JPH04357815A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH04357815A JPH04357815A JP13281491A JP13281491A JPH04357815A JP H04357815 A JPH04357815 A JP H04357815A JP 13281491 A JP13281491 A JP 13281491A JP 13281491 A JP13281491 A JP 13281491A JP H04357815 A JPH04357815 A JP H04357815A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電解質としてＴＣＮＱ（
７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）塩を使用
する有機半導体固体電解コンデンサに関するものである
。
７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）塩を使用
する有機半導体固体電解コンデンサに関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体電解コンデンサにおいて固体
電解質として有機半導体、特にＴＣＮＱ塩を用いること
が提案されており、例えば、特公昭６２−５２９３９号
公報（Ｈ０１Ｇ ９／０２）がある。
電解質として有機半導体、特にＴＣＮＱ塩を用いること
が提案されており、例えば、特公昭６２−５２９３９号
公報（Ｈ０１Ｇ ９／０２）がある。
【０００３】まず、陽極酸化或は陽極化成により表面に
酸化皮膜を設けたアルミニウム、タンタル、ニオブ等の
弁作用を有する金属箔と陰極箔とをセパレータ紙を介し
て巻回し、コンデンサ素子を形成する。
酸化皮膜を設けたアルミニウム、タンタル、ニオブ等の
弁作用を有する金属箔と陰極箔とをセパレータ紙を介し
て巻回し、コンデンサ素子を形成する。
【０００４】次に、ＴＣＮＱ塩の適量粉末を適度の加圧
下でアルミケースに詰め、これを２５０〜３００℃にて
融解液化し、そこに予熱したコンデンサ素子を素早く挿
入する。そしてアルミケースごと前記コンデンサ素子を
冷却液化し、ケース内にコンデンサ素子を固定する。そ
して樹脂又はゴム（弾性体）にて封口し、電圧処理（エ
ージング）等の工程を経て完成させている。
下でアルミケースに詰め、これを２５０〜３００℃にて
融解液化し、そこに予熱したコンデンサ素子を素早く挿
入する。そしてアルミケースごと前記コンデンサ素子を
冷却液化し、ケース内にコンデンサ素子を固定する。そ
して樹脂又はゴム（弾性体）にて封口し、電圧処理（エ
ージング）等の工程を経て完成させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の製
造方法において、特に樹脂にて封口する場合、ＴＣＮＱ
塩は封口材である樹脂との接触部分において化学反応に
より変質し、本来の半導体としての性質を有しなくなる
ため、そのＴＣＮＱ塩の変質部分においては電圧処理（
エージング）による酸化皮膜の修復能力が低下する。 そのため、この固体電解コンデンサに高電圧を印加する
場合、酸化皮膜の修復の不十分な部分が破壊されてしま
い、漏れ電流が増大することになる。
造方法において、特に樹脂にて封口する場合、ＴＣＮＱ
塩は封口材である樹脂との接触部分において化学反応に
より変質し、本来の半導体としての性質を有しなくなる
ため、そのＴＣＮＱ塩の変質部分においては電圧処理（
エージング）による酸化皮膜の修復能力が低下する。 そのため、この固体電解コンデンサに高電圧を印加する
場合、酸化皮膜の修復の不十分な部分が破壊されてしま
い、漏れ電流が増大することになる。
【０００６】更に、ＴＣＮＱ塩含浸後にアルミケースの
開口端部をカールさせて封口する工程は封口材に樹脂ま
たは弾性体を使用していようとも、必要不可欠である。 しかしながら、このケースカールにより、コンデンサ素
子内に機械的ストレスがかかり、ＴＣＮＱ塩の酸化皮膜
への密着性の弱い部分が発生するため、電圧処理を行っ
ても酸化皮膜の修復が不十分になる。従って、上述と同
様、高電圧印加時はこの酸化皮膜の修復の不十分な部分
が破壊され、漏れ電流が増大することになる。
開口端部をカールさせて封口する工程は封口材に樹脂ま
たは弾性体を使用していようとも、必要不可欠である。 しかしながら、このケースカールにより、コンデンサ素
子内に機械的ストレスがかかり、ＴＣＮＱ塩の酸化皮膜
への密着性の弱い部分が発生するため、電圧処理を行っ
ても酸化皮膜の修復が不十分になる。従って、上述と同
様、高電圧印加時はこの酸化皮膜の修復の不十分な部分
が破壊され、漏れ電流が増大することになる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の点に鑑み
成されたものであり、陽極箔と陰極箔とをセパレータを
介して巻回してなるコンデンサ素子に融解液化した有機
半導体を含浸させ、冷却固化する工程と、前記コンデン
サ素子をケース内に挿入し、該ケースの開口部を樹脂お
よび／または弾性体にて封口して固体電解コンデンサを
形成する工程と、該固体電解コンデンサ内の有機半導体
を再度融解する工程からなる固体電解コンデンサの製造
方法である。
成されたものであり、陽極箔と陰極箔とをセパレータを
介して巻回してなるコンデンサ素子に融解液化した有機
半導体を含浸させ、冷却固化する工程と、前記コンデン
サ素子をケース内に挿入し、該ケースの開口部を樹脂お
よび／または弾性体にて封口して固体電解コンデンサを
形成する工程と、該固体電解コンデンサ内の有機半導体
を再度融解する工程からなる固体電解コンデンサの製造
方法である。
【０００８】
【作用】アルミケースの封口後、ＴＣＮＱ塩を再融解し
て再結晶化させるか、それと同程度の熱ストレスをかけ
ることにより、樹脂封口時に生じるＴＣＮＱ塩の変質物
は解消し、本来の半導体としての機能を取り戻す。
て再結晶化させるか、それと同程度の熱ストレスをかけ
ることにより、樹脂封口時に生じるＴＣＮＱ塩の変質物
は解消し、本来の半導体としての機能を取り戻す。
【０００９】また、封口時のケースカール時に生じる機
械的ストレスにより、ＴＣＮＱ塩の酸化皮膜への密着性
の弱い部分はＴＣＮＱ塩の再度の融解結晶化またはそれ
と同程度の熱ストレスにより密着が完全なものとなる。
械的ストレスにより、ＴＣＮＱ塩の酸化皮膜への密着性
の弱い部分はＴＣＮＱ塩の再度の融解結晶化またはそれ
と同程度の熱ストレスにより密着が完全なものとなる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を説明する。
【００１１】まず、エッチング処理、化成処理済みのア
ルミニウム箔を陽極箔とし、該陽極箔に対抗する陰極箔
との間にセパレータを挟んで円筒状に巻取り、コンデン
サ素子を形成する。そして、ＴＣＮＱ塩（例えばＮ−ｎ
−ブチルイソキノリニウム・ＴＣＮＱ２またはＮ，Ｎ−
ペンタメチレン・ルチジニウム２・ＴＣＮＱ４とＮ−フ
ェネチル・ルチジニウム・ＴＣＮＱ２の等量混合物）の
粉末をケースに収納し、融点以上の温度（例えば２９０
〜３００℃）で上述のコンデンサ素子にＴＣＮＱ塩を含
浸させる。更に含浸後、ケースを冷却して該コンデンサ
素子に含浸したＴＣＮＱ塩を冷却固化してケース内にコ
ンデンサ素子を固定する。そして、ケース開口部を樹脂
またはゴムにて封口し、ケースカールを施す。封口後、
該コンデンサを３００℃の温度で１５秒程度放置した後
冷却することにより、ＴＣＮＱ塩を再度融解し結晶化さ
せる。また、それと同程度の熱ストレスをかけてもよい
。
ルミニウム箔を陽極箔とし、該陽極箔に対抗する陰極箔
との間にセパレータを挟んで円筒状に巻取り、コンデン
サ素子を形成する。そして、ＴＣＮＱ塩（例えばＮ−ｎ
−ブチルイソキノリニウム・ＴＣＮＱ２またはＮ，Ｎ−
ペンタメチレン・ルチジニウム２・ＴＣＮＱ４とＮ−フ
ェネチル・ルチジニウム・ＴＣＮＱ２の等量混合物）の
粉末をケースに収納し、融点以上の温度（例えば２９０
〜３００℃）で上述のコンデンサ素子にＴＣＮＱ塩を含
浸させる。更に含浸後、ケースを冷却して該コンデンサ
素子に含浸したＴＣＮＱ塩を冷却固化してケース内にコ
ンデンサ素子を固定する。そして、ケース開口部を樹脂
またはゴムにて封口し、ケースカールを施す。封口後、
該コンデンサを３００℃の温度で１５秒程度放置した後
冷却することにより、ＴＣＮＱ塩を再度融解し結晶化さ
せる。また、それと同程度の熱ストレスをかけてもよい
。
【００１２】最後に１２５℃にて１時間程度、コンデン
サの定格電圧を印加（エージング）して、目的とする固
体電解コンデンサを完成する。
サの定格電圧を印加（エージング）して、目的とする固
体電解コンデンサを完成する。
【００１３】表１は本発明によるコンデンサと従来例と
の漏れ電流値及び等価直列抵抗値である。
の漏れ電流値及び等価直列抵抗値である。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１において、（Ａ）（Ｃ）（Ｅ）（Ｇ）
は本発明による固体電解コンデンサであり、（Ｂ）（Ｄ
）（Ｆ）（Ｈ）は従来の固体電解コンデンサである。（
Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は定格３５Ｖ，容量０．６８μ
Ｆのコンデンサであり、漏れ電流特性は０．５［μＡ／
１０ｓｅｃ．］以下のものを良品としており、（Ｅ）（
Ｆ）（Ｇ）（Ｈ）は定格２５Ｖ，容量１μＦのコンデン
サであり、漏れ電流特性は０．５［μＡ／１０ｓｅｃ．
］以下のものを良品としている。
は本発明による固体電解コンデンサであり、（Ｂ）（Ｄ
）（Ｆ）（Ｈ）は従来の固体電解コンデンサである。（
Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は定格３５Ｖ，容量０．６８μ
Ｆのコンデンサであり、漏れ電流特性は０．５［μＡ／
１０ｓｅｃ．］以下のものを良品としており、（Ｅ）（
Ｆ）（Ｇ）（Ｈ）は定格２５Ｖ，容量１μＦのコンデン
サであり、漏れ電流特性は０．５［μＡ／１０ｓｅｃ．
］以下のものを良品としている。
【００１６】
【発明の効果】本発明は上述の如く、完成した固体電解
コンデンサを再度熱ストレスをかけるか、または融解再
結晶化するという工程により、樹脂封口時に生じるＴＣ
ＮＱ塩の変質物は解消して本来の半導体としての機能を
取り戻す。
コンデンサを再度熱ストレスをかけるか、または融解再
結晶化するという工程により、樹脂封口時に生じるＴＣ
ＮＱ塩の変質物は解消して本来の半導体としての機能を
取り戻す。
【００１７】更にケースカール時の機械的ストレスによ
り生じるＴＣＮＱ塩の酸化皮膜への密着性の弱い部分も
ＴＣＮＱ塩の再度の融解結晶化により密着が完全なもの
となる。
り生じるＴＣＮＱ塩の酸化皮膜への密着性の弱い部分も
ＴＣＮＱ塩の再度の融解結晶化により密着が完全なもの
となる。
【００１８】従って、酸化皮膜の修復能力が向上し、漏
れ電流特性が改善されるため、歩留りが向上する。
れ電流特性が改善されるため、歩留りが向上する。
Claims (1)
- 【請求項１】 陽極箔と陰極箔とをセパレータを介し
て巻回してなるコンデンサ素子に融解液化した有機半導
体を含浸させ、冷却固化する工程と、前記コンデンサ素
子をケース内に挿入し、該ケースの開口部を樹脂および
／または弾性体にて封口して固体電解コンデンサを形成
する工程と、該固体電解コンデンサ内の有機半導体を再
度融解する工程からなる固体電解コンデンサの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13281491A JP2951039B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13281491A JP2951039B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357815A true JPH04357815A (ja) | 1992-12-10 |
| JP2951039B2 JP2951039B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=15090200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13281491A Expired - Fee Related JP2951039B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2951039B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0714109A1 (en) * | 1994-11-24 | 1996-05-29 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Solid electrolyte capacitor and process for producing same |
| JPH09148203A (ja) * | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| JP2002299171A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP13281491A patent/JP2951039B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0714109A1 (en) * | 1994-11-24 | 1996-05-29 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Solid electrolyte capacitor and process for producing same |
| US5766271A (en) * | 1994-11-24 | 1998-06-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Process for producing solid electrolyte capacitor |
| JPH09148203A (ja) * | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| JP2002299171A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4678094B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2011-04-27 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2951039B2 (ja) | 1999-09-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |