JP2666788B2 - チップサイズ半導体装置の製造方法 - Google Patents
チップサイズ半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特に高密度実装に適したチップサイズパッケ
ージと呼ばれるチップサイズ半導体装置の製造方法に関
する。
法に関し、特に高密度実装に適したチップサイズパッケ
ージと呼ばれるチップサイズ半導体装置の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、小型軽量化、高速化、高
機能化という電子機器の要求に対応する為に、新しい形
態が次々に開発されている。半導体チップの高集積化に
よる多ピン化と、半導体装置の小型・薄型化の要求は厳
しくなり、その両立にはファインピッチ化が避けられな
い。よって、狭ピッチ化が可能なインナーリード接続と
ピッチを拡大できるエリアアレイ接続は必要不可欠な技
術になると思われる。
機能化という電子機器の要求に対応する為に、新しい形
態が次々に開発されている。半導体チップの高集積化に
よる多ピン化と、半導体装置の小型・薄型化の要求は厳
しくなり、その両立にはファインピッチ化が避けられな
い。よって、狭ピッチ化が可能なインナーリード接続と
ピッチを拡大できるエリアアレイ接続は必要不可欠な技
術になると思われる。
【０００３】図６は本出願人により特願平６−１１０８
５７にて出願しているチップサイズ半導体装置の一例を
示しており、図６（ａ）はその平面図、図６（ｂ）は図
６（ａ）の線Ａ−Ａ′に沿った断面図を示している。こ
のチップサイズ半導体装置は、ポリイミド系樹脂等によ
る有機絶縁フィルム８１とこの有機絶縁フィルム８１上
において銅等の金属箔をエッチング等により所望の形状
に加工して形成した配線層８２とから成るキャリアテー
プ８０を備えている。配線層８２の一部には半導体チッ
プ９０の電極パッド９１と接続される領域が形成されて
いる。
５７にて出願しているチップサイズ半導体装置の一例を
示しており、図６（ａ）はその平面図、図６（ｂ）は図
６（ａ）の線Ａ−Ａ′に沿った断面図を示している。こ
のチップサイズ半導体装置は、ポリイミド系樹脂等によ
る有機絶縁フィルム８１とこの有機絶縁フィルム８１上
において銅等の金属箔をエッチング等により所望の形状
に加工して形成した配線層８２とから成るキャリアテー
プ８０を備えている。配線層８２の一部には半導体チッ
プ９０の電極パッド９１と接続される領域が形成されて
いる。
【０００４】一方、半導体チップ９０はその一面、すな
わちキャリアテープ８０と貼り合わされる面の外周縁部
に複数の電極パッド９１が配置形成されている。半導体
チップ９０の一面の電極パッド９１を除く領域にはパッ
シベーション膜９２が形成されている。半導体チップ９
０とキャリアテープ８０とは接着フィルム８３により接
着されている。
わちキャリアテープ８０と貼り合わされる面の外周縁部
に複数の電極パッド９１が配置形成されている。半導体
チップ９０の一面の電極パッド９１を除く領域にはパッ
シベーション膜９２が形成されている。半導体チップ９
０とキャリアテープ８０とは接着フィルム８３により接
着されている。
【０００５】更に、キャリアテープ８０の外部接続用の
電極パッドとして、例えば半田で成るバンプ電極８４が
形成されている。このバンプ電極８４は図６（ａ）に示
したように、キャリアテープ８０において半導体チップ
９０を搭載する部分のほぼ全面を利用し、例えば同一ピ
ッチでグリッド状に配置されている。配線層８２はキャ
リアテープ８０のチップ対向面側に形成されており、そ
の一端はスルーホール８５に金属物質８７を充填して形
成されたビアホールを通じてバンプ電極８４につながっ
ている。
電極パッドとして、例えば半田で成るバンプ電極８４が
形成されている。このバンプ電極８４は図６（ａ）に示
したように、キャリアテープ８０において半導体チップ
９０を搭載する部分のほぼ全面を利用し、例えば同一ピ
ッチでグリッド状に配置されている。配線層８２はキャ
リアテープ８０のチップ対向面側に形成されており、そ
の一端はスルーホール８５に金属物質８７を充填して形
成されたビアホールを通じてバンプ電極８４につながっ
ている。
【０００６】更に、インナーリードとしての配線層８２
と電極パッド９１との接続の為にキャリアテープ８０に
スルーホール８６を設け、このスルーホール８６に金属
物質８７を充填することでビアホールを形成する。この
ビアホールは半導体チップ９０の電極パッド９１や配線
層８２と位置合わせすることが可能で、このビアホール
を通じてそれぞれインナーリード接続される。
と電極パッド９１との接続の為にキャリアテープ８０に
スルーホール８６を設け、このスルーホール８６に金属
物質８７を充填することでビアホールを形成する。この
ビアホールは半導体チップ９０の電極パッド９１や配線
層８２と位置合わせすることが可能で、このビアホール
を通じてそれぞれインナーリード接続される。
【０００７】次に、この半導体装置の製造方法につい
て、図７を用いて説明する。まず、図７（ａ）に示すよ
うに、半導体装置を構成するのに必要な部材は、キャリ
アテープ８０と接着フィルム８３と半導体チップ９０で
ある。
て、図７を用いて説明する。まず、図７（ａ）に示すよ
うに、半導体装置を構成するのに必要な部材は、キャリ
アテープ８０と接着フィルム８３と半導体チップ９０で
ある。
【０００８】キャリアテープ８０を図８に示す。図８
（ａ）は配線層側、すなわち半導体チップ９０との対向
面側を、図８（ｂ）はその反対面側を示している。キャ
リアテープ８０は、例えば以下のような製法で作製でき
る。ポリイミド系の有機絶縁フィルム８１と銅等の金属
箔からなる２層基剤において、まずフォトレジスト法に
より所望の形状で、かつ半導体チップ９０の電極パッド
９１と接続できるよう、位置合わせされた配線層８２を
形成する。先に説明したように、配線層８２の一端は金
属物質８７につながるが、他端は電気選別用パッド８２
−１につながれている。次に、有機絶縁フィルム８１に
レーザーやエッチング等によりスルーホール８５、８６
（図６）を設ける。
（ａ）は配線層側、すなわち半導体チップ９０との対向
面側を、図８（ｂ）はその反対面側を示している。キャ
リアテープ８０は、例えば以下のような製法で作製でき
る。ポリイミド系の有機絶縁フィルム８１と銅等の金属
箔からなる２層基剤において、まずフォトレジスト法に
より所望の形状で、かつ半導体チップ９０の電極パッド
９１と接続できるよう、位置合わせされた配線層８２を
形成する。先に説明したように、配線層８２の一端は金
属物質８７につながるが、他端は電気選別用パッド８２
−１につながれている。次に、有機絶縁フィルム８１に
レーザーやエッチング等によりスルーホール８５、８６
（図６）を設ける。
【０００９】更に、スルーホール８５、８６に電解メッ
キ等により金属物質８７を充填することによって配線層
８２と接続する。最後に、有機絶縁フィルム８１にエッ
チングすることでスプロケットホール８１−１や位置合
わせ用ホール８１−２を形成する。
キ等により金属物質８７を充填することによって配線層
８２と接続する。最後に、有機絶縁フィルム８１にエッ
チングすることでスプロケットホール８１−１や位置合
わせ用ホール８１−２を形成する。
【００１０】図７（ｂ）に戻って、接着フィルム８３を
半導体チップ９０上にセッティングする。次に、図７
（ｃ）のように、ＴＡＢ接続で用いられるシングルポイ
ントボンダーを流用し、キャリアテープ８０と接着フィ
ルム８３が仮固定された半導体チップ９０とを位置合わ
せ後にインナーリード接続する。
半導体チップ９０上にセッティングする。次に、図７
（ｃ）のように、ＴＡＢ接続で用いられるシングルポイ
ントボンダーを流用し、キャリアテープ８０と接着フィ
ルム８３が仮固定された半導体チップ９０とを位置合わ
せ後にインナーリード接続する。
【００１１】図７（ｄ）のように、キャリアテープ８０
と半導体チップ９０とを接着フィルム８３を挟んで貼り
合わせる為に、キャリアテープ側或いは半導体チップ側
から加熱、加圧を数秒間行う。
と半導体チップ９０とを接着フィルム８３を挟んで貼り
合わせる為に、キャリアテープ側或いは半導体チップ側
から加熱、加圧を数秒間行う。
【００１２】次に、図７（ｅ）では、電気選別用パッド
８２−１を利用して通常のテープキャリアパッケージ
（ＴＣＰ）と同様の方法で、電気選別・ＢＴを実施す
る。
８２−１を利用して通常のテープキャリアパッケージ
（ＴＣＰ）と同様の方法で、電気選別・ＢＴを実施す
る。
【００１３】図７（ｆ）では、半導体チップ９０裏面に
レーザ捺印で品名表示後、金型あるいはレーザにより外
形切断する。最後に、図７（ｇ）ではキャリアテープ８
０における外部基板との対応面に同一ピッチでグリッド
状に配置されたバンプ電極８４を形成する。
レーザ捺印で品名表示後、金型あるいはレーザにより外
形切断する。最後に、図７（ｇ）ではキャリアテープ８
０における外部基板との対応面に同一ピッチでグリッド
状に配置されたバンプ電極８４を形成する。
【００１４】上記のように、これまでのチップサイズ半
導体装置の組立て方法は、接着フィルム８３を半導体チ
ップ９０かキャリアテープ８０のいずれか一方に仮付け
した後に、電極パッド９１と配線層８２との電気的接続
を行うと共に、接着フィルム８３を他方の対象物に加
熱、加圧により接着して組立てを行うのが一般的であ
る。
導体装置の組立て方法は、接着フィルム８３を半導体チ
ップ９０かキャリアテープ８０のいずれか一方に仮付け
した後に、電極パッド９１と配線層８２との電気的接続
を行うと共に、接着フィルム８３を他方の対象物に加
熱、加圧により接着して組立てを行うのが一般的であ
る。
【００１５】ところで、図７（ｂ）における接着フィル
ム８３の接着は次のようにして行われている。図９
（ａ）を参照して、接着フィルム８３は、フィルム切断
金型を用いて所望の大きさに切断される。このフィルム
切断金型は、ダイ１０１を有し、このダイ１０１上にシ
ート状（ロール状に巻かれたものも含む）の接着フィル
ム８３′がフィルム押さえ１０２で保持されている。フ
ィルム押さえ１０２にはその上方に配置されている上型
１０４によりコイルバネ１０３を介して圧力が加えられ
ている。上型１０４は上下動可能に設けられている。こ
の上型１０４の下面側には、ダイ１０１と協働して接着
フィルム８３′を切断するポンチ１０５が取り付けられ
ている。上型１０４、ポンチ１０５にはポンチ１０５に
切断された接着フィルム８３が付着した時にこれをエア
で剥離するための連通孔１０６が設けられ、図示しない
エア供給装置に接続されている。
ム８３の接着は次のようにして行われている。図９
（ａ）を参照して、接着フィルム８３は、フィルム切断
金型を用いて所望の大きさに切断される。このフィルム
切断金型は、ダイ１０１を有し、このダイ１０１上にシ
ート状（ロール状に巻かれたものも含む）の接着フィル
ム８３′がフィルム押さえ１０２で保持されている。フ
ィルム押さえ１０２にはその上方に配置されている上型
１０４によりコイルバネ１０３を介して圧力が加えられ
ている。上型１０４は上下動可能に設けられている。こ
の上型１０４の下面側には、ダイ１０１と協働して接着
フィルム８３′を切断するポンチ１０５が取り付けられ
ている。上型１０４、ポンチ１０５にはポンチ１０５に
切断された接着フィルム８３が付着した時にこれをエア
で剥離するための連通孔１０６が設けられ、図示しない
エア供給装置に接続されている。
【００１６】図９（ｂ）に示されるように、上型１０
４、ポンチ１０５を下動させると、接着フィルム８３′
はフィルム押さえ１０２で押さえられてポンチ１０５の
断面形状に切断され、切断された接着フィルム８３はこ
のポンチ１０５の下面に付着する。
４、ポンチ１０５を下動させると、接着フィルム８３′
はフィルム押さえ１０２で押さえられてポンチ１０５の
断面形状に切断され、切断された接着フィルム８３はこ
のポンチ１０５の下面に付着する。
【００１７】図１０は上記のようにして切断された接着
フィルム８３を半導体チップに搭載する装置を示してい
る。この装置は、接着フィルム８３の位置決めを行うフ
ィルム位置決め部１１０と、半導体チップ９０の位置決
めを行うチップ位置決め部１２０とを有している。
フィルム８３を半導体チップに搭載する装置を示してい
る。この装置は、接着フィルム８３の位置決めを行うフ
ィルム位置決め部１１０と、半導体チップ９０の位置決
めを行うチップ位置決め部１２０とを有している。
【００１８】フィルム位置決め部１１０は、接着フィル
ム８３を搭載する搭載部１１１−１を有すると共に、接
着フィルム８３の半分の位置を規制するための爪部１１
１−２を有する位置出し爪１１１と、この位置出し爪１
１１に対向して設けられ、接着フィルム８３の残り半分
の位置を規制するための爪部１１２−１を有する位置出
し爪１１２とを有している。これらの位置出し爪１１
１、１１２はそれぞれ、マイクロメータヘッド１１３
（一方のみ図示）により互いに接近、離反し合うように
されている。
ム８３を搭載する搭載部１１１−１を有すると共に、接
着フィルム８３の半分の位置を規制するための爪部１１
１−２を有する位置出し爪１１１と、この位置出し爪１
１１に対向して設けられ、接着フィルム８３の残り半分
の位置を規制するための爪部１１２−１を有する位置出
し爪１１２とを有している。これらの位置出し爪１１
１、１１２はそれぞれ、マイクロメータヘッド１１３
（一方のみ図示）により互いに接近、離反し合うように
されている。
【００１９】移載ヘッド１３０は、エア吸引による吸着
孔１３１を有し、フィルム位置決め部１１０に搭載され
ている接着フィルム８３を半導体チップ９０上に移し替
えるためのものである。チップ位置決め部１２０は、半
導体チップ９０を挟む為の爪部１２１−１、１２２−１
を有する位置決め爪１２１、１２２を有している。これ
らの位置決め爪１２１、１２２もそれぞれ、マイクロメ
ータヘッド１２３（一方のみ図示）により互いに接近、
離反可能にされている。
孔１３１を有し、フィルム位置決め部１１０に搭載され
ている接着フィルム８３を半導体チップ９０上に移し替
えるためのものである。チップ位置決め部１２０は、半
導体チップ９０を挟む為の爪部１２１−１、１２２−１
を有する位置決め爪１２１、１２２を有している。これ
らの位置決め爪１２１、１２２もそれぞれ、マイクロメ
ータヘッド１２３（一方のみ図示）により互いに接近、
離反可能にされている。
【００２０】この装置は、まず、チップ位置決め部１２
０の位置決め爪１２１、１２２により半導体チップ９０
を加熱ブロック１３２上で移動ヘッド１３０に対し中心
位置合わせを行う。次に、フィルム位置決め部１１０の
フィルム位置決め爪１１１、１１２により、移動ヘッド
１３０に対し中心位置合わせを行う。
０の位置決め爪１２１、１２２により半導体チップ９０
を加熱ブロック１３２上で移動ヘッド１３０に対し中心
位置合わせを行う。次に、フィルム位置決め部１１０の
フィルム位置決め爪１１１、１１２により、移動ヘッド
１３０に対し中心位置合わせを行う。
【００２１】次に、エア吸引用の吸着孔１３１を有する
移載ヘッド１３０が下動してフィルム位置決め部１１０
上の接着フィルム８３を吸引し、一旦上動する。続い
て、位置出し爪１１１、１１２が左右に開き、その間を
通して移載ヘッド１３０が下動し、加熱ブロック１３２
上の半導体チップ９０に、吸引していた接着フィルム８
３が接触し停止すると共にエア吸引を解除し、加熱ブロ
ック１３２による加熱を行い、接着フィルム８３を溶か
すことにより、接着フィルム８３は半導体チップ９０上
に移し替えられる。そして、図示しない移送手段により
図８で説明したキャリアテープ８０を半導体チップ９０
の真上に搬送し、図７（ｃ）で説明したステップを実行
することより、キャリアテープ８０と半導体チップ９０
との接着が行われる。
移載ヘッド１３０が下動してフィルム位置決め部１１０
上の接着フィルム８３を吸引し、一旦上動する。続い
て、位置出し爪１１１、１１２が左右に開き、その間を
通して移載ヘッド１３０が下動し、加熱ブロック１３２
上の半導体チップ９０に、吸引していた接着フィルム８
３が接触し停止すると共にエア吸引を解除し、加熱ブロ
ック１３２による加熱を行い、接着フィルム８３を溶か
すことにより、接着フィルム８３は半導体チップ９０上
に移し替えられる。そして、図示しない移送手段により
図８で説明したキャリアテープ８０を半導体チップ９０
の真上に搬送し、図７（ｃ）で説明したステップを実行
することより、キャリアテープ８０と半導体チップ９０
との接着が行われる。
【００２２】この後、半導体チップ９０は樹脂で封止さ
れる。この封止工程を図１１を参照して説明する。図１
１において、従来の樹脂封止は金型１４０を用いて行わ
れている。この金型１４０は、下型１４１と上型１４２
とを有する。下型１４１は、下面から上面に抜ける樹脂
導入用のポット１４１−１を有し、上面には上型１４２
の位置決めのための２本の位置決めピン１４１−２が設
けられている。上型１４２の下面には、下型１４１との
間にキャビティ１４２−１を形成するための凹部と、キ
ャビティ１４２−１とポット１４１−１とをつなぐラン
ナ１４２−２を形成するための凹部と、ランナ１４２−
２とは別の経路でキャビティ１４２−１を型外に連通さ
せてエアーベント１４２−３を形成するための凹部とが
形成されている。上型１４２には更に、中心部に離形用
ピン１４４が設けられている。
れる。この封止工程を図１１を参照して説明する。図１
１において、従来の樹脂封止は金型１４０を用いて行わ
れている。この金型１４０は、下型１４１と上型１４２
とを有する。下型１４１は、下面から上面に抜ける樹脂
導入用のポット１４１−１を有し、上面には上型１４２
の位置決めのための２本の位置決めピン１４１−２が設
けられている。上型１４２の下面には、下型１４１との
間にキャビティ１４２−１を形成するための凹部と、キ
ャビティ１４２−１とポット１４１−１とをつなぐラン
ナ１４２−２を形成するための凹部と、ランナ１４２−
２とは別の経路でキャビティ１４２−１を型外に連通さ
せてエアーベント１４２−３を形成するための凹部とが
形成されている。上型１４２には更に、中心部に離形用
ピン１４４が設けられている。
【００２３】この金型１４０は、キャリアテープ８０と
接着された半導体チップ９０を収容したキャビティ１４
２−１内にポット１４１−１を通して溶融樹脂を注入す
る。続いてポット１４１−１にプランジャ１４３を圧入
して注入された樹脂をキャビティ１４２−１内に圧入す
る。樹脂が固化したら離形用ピン１４４を利用して上型
１４２を取り外し、続いてキャリアテープ８０を半導体
チップ９０と共に下型１４１から取り外す。その結果、
キャリアテープ８０上の半導体チップ９０が樹脂で封止
されているパッケージ（以下、これをパッケージと呼
ぶ）が得られる。
接着された半導体チップ９０を収容したキャビティ１４
２−１内にポット１４１−１を通して溶融樹脂を注入す
る。続いてポット１４１−１にプランジャ１４３を圧入
して注入された樹脂をキャビティ１４２−１内に圧入す
る。樹脂が固化したら離形用ピン１４４を利用して上型
１４２を取り外し、続いてキャリアテープ８０を半導体
チップ９０と共に下型１４１から取り外す。その結果、
キャリアテープ８０上の半導体チップ９０が樹脂で封止
されているパッケージ（以下、これをパッケージと呼
ぶ）が得られる。
【００２４】次に、上記の樹脂封止工程に続いて行われ
るキャリアテープの切断工程について図１２を参照して
説明する。図１２（ａ）において、キャリアテープの切
断にも図９で説明したような切断金型１５０が用いられ
る。この切断金型１５０は、ダイ１５１を有し、このダ
イ１５１上にパッケージ９０がキャリアテープ８０を利
用してテープ押さえ１５２で保持されている。テープ押
さえ１５２の上方にはコイルバネ１５３を介して上型１
５４が上下動可能に設けられている。この上型１５４の
下面側には、ダイ１５１と協働してキャリアテープ８０
を切断するポンチ１５５が設けられている。図示してい
ないが、上型１５４、ポンチ１５５にエア吸引を行うた
めの連通孔が設けられている。
るキャリアテープの切断工程について図１２を参照して
説明する。図１２（ａ）において、キャリアテープの切
断にも図９で説明したような切断金型１５０が用いられ
る。この切断金型１５０は、ダイ１５１を有し、このダ
イ１５１上にパッケージ９０がキャリアテープ８０を利
用してテープ押さえ１５２で保持されている。テープ押
さえ１５２の上方にはコイルバネ１５３を介して上型１
５４が上下動可能に設けられている。この上型１５４の
下面側には、ダイ１５１と協働してキャリアテープ８０
を切断するポンチ１５５が設けられている。図示してい
ないが、上型１５４、ポンチ１５５にエア吸引を行うた
めの連通孔が設けられている。
【００２５】図１２（ｂ）に示されるように、エア吸引
を行っている状態で上型１５４、ポンチ１５５を下動さ
せると、キャリアテープ８０は半導体チップの樹脂封止
部の輪郭に沿った最小サイズで切断される。
を行っている状態で上型１５４、ポンチ１５５を下動さ
せると、キャリアテープ８０は半導体チップの樹脂封止
部の輪郭に沿った最小サイズで切断される。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したキ
ャリアテープ８０と半導体チップ９０との接着工程で
は、ポンチで打ち抜かれた接着フィルム８３が小さく、
薄いために変形し易く、ハンドリング性が悪く、キャリ
アテープ８０あるいは半導体チップ９０に対して貼り付
け精度が悪くなる。
ャリアテープ８０と半導体チップ９０との接着工程で
は、ポンチで打ち抜かれた接着フィルム８３が小さく、
薄いために変形し易く、ハンドリング性が悪く、キャリ
アテープ８０あるいは半導体チップ９０に対して貼り付
け精度が悪くなる。
【００２７】また、従来の半導体チップ９０の樹脂封止
工程は、トランスファー成型のために、高価で高精度の
金型を必要とする問題点がある。しかも、半導体チップ
９０のサイズが変わると、それに対応した金型を用意し
なければならず、コストアップの原因となる。
工程は、トランスファー成型のために、高価で高精度の
金型を必要とする問題点がある。しかも、半導体チップ
９０のサイズが変わると、それに対応した金型を用意し
なければならず、コストアップの原因となる。
【００２８】更に、従来のキャリアテープ８０の切断工
程は、半導体チップ９０と同等のサイズに切断するため
に、半導体チップ９０のサイズが変わる毎に金型が必要
となる。加えて、キャリアテープ８０は半導体チップ９
０と同様のサイズに切断する必要があることから、キャ
リアテープ８０の受けが難しく、いわばダイに対して蓋
の状態で切断されるために、この切断時に、キャリアテ
ープ８０と半導体チップ９０との間の接着部に機械的ス
トレスが加わり、剥離し易いという問題点がある。
程は、半導体チップ９０と同等のサイズに切断するため
に、半導体チップ９０のサイズが変わる毎に金型が必要
となる。加えて、キャリアテープ８０は半導体チップ９
０と同様のサイズに切断する必要があることから、キャ
リアテープ８０の受けが難しく、いわばダイに対して蓋
の状態で切断されるために、この切断時に、キャリアテ
ープ８０と半導体チップ９０との間の接着部に機械的ス
トレスが加わり、剥離し易いという問題点がある。
【００２９】そこで、本発明の課題は、キャリアテープ
と半導体チップとの間の接着工程を単純化できるチップ
サイズ半導体装置の製造方法を提供することにある。
と半導体チップとの間の接着工程を単純化できるチップ
サイズ半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００３０】本発明の他の課題は、半導体チップの樹脂
封止を高価かつ複雑な金型を使用せずに行うことのでき
るチップサイズ半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
封止を高価かつ複雑な金型を使用せずに行うことのでき
るチップサイズ半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
【００３１】本発明の更に他の課題は、チップサイズが
変更されても容易に対応することのできるチップサイズ
半導体装置の製造方法を提供することにある。
変更されても容易に対応することのできるチップサイズ
半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００３２】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
と、絶縁フィルムの一方の主面に配線パターンを有して
前記半導体チップに接着されたキャリアテープとを含む
チップサイズ半導体装置の製造方法において、前記半導
体チップと前記キャリアテープとの接着を、テーブル上
に置かれた前記半導体チップの上方に保持されたシート
状の接着フィルムから前記半導体チップの接着面に合わ
せて打ち抜きを行うと共に、打ち抜かれた接着フィルム
を前記半導体チップの接着面に搭載する工程と、前記搭
載された接着フィルムを加熱して前記半導体チップと前
記キャリアテープとを接着する工程とを通して行うよう
にしたことを特徴とする。
と、絶縁フィルムの一方の主面に配線パターンを有して
前記半導体チップに接着されたキャリアテープとを含む
チップサイズ半導体装置の製造方法において、前記半導
体チップと前記キャリアテープとの接着を、テーブル上
に置かれた前記半導体チップの上方に保持されたシート
状の接着フィルムから前記半導体チップの接着面に合わ
せて打ち抜きを行うと共に、打ち抜かれた接着フィルム
を前記半導体チップの接着面に搭載する工程と、前記搭
載された接着フィルムを加熱して前記半導体チップと前
記キャリアテープとを接着する工程とを通して行うよう
にしたことを特徴とする。
【００３３】なお、前記シート状の接着フィルムの打ち
抜きを上下動可能なポンチにより行い、該ポンチには打
ち抜かれた接着フィルムを吸着するためのエア吸着部を
備えることにより、前記半導体チップへの搭載を前記ポ
ンチで行うようにすることができる。
抜きを上下動可能なポンチにより行い、該ポンチには打
ち抜かれた接着フィルムを吸着するためのエア吸着部を
備えることにより、前記半導体チップへの搭載を前記ポ
ンチで行うようにすることができる。
【００３４】また、前記半導体チップはエア吸着部とヒ
ータとを備えた加熱ブロックを介して前記テーブル上に
置かれる。
ータとを備えた加熱ブロックを介して前記テーブル上に
置かれる。
【００３５】本発明はまた、半導体チップと、絶縁フィ
ルムの一方の主面に配線パターンを有し前記半導体チッ
プに接着されたキャリアテープとを含み、前記半導体チ
ップを樹脂で封止するようにしたチップサイズ半導体装
置の製造方法において、前記キャリアテープとサイズの
変更可能なメタルマスクとを位置合わせして、固定し、
続いて、前記半導体チップをスクリーン印刷により樹脂
封止するようにしたことを特徴とする。
ルムの一方の主面に配線パターンを有し前記半導体チッ
プに接着されたキャリアテープとを含み、前記半導体チ
ップを樹脂で封止するようにしたチップサイズ半導体装
置の製造方法において、前記キャリアテープとサイズの
変更可能なメタルマスクとを位置合わせして、固定し、
続いて、前記半導体チップをスクリーン印刷により樹脂
封止するようにしたことを特徴とする。
【００３６】なお、前記メタルマスクは、前記半導体チ
ップの高さ寸法より大きな厚さを有していると共に、前
記キャリアテープよりは狭く、かつ前記半導体チップを
収容可能な開口を有し、該メタルマスクの収納部を有す
る支持台の前記収納部に、前記キャリアテープを下にし
て前記半導体チップを載置した後、前記メタルマスクを
セットしてスクリーン印刷を行うようにされる。
ップの高さ寸法より大きな厚さを有していると共に、前
記キャリアテープよりは狭く、かつ前記半導体チップを
収容可能な開口を有し、該メタルマスクの収納部を有す
る支持台の前記収納部に、前記キャリアテープを下にし
て前記半導体チップを載置した後、前記メタルマスクを
セットしてスクリーン印刷を行うようにされる。
【００３７】本発明は更に、半導体チップと、絶縁フィ
ルムの一方の主面に配線パターンを有するキャリアテー
プとを含み、前記キャリアテープの第１の面に前記半導
体チップを接続したチップサイズ半導体装置の製造方法
において、前記キャリアテープの第２の面に２箇所以上
設けたマークの位置を検出し、前記マークの位置を基準
に切断する切断線を求め、ＹＡＧレーザを前記切断線に
沿ってスキャニングすることにより前記キャリアテープ
を切断するようにしたことを特徴とする。
ルムの一方の主面に配線パターンを有するキャリアテー
プとを含み、前記キャリアテープの第１の面に前記半導
体チップを接続したチップサイズ半導体装置の製造方法
において、前記キャリアテープの第２の面に２箇所以上
設けたマークの位置を検出し、前記マークの位置を基準
に切断する切断線を求め、ＹＡＧレーザを前記切断線に
沿ってスキャニングすることにより前記キャリアテープ
を切断するようにしたことを特徴とする。
【００３８】前記ＹＡＧレーザとしては、その第４高調
波を用いることが望ましい。
波を用いることが望ましい。
【００３９】
【発明の実施の形態】はじめに、本発明によるキャリア
テープと半導体チップとの接着方法について説明する。
この接着方法は、図１に示す装置により行われる。この
装置は、θ軸テーブル１１を搭載して図中左側のチップ
セット位置と図示のフィルムセット位置との間を移動可
能な移動プレート１０を備えている。θ軸テーブル１１
は、その中心にＸ−Ｙテーブル１２を回動させるための
ものである。Ｘ−Ｙテーブル１２はθ軸テーブル１１上
を水平方向、すなわちＸ−Ｙ方向に移動可能である。Ｘ
−Ｙテーブル１１上には支持脚１３を介して加熱ブロッ
ク１４が設置されている。この加熱ブロック１４は、従
来と同様に、図示しないエア吸引部に接続されたエア吸
引孔１４−１により、その上面に半導体チップ９０を吸
引保持する。
テープと半導体チップとの接着方法について説明する。
この接着方法は、図１に示す装置により行われる。この
装置は、θ軸テーブル１１を搭載して図中左側のチップ
セット位置と図示のフィルムセット位置との間を移動可
能な移動プレート１０を備えている。θ軸テーブル１１
は、その中心にＸ−Ｙテーブル１２を回動させるための
ものである。Ｘ−Ｙテーブル１２はθ軸テーブル１１上
を水平方向、すなわちＸ−Ｙ方向に移動可能である。Ｘ
−Ｙテーブル１１上には支持脚１３を介して加熱ブロッ
ク１４が設置されている。この加熱ブロック１４は、従
来と同様に、図示しないエア吸引部に接続されたエア吸
引孔１４−１により、その上面に半導体チップ９０を吸
引保持する。
【００４０】支持フレーム１５の中間部の高さ位置、す
なわち加熱ブロック１４の上面よりやや高い位置にダイ
１６が構成されている。このダイ１６は、シート状の接
着フィルム１７の載置台として作用する。ダイ１６の上
部にはフィルム押さえプレート１８がガイド部材１９に
より案内されて上下動可能に設けられ、接着フィルム１
７をダイ１６との間に挟んで保持できるようにしてい
る。フィルム押さえプレート１８は、その上方において
ガイド部材１９により案内されて上下動可能なプレート
２０と組み合わされている。すなわち、プレート２０に
は２つの第１のエアシリンダ２１が配置され、これらの
エアシリンダ２１の出力軸２１−１がフィルム押さえプ
レート１８に連結固定されている。
なわち加熱ブロック１４の上面よりやや高い位置にダイ
１６が構成されている。このダイ１６は、シート状の接
着フィルム１７の載置台として作用する。ダイ１６の上
部にはフィルム押さえプレート１８がガイド部材１９に
より案内されて上下動可能に設けられ、接着フィルム１
７をダイ１６との間に挟んで保持できるようにしてい
る。フィルム押さえプレート１８は、その上方において
ガイド部材１９により案内されて上下動可能なプレート
２０と組み合わされている。すなわち、プレート２０に
は２つの第１のエアシリンダ２１が配置され、これらの
エアシリンダ２１の出力軸２１−１がフィルム押さえプ
レート１８に連結固定されている。
【００４１】ガイド部材１９の上端には支持板２３が固
着され、この支持板２３には第２のエアシリンダー２２
が設けられている。第２のエアシリンダ２２の出力軸２
２−１はプレート２０に連結固定されている。これによ
り、第２のエアシリンダ２２が駆動されると、プレート
２０とフィルム押さえプレート１８とが一体に上下動
し、第１のエアシリンダ２１が駆動されるとフィルム押
さえプレート１８が単独で上下動する。
着され、この支持板２３には第２のエアシリンダー２２
が設けられている。第２のエアシリンダ２２の出力軸２
２−１はプレート２０に連結固定されている。これによ
り、第２のエアシリンダ２２が駆動されると、プレート
２０とフィルム押さえプレート１８とが一体に上下動
し、第１のエアシリンダ２１が駆動されるとフィルム押
さえプレート１８が単独で上下動する。
【００４２】プレート２０にはまた、その中心にポンチ
２４が設けられており、このポンチ２４はフィルム押さ
えプレート１８を貫通して第２のエアシリンダ２２によ
り上下動可能にされている。ポンチ２４には、従来と同
様に、エア吸引のための吸引孔２４−１が設けられてい
る。
２４が設けられており、このポンチ２４はフィルム押さ
えプレート１８を貫通して第２のエアシリンダ２２によ
り上下動可能にされている。ポンチ２４には、従来と同
様に、エア吸引のための吸引孔２４−１が設けられてい
る。
【００４３】接着フィルム１７は、図示しない供給機構
により図面に対して表裏方向にシート状の形で送られる
ようになっているが、ロール状に巻いたものから供給す
るようにしても良い。
により図面に対して表裏方向にシート状の形で送られる
ようになっているが、ロール状に巻いたものから供給す
るようにしても良い。
【００４４】次に、動作について説明する。はじめに、
移動プレート１０はチップセット位置にあり、加熱ブロ
ック１４上に半導体チップ９０が置かれる。この半導体
チップ９０は吸引孔１４−１を通して加熱ブロック１４
の上面に吸着される。この状態で移動プレート１０は図
示のフィルムセット位置まで移動し、θ軸テーブル１
１、Ｘ−Ｙテーブル１２により半導体チップ９０がダイ
１６の開口の真下にあって半導体チップ９０の中心とポ
ンチ２４の中心とが一致するような中心位置合わせが行
われる。
移動プレート１０はチップセット位置にあり、加熱ブロ
ック１４上に半導体チップ９０が置かれる。この半導体
チップ９０は吸引孔１４−１を通して加熱ブロック１４
の上面に吸着される。この状態で移動プレート１０は図
示のフィルムセット位置まで移動し、θ軸テーブル１
１、Ｘ−Ｙテーブル１２により半導体チップ９０がダイ
１６の開口の真下にあって半導体チップ９０の中心とポ
ンチ２４の中心とが一致するような中心位置合わせが行
われる。
【００４５】接着フィルム１７はフィルム押さえプレー
ト１８によりダイ１６の上面上に押さえられた状態にあ
る。この状態でポンチ２４が下動して接着フィルム１７
を所望の形状に打ち抜くと共に、吸引孔２４−１を通し
て打ち抜いた接着フィルムを吸引しながら下動を続けて
半導体チップ９０の上面に押し当てて停止する。この
時、第２のエアシリンダ２２は空気の供給圧力を下げる
ことにより推力を低下させておく。続いて、エア吸引を
停止させて打ち抜いた接着フィルムを解放し、半導体チ
ップ９０の上に載せる。ここで、ポンチ２４の接着フィ
ルム側の表面は接着フィルムとの乖離性を良くするため
に表面処理、例えば、テフロンコーティングやＴｉＮコ
ーティングなどが施してある。次に、加熱ブロック１４
のヒーターを動作させて半導体チップ９０上の接着フィ
ルム８３を溶融状態にして、半導体チップ９０に仮接着
する。次に、この半導体チップ９０を図示しない別装置
に移し、従来技術で説明した図７（ｂ）以降と同様な方
法で、キャリアテープ８０と接着する。
ト１８によりダイ１６の上面上に押さえられた状態にあ
る。この状態でポンチ２４が下動して接着フィルム１７
を所望の形状に打ち抜くと共に、吸引孔２４−１を通し
て打ち抜いた接着フィルムを吸引しながら下動を続けて
半導体チップ９０の上面に押し当てて停止する。この
時、第２のエアシリンダ２２は空気の供給圧力を下げる
ことにより推力を低下させておく。続いて、エア吸引を
停止させて打ち抜いた接着フィルムを解放し、半導体チ
ップ９０の上に載せる。ここで、ポンチ２４の接着フィ
ルム側の表面は接着フィルムとの乖離性を良くするため
に表面処理、例えば、テフロンコーティングやＴｉＮコ
ーティングなどが施してある。次に、加熱ブロック１４
のヒーターを動作させて半導体チップ９０上の接着フィ
ルム８３を溶融状態にして、半導体チップ９０に仮接着
する。次に、この半導体チップ９０を図示しない別装置
に移し、従来技術で説明した図７（ｂ）以降と同様な方
法で、キャリアテープ８０と接着する。
【００４６】以上の説明で理解できるように、本発明に
よる接着フィルムの接着方法は、接着フィルムをシート
状あるいはロール状で扱うことができるので、取り扱い
が容易になる。また、接着フィルムを打ち抜くポンチと
打ち抜いた接着フィルムの保持を行うヘッド部とが一体
であるので、打ち抜かれた接着フィルムの位置ずれが生
じにくい。このことにより、ポンチと半導体チップの位
置出しを行うだけで打ち抜いた接着フィルムを高い精度
で半導体チップ上に載せることができる。
よる接着フィルムの接着方法は、接着フィルムをシート
状あるいはロール状で扱うことができるので、取り扱い
が容易になる。また、接着フィルムを打ち抜くポンチと
打ち抜いた接着フィルムの保持を行うヘッド部とが一体
であるので、打ち抜かれた接着フィルムの位置ずれが生
じにくい。このことにより、ポンチと半導体チップの位
置出しを行うだけで打ち抜いた接着フィルムを高い精度
で半導体チップ上に載せることができる。
【００４７】図２（ａ）、（ｂ）は上記のようにしてキ
ャリアテープ８０を接着された半導体チップ９０を樹脂
で封止する方法を説明するための図である。本発明で
は、半導体チップ９０よりやや厚い厚さを有し、キャリ
アテープ８０よりは狭く、かつ半導体チップ９０を収容
可能な開口３１を有するメタルマスク３０を用いる。半
導体チップ９０とキャリアテープ８０及びメタルマスク
３０はまた、四角形の枠内にメタルマスク３０を装着可
能とした支持台３５に収容される。支持台３５の内側の
底面には、中心に関して対称な位置にそれぞれ位置決め
ピン３６が立設されている。一方、キャリアテープ８
０、メタルマスク３０にもそれぞれ位置決めピン３６に
対応する位置にあらかじめ位置合わせ用穴３６−１、３
６−２が設けられている。更に、支持台３５の両側に
は、メタルマスク３０を固定するためにマスク押さえ３
７が設けられている。
ャリアテープ８０を接着された半導体チップ９０を樹脂
で封止する方法を説明するための図である。本発明で
は、半導体チップ９０よりやや厚い厚さを有し、キャリ
アテープ８０よりは狭く、かつ半導体チップ９０を収容
可能な開口３１を有するメタルマスク３０を用いる。半
導体チップ９０とキャリアテープ８０及びメタルマスク
３０はまた、四角形の枠内にメタルマスク３０を装着可
能とした支持台３５に収容される。支持台３５の内側の
底面には、中心に関して対称な位置にそれぞれ位置決め
ピン３６が立設されている。一方、キャリアテープ８
０、メタルマスク３０にもそれぞれ位置決めピン３６に
対応する位置にあらかじめ位置合わせ用穴３６−１、３
６−２が設けられている。更に、支持台３５の両側に
は、メタルマスク３０を固定するためにマスク押さえ３
７が設けられている。
【００４８】半導体チップ９０の樹脂封止は次のように
して行われる。まず、接着されたキャリアテープ８０と
半導体チップ９０とを、キャリアテープ８０を下側にし
て、位置合わせ用穴３６−１に位置決めピン３６を挿入
し、支持台３５に位置決め配置する。次に、メタルマス
ク３０の位置合わせ用穴３６−２を位置決めピン３６に
合わせて、メタルマスク３０を支持台３５に配置し、マ
スク押さえ３７でメタルマスク３０を固定する。図２
（ａ）は、支持台３５にキャリアテープ８０と半導体チ
ップ９０及びメタルマスク３０とを位置決め配置した状
態を示している。この状態で開口３１内に封止用の溶融
樹脂を注入し、スキージでメタルマスク３０の上面より
はみ出した部分をかき取る。溶融樹脂が固化した後メタ
ルマスク３０を取り外すと、半導体チップ９０の周囲を
樹脂で封止したパッケージ（以下、これをパッケージと
呼ぶ）が得られる。
して行われる。まず、接着されたキャリアテープ８０と
半導体チップ９０とを、キャリアテープ８０を下側にし
て、位置合わせ用穴３６−１に位置決めピン３６を挿入
し、支持台３５に位置決め配置する。次に、メタルマス
ク３０の位置合わせ用穴３６−２を位置決めピン３６に
合わせて、メタルマスク３０を支持台３５に配置し、マ
スク押さえ３７でメタルマスク３０を固定する。図２
（ａ）は、支持台３５にキャリアテープ８０と半導体チ
ップ９０及びメタルマスク３０とを位置決め配置した状
態を示している。この状態で開口３１内に封止用の溶融
樹脂を注入し、スキージでメタルマスク３０の上面より
はみ出した部分をかき取る。溶融樹脂が固化した後メタ
ルマスク３０を取り外すと、半導体チップ９０の周囲を
樹脂で封止したパッケージ（以下、これをパッケージと
呼ぶ）が得られる。
【００４９】メタルマスク３０は、例えば、剥離性の良
いステンレスでつくられ、半導体チップ９０のサイズに
応じて厚さ、開口３１の大きさの異なるものが用意され
る。このようなメタルマスクは、図１１で説明したよう
な複雑な形状を必要としないので、安価で提供できる。
また、一つ一つのキャリアテープ８０をマスク押さえ３
７で固定してスクリーン印刷するようにしたので、樹脂
厚のバラツキを少なくすることができる。更に、一つ一
つの半導体チップに対し位置決めピン３６を基準に位置
合わせして樹脂封止するので、樹脂外形と半田バンプと
の相対精度を高くすることができる。
いステンレスでつくられ、半導体チップ９０のサイズに
応じて厚さ、開口３１の大きさの異なるものが用意され
る。このようなメタルマスクは、図１１で説明したよう
な複雑な形状を必要としないので、安価で提供できる。
また、一つ一つのキャリアテープ８０をマスク押さえ３
７で固定してスクリーン印刷するようにしたので、樹脂
厚のバラツキを少なくすることができる。更に、一つ一
つの半導体チップに対し位置決めピン３６を基準に位置
合わせして樹脂封止するので、樹脂外形と半田バンプと
の相対精度を高くすることができる。
【００５０】図３は上記のようにして樹脂封止されたパ
ッケージのキャリアテープ８０を切断する方法を説明す
るための図である。すなわち、キャリアテープ８０は半
導体チップより大き目のものが接着されている。このキ
ャリアテープ８０は半導体チップの樹脂封止後、樹脂封
止されたパッケージとほぼ同じサイズに切断される。本
発明では、この切断にＹＡＧレーザを用いるようにして
いる。
ッケージのキャリアテープ８０を切断する方法を説明す
るための図である。すなわち、キャリアテープ８０は半
導体チップより大き目のものが接着されている。このキ
ャリアテープ８０は半導体チップの樹脂封止後、樹脂封
止されたパッケージとほぼ同じサイズに切断される。本
発明では、この切断にＹＡＧレーザを用いるようにして
いる。
【００５１】図３において、ＹＡＧレーザ発振器４１で
発生されたレーザビームは、ダイクロイックミラー４
２、アッテネータ４３を経由し、Ｘ軸方向走査用のＸ軸
ガルバノミラー４４、Ｙ軸方向走査用のＹ軸ガルバノミ
ラー４５で振られる。このレーザビームは更に、Ｆθレ
ンズ４６を通して走査領域上に置かれたパッケージのキ
ャリアテープ８０に照射される。なお、この照射工程
は、レーザビームの光路を利用して走査領域を観測する
ことのできるＣＣＤカメラ４７によりモニタされる。４
８は反射ミラーである。
発生されたレーザビームは、ダイクロイックミラー４
２、アッテネータ４３を経由し、Ｘ軸方向走査用のＸ軸
ガルバノミラー４４、Ｙ軸方向走査用のＹ軸ガルバノミ
ラー４５で振られる。このレーザビームは更に、Ｆθレ
ンズ４６を通して走査領域上に置かれたパッケージのキ
ャリアテープ８０に照射される。なお、この照射工程
は、レーザビームの光路を利用して走査領域を観測する
ことのできるＣＣＤカメラ４７によりモニタされる。４
８は反射ミラーである。
【００５２】図４はキャリアテープの切断位置を決定す
る方法を説明する図である。図４（ａ）はキャリアテー
プ８０をキャリアテープ保持器６０に入れた状態を示
す。キャリアテープ８０の裏面には位置合わせ用マーク
６５−１、６５−２が少なくとも２箇所に記されてい
る。
る方法を説明する図である。図４（ａ）はキャリアテー
プ８０をキャリアテープ保持器６０に入れた状態を示
す。キャリアテープ８０の裏面には位置合わせ用マーク
６５−１、６５−２が少なくとも２箇所に記されてい
る。
【００５３】図４（ｂ）は位置合わせ方法を説明するた
めの図である。キャリアテープ保持器６０は位置決めピ
ン６１に沿って保持台６２の上にのせて、パッケージ９
０´をエアー引出し６３で吸着固定する。Ｘ軸ガルバノ
ミラー４４，Ｙ軸ガルバノミラー４５（図３）を位置合
わせ用マーク６５−１が位置するべき位置にＹＡＧレー
ザ発振器４１で発生されたレーザビームを照射する。Ｃ
ＣＤカメラ４７でレーザビームのスポットを確認しなが
ら、ＸＹＺθステージ６４をＺ方向に移動し、レーザビ
ームのスポットが最小になるよう調整し、Ｘ、Ｙ方向の
位置合わせを行い、レーザ照射位置と位置合わせ用マー
ク６５−１とが一致するように調整する。同様にして、
レーザを位置合わせ用マーク６５−２が位置するべき位
置に照射し、位置合わせ用マーク６５−１の位置を中心
としてＸＹＺθステージ６４を回転させ、レーザ照射位
置と位置合わせ用マーク６５−２とが一致するようにθ
を調整する。レーザをあらかじめ設定された切断線６６
に沿って照射し、パッケージ９０´をキャリアテープ８
０から切り離す。
めの図である。キャリアテープ保持器６０は位置決めピ
ン６１に沿って保持台６２の上にのせて、パッケージ９
０´をエアー引出し６３で吸着固定する。Ｘ軸ガルバノ
ミラー４４，Ｙ軸ガルバノミラー４５（図３）を位置合
わせ用マーク６５−１が位置するべき位置にＹＡＧレー
ザ発振器４１で発生されたレーザビームを照射する。Ｃ
ＣＤカメラ４７でレーザビームのスポットを確認しなが
ら、ＸＹＺθステージ６４をＺ方向に移動し、レーザビ
ームのスポットが最小になるよう調整し、Ｘ、Ｙ方向の
位置合わせを行い、レーザ照射位置と位置合わせ用マー
ク６５−１とが一致するように調整する。同様にして、
レーザを位置合わせ用マーク６５−２が位置するべき位
置に照射し、位置合わせ用マーク６５−１の位置を中心
としてＸＹＺθステージ６４を回転させ、レーザ照射位
置と位置合わせ用マーク６５−２とが一致するようにθ
を調整する。レーザをあらかじめ設定された切断線６６
に沿って照射し、パッケージ９０´をキャリアテープ８
０から切り離す。
【００５４】以上の説明は、ＸＹＺθステージ６４を動
かして位置合わせする方法であるが、ＣＣＤカメラ４７
に位置合わせ用マーク６５−１、６５−２を認識する機
構を設けて、位置合わせ用マーク６５−１、６５−２の
位置を求め、計算により切断線６６を求め、レーザを照
射することもできる。
かして位置合わせする方法であるが、ＣＣＤカメラ４７
に位置合わせ用マーク６５−１、６５−２を認識する機
構を設けて、位置合わせ用マーク６５−１、６５−２の
位置を求め、計算により切断線６６を求め、レーザを照
射することもできる。
【００５５】このようなレーザ加工においては、Ｘ軸ガ
ルバノミラー４４、Ｙ軸ガルバノミラー４５の回動角度
を任意に調整できるので、キャリアテープ８０の切断サ
イズも任意に変更可能である。また、ポンチによる切断
と異なり、非接触式の切断なのでキャリアテープ８０に
機械的ストレスが加わることがない。
ルバノミラー４４、Ｙ軸ガルバノミラー４５の回動角度
を任意に調整できるので、キャリアテープ８０の切断サ
イズも任意に変更可能である。また、ポンチによる切断
と異なり、非接触式の切断なのでキャリアテープ８０に
機械的ストレスが加わることがない。
【００５６】上記のような点に加えて、本発明では更
に、レーザ発振器４１から発生されるレーザ光からその
第４高調波成分を抽出して、この第４高調波でキャリア
テープ８０の切断加工を行う点に特徴を有する。レーザ
光の第４高調波の一例としては、０．２６６μｍの波長
の紫外光があり、レーザエネルギの吸収率が大きく、単
パルス性により熱伝導によるエネルギの拡散が抑制され
るので、被加工部の発熱が少ないという点に特徴があ
る。これによってキャリアテープ８０に作用する熱的ス
トレスを小さくできるという効果が得られる。
に、レーザ発振器４１から発生されるレーザ光からその
第４高調波成分を抽出して、この第４高調波でキャリア
テープ８０の切断加工を行う点に特徴を有する。レーザ
光の第４高調波の一例としては、０．２６６μｍの波長
の紫外光があり、レーザエネルギの吸収率が大きく、単
パルス性により熱伝導によるエネルギの拡散が抑制され
るので、被加工部の発熱が少ないという点に特徴があ
る。これによってキャリアテープ８０に作用する熱的ス
トレスを小さくできるという効果が得られる。
【００５７】図５はレーザ発振器４１からのレーザ光か
ら第４高調波成分を抽出するための構成を示した図であ
る。レーザ発振器４１からの波長１．０６μｍのレーザ
光を、ＳＨＧ（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅ
ｎｅｒａｔｉｏｎ）素子（例えば、ＫＴＰ素子）５１を
通して波長０．５３μｍとし、更にＦＨＧ（Ｆｏｕｒｔ
ｈ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）素子
（例えば、βＢＢＯ素子）５２を通すことで０．２６６
μｍの波長の第４高調波成分が抽出される。以上のキャ
リアテープの切断方法は、樹脂封止されたパッケージを
例にして説明したが、樹脂封止していない状態のキャリ
アテープの切断にも同様の方法が適用できる。
ら第４高調波成分を抽出するための構成を示した図であ
る。レーザ発振器４１からの波長１．０６μｍのレーザ
光を、ＳＨＧ（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅ
ｎｅｒａｔｉｏｎ）素子（例えば、ＫＴＰ素子）５１を
通して波長０．５３μｍとし、更にＦＨＧ（Ｆｏｕｒｔ
ｈ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）素子
（例えば、βＢＢＯ素子）５２を通すことで０．２６６
μｍの波長の第４高調波成分が抽出される。以上のキャ
リアテープの切断方法は、樹脂封止されたパッケージを
例にして説明したが、樹脂封止していない状態のキャリ
アテープの切断にも同様の方法が適用できる。
【００５８】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明による製
造方法では、半導体チップとキャリアテープとの接着フ
ィルムによる接着に際して、接着フィルムの切断及び半
導体チップへの搭載を１工程で行うことができるので、
工期の短縮を図ることができると共に、接着フィルムの
半導体チップへの搭載を高い位置合わせ精度で行うこと
ができる。
造方法では、半導体チップとキャリアテープとの接着フ
ィルムによる接着に際して、接着フィルムの切断及び半
導体チップへの搭載を１工程で行うことができるので、
工期の短縮を図ることができると共に、接着フィルムの
半導体チップへの搭載を高い位置合わせ精度で行うこと
ができる。
【００５９】また、半導体チップの樹脂封止をチップサ
イズの変更に対処し易い安価なメタルマスクを用いて行
うことができ、高精度での樹脂封止を行うことができる
と共に、チップサイズ変更に伴う段取り時間の縮小化を
図ることができる。
イズの変更に対処し易い安価なメタルマスクを用いて行
うことができ、高精度での樹脂封止を行うことができる
と共に、チップサイズ変更に伴う段取り時間の縮小化を
図ることができる。
【００６０】更に、キャリアテープの切断にレーザビー
ム、特にその第４高調波成分を利用するようにしたこと
により、キャリアテープに対して機械的ストレス、熱的
ストレスを与えることなく、切断を行うことができる。
ム、特にその第４高調波成分を利用するようにしたこと
により、キャリアテープに対して機械的ストレス、熱的
ストレスを与えることなく、切断を行うことができる。
【図１】本発明により半導体チップとキャリアテープと
を接着する方法に使用される装置の一例を示した図であ
る。
を接着する方法に使用される装置の一例を示した図であ
る。
【図２】本発明により半導体チップを樹脂で封止する方
法を説明するための図で、図（ａ）は断面図、図（ｂ）
は平面図である。
法を説明するための図で、図（ａ）は断面図、図（ｂ）
は平面図である。
【図３】本発明によりキャリアテープを切断する方法に
使用される装置の一例を示した図である。
使用される装置の一例を示した図である。
【図４】本発明によりキャリアテープの切断位置を決定
する方法を説明するための図で、図（ａ）は断面図、図
（ｂ）は平面図である。
する方法を説明するための図で、図（ａ）は断面図、図
（ｂ）は平面図である。
【図５】図３に示したレーザ発振器のレーザビームから
第４高調波成分を抽出するための構成を示した図であ
る。
第４高調波成分を抽出するための構成を示した図であ
る。
【図６】従来のチップサイズ半導体装置を説明するため
の図で、図（ａ）はキャリアテープ側から見た平面図、
図（ｂ）は図（ａ）のＡ−Ａ′線による断面図である。
の図で、図（ａ）はキャリアテープ側から見た平面図、
図（ｂ）は図（ａ）のＡ−Ａ′線による断面図である。
【図７】図６に示したチップサイズ半導体装置を製造工
程順に示した断面図である。
程順に示した断面図である。
【図８】図６に示したキャリアテープを説明するための
図で、図（ａ）は半導体チップと対向する面の平面図、
図（ｂ）は反対側の平面図である。
図で、図（ａ）は半導体チップと対向する面の平面図、
図（ｂ）は反対側の平面図である。
【図９】従来の接着フィルムの切断方法を説明するため
の図である。
の図である。
【図１０】図９の工程で得られた切断された接着フィル
ムを半導体チップに搭載する従来方法を説明するための
図である。
ムを半導体チップに搭載する従来方法を説明するための
図である。
【図１１】半導体チップを樹脂封止する従来方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図１２】従来のキャリアテープの切断方法を説明する
ための図である。
ための図である。
１０ 移動プレート １１ θ軸テーブル １２ Ｘ−Ｙテーブル １４ 加熱ブロック １６ ダイ １７ 接着フィルム １８ フィルム押さえプレート １９ ガイド部材 ２０ プレート ２１ 第１のエアシリンダ ２２ 第２のエアシリンダ ２４ ポンチ ８０ キャリアテープ ９０ 半導体チップ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−91447（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−321157（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−330355（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体チップと、絶縁フィルムの一方の
主面に配線パターンを有して前記半導体チップに接着さ
れたキャリアテープとを含むチップサイズ半導体装置の
製造方法において、 前記半導体チップと前記キャリアテープとの接着を、テ
ーブル上に置かれた前記半導体チップの上方に保持され
たシート状の接着フィルムから前記半導体チップの接着
面に合わせて打ち抜きを行うと共に、打ち抜かれた接着
フィルムを前記半導体チップの接着面に搭載する工程
と、 前記搭載された接着フィルムを加熱して前記半導体チッ
プと前記キャリアテープとを接着する工程とを通して行
うようにしたことを特徴とするチップサイズ半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のチップサイズ半導体装置
の製造方法において、前記シート状の接着フィルムの打
ち抜きを上下動可能なポンチにより行い、該ポンチには
打ち抜かれた接着フィルムを吸着するためのエア吸着部
を備えることにより前記半導体チップへの搭載を前記ポ
ンチで行うようにしたことを特徴とするチップサイズ半
導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のチップサイズ半導体装置
の製造方法において、前記半導体チップはエア吸着部と
ヒータとを備えた加熱ブロックを介して前記テーブル上
に置かれていることを特徴とするチップサイズ半導体装
置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体チップと、絶縁フィルムの一方の
主面に配線パターンを有し前記半導体チップに接着され
たキャリアテープとを含み、前記半導体チップを樹脂で
封止するようにしたチップサイズ半導体装置の製造方法
において、 前記キャリアテープとサイズの変更可能なメタルマスク
とを位置合わせして、固定し、続いて、 前記半導体チップをスクリーン印刷により樹脂封止する
ようにしたことを特徴とするチップサイズ半導体装置の
製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載のチップサイズ半導体装置
の製造方法において、前記メタルマスクは、前記半導体
チップの高さ寸法より大きな厚さを有していると共に、
前記キャリアテープよりは狭く、かつ前記半導体チップ
を収容可能な開口を有し、該メタルマスクの収納部を有
する支持台の前記収納部に、前記キャリアテープを下に
して前記半導体チップを載置した後、前記メタルマスク
をセットしてスクリーン印刷を行うようにしたことを特
徴とするチップサイズ半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 半導体チップと、絶縁フィルムの一方の
主面に配線パターンを有するキャリアテープとを含み、
前記キャリアテープの第１の面に前記半導体チップを接
続したチップサイズ半導体装置の製造方法において、 前記キャリアテープの第２の面に２箇所以上設けたマー
クの位置を検出し、 前記マークの位置を基準に切断する切断線を求め、 ＹＡＧレーザを前記切断線に沿ってスキャニングするこ
とにより前記キャリアテープを切断するようにしたこと
を特徴とするチップサイズ半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６記載のチップサイズ半導体装置
の製造方法において、前記ＹＡＧレーザとして、その第
４高調波を用いることを特徴とするチップサイズ半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7271449A JP2666788B2 (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | チップサイズ半導体装置の製造方法 |
| US08/733,207 US5759873A (en) | 1995-10-19 | 1996-10-17 | Method of manufacturing chip-size package-type semiconductor device |
| EP96116769A EP0769812A3 (en) | 1995-10-19 | 1996-10-18 | Method of manufacturing chip-size package-type semiconductor device |
| KR1019960046982A KR100203603B1 (ko) | 1995-10-19 | 1996-10-19 | 칩 크기의 패키지형 반도체 장치의 제조 방법 |
| CN96121929A CN1107972C (zh) | 1995-10-19 | 1996-10-19 | 按芯片尺寸封装型半导体器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7271449A JP2666788B2 (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | チップサイズ半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115950A JPH09115950A (ja) | 1997-05-02 |
| JP2666788B2 true JP2666788B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=17500189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7271449A Expired - Fee Related JP2666788B2 (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | チップサイズ半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5759873A (ja) |
| EP (1) | EP0769812A3 (ja) |
| JP (1) | JP2666788B2 (ja) |
| KR (1) | KR100203603B1 (ja) |
| CN (1) | CN1107972C (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW281795B (ja) * | 1994-11-30 | 1996-07-21 | Sharp Kk | |
| KR100186333B1 (ko) * | 1996-06-20 | 1999-03-20 | 문정환 | 칩 사이즈 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
| DE19800566A1 (de) * | 1998-01-09 | 1999-07-15 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes und ein derart hergestelltes Halbleiterbauelement |
| US6230719B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-05-15 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for removing contaminants on electronic devices |
| US5972234A (en) * | 1998-04-06 | 1999-10-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Debris-free wafer marking method |
| CN1146030C (zh) * | 1998-07-28 | 2004-04-14 | 精工爱普生株式会社 | 半导体装置及其制造方法、半导体模块、电路基板以及电子装置 |
| US6428641B1 (en) * | 1998-08-31 | 2002-08-06 | Amkor Technology, Inc. | Method for laminating circuit pattern tape on semiconductor wafer |
| US6479887B1 (en) | 1998-08-31 | 2002-11-12 | Amkor Technology, Inc. | Circuit pattern tape for wafer-scale production of chip size semiconductor packages |
| JP3816253B2 (ja) * | 1999-01-19 | 2006-08-30 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3504543B2 (ja) | 1999-03-03 | 2004-03-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体素子の分離方法およびその装置並びに半導体素子の搭載方法 |
| US6181569B1 (en) | 1999-06-07 | 2001-01-30 | Kishore K. Chakravorty | Low cost chip size package and method of fabricating the same |
| US6361146B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-03-26 | Lexmark International, Inc. | Adhesive bonding laminates |
| US6210522B1 (en) | 1999-06-15 | 2001-04-03 | Lexmark International, Inc. | Adhesive bonding laminates |
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