかじめ予熱しておいた
コンデンサ素子(1)を浸漬する。更にコンデンサ素子
をケースと共に急冷却後、ケース開口部に熱硬化性樹脂
(例えばエポキシ樹脂)(7)を充填し、85〜1.
0 5℃の温度で長時間放置して硬化させていた。尚、
ここでコンデンサ素子(1)とはアルミニウム、タンタ
ル、ニオブ等の弁作用を有する金属の化戊箔を陽極とし
、通常これら金属の化戊処理を施していない箔を陰極と
し,そしてこれら陰極箔と陽極箔の間にスペーサ紙を挟
んで巻回したものである。また、(2)(3)はそれぞ
れ陽極および陰極リード線、(4)はリードボスである
。
このような従来の固体電解コンデンサにおいては、固体
電解質としての有機半導体(6)がその上に被覆された
熱硬化性樹脂(7)と反応してその特性が劣化する。そ
の結果、有機半導体の等価直列抵抗(ESR)が大きく
なり、初期特性の悪化を招くという問題がある。
電解質としての有機半導体(6)がその上に被覆された
熱硬化性樹脂(7)と反応してその特性が劣化する。そ
の結果、有機半導体の等価直列抵抗(ESR)が大きく
なり、初期特性の悪化を招くという問題がある。
(ハ)発明が解決しようとする課題
本発明は上述の如き問題、即ち固体電解質としての有機
半導体がエポキシ系財脂と有機半導体との反応により劣
化し、ESRが増大するという問題を解決するものであ
る。
半導体がエポキシ系財脂と有機半導体との反応により劣
化し、ESRが増大するという問題を解決するものであ
る。
〈二)課題を解決するための手段
本発明はコンデンサ素子にTCNQ塩を含浸後、冷却固
化し、該コンデンサ素子を低分子量ポノマ一で被覆する
ものである。また、斯る低分子量ポリマーによる被覆後
、耐湿性に優れたエポキシ系樹脂で被覆するものである
。更にまた、コンデンサ素子を全面樹脂封口したいわゆ
る財脂ディノプタイプにするのではなく、ケースに収納
するタイプにする場合、コンデンサ素子を被覆する低分
子量ポリマーでケースの開口部を封止する。更に必要に
応じて斯るケース開口部を耐湿性に優れたエポキシ系樹
脂で被覆するものである。
化し、該コンデンサ素子を低分子量ポノマ一で被覆する
ものである。また、斯る低分子量ポリマーによる被覆後
、耐湿性に優れたエポキシ系樹脂で被覆するものである
。更にまた、コンデンサ素子を全面樹脂封口したいわゆ
る財脂ディノプタイプにするのではなく、ケースに収納
するタイプにする場合、コンデンサ素子を被覆する低分
子量ポリマーでケースの開口部を封止する。更に必要に
応じて斯るケース開口部を耐湿性に優れたエポキシ系樹
脂で被覆するものである。
(ホ)作 用
低分子量ポリマーはTCNQ塩と全く反応しないので、
TCNQ塩が劣化することがない。また、更に斯る低分
子量ポリマーは粉末状にできるので、作業性も良く、ま
たいつでも溶融して使用できるため可使用時間(ポット
ライフ)の心配もない。斯る低分子量ポリマーをエポキ
シ系樹脂で被覆すればコンデンサ素子への水分の浸入が
防止される。更にまた、エポキシ系樹脂とTCNQ塩と
の間にT C N Q塩と反応しない低分子量ポリマー
の財脂層が形戊されているので、エポキシ系樹脂とTC
NQ塩との反応によりTCNQ塩が劣化することがない
。
TCNQ塩が劣化することがない。また、更に斯る低分
子量ポリマーは粉末状にできるので、作業性も良く、ま
たいつでも溶融して使用できるため可使用時間(ポット
ライフ)の心配もない。斯る低分子量ポリマーをエポキ
シ系樹脂で被覆すればコンデンサ素子への水分の浸入が
防止される。更にまた、エポキシ系樹脂とTCNQ塩と
の間にT C N Q塩と反応しない低分子量ポリマー
の財脂層が形戊されているので、エポキシ系樹脂とTC
NQ塩との反応によりTCNQ塩が劣化することがない
。
(へ)実施例
本発明の実施例として、陽極用アルミニウム箔と陰極用
アルミニウム箔とを厚さ50μのマニラ紙をセパレータ
紙として巻き取ったコンデンサ素子に、固体電解質とし
てN−n−プチルーイソキノリウム(TCNQ)2のT
CNQ塩を用いた場合の製造過程を説明する。
アルミニウム箔とを厚さ50μのマニラ紙をセパレータ
紙として巻き取ったコンデンサ素子に、固体電解質とし
てN−n−プチルーイソキノリウム(TCNQ)2のT
CNQ塩を用いた場合の製造過程を説明する。
まず、上記持取リコンデンサ素子の陽極箔の切り口を化
或液を用いて陽極化戊電圧とほぼ同じ電圧を印加し、化
處する。次に第1図に示す如く有底円筒状のアルミニウ
ムケース(・↓)内に上記TCNQ塩の粉末(6)を適
量入れ、TCNQ塩の融点以上、好ましくは280℃〜
300℃に保持された鉄板上に上記ケースを加熱保持す
る。尚。斯るケース(5)は最終的にはコンデンサの外
囲器となるものである。上記TCNQ塩(6)の融点は
210〜230℃であり、従って上記加熱によりケース
内のTCNQ塩は融解液化する。続く工程ではケース内
の液化TCNQ塩中にあらがじめ準備されているコンデ
ンサ素子(1)を浸漬し、素子内にTCNQ塩(6)を
含浸させる。
或液を用いて陽極化戊電圧とほぼ同じ電圧を印加し、化
處する。次に第1図に示す如く有底円筒状のアルミニウ
ムケース(・↓)内に上記TCNQ塩の粉末(6)を適
量入れ、TCNQ塩の融点以上、好ましくは280℃〜
300℃に保持された鉄板上に上記ケースを加熱保持す
る。尚。斯るケース(5)は最終的にはコンデンサの外
囲器となるものである。上記TCNQ塩(6)の融点は
210〜230℃であり、従って上記加熱によりケース
内のTCNQ塩は融解液化する。続く工程ではケース内
の液化TCNQ塩中にあらがじめ準備されているコンデ
ンサ素子(1)を浸漬し、素子内にTCNQ塩(6)を
含浸させる。
次に工程では直ちにこの状態でケースごと急冷し、TC
NQ塩を固化させる。斯る工程によりコンデンサ素子(
1)に液状のTCNQ塩(6)が含浸され、その後の急
冷却によりTCNQ塩は再結晶化して2〜5Ωcm(2
5℃)の高い電導度を示す固体電解質を形或する。
NQ塩を固化させる。斯る工程によりコンデンサ素子(
1)に液状のTCNQ塩(6)が含浸され、その後の急
冷却によりTCNQ塩は再結晶化して2〜5Ωcm(2
5℃)の高い電導度を示す固体電解質を形或する。
続く工程では前記TCNQ塩含浸済みの素子(1〉上に
低分子量ポリマーとじて低分子量ポリプロピレン(市販
商品名:ビスコール等)の粉末(8)をケース開口部上
端まで充てんした後、190℃中に1分間放置し、低分
子量ポリプロピレン(8)を液化させた後、冷却する。
低分子量ポリマーとじて低分子量ポリプロピレン(市販
商品名:ビスコール等)の粉末(8)をケース開口部上
端まで充てんした後、190℃中に1分間放置し、低分
子量ポリプロピレン(8)を液化させた後、冷却する。
そして冷却固化後、最後に熱硬化性樹脂(7)にて上記
ケース(5)の開口部を封口する。
ケース(5)の開口部を封口する。
次に125℃にて1時間ほぼコンデンサの定格電圧と同
じ電圧を印加して目的とする固体電解コンデンサか完戊
する。本発明の実施例と従来例との特性比較データを次
に記戟する。
じ電圧を印加して目的とする固体電解コンデンサか完戊
する。本発明の実施例と従来例との特性比較データを次
に記戟する。
なお、実施例1〜3は低分子量ポリマーとして低分子量
ポリオレフィンを使用し、それを素子上に充てん後、加
熱融解し、冷却固化し、更にその上にエポキシ財脂を被
覆して封口したものである。また従米例l〜3はエポキ
シ樹脂にて封口したものである。
ポリオレフィンを使用し、それを素子上に充てん後、加
熱融解し、冷却固化し、更にその上にエポキシ財脂を被
覆して封口したものである。また従米例l〜3はエポキ
シ樹脂にて封口したものである。
第 1 表
なお、上記表はサンプル各20個の平均値を示す。また
測定温度は20℃である。
測定温度は20℃である。
第1表の実施例からわかる如く、有機半導体(TCNQ
塩)を屯解質として用いた固体電解コンデンサにおいて
、ESRの増大の防止に役立っていることがわかる。
塩)を屯解質として用いた固体電解コンデンサにおいて
、ESRの増大の防止に役立っていることがわかる。
尚、この他のN−n−プロビルキノリン、X−エチルイ
ソキノリン、X−イソプロビルキノリン、N−n−へキ
シルキノリン等のT C N Q +=についても同様
の効果が得られる。
ソキノリン、X−イソプロビルキノリン、N−n−へキ
シルキノリン等のT C N Q +=についても同様
の効果が得られる。
(ト)発明の効果
本発明の固体電解コンデンサの製造方法によれば、低分
子量ポリマーはTCNQ塩と全く反応しないので、TC
NQ塩を含浸したコンデンサ素子の被覆や封口に使用す
ると、TCNQ塩の特性が劣化することがなく、更に、
低分子量ポリマーで被覆後、エポキシ系樹脂で被覆した
り、封目する際には水分の浸入を更に確実に遮断できる
ので、極めて特性がよくなる。
子量ポリマーはTCNQ塩と全く反応しないので、TC
NQ塩を含浸したコンデンサ素子の被覆や封口に使用す
ると、TCNQ塩の特性が劣化することがなく、更に、
低分子量ポリマーで被覆後、エポキシ系樹脂で被覆した
り、封目する際には水分の浸入を更に確実に遮断できる
ので、極めて特性がよくなる。
第1図は本発明の固体電解コンデンサの製造方法を用い
たコンデンサの実施例を示す断面図、第2図は従来例の
断面図である。 (1)・・・コンデンサ素子、(2)(3)・・・陽極
および陰極リード線、(5)・・・金属ケース、(6)
・・・有機半導体{TCNQ塩).(7)・・・エポキ
シ系樹脂、(8)・・・低分子量ポリマー 第1図 第2図
たコンデンサの実施例を示す断面図、第2図は従来例の
断面図である。 (1)・・・コンデンサ素子、(2)(3)・・・陽極
および陰極リード線、(5)・・・金属ケース、(6)
・・・有機半導体{TCNQ塩).(7)・・・エポキ
シ系樹脂、(8)・・・低分子量ポリマー 第1図 第2図
Claims (2)
- (1)アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用を有
する金属の化成箔よりなる陽極箔と該金属の薄箔よりな
る陰極箔との間にセパレータ紙を介して巻回したコンデ
ンサ素子に、加熱融解可能で且つ冷却固化後コンデンサ
用電解質として使用し得る電導度を有するTCNQ塩を
加熱して含浸させ、冷却固化後、前記コンデンサ素子の
少なくとも一部を低分子量ポリマーで被覆或は封口する
ことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - (2)前記コンデンサ素子の少なくとも一部を低分子量
ポリマーで被覆した後、更にエポキシ系樹脂にて被覆或
は封口することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24429789A JP2902679B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24429789A JP2902679B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03106010A true JPH03106010A (ja) | 1991-05-02 |
JP2902679B2 JP2902679B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=17116646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24429789A Expired - Fee Related JP2902679B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2902679B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5707407A (en) * | 1994-12-12 | 1998-01-13 | Nec Corporation | Method of forming chip-formed solid electrolytic capacitor without an anode lead projecting from anode member |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP24429789A patent/JP2902679B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5707407A (en) * | 1994-12-12 | 1998-01-13 | Nec Corporation | Method of forming chip-formed solid electrolytic capacitor without an anode lead projecting from anode member |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2902679B2 (ja) | 1999-06-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |