JP3829411B2 - 樹脂ばりの除去方法及び除去装置 - Google Patents

樹脂ばりの除去方法及び除去装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3829411B2
JP3829411B2 JP15100397A JP15100397A JP3829411B2 JP 3829411 B2 JP3829411 B2 JP 3829411B2 JP 15100397 A JP15100397 A JP 15100397A JP 15100397 A JP15100397 A JP 15100397A JP 3829411 B2 JP3829411 B2 JP 3829411B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
package
laser
lead
green
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP15100397A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10340917A (ja
Inventor
信一郎 森
純一 南波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP15100397A priority Critical patent/JP3829411B2/ja
Publication of JPH10340917A publication Critical patent/JPH10340917A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3829411B2 publication Critical patent/JP3829411B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂封止型半導体装置の樹脂パッケージ成形時に生じる樹脂ばりの除去方法及び除去装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
樹脂封止型半導体装置の製造工程において、樹脂パッケージ成形時に樹脂がはみ出してリード上やリード間等に樹脂ばりを生じる。この樹脂ばりはリードにめっきを施す際の障害となるから、リードめっき工程までに除去する必要がある。従来はこの樹脂ばりを、通常、液体ホーニング法で除去していた。
【0003】
近年、半導体装置のパッケージはリードの微細化が進み、液体ホーニング法で樹脂ばりを除去すると、吹き付けられる液体の圧力でリード曲がりを生じるようになってきたため、最近ではレーザ光による非接触の樹脂ばり除去方法が注目されている。この場合、レーザ光としてはNd:YAGレーザ( 1064nm )を用い、このレーザビームを樹脂パッケージから突出する複数のリードの根元部分とそのリード間を含む領域に照射していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
樹脂封止型半導体装置のパッケージには種々のタイプのものがあるが、例えばSON(small out−line non−leaded package)のように、リードが樹脂パッケージから突出せず、樹脂パッケージの表面と略同一平面で露出するように樹脂パッケージに埋まっているタイプのものがある。このようなタイプの樹脂封止型半導体装置について、一列に並ぶ複数のリード上とリード間を含む領域(図1のA)全域に上記のNd:YAGレーザ( 1064nm )を照射してリード上の樹脂ばりを除去すると、同時に照射領域A内の樹脂パッケージの表層も除去され、この部分がえぐれてしまう、という問題があった。
【0005】
尚、これを防ぐためにリード上のみに選択的にレーザを照射するには、高度な制御を伴う複雑な装置等を必要とする。一方、リードが樹脂パッケージの側面から突出するタイプのパッケージでは、樹脂パッケージの本体を殆ど照射することなく、複数のリードの根元の部分を含む広い領域をレーザ照射することができるから、上記のような問題はない。
【0006】
本発明は、このような問題を解決して、リードが樹脂パッケージの表面と略同一平面で露出するように樹脂パッケージに埋まっているタイプの半導体装置であっても、樹脂パッケージを損傷することなく、レーザ光を広範囲に照射して樹脂ばりを除去することができる樹脂ばりの除去方法及び除去装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明は、樹脂パッケージとリードを有する半導体装置の該樹脂パッケージ成形時に該リードに付着した樹脂ばりと該樹脂パッケージと同時に緑色域レーザ光を照射して該樹脂ばりを選択的に除去方法としている。また、本発明は、樹脂パッケージとリードを有する半導体装置の該樹脂パッケージ成形時に該リードに付着した樹脂ばりの除去装置において、緑色域レーザ光を射出する緑色域レーザ光源装置を有し、該緑色域レーザ光を該樹脂ばりに照射する樹脂ばりの除去装置としている。
【0008】
即ち、この緑色域レーザ光(以下、グリーンレーザ光と記す)がYAGレーザ光(基本波)より樹脂パッケージの樹脂に対する吸収率が小さいこと等により、金属製のリード上の薄い樹脂ばりと樹脂パッケージの本体とに同時にグリーンレーザを照射した場合、樹脂ばりが消滅した時点では樹脂パッケージは殆ど損傷を受けない。従って、この樹脂ばりの除去方法及び除去装置は、リードが樹脂パッケージの表面と略同一平面で露出するように樹脂パッケージに埋まっているタイプの半導体装置にも適用でき、汎用性が高い。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図1及び図2を参照しながら説明する。図1は本発明の樹脂ばり除去方法を示す平面図である。同図はSON型パッケージの樹脂封止型半導体装置の実装面を示しており、樹脂パッケージ1の対向する二辺のそれぞれに沿ってリード2が等ピッチで配設されており、これらのリード2の表面は樹脂パッケージ1の表面と略同一平面であり、本来は露出していなければならないが、多くの場合、樹脂パッケージ1成形時に薄膜状の樹脂ばりが付着する。
【0010】
このリード2上の樹脂ばりに対して、本発明はグリーンレーザ、例えばNd:YAGレーザの第二高調波( 532nm)などを照射して、これを除去する。この時のレーザ光の照射野は片側のリード2の列総てとそれらの間を連続的に含む領域とする。即ち図1のAで示した領域を一度に照射してこの領域の樹脂ばりを除去したのち、反対側のリード2の列とそれらのリード間を連続的に含む領域を同様に照射してこの領域の樹脂ばりを除去する。
【0011】
尚、パッケージがQFP(quad flat package)やSOP(small out−line package)等、リードが樹脂パッケージの側面から突出するタイプの場合には、複数のリードの根元の部分をそれらのリードの間を含めて一括してレーザ照射する。
【0012】
図2は本発明の樹脂ばり除去装置の構成を示す図である。同図において、3は被処理物、11は第一のフィーダ、12は第二のフィーダ、13は被処理物の供給部、14は被処理物を表裏反転する反転部、15はレーザ処理部、16は被処理物表面に付着した異物(樹脂のカスやスス等)の除去等を行う後処理部、17は被処理物を収納する収納部である。
【0013】
被処理物3は複数の樹脂パッケージが成形されたリードフレームである。第一のフィーダ11と第二のフィーダ12は、ともに一つの被処理物3を保持する搬送ロボットが搬送路に沿って移動するものである。レーザ処理部15には第一のフィーダ11と第二のフィーダ12とがそれぞれ一つの被処理物3を同時に搬入可能であり、その二つの被処理物3の所望の部位に、グリーンレーザ光源装置(図示は省略)から射出されたグリーンレーザ光を照射することができる。
【0014】
このグリーンレーザ光源装置は、固体レーザ素子、固体レーザ素子を励起する半導体レーザ、固体レーザ素子から出射する基本波をその第二高調波に変換する第二高調波発生素子等で構成されている。固体レーザ素子がNd:YAG結晶である場合、その 1064nm の基本波がその第二高調波である 532nmのグリーンレーザに変換されて射出される。固体レーザ素子にNd:YAG結晶やNd:YVO(イットリウム・バナジウム・オキサイド)結晶を使用したグリーンレーザ光源装置は、十分な出力と出力安定性を備えたものが入手できる。
【0015】
このような樹脂ばり除去装置により、次のようにして樹脂ばりを除去する。先ず、被処理物3−1を第一のフィーダ11がレーザ処理部15に搬入し、グリーンレーザ光源装置から射出されたグリーンレーザ光を被処理物3−1上に導入し、その所望の部位を順次照射して樹脂ばりを除去する。この間に、第二のフィーダ12が別の被処理物3−2をレーザ処理部15に搬入する。
【0016】
被処理物3−1の樹脂ばり除去が終了すると、グリーンレーザ光の光路を変えて被処理物3−2上に導入し、その所望の部位を順次照射して樹脂ばりを除去する。この間に、被処理物3−1を反転部14で表裏反転して、再びレーザ処理部15に戻す。被処理物3−2の樹脂ばり除去が終了すると、グリーンレーザ光の光路を変えて再び被処理物3−1上に導入し、その所望の部位を順次照射して裏側の樹脂ばりを除去する。この間に、被処理物3−2を反転部14で表裏反転して、再びレーザ処理部15に戻す。
【0017】
被処理物3−1の裏側の樹脂ばり除去が終了すると、グリーンレーザ光の光路を変えて再び被処理物3−2上に導入し、その所望の部位を順次照射して裏側の樹脂ばりを除去する。この間に、被処理物3−1を反転部14で表裏反転したのち後処理部16に送るとともに、新たな被処理物をレーザ処理部15に搬入する。このようにして、第一のフィーダ11が搬入した被処理物3と第二のフィーダ12が搬入した被処理物3とに、交互に連続してグリーンレーザ光を照射する。中途でレーザ発振を止めないから、被処理物3に照射されるグリーンレーザ光の出力は常に安定している。
【0018】
尚、被処理物が、パッケージの片側にしか樹脂ばりが発生しないタイプの場合には、反転部14へは搬送せず、レーザ処理部15で待機すればよい。反転部14へ搬送して反転させ、樹脂パッケージに捺印(マーキング)するようにしてもよい。
【0019】
本発明は以上の例に限定されることなく、更に種々変形して実施することができる。
【0020】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、リードが樹脂パッケージ側面から突出するタイプ及びリードが樹脂パッケージの表面と略同一平面で露出するように樹脂パッケージに埋まっているタイプのいずれの半導体装置に適用しても、リードや樹脂パッケージが受ける損傷が少ない樹脂ばり除去方法・装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の樹脂ばり除去方法を示す平面図である。
【図2】 本発明の樹脂ばり除去装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
1 樹脂パッケージ
2 リード
3 被処理物
11 第一のフィーダ
12 第二のフィーダ
13 供給部
14 反転部
15 レーザ処理部
16 後処理部
17 収納部

Claims (4)

  1. 樹脂パッケージとリードを有する半導体装置の該樹脂パッケージ成形時に該リードに付着した樹脂ばりと該樹脂パッケージと同時に緑色域レーザ光を照射して該樹脂ばりを選択的に除去することを特徴とする樹脂ばりの除去方法。
  2. 前記緑色域レーザ光を一列に並ぶ複数の前記リード上と該リードの間とを含む領域に照射して前記樹脂ばりを除去することを特徴とする請求項1記載の樹脂ばりの除去方法。
  3. 樹脂パッケージとリードを有する半導体装置の該樹脂パッケージ成形時に該リードに付着した樹脂ばりの除去装置であって、緑色域レーザ光を射出する緑色域レーザ光源装置を有し、該緑色域レーザ光を該樹脂ばりに照射するものであることを特徴とする樹脂ばりの除去装置。
  4. それぞれ一個の被処理物を搬送する第一及び第二のフィーダとレーザ処理部とを有し、
    前記緑色域レーザ光源装置が連続的に射出する緑色域レーザ光を該第一及び第二のフィーダがそれぞれ該レーザ処理部に搬入した被処理物に交互に連続して照射するようにしたことを特徴とする請求項3記載の樹脂ばりの除去装置。
JP15100397A 1997-06-09 1997-06-09 樹脂ばりの除去方法及び除去装置 Expired - Fee Related JP3829411B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15100397A JP3829411B2 (ja) 1997-06-09 1997-06-09 樹脂ばりの除去方法及び除去装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15100397A JP3829411B2 (ja) 1997-06-09 1997-06-09 樹脂ばりの除去方法及び除去装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10340917A JPH10340917A (ja) 1998-12-22
JP3829411B2 true JP3829411B2 (ja) 2006-10-04

Family

ID=15509171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15100397A Expired - Fee Related JP3829411B2 (ja) 1997-06-09 1997-06-09 樹脂ばりの除去方法及び除去装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3829411B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100406509B1 (ko) * 2001-04-10 2003-11-19 (주)오토엠아이티 반도체 패키지의 디플래쉬 시스템
JP4089286B2 (ja) * 2002-05-08 2008-05-28 松下電器産業株式会社 液晶パネルの製造方法
KR100490680B1 (ko) * 2003-05-12 2005-05-19 주식회사 젯텍 사이드플래시에 절취홈을 갖는 반도체 패키지 및 그형성방법, 그리고 이를 이용한 디플래시 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10340917A (ja) 1998-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5689514B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2018078162A (ja) ウェーハの加工方法
JP3829411B2 (ja) 樹脂ばりの除去方法及び除去装置
JP6570910B2 (ja) ウエーハの加工方法
TWI694504B (zh) 雷射加工方法
CN111432978A (zh) 用于以聚合物树脂铸模化合物为基底的基板的切割方法及其系统
JP2007201179A (ja) ウェーハマウント装置及びウェーハマウント方法
JPH10242083A (ja) ダイシング方法
JP5706128B2 (ja) 半導体装置の樹脂バリ除去方法
JP2018133353A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP4575839B2 (ja) 接合装置及び接合方法
JP2002270510A5 (ja)
US9748119B2 (en) Wafer processing method
JP2005276987A (ja) 極薄チップの製造プロセス及び製造装置
JPS62118991A (ja) レ−ザバリ取り方法
JPS5827327A (ja) ダイボンデイング方法
JPS62229849A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS604225A (ja) 樹脂封止型半導体装置の樹脂バリ除去方法
KR19980022842A (ko) 자외선-오존 세정 기능을 겸비한 몰딩장치
JPH11300486A (ja) レーザ基板切断機およびこれに搭載された反転装置並びにレーザ基板切断方法
JP2013021211A (ja) ウエーハの加工方法
JP4060405B2 (ja) 半導体ウェハの製造方法
CN111293083B (zh) 被加工物的加工方法、器件芯片的制造方法
JPH01258403A (ja) 電子部品のレーザによる加工方法
KR100621598B1 (ko) 레이저를 이용한 칩 패키징 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040608

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060328

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060525

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060620

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060703

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100721

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100721

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110721

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110721

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120721

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120721

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130721

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees