JPH02155259A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH02155259A JPH02155259A JP63309583A JP30958388A JPH02155259A JP H02155259 A JPH02155259 A JP H02155259A JP 63309583 A JP63309583 A JP 63309583A JP 30958388 A JP30958388 A JP 30958388A JP H02155259 A JPH02155259 A JP H02155259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- section
- semiconductor
- lead frame
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製品封止済リードフレームのタイバー部
及びリード部をレーザ光線で切断する半導体製造装置に
関する。
及びリード部をレーザ光線で切断する半導体製造装置に
関する。
従来この種の半導体製品封止済リードフレームのタイバ
ー部及びリード部を切断する装置は、切断金型と、該金
型を上下に開閉駆動するプレス部と、半導体製品封止済
リードフレームの搬送部（以下搬送部と記入）と、それ
らを制御する制御部から構成されており、半導体製品封
止済リードフレームを搬送部により金型部へ送り込み、
その後プレスにより切断金型を開閉させ、第２図、第３
図に示す半導体製品１０のタイバー１４及びリード１３
の切断を第４図、第５図に示すように行うようになって
いた。１２は位置決め孔、１５は吊りリードである。
ー部及びリード部を切断する装置は、切断金型と、該金
型を上下に開閉駆動するプレス部と、半導体製品封止済
リードフレームの搬送部（以下搬送部と記入）と、それ
らを制御する制御部から構成されており、半導体製品封
止済リードフレームを搬送部により金型部へ送り込み、
その後プレスにより切断金型を開閉させ、第２図、第３
図に示す半導体製品１０のタイバー１４及びリード１３
の切断を第４図、第５図に示すように行うようになって
いた。１２は位置決め孔、１５は吊りリードである。
上述した従来の半導体製品封止済リードフレームのタイ
バー及びリードを切断する装置（以下切断装置と記入）
において、第２図、第３図のような半導体製品封止済リ
ードフレームを切断する場合は製品毎に専用の切断金型
が必要である。このため、半導体製品の寸法が第２図、
第３図に示すように切断金型を交換しなければならない
という欠点がある。
バー及びリードを切断する装置（以下切断装置と記入）
において、第２図、第３図のような半導体製品封止済リ
ードフレームを切断する場合は製品毎に専用の切断金型
が必要である。このため、半導体製品の寸法が第２図、
第３図に示すように切断金型を交換しなければならない
という欠点がある。
また、タイバー切断において、リード間のピッチが狭い
場合、例えば、リード間ピッチ０．６ｎｍでリード幅０
．４ｍｆｆ１の場合タイバーは０．２關であり、このタ
イバーを切断するパンチ幅は０．１鴎程度であり、幅０
．１−のパンチは強度的に弱く実現性が乏しく、切断金
型の製作が難かしいという欠点がある。
場合、例えば、リード間ピッチ０．６ｎｍでリード幅０
．４ｍｆｆ１の場合タイバーは０．２關であり、このタ
イバーを切断するパンチ幅は０．１鴎程度であり、幅０
．１−のパンチは強度的に弱く実現性が乏しく、切断金
型の製作が難かしいという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体製造装置を提
供することにある。
供することにある。
上述した従来の半導体装置に対し、本発明はレーザ発振
器から出射されたレーザ光線をもって半導体製品封止済
リードフレームのタイバー切断及びリード切断を行うと
いう相違点を有する。
器から出射されたレーザ光線をもって半導体製品封止済
リードフレームのタイバー切断及びリード切断を行うと
いう相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明は半導体製品封止済リ
ードフレームのタイバー部及びリード部を切断する装置
において、レーザ光線にて半導体製品封止済リードフレ
ームのタイバー部及びリード部を切断する機構を装備し
たものである。
ードフレームのタイバー部及びリード部を切断する装置
において、レーザ光線にて半導体製品封止済リードフレ
ームのタイバー部及びリード部を切断する機構を装備し
たものである。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す構成図である。
図において、本発明の切断装置は高出力ＹＡＧ又はＣＯ
□ガスのレーザ発振器１と、光学系３と、光学系駆動部
７と、制御部８と、搬送部９と、アシストガス吹出口６
と、アシストガス供給部６を有している。２はファイバ
である。
□ガスのレーザ発振器１と、光学系３と、光学系駆動部
７と、制御部８と、搬送部９と、アシストガス吹出口６
と、アシストガス供給部６を有している。２はファイバ
である。
半導体製品封止済リードフレーム１１は搬送部９により
送られかつ位置決めが行われる。
送られかつ位置決めが行われる。
半導体製品封止済リードフレーム１１の切断箇所は予め
データとして制御部８に登録しておく。その後、レーザ
発振器１からレーザ光線４を出射し、出射されたレーザ
光線４をファイバ２、光学系３、ＸＹ子テーブルで構成
されている光学系駆動部７により、切断箇所のデータ通
り切断箇所へ照射する。
データとして制御部８に登録しておく。その後、レーザ
発振器１からレーザ光線４を出射し、出射されたレーザ
光線４をファイバ２、光学系３、ＸＹ子テーブルで構成
されている光学系駆動部７により、切断箇所のデータ通
り切断箇所へ照射する。
以上の動作により半導体製品のタイバー１４、リード１
３の切断部にレーザ光線４が当たり切断が行われる。ま
た切断時はアシストガス吹出口６よりアシストガスを吹
き出す。
３の切断部にレーザ光線４が当たり切断が行われる。ま
た切断時はアシストガス吹出口６よりアシストガスを吹
き出す。
（実施例２）
第６図は本発明の実施例２を示す斜視図である。
基本的な構成及び動作状態は実施例１と同じである。こ
の実施例ではアシストガス吹出部６を光学系３と分割す
ることにより、光学系駆動部７にガルバノメータ等を用
いることを可能としたものである。本実施例によれば、
レーザ光線を高速に動作させることが可能となり、生産
性を向上できるという利点がある。
の実施例ではアシストガス吹出部６を光学系３と分割す
ることにより、光学系駆動部７にガルバノメータ等を用
いることを可能としたものである。本実施例によれば、
レーザ光線を高速に動作させることが可能となり、生産
性を向上できるという利点がある。
以上説明したように本発明はレーザ発振器がら出射され
たレーザ光線を予め登録しておいたデータに基づき移動
させることができ、各種類の半導体製品封止済リードフ
レームのタイバー及びリードの切断がデータの変更のみ
で可能となり、新しい半導体製品を作る場合でも切断金
型を製作する必要がなくなり、切断金型の製作費用が削
減できる。またタイバー切断においてリード間が狭くな
る場合でも、レーザ光線の幅を変えることにより対応で
きるという効果を有する。
たレーザ光線を予め登録しておいたデータに基づき移動
させることができ、各種類の半導体製品封止済リードフ
レームのタイバー及びリードの切断がデータの変更のみ
で可能となり、新しい半導体製品を作る場合でも切断金
型を製作する必要がなくなり、切断金型の製作費用が削
減できる。またタイバー切断においてリード間が狭くな
る場合でも、レーザ光線の幅を変えることにより対応で
きるという効果を有する。
第１図は本発明の実施例１を示す構成図、第２図、第３
図は切断前の半導体製品封止済リードフレームを示す図
、第４図、第５図は切断後の半導体製品封止済リードフ
レームを示す図、第６図は本発明の実施例２を示す斜視
図である。 １・・・レーザ発振器 ２・・・ファイバ３・・・
光学系 ４・・・レーザ光線５・・・アシス
トガス供給部 ６・・・アシストガス吹出口 ア・・・光学系駆動部 ８・・・制御部９・・・搬
送部 １０・・・半導体製品１１・・・半導
体製品封入済リードフレーム１２・・・位置決め孔 １３・・・リード １４・・・タイバー１５
・・・吊りリード 第２図 第３図 第４図 第５図
図は切断前の半導体製品封止済リードフレームを示す図
、第４図、第５図は切断後の半導体製品封止済リードフ
レームを示す図、第６図は本発明の実施例２を示す斜視
図である。 １・・・レーザ発振器 ２・・・ファイバ３・・・
光学系 ４・・・レーザ光線５・・・アシス
トガス供給部 ６・・・アシストガス吹出口 ア・・・光学系駆動部 ８・・・制御部９・・・搬
送部 １０・・・半導体製品１１・・・半導
体製品封入済リードフレーム１２・・・位置決め孔 １３・・・リード １４・・・タイバー１５
・・・吊りリード 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- （１）半導体製品封止済リードフレームのタイバー部及
びリード部を切断する装置において、レーザ光線にて半
導体製品封止済リードフレームのタイバー部及びリード
部を切断する機構を装備したことを特徴とする半導体製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309583A JPH02155259A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309583A JPH02155259A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02155259A true JPH02155259A (ja) | 1990-06-14 |
Family
ID=17994779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63309583A Pending JPH02155259A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02155259A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02301160A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-13 | Nec Corp | レーザ切断装置 |
| JPH04367111A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-18 | Daishinku Co | 圧電振動子の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224254A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Hitachi Yonezawa Denshi Kk | リ−ドフレ−ム切断方法 |
| JPS6189654A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-07 | アマダ、エンジニアリング アンド サ−ビス カンパニ− インコ−ポレ−テツド | デユアル・インライン・パツケ−ジ形半導体加工装置 |
-
1988
- 1988-12-07 JP JP63309583A patent/JPH02155259A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224254A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Hitachi Yonezawa Denshi Kk | リ−ドフレ−ム切断方法 |
| JPS6189654A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-07 | アマダ、エンジニアリング アンド サ−ビス カンパニ− インコ−ポレ−テツド | デユアル・インライン・パツケ−ジ形半導体加工装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02301160A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-13 | Nec Corp | レーザ切断装置 |
| JPH04367111A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-18 | Daishinku Co | 圧電振動子の製造方法 |
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