KR20030032251A - 전도성 고분자 콘덴서의 제조방법 - Google Patents
전도성 고분자 콘덴서의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
전도성 고분자 콘덴서를 구성하는 콘덴서용 소자를 전해중합시키는 과정에서 전해중합용 전극에 의해 콘덴서용 소자의 표면에 발생되는 박리현상을 방지할 수 있는 전도성 고분자 콘덴서의 제조방법이 개시되어 있다. 전도성 고분자 콘덴서를 제조하기 위해서는 탄탈륨 분자를 각형의 콘덴서용 소자로 성형시킨 후 콘덴서용 소자의 표면에는 전해중합을 이용하여 유전체층을 형성시키고, 상기 유전체층의 표면에는 고분자층을 형성시킨다. 상기 콘덴서용 소자의 표면에 고분자층을 형성시키기 위해서는 화학중합과 전해중합을 실시하게 되며, 상기 전해중합은 전해중합용 전해중합용 용액이 채워진 수조에 콘덴서용 소자를 함침시킨 상태에서 전해중합용 전극을 콘덴서용 소자의 일측에 접촉시킴으로서 진행된다. 상기 전해중합용 전극은 전해중합을 진행하는 동안 2회 내지 4회에 의해 콘덴서용 소자에 접촉하는 위치를 가변시켜줌으로서 전해중합용 전극에 의해 콘덴서용 소자의 표면에 발생되는 박리현상을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 전도성 고분자 콘덴서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전도성 고분자 콘덴서를 구성하는 콘덴서용 소자를 전해중합시키는 과정에서 전해중합용 전극에 의해 콘덴서용 소자의 표면에 발생되는 박리현상을 방지할 수 있는 전도성 고분자 콘덴서의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 탄탈륨 콘덴서는 반도체작용을 하는 탄탈금속의 산화피막을 콘덴서의 유전체로 이용한 전해 콘덴서이다. 상기 탄탈륨 콘덴서는 양극산화에 의하여탄탈산화물(Ta2O5)을 유전체로 하고 있다. 탄탈륨의 박과 소결체를 전극으로 양극산화에 의하여 탄탈금속면에 형성된 산화피막은 화성전압 1V당 10 ∼ 16Å으로 형성된 얇은 피막으로서 피막의 두께는 화성전압의 상승에 비례하여 증가하며, 콘덴서의 정전용량과는 반비례 관계를 이루고 있다. 또한, 화성전압은 탄탈전해 콘덴서의 종류에 따라 다르지만 탄탈륨 고체전해 콘덴서에서는 정격전압의 3 ∼ 4배, 탄탈륨 박형전해 콘덴서에서는 1.3 ∼ 1.4배를 기준으로 하고 있고, 유전체인 탄탈산화피막의 유전율= 23으로 유전율이 7에 해당하는 알루미늄산화피막에 비해 약 3배에 해당한다.
상기와 같은 탄탈륨 콘덴서의 일반적인 제조방법을 설명하면, 먼저, 성형단계는 탄탈분말에 접착제(binder)역할을 하는 D-Camper를 혼합한 후 용제를 건조 제거시킨 다음 평량하여 원통형 또는 각형 펠릿(Pellet)에 양극 리드선인 탄탈선을 삽입시켜 일정한 밀도로 성형을 한다. 소결단계에서는 성형된 소자를 진공 소결로에 장진후 10-5㎜Hg 정도의 진공중에서 1600℃∼2000℃ 정도로 가열하여 접착제 제거와 동시에 소결을 한다. 화성단계에서는 2개의 전극과 그 사이에 삽설되는 유전체로 구성되는 콘덴서의 유전체를 생성하는 단계로 전해중합용 용액중에 소결소자를 넣어서 직류전압(화성전압)을 인가하여 탄탈금속의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 생성하게 되며, 이것이 유전체가 된다. 소성단계에서는 화성단계에서 생성된 산화피막의 표면에 전해질의 이산화망간층을 형성한다. 즉, 소자의 기공내부에 있는 산화피막의 표면에 이산화망간층을 부착시키기 위하여 질산망간의 수용액중에 소자를침적하여 함침시킨 후 가열분해하여 이산화망간층을 얻게 된다. 조립단계에서는 소성단계에서 이산화망간층을 형성한 후의 소자에 대해서 외장까지의 필요한 카본도포, 은페이스트도포 및 리드용접을 함으로써 외장공정까지가 완료된다. 에이징(Aging)단계에서는 외장을 완료한 콘덴서는 목표품질, 또는 요구하는 품종에 만족할 만한 조건으로 에이징을 하여 초기불량을 제거한 다음 신뢰성에 대한 롯(lot)판정을 하여 롯에 해당하는 제품은 폐기처분한다. 마킹단계에서는 콘덴서에 절연슬리브를 피복시키거나 필요한 표시(정격전압, 정전용량, 극성표시)를 함으로써 탄탈콘덴서의 공조공정을 완료하게 된다.
상기 탄탈전해 콘덴서를 제조하는 화성공정에서는 전해중합을 통해 산화피막(Ta2O5)을 생성하여 콘덴서용 소자의 표면에 유전체층을 형성하게 된다. 상기 전해중합은 전해중합용 용기에 전해중합용 용액을 채워 넣은 후 콘덴서용 소자를 전해중합용 용액에 넣는다. 상기 콘덴서용 소자의 상면과 전해중합용 용액의 표면과 일치하도록 한 상태에서 전해중합용 용기에 마이너스 전류를 인가하고 콘덴서용 소자에는 전해중합용 전극을 통해 플러스 전류를 인가한다. 상기 전해중합용 용기에 마이너스 전류를 인가하고 콘덴서용 소자에는 전해중합용 전극을 통해 플러스 전류를 인가하면 전해중합이 발생하여 콘덴서용 소자의 표면에 산화피막이 형성된다. 그런데 상기 콘덴서용 소자의 표면에 산화피막이 형성된 후 콘덴서용 소자의 외부면에 접촉된 전해중합용 전극을 이탈시키게 되면 산화피막의 일부로 전해중합용 전극에 의해 박리되어 콘덴서의 특성이 크게 낮아지는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 전도성 고분자 콘덴서를 구성하는 콘덴서용 소자를 전해중합시키는 과정에서 전해중합용 전극에 의해 콘덴서용 소자의 표면에 발생되는 박리현상을 방지할 수 있는 전도성 고분자 콘덴서의 제조방법을 제공하는데 있다.
도 1은 일반적인 전해중합의 실시 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 전해중합을 실시하는 콘덴서용 소자에 접촉하는 전해중합용 전극의 위치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명 >
10 : 콘덴서용 소자 12 : 유전체층
14 : 전도성고분자층 20 : 수조
22 : 전해중합용 용액 30 : 전극
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 전해중합을 실행하기 위해 전해중합용 용액이 채워지는 수조에 콘덴서용 소자를 넣은 후 콘덴서용 소자의 일 측면에 전해중합용 전극을 접촉시키고, 수조의 일측에는 마이너스 전류가 인가되도록 하고, 전해중합용 전극에는 플러스 전류가 인가되도록 하며, 전체 전해중합을 실시하는 시간을 2∼4 등분하여 전해중합용 전극이 콘덴서용 소자에 접촉한 위치를 2∼4회 다른 위치로 이동시키면서 전해중합을 실행하는 전도성 고분자 콘덴서의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 전도성 고분자 콘덴서를 제조하기 위해서는 탄탈륨 분자를 각형의 콘덴서용 소자로 성형시킨 후 콘덴서용 소자의 표면에는 전해중합을 이용하여 유전체층을 형성시키고, 상기 유전체층의 표면에는 고분자층을 형성시킨다. 상기 콘덴서용 소자의 표면에 고분자층을 형성시키기 위해서는 화학중합과 전해중합을 실시하게 되며, 상기 전해중합은 전해중합용 전해중합용 용액이 채워진 수조에 콘덴서용 소자를 함침시킨 상태에서 전해중합용 전극을 콘덴서용 소자의 일측에 접촉시킴으로서 진행된다. 상기 전해중합용 전극은 전해중합을 진행하는 동안 2회내지 4회에 의해 콘덴서용 소자에 접촉하는 위치를 가변시켜줌으로서 전해중합용 전극에 의해 콘덴서용 소자의 표면에 발생되는 박리현상을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 전해중합의 실시 상태를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 전해중합을 실시하는 콘덴서용 소자에 접촉하는 전해중합용 전극의 위치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 먼저, 전도성 고분자 콘덴서(도시 안됨)는 분말상태인 탄탈륨 분자를 각형의 콘덴서용 소자(10)로 성형시킨 후 콘덴서용 소자(10)의 표면에 유전체층(12)을 형성시킨다. 상기 유전체층(12)의 표면에는 고분자층(14)을 형성시켜 콘덴서용 소자(10)의 특성을 향상시킨다. 상기 고분자층(14)은 1차적으로 화학중합을 통해 1차 고분자층을 형성시키고, 2차적으로 전해중합을 통해 2차 고분자층을 형성시킨다. 상기 콘덴서용 소자(10)는 Ta, Al 또는 Nb 등을 사용하며, 상기 콘덴서용 소자(10)의 표면에 형성되는 유전체층(12)은 Al2O3, Ta2O5및 Nb2O5으로 형성된다. 상기 유전체층(12)의 표면에 형성하는 제1 고분자층은 화학중합을 이용하여 형성시키고, 상기 제1 고분자층의 표면에 형성하는 제2 고분자층은 전해중합을 이용하여 형성한다.
상기 전해중합은 수조(20)에 전해중합용 용액(22)을 일정한 높이로 채우고, 상기 전해중합용 용액(22)에 함침되도록 콘덴서용 소자(10)를 수조(20)안에 위치시킨다. 상기 수조(20)에는 -극의 전류가 인가되고, 전해중합용 전극(30)에는 +극의전류가 인가된다. 상기 전해중합용 전극(30)은 콘덴서용 소자(10)의 일측면에 접촉시키게 되며, 상기 전해중합용 전극(30)을 콘덴서용 소자(10)의 일측면에 접촉시키고 수조(20)에 -전류를 인가하게 되면 콘덴서용 소자(10)의 표면에서 전해중합이 발생한다. 상기 콘덴서용 소자(10)의 표면에서 전해중합이 발생되면 일정한 시간이 경과하게 되면 전해중합용 전극(30)의 위치를 2회 내지 4회정도로 하여 이동시킨다. 상기 전해중합용 전극(30)이 콘덴서용 소자(10)의 일측면에 접촉하는 위치를 가변시키게 되면 전해중합이 완료된 후 전해중합용 전극(30)을 콘덴서용 소자(10)로부터 이탈시켜도 콘덴서용 소자(10)의 표면에서 박리현상이 발생하지 않게 된다.
이상 설명에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 전도성 고분자 콘덴서를 제조하기 위해서는 탄탈륨 분자를 각형의 콘덴서용 소자로 성형시킨 후 콘덴서용 소자의 표면에는 전해중합을 이용하여 유전체층을 형성시키고, 상기 유전체층의 표면에는 고분자층을 형성시킨다. 상기 콘덴서용 소자의 표면에 고분자층을 형성시키기 위해서는 화학중합과 전해중합을 실시하게 되며, 상기 전해중합은 전해중합용 전해중합용 용액이 채워진 수조에 콘덴서용 소자를 함침시킨 상태에서 전해중합용 전극을 콘덴서용 소자의 일측에 접촉시킴으로서 진행된다. 상기 전해중합용 전극은 전해중합을 진행하는 동안 2회 내지 4회에 의해 콘덴서용 소자에 접촉하는 위치를 가변시켜줌으로서 전해중합용 전극에 의해 콘덴서용 소자의 표면에 발생되는 박리현상을 방지할 수 있다.
Claims (1)
- 전해중합을 실행하기 위해 전해중합용 용액이 채워지는 수조에 콘덴서용 소자를 넣은 후 콘덴서용 소자의 일 측면에 전해중합용 전극을 접촉시키고, 수조의 일측에는 마이너스 전류가 인가되도록 하고, 전해중합용 전극에는 플러스 전류가 인가되도록 하며, 전체 전해중합을 실시하는 시간을 2∼4 등분하여 전해중합용 전극이 콘덴서용 소자에 접촉한 위치를 2∼4회 다른 위치로 이동시키면서 전해중합을 실행하는 전도성 고분자 콘덴서의 제조방법.
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2001
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