JP2722626B2 - 連続タイバー切断装置 - Google Patents
連続タイバー切断装置Info
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- JP2722626B2 JP2722626B2 JP1062856A JP6285689A JP2722626B2 JP 2722626 B2 JP2722626 B2 JP 2722626B2 JP 1062856 A JP1062856 A JP 1062856A JP 6285689 A JP6285689 A JP 6285689A JP 2722626 B2 JP2722626 B2 JP 2722626B2
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- JP
- Japan
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- laser
- tie bar
- semiconductor product
- cutting
- laser beam
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製品のタイバー部を切断するレーザ切
断装置に関する。
断装置に関する。
従来、この種のレーザタイバー切断装置は半導体製品
リード間にあるタイバーを１箇所ずつ切断し、全箇所を
切断するまでは半導体製品を停止させてレーザ切断を行
っていた。
リード間にあるタイバーを１箇所ずつ切断し、全箇所を
切断するまでは半導体製品を停止させてレーザ切断を行
っていた。
上述した従来のレーザタイバー切断装置は半導体製品
リード間にあるタイバーを全リードに対し、スキャン光
学系で位置選択を行うに当り１個の半導体製品に費やす
加工時間が長く必要であった。すなわち、半導体製品を
一旦停止させレーザ光によるタイバー切断を行い、次に
未加工半導体製品を供給する間はタイバー切断ができ
ず、生産性が上がらないという欠点があった。
リード間にあるタイバーを全リードに対し、スキャン光
学系で位置選択を行うに当り１個の半導体製品に費やす
加工時間が長く必要であった。すなわち、半導体製品を
一旦停止させレーザ光によるタイバー切断を行い、次に
未加工半導体製品を供給する間はタイバー切断ができ
ず、生産性が上がらないという欠点があった。
本発明の目的は前記欠点を解決したレーザタイバー切
断装置を提供することにある。
断装置を提供することにある。
上述した従来の半導体製品を停止させてタイバー切断
を行う方式に対し、本発明はレーザ光にてタイバー切断
する半導体製品を一定速度（半導体製品間ピッチ／切断
時間）で連続移動させながら照射位置を計算し、レーザ
切断を行うという相違点を有する。
を行う方式に対し、本発明はレーザ光にてタイバー切断
する半導体製品を一定速度（半導体製品間ピッチ／切断
時間）で連続移動させながら照射位置を計算し、レーザ
切断を行うという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る連続タイバー
切断装置は、半導体製品のタイバー部をレーザ光にて切
断する装置において、 半導体製品に送りを与える搬送部と、 レーザ光を発生させるレーザ発振器と、 該レーザ発振器からのレーザ光を前記半導体製品のタ
イバー上の任意の位置に走査させるスキャン光学系と、 連続送りされる半導体製品の送り速度及びレーザ切断
する位置配列からレーザ光の照射位置を演算し、その指
令を前記スキャン光学系に入力する制御部とを有するも
のである。
切断装置は、半導体製品のタイバー部をレーザ光にて切
断する装置において、 半導体製品に送りを与える搬送部と、 レーザ光を発生させるレーザ発振器と、 該レーザ発振器からのレーザ光を前記半導体製品のタ
イバー上の任意の位置に走査させるスキャン光学系と、 連続送りされる半導体製品の送り速度及びレーザ切断
する位置配列からレーザ光の照射位置を演算し、その指
令を前記スキャン光学系に入力する制御部とを有するも
のである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する （実施例１） 第１図は本発明に係るレーザタイバー切断装置のシス
テム構成図である。図において、１は第２に示すような
リードフレーム２上に搭載された半導体製品3,…に定速
で連続送りを与える搬送部である。４はレーザ光を発生
させるレーザ発振器、５はレーザ光を半導体製品タイバ
ーの任意の位置に走査させるスキャン光学系である。６
は連続送りされる半導体製品３の送り速度（半導体製品
間ピッチ／切断時間）と、レーザ切断する位置配列から
レーザ光の照射位置を演算し、その指令を前記スキャン
光学系に入力する制御部である。
テム構成図である。図において、１は第２に示すような
リードフレーム２上に搭載された半導体製品3,…に定速
で連続送りを与える搬送部である。４はレーザ光を発生
させるレーザ発振器、５はレーザ光を半導体製品タイバ
ーの任意の位置に走査させるスキャン光学系である。６
は連続送りされる半導体製品３の送り速度（半導体製品
間ピッチ／切断時間）と、レーザ切断する位置配列から
レーザ光の照射位置を演算し、その指令を前記スキャン
光学系に入力する制御部である。
第１図において、リードフレーム２は図の右から左方
向へ一定の送り速度Ｇで移送される（第２図参照）。こ
のリードフレーム２がある所定の位置、例えばスキャン
光学系５の真下にきたときには図示しないセンサーによ
りレーザ発振器４からレーザ光が照射される。このレー
ザの出力は2kW以上であり、ビーム径はφ100μｍ程度で
ある。このレーザ光は制御部６からの指令に基づいてス
キャン光学系５にて出射角を制御され、第２図に示すよ
うに左端の半導体製品３のタイバー７上の 位置へ照射される。また、同時にこの場所へは図示しな
いアシストガス吹き出し口よりアシストガスを出してい
る。この間リードフレーム２は左方向へ移動している
が、レーザ照射時間は30μｍ秒以下であるから、実際上
は切断ズレ等は分からないレベルである。次にスキャン
光学系は次の切断する位置に出射角を変化させる。この
ときの製品上での変化量 Ｘ方向は Ｘ＝（リードフレームの移動速度（mm/S）） ×（レーザの出射間隔時間（ｓ））、 Ｙ方向は Ｙ＝（リード間ピッチ）である。
向へ一定の送り速度Ｇで移送される（第２図参照）。こ
のリードフレーム２がある所定の位置、例えばスキャン
光学系５の真下にきたときには図示しないセンサーによ
りレーザ発振器４からレーザ光が照射される。このレー
ザの出力は2kW以上であり、ビーム径はφ100μｍ程度で
ある。このレーザ光は制御部６からの指令に基づいてス
キャン光学系５にて出射角を制御され、第２図に示すよ
うに左端の半導体製品３のタイバー７上の 位置へ照射される。また、同時にこの場所へは図示しな
いアシストガス吹き出し口よりアシストガスを出してい
る。この間リードフレーム２は左方向へ移動している
が、レーザ照射時間は30μｍ秒以下であるから、実際上
は切断ズレ等は分からないレベルである。次にスキャン
光学系は次の切断する位置に出射角を変化させる。この
ときの製品上での変化量 Ｘ方向は Ｘ＝（リードフレームの移動速度（mm/S）） ×（レーザの出射間隔時間（ｓ））、 Ｙ方向は Ｙ＝（リード間ピッチ）である。
これを順次繰り返すと、レーザの照射位置は第２図の
Ｐのようになるが、リードフレーム２の移動があるた
め、製品上の照射位置は第３図のようになる。
Ｐのようになるが、リードフレーム２の移動があるた
め、製品上の照射位置は第３図のようになる。
（実施例２） 第４図，第５図は本発明の実施例２を示す図である。
第４図は個片品の場合の連続レーザタイバー切断方式
により得られるレーザ照射パターンを表わす図である。
により得られるレーザ照射パターンを表わす図である。
第５図は第４図の方式によりレーザ照射完了した半導
体製品を表わす図である。８はリード、９は収納トレー
である。本実施例では個片品の半導体製品３を収納トレ
ー９上に保持し、収納トレー９を一定速度で送ることに
より、連続的に収納トレー９上の個片品の半導体製品３
をレーザタイバー切断できるという利点がある。
体製品を表わす図である。８はリード、９は収納トレー
である。本実施例では個片品の半導体製品３を収納トレ
ー９上に保持し、収納トレー９を一定速度で送ることに
より、連続的に収納トレー９上の個片品の半導体製品３
をレーザタイバー切断できるという利点がある。
以上説明したように本発明はタイバー切断する半導体
製品を移動させながら、その速度に対する切断位置配列
を計算してスキャン光学系側でレーザ光を照射し、タイ
バー切断を行うことにより、半導体製品を連続して供給
でき、レーザタイバー切断を停止することなく、半導体
製品のタイバー切断をすることができ、生産性を向上で
きる効果がある。
製品を移動させながら、その速度に対する切断位置配列
を計算してスキャン光学系側でレーザ光を照射し、タイ
バー切断を行うことにより、半導体製品を連続して供給
でき、レーザタイバー切断を停止することなく、半導体
製品のタイバー切断をすることができ、生産性を向上で
きる効果がある。
第１図は本発明のレーザタイバー切断装置を示すシステ
ム構成図、第２図は連続レーザタイバー切断方式により
得られるレーザ照射パターンを示す図、第３図は第２図
の方式によりレーザ照射完了した半導体製品を示す図、
第４図は個片品の連続レーザタイバー切断方式により得
られるレーザ照射パターンを示す図、第５図は第４図の
方式によりレーザ照射完了した半導体製品を示す図であ
る。 １……搬送部、２……リードフレーム ３……半導体製品、４……レーザ発振器 ５……スキャン光学系、６……制御部 ７……タイバー、８……リード ９……収納トレー
ム構成図、第２図は連続レーザタイバー切断方式により
得られるレーザ照射パターンを示す図、第３図は第２図
の方式によりレーザ照射完了した半導体製品を示す図、
第４図は個片品の連続レーザタイバー切断方式により得
られるレーザ照射パターンを示す図、第５図は第４図の
方式によりレーザ照射完了した半導体製品を示す図であ
る。 １……搬送部、２……リードフレーム ３……半導体製品、４……レーザ発振器 ５……スキャン光学系、６……制御部 ７……タイバー、８……リード ９……収納トレー
Claims (1)
- 【請求項１】半導体製品のタイバー部をレーザ光にて切
断する装置において、 半導体製品に送りを与える搬送部と、 レーザ光を発生させるレーザ発振器と、 該レーザ発振器からのレーザ光を前記半導体製品のタイ
バー上の任意の位置に走査させるスキャン光学系と、 連続送りされる半導体製品の送り速度及びレーザ切断す
る位置配列からレーザ光の照射位置を演算し、その指令
を前記スキャン光学系に入力する制御部とを有すること
を特徴とする連続タイバー切断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1062856A JP2722626B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 連続タイバー切断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1062856A JP2722626B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 連続タイバー切断装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02241052A JPH02241052A (ja) | 1990-09-25 |
| JP2722626B2 true JP2722626B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=13212363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1062856A Expired - Lifetime JP2722626B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 連続タイバー切断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2722626B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017113788A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 株式会社リコー | 光加工装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224254A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Hitachi Yonezawa Denshi Kk | リ−ドフレ−ム切断方法 |
| JPS62144890A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ裁断機 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1062856A patent/JP2722626B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02241052A (ja) | 1990-09-25 |
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