JPH02143552A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH02143552A JPH02143552A JP63298554A JP29855488A JPH02143552A JP H02143552 A JPH02143552 A JP H02143552A JP 63298554 A JP63298554 A JP 63298554A JP 29855488 A JP29855488 A JP 29855488A JP H02143552 A JPH02143552 A JP H02143552A
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、特に
樹脂封止後のリードフレームにおける樹脂ダム部とタイ
バー部の切断方法に関する。
樹脂封止後のリードフレームにおける樹脂ダム部とタイ
バー部の切断方法に関する。
一服にこの種の樹脂封止型半導体装置（以下ＩＣと記す
）においては、リードフレーム上に半導体チップをマウ
ントし、ワイヤボンディングを行った後、トランスファ
方式等で半導体チップ及び内部リード部を樹脂封止する
。
）においては、リードフレーム上に半導体チップをマウ
ントし、ワイヤボンディングを行った後、トランスファ
方式等で半導体チップ及び内部リード部を樹脂封止する
。
樹脂封止時に封止金型内のキャビティに樹脂が充填され
ると、金型がクランプしている際にリードフレームの打
抜き部分には板厚分の隙間が生じるため、そこから流れ
出た樹脂は、第３図の部分斜視図に示すように、ＩＣパ
ッケージ１３と、隣り合う外部リード１２と、その外部
リード間を接続するタイバー部１１とで囲まれたダム部
（以下樹脂ダム部１０と記す）にまで充填されるため、
次工程にて切断パンチ１４を矢印方向に降下させ、樹脂
ダム部１０に充填された樹脂及びタイバー部１１の切断
除去を行っている。切断パンチ１４による切断除去部１
９の位置と形状は、２点鎖線で示している。
ると、金型がクランプしている際にリードフレームの打
抜き部分には板厚分の隙間が生じるため、そこから流れ
出た樹脂は、第３図の部分斜視図に示すように、ＩＣパ
ッケージ１３と、隣り合う外部リード１２と、その外部
リード間を接続するタイバー部１１とで囲まれたダム部
（以下樹脂ダム部１０と記す）にまで充填されるため、
次工程にて切断パンチ１４を矢印方向に降下させ、樹脂
ダム部１０に充填された樹脂及びタイバー部１１の切断
除去を行っている。切断パンチ１４による切断除去部１
９の位置と形状は、２点鎖線で示している。
従来、リード間ピッチが１．０ｍｍ以下のＩＣの樹脂ダ
ム部及びタイバー部の切断は、第３図のＡ−Ａ断面図で
ある第４図に示すように、外部リード１２の下面を受け
るダイ１５上にリードフレーム６をセットし、くし歯状
になった切断パンチ１４を樹脂ダム部１０及びタイバー
部１１に下降させて、リード間を１ピツチおきに２工程
に分けて打ち抜くことにより、切断を行っていた。
ム部及びタイバー部の切断は、第３図のＡ−Ａ断面図で
ある第４図に示すように、外部リード１２の下面を受け
るダイ１５上にリードフレーム６をセットし、くし歯状
になった切断パンチ１４を樹脂ダム部１０及びタイバー
部１１に下降させて、リード間を１ピツチおきに２工程
に分けて打ち抜くことにより、切断を行っていた。
ところが、近年ＩＣの高密度実装の要求によって、更に
多ビン化、小型化を図るために、外部リードのファイン
ピッチ化が進み、リード間ピッチが０．５ｍｍ以下のＩ
Ｃが増加する傾向にある。
多ビン化、小型化を図るために、外部リードのファイン
ピッチ化が進み、リード間ピッチが０．５ｍｍ以下のＩ
Ｃが増加する傾向にある。
従来の切断パンチによる切断方法では、リード間ピッチ
が０．５ｍｍ 、リード端子幅が０．２ｍｍの場合には
、リードフレームの位置決めの際のがたつきや切断パン
チとダイとの適正クリアランスを考慮すると、切断パン
チの刃先の板厚は０．２ｍｍ程度しかとれず、切断時に
かす詰まり等による負荷がかかると、刃先が簡単に破損
してしまうという欠点がある。
が０．５ｍｍ 、リード端子幅が０．２ｍｍの場合には
、リードフレームの位置決めの際のがたつきや切断パン
チとダイとの適正クリアランスを考慮すると、切断パン
チの刃先の板厚は０．２ｍｍ程度しかとれず、切断時に
かす詰まり等による負荷がかかると、刃先が簡単に破損
してしまうという欠点がある。
又、くし固形状の切断パンチやダイを一本１ヒ加工する
のは、ファインピッチになると困難で且つ更に高価なも
のとなるので、２〜３工程に分けて１ピツチ又は２ピツ
チおきに切断するという方法をとっているが、各ステー
ジにおけるリードフレームの位置決めの際のがたつきに
より、第５図の部分平面図に示すようなタイバー部の切
断ずれ１６が発生し易く、外部リード１２へのパンチ食
い込み等の規格寸法外れや、リード成形時の寸法精度の
ばらつきの要因になるという問題がある。
のは、ファインピッチになると困難で且つ更に高価なも
のとなるので、２〜３工程に分けて１ピツチ又は２ピツ
チおきに切断するという方法をとっているが、各ステー
ジにおけるリードフレームの位置決めの際のがたつきに
より、第５図の部分平面図に示すようなタイバー部の切
断ずれ１６が発生し易く、外部リード１２へのパンチ食
い込み等の規格寸法外れや、リード成形時の寸法精度の
ばらつきの要因になるという問題がある。
更に、くし刃状の切断パンチは加工が難しいため高価で
あることに加え、刃先が一本でも折れてしまえば新しい
パンチに交換する必要があり、板厚の薄さによるパンチ
の破損頻度を考えるとコストが増大する。
あることに加え、刃先が一本でも折れてしまえば新しい
パンチに交換する必要があり、板厚の薄さによるパンチ
の破損頻度を考えるとコストが増大する。
そのため、第６図の斜視図に示すような、−枚物の個片
切断パンチ１７とスペーサ１８との組み合わせによる切
断パンチを採用することが多いが、ピン数が多いと個々
のパンチ及びスペーサの板厚の累積誤差が発生し易く、
切断寸法精度が一体方式に比べると劣り、パンチとダイ
とのクリアランスもファインピッチになる程ばらつき易
く、パンチ破損の要因になる場合もあり、くし刃一体力
式よりも安価ではあるが高精度は要求できず、これ以上
のファインピッチ化に対しては切断パンチやダイによる
加工そのものが限界にきており、切断パンチ等も０．２
ｍｍ以下の薄さのため強度的に使用に耐えられないとい
う問題がある。
切断パンチ１７とスペーサ１８との組み合わせによる切
断パンチを採用することが多いが、ピン数が多いと個々
のパンチ及びスペーサの板厚の累積誤差が発生し易く、
切断寸法精度が一体方式に比べると劣り、パンチとダイ
とのクリアランスもファインピッチになる程ばらつき易
く、パンチ破損の要因になる場合もあり、くし刃一体力
式よりも安価ではあるが高精度は要求できず、これ以上
のファインピッチ化に対しては切断パンチやダイによる
加工そのものが限界にきており、切断パンチ等も０．２
ｍｍ以下の薄さのため強度的に使用に耐えられないとい
う問題がある。
本発明は、樹脂封止型半導体装置の組立て工程において
、樹脂封止後切断すべきリードフレームの樹脂ダム部及
びタイバー部の寸法パターンに対応しなレーザ光通過窓
を有する切断パターンマスクをリードフレーム上に設置
し、レーザ光線をこの切断パターンマスク上に照射して
樹脂ダム部及びタイバー部の切断を行うか、又は、切断
パターンマスクを樹脂ダム部用とタイバー部用とに分割
し、個々の切断パターンマスクにレーザ光を照射して樹
脂ダム部及びタイバー部の切断を個々に行うようにした
樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
、樹脂封止後切断すべきリードフレームの樹脂ダム部及
びタイバー部の寸法パターンに対応しなレーザ光通過窓
を有する切断パターンマスクをリードフレーム上に設置
し、レーザ光線をこの切断パターンマスク上に照射して
樹脂ダム部及びタイバー部の切断を行うか、又は、切断
パターンマスクを樹脂ダム部用とタイバー部用とに分割
し、個々の切断パターンマスクにレーザ光を照射して樹
脂ダム部及びタイバー部の切断を個々に行うようにした
樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の第１の実施例であるＩＣの樹脂ダム部
及びタイバー部の切断方法を示す構成図である。この実
施例に示すＩＣの製造方法は、まず、搬送されてきた樹
脂封止済リードフレーム６を、このリードフレーム６上
に設けられた位置決め用穴７に位置決めピンを挿入して
位置を固定し、切断すべき樹脂ダム部及びタイバー部に
のみレーザ光線を照射させるための通過窓である切断パ
ターン４を設けた切断パターンマスク３に対し、レーザ
光源１より発振したレーザ光線を反射ミラー２を介して
一定時間照射し、切断すべき（Ａ脂ダム部及びタイバー
部上のみにレーザ光を照射することにより所定量の切断
を行う。
及びタイバー部の切断方法を示す構成図である。この実
施例に示すＩＣの製造方法は、まず、搬送されてきた樹
脂封止済リードフレーム６を、このリードフレーム６上
に設けられた位置決め用穴７に位置決めピンを挿入して
位置を固定し、切断すべき樹脂ダム部及びタイバー部に
のみレーザ光線を照射させるための通過窓である切断パ
ターン４を設けた切断パターンマスク３に対し、レーザ
光源１より発振したレーザ光線を反射ミラー２を介して
一定時間照射し、切断すべき（Ａ脂ダム部及びタイバー
部上のみにレーザ光を照射することにより所定量の切断
を行う。
切断パターンマスク３は、通常、板厚０．１ｍｍ程度の
ステンレス又はリン青銅からなる金属板に、切断すべき
樹脂ダム部及びタイバー部の寸法パターンをエツチング
等により穴を明けて切断パターン４を設けるか、又は板
厚２ｍｍ程度の透明ガラスの表面にクロムあるいは銀等
の金属を蒸着し、蒸着面に切断すべき樹脂ダム部及びタ
イバー部の寸法パターンをエツチング等により除去して
切断パターン４を設けることにより製作する。
ステンレス又はリン青銅からなる金属板に、切断すべき
樹脂ダム部及びタイバー部の寸法パターンをエツチング
等により穴を明けて切断パターン４を設けるか、又は板
厚２ｍｍ程度の透明ガラスの表面にクロムあるいは銀等
の金属を蒸着し、蒸着面に切断すべき樹脂ダム部及びタ
イバー部の寸法パターンをエツチング等により除去して
切断パターン４を設けることにより製作する。
その結果、例えば板＊Ｑ、Ｉｍｍの金属性パターンマス
クの場合、板厚分の０．１ｍｍ程度のスリット明は加工
が可能となり、リード間ピッチが０ 、５ｍｍ以下のフ
ァインピッチのＩＣに対しても、樹脂ダム部及びタイバ
ー部をピッチを飛ばすことなく一括して切断するパター
ンマスクを製作できるので、切断時における位置ずれ等
の発生はなくなり、加工精度の安定化が図れるという利
点がある。
クの場合、板厚分の０．１ｍｍ程度のスリット明は加工
が可能となり、リード間ピッチが０ 、５ｍｍ以下のフ
ァインピッチのＩＣに対しても、樹脂ダム部及びタイバ
ー部をピッチを飛ばすことなく一括して切断するパター
ンマスクを製作できるので、切断時における位置ずれ等
の発生はなくなり、加工精度の安定化が図れるという利
点がある。
なお、切断パターンマスクのスリットについては、切断
パターンマスク３とリードフレーム６との間に図示しな
い凸レンズを設置し、レーザ光線を集光するようにすれ
ば実際の切断幅よりも大きなスリット幅を設けられるた
め、ファインピッチのＩＣ用の切断パターンマスクの製
作を更に容易にすることができる。
パターンマスク３とリードフレーム６との間に図示しな
い凸レンズを設置し、レーザ光線を集光するようにすれ
ば実際の切断幅よりも大きなスリット幅を設けられるた
め、ファインピッチのＩＣ用の切断パターンマスクの製
作を更に容易にすることができる。
又、切断パターンマスク３は、従来の切断パンチのよう
に使用時に破損することがないため長寿命となり、異な
る品種の切断加工を行う場合には、マスクホルダー５ａ
にその品種に応じた切断パターンマスク３を交換セット
するだけで容易に品種変更可能であり、従来は品種毎に
金型を用意する必要があったことと比較すると、ランニ
ングコストが安く、且つ容易に多品種に対応できるとい
う利点がある。
に使用時に破損することがないため長寿命となり、異な
る品種の切断加工を行う場合には、マスクホルダー５ａ
にその品種に応じた切断パターンマスク３を交換セット
するだけで容易に品種変更可能であり、従来は品種毎に
金型を用意する必要があったことと比較すると、ランニ
ングコストが安く、且つ容易に多品種に対応できるとい
う利点がある。
第２図は本発明の第２の実施例であるＩＣの樹脂ダム部
及びタイバー部の切断方法を示す構成図である。この実
施例におけるＩＣの製造方法においては、第２図に示す
ように、切断パターンマスクを樹脂ダム部切断用パター
ンマスク８とタイバー部切断用パターンマスク９の二つ
のマスクに分割し、マスクホルダー５ｂを移動させて切
断箇所に応じてその切断パターンマスクを選択し、樹脂
ダム部及びタイバー部の切断を個々に行う。
及びタイバー部の切断方法を示す構成図である。この実
施例におけるＩＣの製造方法においては、第２図に示す
ように、切断パターンマスクを樹脂ダム部切断用パター
ンマスク８とタイバー部切断用パターンマスク９の二つ
のマスクに分割し、マスクホルダー５ｂを移動させて切
断箇所に応じてその切断パターンマスクを選択し、樹脂
ダム部及びタイバー部の切断を個々に行う。
この場合は、切断箇所の材質、エリア面積等に合わせて
レーザ出力や照射時間等を最適な条件に設定制御できる
ため、消費電力が少なくてすむという利点がある。又、
樹脂ダム部やタイバー部のみのフレームパターン変更時
にも、その変更箇所に対応する切断パターンのみの交換
だけで変更できるという点で、外部リード形状１寸法等
のマイナーチェンジに対する柔軟性が高いという利点が
ある。
レーザ出力や照射時間等を最適な条件に設定制御できる
ため、消費電力が少なくてすむという利点がある。又、
樹脂ダム部やタイバー部のみのフレームパターン変更時
にも、その変更箇所に対応する切断パターンのみの交換
だけで変更できるという点で、外部リード形状１寸法等
のマイナーチェンジに対する柔軟性が高いという利点が
ある。
以上説明したように本発明は、樹脂封止済リードフレー
ムを位置決めした後、切断すべき樹脂ダム部及びタイバ
ー部の寸法パターンに対応した通過窓を有する切断パタ
ーンマスクを通して、レーザ光線をリードフレーム上に
照射し、所望の樹脂ダム部及びタイバー部の切断を行う
ことにより、リード間ピッチが０゜５ｍｍ以下のファイ
ンピッチのＩＣに対しても、−括して切断ずれのない安
定した切断加工を行うことが可能となる。
ムを位置決めした後、切断すべき樹脂ダム部及びタイバ
ー部の寸法パターンに対応した通過窓を有する切断パタ
ーンマスクを通して、レーザ光線をリードフレーム上に
照射し、所望の樹脂ダム部及びタイバー部の切断を行う
ことにより、リード間ピッチが０゜５ｍｍ以下のファイ
ンピッチのＩＣに対しても、−括して切断ずれのない安
定した切断加工を行うことが可能となる。
又、切断パターンマスクの交換により、容易且つ安価に
品種変更できるため、今後のＩＣの小型化、多ピン１ヒ
や多品種少量生産に対しても十分対応できると共に、品
質の安定化や工数及び維持費を含む設備投資削減による
コストダウンに大いに効果を発揮するものである。
品種変更できるため、今後のＩＣの小型化、多ピン１ヒ
や多品種少量生産に対しても十分対応できると共に、品
質の安定化や工数及び維持費を含む設備投資削減による
コストダウンに大いに効果を発揮するものである。
第１図は本発明の第１の実施例の切断方法を示す構成図
、第２図は本発明の第２の実施例の切断方法を示す構成
図、第３図は従来の切断方法を示す部分斜視図、第４図
は第３図におけるＡ−Ａ断面図、第５図は従来の切断方
法によるタイバー部の切断ずれを示す部分平面図、第６
図は従来の切断方法に用いる組合せ切断パンチの斜視図
である。 ｌ・・・レーザ光源、２・・・反射ミラー、３・・・切
断パターンマスク、４・・・切断パターン、５ａ、 ５
ｂ・・・マスクホルダー、６・・・リードフレーム、７
・・・位置決め用穴、８・・・樹脂ダム部切断用パター
ンマスク、９・・・タイバー部切断用パターンマスク、
ｌＯ・・・樹脂ダム部、１１・・・タイバー部、１２・
・・外部リード、１３・・・ＩＣパッケージ、１４・・
・切断パンチ、１５・・・グイ、１６・・・タイバー部
切断ずれ、１７・・・個片切断パンチ、１８・・・スペ
ーサー、１９・・・切断除去部。 第 図 フイ立Ｊ〃用穴 箭３図 箭４図 第５図 第６図
、第２図は本発明の第２の実施例の切断方法を示す構成
図、第３図は従来の切断方法を示す部分斜視図、第４図
は第３図におけるＡ−Ａ断面図、第５図は従来の切断方
法によるタイバー部の切断ずれを示す部分平面図、第６
図は従来の切断方法に用いる組合せ切断パンチの斜視図
である。 ｌ・・・レーザ光源、２・・・反射ミラー、３・・・切
断パターンマスク、４・・・切断パターン、５ａ、 ５
ｂ・・・マスクホルダー、６・・・リードフレーム、７
・・・位置決め用穴、８・・・樹脂ダム部切断用パター
ンマスク、９・・・タイバー部切断用パターンマスク、
ｌＯ・・・樹脂ダム部、１１・・・タイバー部、１２・
・・外部リード、１３・・・ＩＣパッケージ、１４・・
・切断パンチ、１５・・・グイ、１６・・・タイバー部
切断ずれ、１７・・・個片切断パンチ、１８・・・スペ
ーサー、１９・・・切断除去部。 第 図 フイ立Ｊ〃用穴 箭３図 箭４図 第５図 第６図
Claims (2)
- （１）樹脂封止型半導体装置の組立工程において、樹脂
封止後切断すべきリードフレームの樹脂ダム部及びタイ
バー部の寸法パターンに対応したレーザ光通過窓を有す
る切断パターンマスクをリードフレーム上に設置し、レ
ーザ光線をこの切断パターンマスク上に照射して樹脂ダ
ム部及びタイバー部の切断を行うことを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の製造方法。 - （２）切断パターンマスクを樹脂ダム部用とタイバー部
用とに分割し、個々の切断パターンマスクにレーザ光線
を照射して樹脂ダム部及びタイバー部の切断を個々に行
うことを特徴とする請求項（１）記載の樹脂封止型半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63298554A JPH02143552A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63298554A JPH02143552A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02143552A true JPH02143552A (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=17861240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63298554A Pending JPH02143552A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02143552A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6084204A (en) * | 1997-04-21 | 2000-07-04 | Samsung Aerospace Industries, Ltd. | Leadframe manufacturing apparatus using laser beams |
| CN102044451A (zh) * | 2009-10-22 | 2011-05-04 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件的制造方法和电子器件的制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5759368A (en) * | 1980-09-29 | 1982-04-09 | Hitachi Ltd | Method of removing flash on lead frame and cutting dam |
| JPS60224254A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Hitachi Yonezawa Denshi Kk | リ−ドフレ−ム切断方法 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP63298554A patent/JPH02143552A/ja active Pending
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