JPS60224254A - リ−ドフレ−ム切断方法 - Google Patents

リ−ドフレ−ム切断方法

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JPS60224254A
JPS60224254A JP59078567A JP7856784A JPS60224254A JP S60224254 A JPS60224254 A JP S60224254A JP 59078567 A JP59078567 A JP 59078567A JP 7856784 A JP7856784 A JP 7856784A JP S60224254 A JPS60224254 A JP S60224254A
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JP
Japan
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lead frame
cut
semiconductor device
mask
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP59078567A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Minagawa
皆川 岳志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59078567A priority Critical patent/JPS60224254A/ja
Publication of JPS60224254A publication Critical patent/JPS60224254A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、レーザを利用した切断技術に関し、特に半導
体装置の製造における、リードフレーム(外部リード)
の切断に利用して有効な技術VC@する。
〔背景技術〕
従来、半導体装置の外部リード連結片は、切断金型によ
って切除される(特開昭57−2558号公報)0第1
図は、樹脂封止済リードフレームな示す。図において、
1は、成形された樹脂部であり、外部リード2、外部1
1−ド連結片3、リード先端連結片4によって、外枠フ
レーム51C固定、担持されている。外枠フレーム5に
は、フレーム搬送用、位置決め用開口6が設けられてい
る。
図中の斜線にて示す外部リード連結片3、リード先端連
結片4は、専用金型圧よりフレームより切除され、個々
の樹脂封止された半導体装置に分離する。
本発明者が、上述した方法を用い、半導体装置の外枠フ
レームからの切断分離を行なったところ、以下に示すよ
うな問題があることを見い出した。
すなわち、専用金型を用いて樹脂部の成形工程まで完了
した半導体装置を連設しているリードフレームの切断を
行なう際、油圧等によるプレス方式を用いているため、
騒音が大きく、危険度も高くなる。また、専用金型を用
いているため、半導体の樹脂部やリード等の寸法、形状
が異なる場合には、それぞれ専用の金型Vc9.換して
半導体の切断を行なう必要が出てくる。これは品種変換
時に段取り換えの時間を要するだけでなく、製品が多品
穐に渡る場合はそれに対応すべく多大な金型を在庫しな
くてはならないことを意味する。さらに、金型に異物等
が付着している場合、その金型をそのまま使用すると、
樹脂部等に傷がついてしまう等の問題があることが本発
明者によって明らかにされた。
そこで本発明者は、上記の問題点が金型を用いて切断し
ている事に起因する点に着目し、この問題点を解決すべ
く鋭意検討を重ねた結果、本発明にいたった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、半導体装置に傷をつけることなく、し
かも安全に、半導体装tを外枠フレームから切断でき得
る技術を提供するものである。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろ
う。
〔発明の概要〕
本願陀おいて開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体装置を外枠フレームに固定、担持して
いる外部リード連結片、リード先端連結片、つまり切断
すべき部分を、レーザを利用して切断することにより、
半導体装置に傷をつけることなく、しかも安全に半導体
装置を外枠フレームから切断できるものである。
〔実施例〕
第2図は、外枠フレーム(以下リードフレームとする)
から切断された半導体装置ケ示す、平面図である。第3
図は、リードフレームに連接されている半導体装置を示
す、一部破砕平面図である。
第4図は、本実施例で使用されるマスクを示す、一部破
砕平面図である。
第2図において、7は、半導体装置である。8は形成さ
れた樹脂部(以下パッケージとする)であり、半導体装
置を構成するものである。9は、前記パッケージ8から
複数本突出するリードであり、外部との導通なとるため
のものである。
第3図において、10はリードフレームであり、リード
9先端と、タイバー11と、タブリード12とで、半導
体装置7を複数個連接している。
タイバー11は、モールド(樹脂封止)時に、樹脂(レ
ジン)の流出を防ぐためのものである。
第4図において、13はマスクであり、リードフレーム
に連接された半導体装置の切断すべき部分に対応して複
数のウィンドウ14が設けられており、ウィンドウ14
0部分だけ、レーザな透過でき得るようになっている。
第5図は、本発明の一実施例であるリードフレーム切断
技術を説明するための図である。図において、15は、
マスク保持体であり、マスク13を保持し得るものであ
る。マスク13下方には、載置台16が設けられ、リー
ドフレーム10に連。
接された複数の半導体装t7を載置し得るものである。
17は、レーザ照射部であり、図示しないレーザ発生源
に接続されている。レーザ照射部17は、図示しない制
御部に入力されたプログラムに従ってXY方向に走査で
き得るものである。
なお、マスク保持体15は、移動せず、リードフレーム
JOに連接された複数の半導体装置7が図示しない搬送
機構によりマスク13下方所定位置に搬送される。
第6図は、レーザ照射部の走査経路の一例を説明するた
めの図であり、図中矢印は、レーザの走査経路を示す。
以下、上記構成の作用を説明する。
半導体装置7は、個々の製品に分離される前には、第3
図圧水されるよう忙リード9先端と、タイバー11と、
タブリード12とでリードフレームJOに連接されてい
る。
第5図に示されるように、マスク保持体15によって、
マスク13が保持される。リードフレーム10に連接さ
れた半導体装置7が、図示しない搬送機構により載置台
16の所定位置、つまり半導体装t7の、リードフレー
ム1oから切断すべき部分が、マスク13の複数のウィ
ンドウ14下方にそれぞれ対応し得るように搬送される
。その後レーザ照射部17からレーザが照射される一万
、レーザ照射部17が、第6図中矢印で示される走査経
路を走査し、リードフレームに連接された複数の半導体
装置が個々の半導体装置に切断される。
一つのリードフレームに複数連接された半導体装置がす
べて互いに切isされ、リードフレームの不要部がこれ
らから切離されると、次に半導体装置を複数連接した切
断すべきリードフレームが搬送され、上述した動作を繰
り返す。
なお、半導体装置のパッケージやリード等の寸法、形状
が異なる場合には、それぞれの半導体装置を切断するの
に対応したマスク、及びレーザ照射部の走査経路を指示
する制御部に入力される、それぞれの半導体装置を切断
するのに対応したプログラムを用いることにより、容易
に対処できる。
上述したように、本発明によれば、リードフレームに連
接された複数の半導体装置をレーザにより切断する為金
型を用い、油圧等の動力によって分離するものに比べ、
騒音もなく、危険性も少なくなる。そして、半導体のパ
ッケージやリード等の寸法、形状が異なる場合でも、マ
スク、レーザ照射部の走査経路を指示する制御部に入力
されるプログラムを変更するだけで容易に対応できる。
また、常に寸スクの欠陥等について管理しておけば、リ
ードフレームから半導体装置を切断することによって半
導体装置に損傷を与えろこともなくなる。
なお、本実施例では、マスクを使用してリードフレーム
忙連接された半導体装置の切断を行なっているが、マス
クを用いないで、リードフレームに連接された半導体装
置の切断すべき部分にだけレーザ照射し、レーザ照射部
を走査することによって、半導体装置を切断してもよい
また、搬送機構については特に限定しない。
さらに、安全性を考慮して、81!5図に示される、レ
ーザ照射部17.マスク13.載置台16を覆うカバー
な設けるよう忙しても良い。
〔効果] 1、I]−ドフレームの切断すべき部分を、レーザによ
り切断することにより、プレスによって切断する場合に
比べて、騒音を大@に低減できるという効果が得られる
2、リードフレームの切断すべき部分を、レーザにより
切断することにより、プレスによって切断する場合に比
べて、安全性が向上するという効果が得られる。
3、 リードフレームの切断すべき部分!、レーザによ
り切断することにより、切断によりてノ(ツケージに傷
をつけることを防ぐことができるという効果が得られる
4、 リードフレームの寸法、形状が異なる場合でも、
マスク、レーザの走査経路を変更するだけで容易に対処
できるという効果が得られる。
5、リードフレームの切断すべき部分ケ、レーザにより
切断することにより、さらに、レーザ照射部、マスク、
載量台を覆りカッく−を設けることに。
より、より安全性が向上するという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、複数のレー
ザ照射部を設け、一度にリードフレームの複数箇所を切
断してもよく、効率の良い作業を行なうことができる。
また、レーザの走査経路は、上記実施例の他に種々の経
路が考えられる。
〔利用分野〕
以上の説明では王として本発明者によってなされた発明
!、その背景となった利用分野である半導体装置の、1
ノードフレーム切断技術に適用した場合について説明し
たか、それに限定されるものではなく、たとえば電子部
品の切断技術等、フレームに連接された物品の切断技術
や、物品の切断技術に適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、樹脂封止済リードフレームを示す一部破砕斜
視図、 第2図は、リードフレームから切断された半導体を示す
平面図、 第3図は、リードフレームに連接された半導体を示す一
部破砕平面図、 第4図は、本発明の一実施例で使用されるマスクを示す
一部破砕平面図、 第5図は、本発明の一実施例を説明するための図、 $6図は、レーザ照射部の走査経路の一例を説明するた
めの図である。 1・・・樹脂部、2・・・外部リード、3・・・外部リ
ード連結片、4・・・リード先端連結片、5・・・外枠
フレーム、6・・・位置決め用開口、7・・・半導体、
8・・・樹脂部(パッケージ)、9・・・リード、10
・・・リードフレーム、11・・・タイバー、12・・
・タフIJ −)”、13・・・マスク、14・・・ウ
ィンドウ、15・・・マスク保持体、16・・・載置台
、】7・・・レーザ照射部。 第 1 図 第 2 図 第 3 図 第 6 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、半導体を連接したリードフレームから、半導体装置
    な切断分離する際、半導体装置のリードフレームから切
    断すべき部分をレーザにより切断することを特徴とする
    リードフレーム切断方法02、 レーザにより切断して
    分離する際、マスクを介して切断することを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載のリードフレーム切断方法。
JP59078567A 1984-04-20 1984-04-20 リ−ドフレ−ム切断方法 Pending JPS60224254A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US5767480A (en) * 1995-07-28 1998-06-16 National Semiconductor Corporation Hole generation and lead forming for integrated circuit lead frames using laser machining
EP0769812A3 (en) * 1995-10-19 1998-10-21 Nec Corporation Method of manufacturing chip-size package-type semiconductor device

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