KR100434216B1 - 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법 - Google Patents

고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100434216B1
KR100434216B1 KR10-2001-0086003A KR20010086003A KR100434216B1 KR 100434216 B1 KR100434216 B1 KR 100434216B1 KR 20010086003 A KR20010086003 A KR 20010086003A KR 100434216 B1 KR100434216 B1 KR 100434216B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
aluminum foil
capacitor
manganese dioxide
layer
organic semiconductor
Prior art date
Application number
KR10-2001-0086003A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030055881A (ko
Inventor
김재근
신미선
Original Assignee
파츠닉(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 파츠닉(주) filed Critical 파츠닉(주)
Priority to KR10-2001-0086003A priority Critical patent/KR100434216B1/ko
Publication of KR20030055881A publication Critical patent/KR20030055881A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100434216B1 publication Critical patent/KR100434216B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/0029—Processes of manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
    • H01G9/035—Liquid electrolytes, e.g. impregnating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/15—Solid electrolytic capacitors

Abstract

본 발명은 고체 전해질 콘덴서 제조시 표면에 이산화 망간층과 유기 반도체층이 형성되어 있는 알루미늄 호일을 이용하여 전해 콘덴서를 제조하여 내전압 특성 향상과 누설 전류 저감을 통해 고용량의 전해 콘덴서를 얻을 수 있도록 하는 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법에 관한 것으로서, 알루미늄 전해 콘덴서 제조 공정에 있어서, 표면에 산화 알루미늄(Al2O3) 유전체층이 형성되어 있는 알루미늄 호일을 이산화 망간(MnO2) 수용액에 함침시켜 유전체층 상부에 이산화망간(MnO2)층이 형성되도록 하고, 이산화망간(MnO2)층이 형성된 알루미늄 호일을 유기 반도체(TCNQ;유기 반도체;7,7,8,8,테트라시아노키노디) 수용액에 함침시킨 후 200~250℃ 의 온도를 인가하여 유기 반도체층이 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다.

Description

고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법{Making method of capacitor by using solid electrolyte}
본 발명은 고체 반도체 콘덴서 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 고체 전해질 콘덴서 제조시 표면에 이산화 망간층과 유기 반도체층이 형성되어 있는 알루미늄 호일을 이용하여 전해 콘덴서를 제조하여 내전압 특성 향상과 누설 전류 저감을 통해 고용량의 전해 콘덴서를 얻을 수 있도록 하는 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 종래의 기술에 의한 전해 콘덴서의 제조 방법을 설명하는 플로우 차트로서, 알루미늄 전해 콘덴서의 제조 공정은 순도 99.9%의 알루미늄 박막의 표면적을 증가시키기 위한 에칭 공정(ST1), 전해액중에서 에칭박을 양극으로서 전기 분해하여 알루미늄 호일의 표면에 산화 알루미늄(Al2O3) 층을 생성하는 화성 공정(ST2), 화성 공정을 수행한 알루미늄 호일을 소정의 규격으로 절단하는 절단 공정(ST3), 인출 단자를 알루미늄 호일과 접속하는 리드 부착 공정(ST4), 음극박과 전해지를 동심원으로 감는 권취 공정(ST5), 권취한 소자에 전해액을 넣는 함침 공정(ST6), 함침 공정(ST6)을 수행한 소자를 케이스에 삽입하고 밀봉하는 조립 공정(ST7), 조립된 콘덴서에 정격 전압을 인가하여 특성을 안정화시키는 재화성 공정(ST8)으로 구성됨을 알 수 있다.
알루미늄 전해 콘덴서에 사용되는 알루미늄 호일 표면에는 화성 공정의 수행에 의해 알루미늄층이 형성되어 있다. 알루미늄 호일 표면의 산화 알루미늄층은 콘덴서 제조 공정중 호일에 인가되는 열에 의해 탄화되는 현상이 발생하게 되었다. 표면에 형성되어 있는 유전체층이 탄화되어 있는 상태의 호일을 사용하여 콘덴서를 완성할 경우 누설 전류 증가와 내전압이 상승되어 완성품의 품질이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전해 콘덴서에 사용되는 알루미늄 호일의 유전체층 표면에 이산화 망간층과 유기 반도체층을 형성시켜 알루미늄 유전체층의 탄화를 방지하여 완성된 콘덴서의 내전압 상승과 누설 전류 감소효과를 얻을 수 있는 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법을 제공한다.
도 1은 종래의 기술에 의한 전해 콘덴서의 제조 방법을 설명하는 플로우 차트.
도 2는 본 발명에 의한 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법을 설명하는 도면.
도 3은 본 발명에 의한 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일의 구성의 일실시예를 나타내는 단면도.
본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
전해 콘덴서의 제조를 위해 알루미늄 호일을 준비하고, 준비된 알루미늄 호일에 에칭 공정(ST1)을 수행하여 凹 형태의 홈이 형성되도록 함으로서 표면적을 증가시키고, 화성 공정(ST2)을 수행하여 알루미늄 호일의 표면에는 산화 알루미늄(Al2O3) 유전체층이 형성되도록 한다.
에칭 공정(ST1)과 화성 공정(ST2)을 수행한 후, 1~20w%의 질산 망간(Mn(No3)2) 수용액에 산화 알루미늄(Al2O3) 유전체층이 형성되어 있는 알루미늄 호일을 10~30분 동안 함침시키도록 한다(ST10). 이때 함침 효과를 증대시키기 위해 질산 망간 수용액은 진공 중에 배치되는 것이 바람직하다.
질산 망간 수용액에 함침되어 있던 알루미늄 호일을 꺼내어 전기로에 넣고 5~20분 동안 200~250℃의 열을 인가하여 열처리하면(ST20), 산화 알루미늄(Al2O3) 유전체층의 상부에 이산화망간(MnO2)층이 형성된다. 이산화 망간(MnO2)층이 형성된 알루미늄 호일은 전기로에서 꺼내어 증류수로 세척하고(ST30), 100~150℃의 열을 인가하여 10~20분 동안 건조시킨다(ST40).
상기한 공정이 완료된 알루미늄 호일의 표면에는 산화 알루미늄(Al2O3) 유전체층과 이산화 망간(MnO2)층이 형성되어 있게 된다.
상기한 공정을 모두 수행한 후에는 알루미늄 호일을 TCNQ(유기 반도체;7,7,8,8,테트라시아노키노디) 염을 용융시키고 용융된 TCNQ 염에 함침되도록 한다(ST50). 이때 공정에 인가되는 온도는 200~250℃를 유지하는 것이 바람직하다.
TCNQ 착염의 비저항이 약 1Ωcm이므로 종래의 전해액을 사용하는 전해 콘덴서보다 고주파 영역에서 임피던스 특성이 우수하게 나타나며, 온도에 따른 특성변화도 전해액을 사용한 전해 콘덴서보다 적게 나타난다.
도 3은 본 발명에 의한 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일의 구성의 일실시예를 나타내는 단면도로서, 본 발명에 의한 공정을 수행하게 되면 도면에 도시되어 있는 바와 같이 알루미늄 호일(1)의 표면에는 산화 알루미늄층(10)이 형성되어 있고, 산화 알루미늄층(10)의 상부에는 무기 전해질층인 이산화 망간층(20)이 형성되어 있다.
또한, 이산화 망간층(20)의 상부에는 유기 반도체 수용액에의 함침 공정의 수행에 의해 TCNQ 층(30)이 형성되어 있음을 도시하고 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 의하면 전해 콘덴서의 제조시 사용되는 알루미늄 호일의 표면에 형성되는 유전체층 상부에 이산화망간층과 유기 반도체층을 형성시켜 콘덴서 제조 공정중 인가되는 열에 의해 유전체층이 탄화되는 현상을 제거하여 완성된 전해 콘덴서의 내전압 향상과 누설 전류 저감을 통한 콘덴서 용량 증가 효과를 갖는다.

Claims (1)

  1. 알루미늄 전해 콘덴서 제조 공정에 있어서, 표면에 산화 알루미늄(Al2O3) 유전체층이 형성되어 있는 알루미늄 호일을 이산화 망간(MnO2) 수용액에 함침시켜 유전체층 상부에 이산화망간(MnO2)층이 형성되도록 하고, 이산화망간(MnO2)층이 형성된 알루미늄 호일을 유기 반도체(TCNQ;유기 반도체;7,7,8,8,테트라시아노키노디) 수용액에 함침시킨 후 200~250℃ 의 온도를 인가하여 유기 반도체층이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법.
KR10-2001-0086003A 2001-12-27 2001-12-27 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법 KR100434216B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0086003A KR100434216B1 (ko) 2001-12-27 2001-12-27 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0086003A KR100434216B1 (ko) 2001-12-27 2001-12-27 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030055881A KR20030055881A (ko) 2003-07-04
KR100434216B1 true KR100434216B1 (ko) 2004-06-04

Family

ID=32214116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0086003A KR100434216B1 (ko) 2001-12-27 2001-12-27 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100434216B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05304055A (ja) * 1992-04-25 1993-11-16 Nichicon Corp 固体電解コンデンサの製造方法
KR970004277A (ko) * 1995-06-23 1997-01-29 이시마루 쓰네오 차량 발전기 제어 시스템
JPH10135080A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JPH1116784A (ja) * 1997-06-20 1999-01-22 Sanyo Electric Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05304055A (ja) * 1992-04-25 1993-11-16 Nichicon Corp 固体電解コンデンサの製造方法
KR970004277A (ko) * 1995-06-23 1997-01-29 이시마루 쓰네오 차량 발전기 제어 시스템
JPH10135080A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JPH1116784A (ja) * 1997-06-20 1999-01-22 Sanyo Electric Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030055881A (ko) 2003-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6320742B1 (en) Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing the same
KR100880482B1 (ko) 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법
JP2003007571A (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP2003037024A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
KR100434216B1 (ko) 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법
JP3416637B2 (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
CN1702788A (zh) 一种固体电解电容器及其制造方法
KR100251762B1 (ko) 탄탈륨 고체 전해 콘덴서의 제조방법
JP3615388B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法及び装置
JP3123772B2 (ja) 有機半導体固体電解コンデンサ
JP2007036147A (ja) 固体電解コンデンサ素子及びその製造方法
JP4877229B2 (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP3551020B2 (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
KR100455016B1 (ko) 원심 분리기를 이용한 전해 콘덴서 함침장치 및 함침방법
JP3800913B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP2950898B2 (ja) 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法
KR100753618B1 (ko) 고체 전해 커패시터의 제조방법
JPH0342696B2 (ko)
JP2000040643A (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
KR20030032251A (ko) 전도성 고분자 콘덴서의 제조방법
KR20050089479A (ko) 전도성 고분자를 이용한 콘덴서 제조 방법
JPH0744131B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP2002222735A (ja) 固体電解質コンデンサの製造方法
JPH10303075A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JPH06151257A (ja) 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee