JP3055199B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導電性高分子膜を固体電
解質として用い、低漏れ電流特性を有し生産性が優れた
固体電解コンデンサの製造方法に関するものである。
解質として用い、低漏れ電流特性を有し生産性が優れた
固体電解コンデンサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、電気機器のディジタル化にともな
って、そこに使用されるコンデンサも高周波領域におい
てインピーダンスが低く、小型大容量化への要求が高ま
っている。従来、高周波用のコンデンサとしてはプラス
チックフィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セ
ラミックコンデンサなどが用いられている。
って、そこに使用されるコンデンサも高周波領域におい
てインピーダンスが低く、小型大容量化への要求が高ま
っている。従来、高周波用のコンデンサとしてはプラス
チックフィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セ
ラミックコンデンサなどが用いられている。
【０００３】またその他にアルミニウム乾式電解コンデ
ンサやアルミニウムまたはタンタル固体電解コンデンサ
などがある。アルミニウム乾式固体電解コンデンサで
は、エッチングを施した陽、陰極アルミニウム箔を紙の
セパレータを介して巻取り、液状の電解質を用いてい
る。
ンサやアルミニウムまたはタンタル固体電解コンデンサ
などがある。アルミニウム乾式固体電解コンデンサで
は、エッチングを施した陽、陰極アルミニウム箔を紙の
セパレータを介して巻取り、液状の電解質を用いてい
る。
【０００４】アルミニウムやタンタル固体電解コンデン
サでは前記アルミニウム電解コンデンサの特性改良のた
め電解質の固体化がなされている。この固体電解質形成
には硝酸マンガン液に陽極箔を浸漬し、３５０°Ｃ前後
の高温炉中にて熱分解し、二酸化マンガン層を作る。こ
のコンデンサの場合、電解質が固体のために高温におけ
る電解液の揮散、低温域での凝固から生ずる機能低下な
どの欠点がなく、液状電解質と比べて良好な周波数特
性、温度特性を示す。アルミ電解コンデンサはタンタル
電解コンデンサと同様誘電体となる酸化皮膜を非常に薄
くできるために大容量を実現できる。
サでは前記アルミニウム電解コンデンサの特性改良のた
め電解質の固体化がなされている。この固体電解質形成
には硝酸マンガン液に陽極箔を浸漬し、３５０°Ｃ前後
の高温炉中にて熱分解し、二酸化マンガン層を作る。こ
のコンデンサの場合、電解質が固体のために高温におけ
る電解液の揮散、低温域での凝固から生ずる機能低下な
どの欠点がなく、液状電解質と比べて良好な周波数特
性、温度特性を示す。アルミ電解コンデンサはタンタル
電解コンデンサと同様誘電体となる酸化皮膜を非常に薄
くできるために大容量を実現できる。
【０００５】更に、近年では７，７，８，８−テトラシ
アノキノジメタン（ＴＣＮＱ）塩等の有機半導体を固体
電解質として用いた固体電解コンデンサが開発されてい
る（特開昭５８−１７６０９号公報）。またピロール、
フランなどの重合性モノマーを電解重合させて導電性高
分子とし、これを固体電解質とする方法もある（特開昭
６０−２４４０１７号公報）。
アノキノジメタン（ＴＣＮＱ）塩等の有機半導体を固体
電解質として用いた固体電解コンデンサが開発されてい
る（特開昭５８−１７６０９号公報）。またピロール、
フランなどの重合性モノマーを電解重合させて導電性高
分子とし、これを固体電解質とする方法もある（特開昭
６０−２４４０１７号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように種々のコン
デンサが使用されているが、フィルムコンデンサおよび
マイカコンデンサでは形状が大きくなってしまうために
大容量化が難しく、また積層セラミックコンデンサは小
型大容量の要望から生まれたものであるが価格が非常に
高くなるということと、温度特性が悪いことなどの欠点
を有している。また、アルミ電解コンデンサは酸化皮膜
の損傷が起き易いために酸化皮膜と陰極の間に電解質を
施し随時損傷を修復する必要がある。このため電解質に
液状のものを使用しているものは、電解質の液漏れやイ
オン伝導性などの理由から経時的に静電容量の減少や損
失の増大をもたらす事と高周波特性、低温領域での損失
が大きいなどの欠点を有している。
デンサが使用されているが、フィルムコンデンサおよび
マイカコンデンサでは形状が大きくなってしまうために
大容量化が難しく、また積層セラミックコンデンサは小
型大容量の要望から生まれたものであるが価格が非常に
高くなるということと、温度特性が悪いことなどの欠点
を有している。また、アルミ電解コンデンサは酸化皮膜
の損傷が起き易いために酸化皮膜と陰極の間に電解質を
施し随時損傷を修復する必要がある。このため電解質に
液状のものを使用しているものは、電解質の液漏れやイ
オン伝導性などの理由から経時的に静電容量の減少や損
失の増大をもたらす事と高周波特性、低温領域での損失
が大きいなどの欠点を有している。
【０００７】次に固体電解質のものについて述べると、
高温で数回熱分解することによる酸化皮膜の損傷及び二
酸化マンガンの比抵抗が高いことなどの理由から高周波
域での損失は十分に小さいとは言えない。また、ＴＣＮ
Ｑ塩などの有機半導体を用いた固体電解コンデンサは、
二酸化マンガンを用いたものに比して優れた高周波特性
を示すが、有機半導体を塗布する際の比抵抗の上昇、陽
極箔への接着性が弱いことなどが原因で理想的な特性を
示すとは言えない。
高温で数回熱分解することによる酸化皮膜の損傷及び二
酸化マンガンの比抵抗が高いことなどの理由から高周波
域での損失は十分に小さいとは言えない。また、ＴＣＮ
Ｑ塩などの有機半導体を用いた固体電解コンデンサは、
二酸化マンガンを用いたものに比して優れた高周波特性
を示すが、有機半導体を塗布する際の比抵抗の上昇、陽
極箔への接着性が弱いことなどが原因で理想的な特性を
示すとは言えない。
【０００８】さらに導電性高分子薄膜を固体電解質とす
る場合、周波数特性，温度特性，寿命特性などが優れて
いる。ただしこの固体電解コンデンサは、固体電解質と
する導電性高分子薄膜を陽極弁金属上に形成させるため
に、重合開始導電部を誘電体皮膜を有する陽極弁金属箔
上に設け、この重合開始導電部を陽極として電解重合を
行い導電性高分子膜を積層し、その後重合開始部となっ
た導電部を少なくとも含む部分をせん断除去するため、
電解重合導電性高分子膜あるいはカーボンペイント膜あ
るいは銀ペイント膜などの導電層が、せん断時にズレあ
るいは断面の切り屑が誘電体皮膜を介して絶縁状態にあ
る陽極弁金属箔と直接接触しやすくなり、漏れ電流の大
きな固体電解コンデンサができやすいという課題を有し
ている。
る場合、周波数特性，温度特性，寿命特性などが優れて
いる。ただしこの固体電解コンデンサは、固体電解質と
する導電性高分子薄膜を陽極弁金属上に形成させるため
に、重合開始導電部を誘電体皮膜を有する陽極弁金属箔
上に設け、この重合開始導電部を陽極として電解重合を
行い導電性高分子膜を積層し、その後重合開始部となっ
た導電部を少なくとも含む部分をせん断除去するため、
電解重合導電性高分子膜あるいはカーボンペイント膜あ
るいは銀ペイント膜などの導電層が、せん断時にズレあ
るいは断面の切り屑が誘電体皮膜を介して絶縁状態にあ
る陽極弁金属箔と直接接触しやすくなり、漏れ電流の大
きな固体電解コンデンサができやすいという課題を有し
ている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による固体電解コ
ンデンサの製造方法は、陽極酸化により表面に誘電体皮
膜を形成した陽極弁金属箔の上にマンガン酸化物層を設
けた後、前記陽極弁金属箔の少なくとも１カ所で前記誘
電体皮膜を除去して金属部を露出させ、この金属部と接
触させて設けた導電部を重合開始部として電解重合を行
い、前記マンガン酸化物層上に電解重合導電性高分子膜
を積層し、その後前記重合開始部となった導電部を少な
くとも含む部分を非せん断方法で除去するものである。
前記重合開始部となった導電部を除去するのは、電解重
合導電性高分子膜積層後、あるいはカーボンペイント膜
積層後、あるいは銀ペイント膜積層後のいずれでも可能
である。
ンデンサの製造方法は、陽極酸化により表面に誘電体皮
膜を形成した陽極弁金属箔の上にマンガン酸化物層を設
けた後、前記陽極弁金属箔の少なくとも１カ所で前記誘
電体皮膜を除去して金属部を露出させ、この金属部と接
触させて設けた導電部を重合開始部として電解重合を行
い、前記マンガン酸化物層上に電解重合導電性高分子膜
を積層し、その後前記重合開始部となった導電部を少な
くとも含む部分を非せん断方法で除去するものである。
前記重合開始部となった導電部を除去するのは、電解重
合導電性高分子膜積層後、あるいはカーボンペイント膜
積層後、あるいは銀ペイント膜積層後のいずれでも可能
である。
【００１０】
【作用】本発明は上記構成のように、誘電体皮膜を形成
した陽極弁金属箔の上にマンガン酸化物層を設けた後、
前記陽極弁金属箔に少なくとも１カ所で前記誘電体皮膜
を除去し、露出させた金属部と接触させて設けた導電部
を重合開始部として電解重合を行い、前記マンガン酸化
物層上に電解重合導電性高分子膜を積層させ、その後前
記重合開始部となった導電部を少なくとも含む部分を非
せん断除去方法で除去するので、電解重合導電性高分子
膜あるいはカーボンペイント膜あるいは銀ペイント膜な
どの導電層が、誘電体皮膜を介して絶縁状態にある陽極
弁金属箔と直接接触することがなく、漏れ電流の小さな
固体電解コンデンサを得ることができる。
した陽極弁金属箔の上にマンガン酸化物層を設けた後、
前記陽極弁金属箔に少なくとも１カ所で前記誘電体皮膜
を除去し、露出させた金属部と接触させて設けた導電部
を重合開始部として電解重合を行い、前記マンガン酸化
物層上に電解重合導電性高分子膜を積層させ、その後前
記重合開始部となった導電部を少なくとも含む部分を非
せん断除去方法で除去するので、電解重合導電性高分子
膜あるいはカーボンペイント膜あるいは銀ペイント膜な
どの導電層が、誘電体皮膜を介して絶縁状態にある陽極
弁金属箔と直接接触することがなく、漏れ電流の小さな
固体電解コンデンサを得ることができる。
【００１１】
【実施例】（実施例１）以下本発明の第１の実施例につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
【００１２】図１、図２、図３、図４は本実施例におけ
る製造工程図である。弁作用金属箔２（アルミニウムエ
ッチド箔）を７％アジピン酸アンモニウム水溶液を用
い、約７０°Ｃ、４０分間、印加電圧４２Ｖの条件で陽
極酸化し誘電体皮膜３を形成し、つぎに、硝酸マンガン
水溶液を塗布し３００℃、２０分の条件で熱分解しマン
ガン酸化物膜４からなる導電層を形成し、ついで、重合
開始導電部１０（実施例ではニッケル箔片、直径１ｍ
ｍ、厚さ５０μｍ）を溶接によってマンガン酸化物膜４
の上に設置した。ピロール（０．２５Ｍ）、トリイソプ
ロピルナフタレンスルフォネート（０．１Ｍ）、水から
なる電解重合溶液に弁金属箔を浸し、ニッケル箔片を重
合開始部導電部１０として、２．５Ｖの定電圧を３０分
印加し、図１（ａ）一部破砕側面図、図１（ｂ）正面図
に示すようにマンガン酸化物４上に固体電解質用の導電
性高分子膜５（ポリピロール膜）を形成した。
る製造工程図である。弁作用金属箔２（アルミニウムエ
ッチド箔）を７％アジピン酸アンモニウム水溶液を用
い、約７０°Ｃ、４０分間、印加電圧４２Ｖの条件で陽
極酸化し誘電体皮膜３を形成し、つぎに、硝酸マンガン
水溶液を塗布し３００℃、２０分の条件で熱分解しマン
ガン酸化物膜４からなる導電層を形成し、ついで、重合
開始導電部１０（実施例ではニッケル箔片、直径１ｍ
ｍ、厚さ５０μｍ）を溶接によってマンガン酸化物膜４
の上に設置した。ピロール（０．２５Ｍ）、トリイソプ
ロピルナフタレンスルフォネート（０．１Ｍ）、水から
なる電解重合溶液に弁金属箔を浸し、ニッケル箔片を重
合開始部導電部１０として、２．５Ｖの定電圧を３０分
印加し、図１（ａ）一部破砕側面図、図１（ｂ）正面図
に示すようにマンガン酸化物４上に固体電解質用の導電
性高分子膜５（ポリピロール膜）を形成した。
【００１３】続いて図２（ａ）側面図、図２（ｂ）正面
図に示すように、重合開始導電部１０を少なくとも含む
部分に窒素ガスを３ｋｇｆ／ｃｍ2に加圧し直径１ｍｍ
のノズルを通し高速にして当て、その上下の弁作用金属
箔２、誘電体皮膜３、マンガン酸化物膜４、導電性高分
子膜５と共に折り曲げて除去した。
図に示すように、重合開始導電部１０を少なくとも含む
部分に窒素ガスを３ｋｇｆ／ｃｍ2に加圧し直径１ｍｍ
のノズルを通し高速にして当て、その上下の弁作用金属
箔２、誘電体皮膜３、マンガン酸化物膜４、導電性高分
子膜５と共に折り曲げて除去した。
【００１４】ついで図３一部破砕側面図、図３（ｂ）正
面図に示すように断面を除いてカーボンペイント膜６、
続いて銀ペイント膜７を形成し、最後に、図４に示すよ
うに陽極リード１と陰極リード８を設け、樹脂で外装し
て固体電解コンデンサを得た。
面図に示すように断面を除いてカーボンペイント膜６、
続いて銀ペイント膜７を形成し、最後に、図４に示すよ
うに陽極リード１と陰極リード８を設け、樹脂で外装し
て固体電解コンデンサを得た。
【００１５】本実施例による重合開始部となった導電部
を少なくとも含む部分を折り曲げて除去する固体電解コ
ンデンサの特性と、比較例として、せん断で除去した固
体電解コンデンサの初期特性を（表１）に示している。
これら（表１）から明らかなように、本実施例による固
体電解コンデンサは、ショート不良率が低く漏れ電流が
小さいという点で優れた効果が得られる。
を少なくとも含む部分を折り曲げて除去する固体電解コ
ンデンサの特性と、比較例として、せん断で除去した固
体電解コンデンサの初期特性を（表１）に示している。
これら（表１）から明らかなように、本実施例による固
体電解コンデンサは、ショート不良率が低く漏れ電流が
小さいという点で優れた効果が得られる。
【００１６】
【表１】
【００１７】以上のように本実施例によれば、重合開始
導電部を陽極箔に設けて導電性高分子膜を陽極箔上に形
成させた後、前記重合開始導電部を少なくとも含む部分
を折り曲げて除去するので、ショート不良がなく低漏れ
電流を実現させることができる。なお本実施例では高速
化した窒素ガスを用いて重合開始部を除去したが、アル
ゴン、エアー等他のガスでも高速化すれば可能であり、
また水やアルコール等の液体でも高速化すれば可能であ
る。
導電部を陽極箔に設けて導電性高分子膜を陽極箔上に形
成させた後、前記重合開始導電部を少なくとも含む部分
を折り曲げて除去するので、ショート不良がなく低漏れ
電流を実現させることができる。なお本実施例では高速
化した窒素ガスを用いて重合開始部を除去したが、アル
ゴン、エアー等他のガスでも高速化すれば可能であり、
また水やアルコール等の液体でも高速化すれば可能であ
る。
【００１８】（実施例２）弁作用金属箔２（アルミニウ
ムエッチド箔）を７％アジピン酸アンモニウム水溶液を
用い、約７０℃、４０分間、印加電圧４２Ｖの条件で陽
極酸化し誘電体皮膜３を形成し、つぎに、硝酸マンガン
水溶液を塗布し３００℃、２０分の条件で熱分解しマン
ガン酸化物膜４からなる導電層を形成し、ついで、重合
開始導電部１０（実施例ではニッケル箔片、直径１ｍ
ｍ、厚さ５０μｍ）を溶接によってマンガン酸化物膜４
の上に設置した。ピロール（０．２５Ｍ）、トリイソプ
ロピルナフタレンスルフォネート（０．１Ｍ）、水から
なる電解重合溶液に弁金属箔を浸し、ニッケル箔片を重
合開始部導電部１０として、２．５Ｖの定電圧を３０分
印加し、マンガン酸化物４上に固体電解質用の導電性高
分子膜５（ポリピロール膜）を形成した。続いてカーボ
ンペイント膜６、続いて銀ペイント膜７を形成した後、
重合開始導電部１０を少なくとも含む部分に窒素ガスを
７ｋｇｆ／ｃｍ2に加圧し直径１ｍｍのノズルを通し高
速にして当て、その上下の弁作用金属箔２、誘電体皮膜
３、マンガン酸化物膜４、導電性高分子膜５、カーボン
ペイント膜６、銀ペイント膜７と共に折り曲げて除去し
た。次に陽極リード１と陰極リード８を設け、樹脂で外
装して固体電解コンデンサを得た。
ムエッチド箔）を７％アジピン酸アンモニウム水溶液を
用い、約７０℃、４０分間、印加電圧４２Ｖの条件で陽
極酸化し誘電体皮膜３を形成し、つぎに、硝酸マンガン
水溶液を塗布し３００℃、２０分の条件で熱分解しマン
ガン酸化物膜４からなる導電層を形成し、ついで、重合
開始導電部１０（実施例ではニッケル箔片、直径１ｍ
ｍ、厚さ５０μｍ）を溶接によってマンガン酸化物膜４
の上に設置した。ピロール（０．２５Ｍ）、トリイソプ
ロピルナフタレンスルフォネート（０．１Ｍ）、水から
なる電解重合溶液に弁金属箔を浸し、ニッケル箔片を重
合開始部導電部１０として、２．５Ｖの定電圧を３０分
印加し、マンガン酸化物４上に固体電解質用の導電性高
分子膜５（ポリピロール膜）を形成した。続いてカーボ
ンペイント膜６、続いて銀ペイント膜７を形成した後、
重合開始導電部１０を少なくとも含む部分に窒素ガスを
７ｋｇｆ／ｃｍ2に加圧し直径１ｍｍのノズルを通し高
速にして当て、その上下の弁作用金属箔２、誘電体皮膜
３、マンガン酸化物膜４、導電性高分子膜５、カーボン
ペイント膜６、銀ペイント膜７と共に折り曲げて除去し
た。次に陽極リード１と陰極リード８を設け、樹脂で外
装して固体電解コンデンサを得た。
【００１９】本実施例による固体電解コンデンサの初期
特性を（表１）に示す。これら（表１）から明らかなよ
うに本実施例による、銀ペイント膜形成後に重合開始導
電部を除去する固体電解コンデンサは、第１の実施例と
同様にショート不良率が低く、漏れ電流が小さいという
点で優れた効果が得られる。
特性を（表１）に示す。これら（表１）から明らかなよ
うに本実施例による、銀ペイント膜形成後に重合開始導
電部を除去する固体電解コンデンサは、第１の実施例と
同様にショート不良率が低く、漏れ電流が小さいという
点で優れた効果が得られる。
【００２０】なお、上記実施例では硝酸マンガンを用い
てマンガン酸化物を形成した場合についてのみ述べた
が、硝酸マンガンに限らず、マンガン酸化物を形成でき
るものであれば他の物でも使用可能である。また上記実
施例ではニッケル箔を陽極に溶接して接触させ重合開始
部に使用したと述べたが、ニッケルに限らず陽極酸化さ
れない導電物であれば他のものを用いることも可能であ
る。
てマンガン酸化物を形成した場合についてのみ述べた
が、硝酸マンガンに限らず、マンガン酸化物を形成でき
るものであれば他の物でも使用可能である。また上記実
施例ではニッケル箔を陽極に溶接して接触させ重合開始
部に使用したと述べたが、ニッケルに限らず陽極酸化さ
れない導電物であれば他のものを用いることも可能であ
る。
【００２１】また接触方法としては溶接に限らず、かし
め等他の方法を用いることも可能である。また上記実施
例では、高速ガス等を用いた折り曲げ除去法についての
み述べたが、引張って除去することも可能である。
め等他の方法を用いることも可能である。また上記実施
例では、高速ガス等を用いた折り曲げ除去法についての
み述べたが、引張って除去することも可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明は、誘電体皮膜の上
にマンガン酸化物層を形成せしめた後に、陽極金属箔に
陽極酸化されない導電部を接触させて重合開始部を設け
電解重合することで前記マンガン酸化物層上に電解重合
導電性高分子膜を積層し、その後前記重合開始部となっ
た導電部を少なくとも含む部分を非せん断方法で除去す
る固体電解コンデンサの製造方法であるので、電解重合
導電性高分子膜あるいはカーボンペイント膜あるいは銀
ペイント膜が誘電体皮膜を介して絶縁状態にある陽極弁
金属箔と直接接触することがなくなり、ショート不良が
なく漏れ電流の小さな固体電解コンデンサを効率よく作
製できるものである。
にマンガン酸化物層を形成せしめた後に、陽極金属箔に
陽極酸化されない導電部を接触させて重合開始部を設け
電解重合することで前記マンガン酸化物層上に電解重合
導電性高分子膜を積層し、その後前記重合開始部となっ
た導電部を少なくとも含む部分を非せん断方法で除去す
る固体電解コンデンサの製造方法であるので、電解重合
導電性高分子膜あるいはカーボンペイント膜あるいは銀
ペイント膜が誘電体皮膜を介して絶縁状態にある陽極弁
金属箔と直接接触することがなくなり、ショート不良が
なく漏れ電流の小さな固体電解コンデンサを効率よく作
製できるものである。
【図１】本発明の一実施例における固体電解コンデンサ
の製造方法で使用した、弁作用金属箔に、誘電体皮膜、
マンガン酸化物膜、重合開始導電部、導電性高分子膜を
形成した工程図
の製造方法で使用した、弁作用金属箔に、誘電体皮膜、
マンガン酸化物膜、重合開始導電部、導電性高分子膜を
形成した工程図
【図２】同実施例において重合開始導電部を除去した工
程図
程図
【図３】同実施例において導電性高分子膜上にカーボン
ペイント膜、銀ペイント膜形成した工程図
ペイント膜、銀ペイント膜形成した工程図
【図４】同実施例において作製した固体電解コンデンサ
の平面図
の平面図
１ 陽極リード ２ 弁作用金属箔 ３ 誘電体皮膜 ４ マンガン酸化物膜 ５ 電解重合導電性高分子膜 ６ カーボンペイント膜 ７ 銀ペイント膜 ８ 陰極リード １０ 重合開始導電部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 七井 識成 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番 １号 松下技研株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−302019（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−132815（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−310530（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−32620（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−310529（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 9/00 H01G 9/028
Claims (4)
- 【請求項１】陽極酸化により表面に誘電体皮膜を形成し
た陽極弁金属箔の上に、マンガン酸化物層を形成させた
後、前記陽極弁金属箔の少なくとも１カ所で前記誘電体
皮膜を除去し金属部を露出させ、前記露出させた金属部
と接触させて設けた導電部を重合開始部として電解重合
を行い、前記マンガン酸化物層上に電解重合導電性高分
子膜を積層させた後に前記重合開始部を少なくとも含む
部分を、非せん断方法で除去することを特徴とする固体
電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項２】非せん断除去方法が、折り曲げ切断、引張
り切断の少なくとも一種であることを特徴とする請求項
１記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項３】電解重合導電性高分子膜が、ピロール，チ
オフェンあるいはそれらの誘導体の少なくとも一種と支
持電解質とを含む溶液中で形成されることを特徴とする
請求項１または２記載の固体電解コンデンサの製造方
法。 - 【請求項４】陽極弁金属がアルミニウムもしくはタンタ
ルから選ばれる一種である請求項１から３のいずれかに
記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3072868A JP3055199B2 (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3072868A JP3055199B2 (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307917A JPH04307917A (ja) | 1992-10-30 |
| JP3055199B2 true JP3055199B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=13501735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3072868A Expired - Fee Related JP3055199B2 (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3055199B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6430032B2 (en) | 2000-07-06 | 2002-08-06 | Showa Denko K. K. | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
| US7388741B2 (en) | 2002-11-21 | 2008-06-17 | Show A Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
-
1991
- 1991-04-05 JP JP3072868A patent/JP3055199B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04307917A (ja) | 1992-10-30 |
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