JP2000232119A - 半導体チップの接続部材及びその製造方法とその接続部材を用いた半導体チップの接続方法 - Google Patents

半導体チップの接続部材及びその製造方法とその接続部材を用いた半導体チップの接続方法

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JP2000232119A
JP2000232119A JP11032211A JP3221199A JP2000232119A JP 2000232119 A JP2000232119 A JP 2000232119A JP 11032211 A JP11032211 A JP 11032211A JP 3221199 A JP3221199 A JP 3221199A JP 2000232119 A JP2000232119 A JP 2000232119A
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conductor
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Masayuki Sasaki
正行 佐々木
Hideaki Sakaguchi
秀明 坂口
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップの電極と配線基板の導体パッド
とを複雑な工程を踏まずに容易に接続するための半導体
チップの接続部材を得る。 【解決手段】 高融点材料からなる柱状の導体コア１０
０の上下面に低融点材料からなる導体層１１０を形成し
てなる接続部材Ａを形成する。そして、その接続部材Ａ
を配線基板の導体パッド上に載置した後、その接続部材
Ａ上に半導体チップの電極を重ね合わせて、半導体チッ
プを配線基板に載置する。次いで、その接続部材Ａを加
熱して、その接続部材Ａの導体層１１０を溶融させる。
そして、その溶融させた導体層１１０により、半導体チ
ップの電極と配線基板の導体パッドとを接続部材Ａの導
体コア１００を介して接続する。そして、半導体チップ
を配線基板にフリップチップボンディング方法により表
面実装する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップの電
極と配線基板の導体パッドとを接続するのに用いる半導
体チップの接続部材、及びその接続部材の製造方法、並
びにその接続部材を用いて半導体チップの電極と配線基
板の導体パッドとを接続する半導体チップの接続方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの電極と配線基板の導体パ
ッドとを接続する場合には、従来一般に、次のようにし
ている。図１５に示したように、配線基板１０の導体パ
ッド２０上に共晶はんだ等の低融点はんだからなる導体
層３０を塗布又は印刷等により形成している。半導体チ
ップ４０の電極５０には、高融点はんだからなるはんだ
バンプ６０を形成している。はんだバンプの頂部６０ａ
は、プレス機等を用いて平押している。そして、半導体
チップ４０に並ぶ複数の各電極５０に形成されたはんだ
バンプの頂部６０ａの高さを一律に同一高さに整えてい
る。次いで、半導体チップの電極５０に形成されたはん
だバンプ６０を、それに対応する配線基板の導体バンプ
２０に形成された導体層３０に重ね合わせて、半導体チ
ップ４０を配線基板１０に載置している。次いで、図１
６に示したように、配線基板１０と半導体チップ４０と
を共にリフロー炉に入れて加熱し、配線基板の導体パッ
ド２０に形成された導体層３０を加熱、溶融させてい
る。そして、その溶融させた導体層３０により、半導体
チップの電極５０と配線基板の導体パッド２０とを、半
導体チップの電極５０に形成された高融点はんだからな
るはんだバンプ６０を介してはんだ付けしている。そし
て、半導体チップ４０を配線基板１０にフリップチップ
ボンディング方法により表面実装している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにして、半導体チップの電極５０と配線基板の導体
パッド２０とをはんだ付けした場合には、その半導体チ
ップの電極５０にはんだバンプ６０を形成したり、配線
基板の導体パッド２０に低融点はんだからなる導体層３
０を形成したりしなければならず、そのはんだバンプ６
０や導体層３０の形成作業に多大な手数と時間を要し
た。
【０００４】また、半導体チップ４０の複数の各電極５
０に形成したはんだバンプの頂部６０ａを平押して、そ
の各はんだバンプの頂部６０ａの高さを一律に同一高さ
に整える作業に多大な手数と時間を要した。
【０００５】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たもので、上記のような複雑な工程を踏まずに、半導体
チップの電極と配線基板の導体パッドとをはんだ付け等
により接続できる半導体チップの接続方法と、それに用
いる半導体チップの接続部材及びその接続部材の製造方
法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の半導体チップの接続部材は、高融点
材料からなる柱状の導体コアの上面とその下面に、低融
点材料からなる導体層を形成してなることを特徴として
いる。
【０００７】また、本発明の第２の半導体チップの接続
部材は、高融点材料からなる柱状の導体コアの側面に、
低融点材料からなる導体層を形成してなることを特徴と
している。
【０００８】また、本発明の第１の半導体チップの接続
方法は、次の工程を含むことを特徴としている。 ａ．配線基板に形成された導体パッド上に本発明の第１
又は第２の半導体チップの接続部材を載置する工程。 ｂ．半導体チップの電極を前記接続部材上に重ね合わせ
て、半導体チップを前記配線基板に載置する工程。 ｃ．前記半導体チップの電極を重ね合わせた接続部材を
加熱して、その接続部材の低融点材料からなる導体層を
溶融させ、その溶融させた導体層により、前記半導体チ
ップの電極と配線基板の導体パッドとを接続部材の導体
コアを介して接続する工程。
【０００９】この第１又は第２の半導体チップの接続部
材を用いた第１の半導体チップの接続方法においては、
そのａ工程において、配線基板の導体パッド上に第１又
は第２の接続部材を載置するだけで良く、その配線基板
の導体パッドに導体層を塗布又は印刷等により多大な手
数を掛けて形成する作業を省くことができる。また、そ
のｂ工程において、半導体チップの電極は、上記の接続
部材上に重ね合わせるだけで良く、半導体チップの電極
に高融点はんだ等からなるはんだバンプを多大な手数と
時間を掛けて形成する作業を省くことができる。また、
はんだバンプの頂部を平押して、そのはんだバンプの頂
部の高さを一律に同一高さに整える面倒な作業を省くこ
とができる。そして、半導体チップの電極と配線基板の
導体パッドとを接続する作業の大幅な簡易化とその容易
化とが図れる。
【００１０】本発明の第１の半導体チップの接続部材の
製造方法は、導体コア形成用材料からなるコア板の上面
とその下面に、低融点材料からなる導体層を形成した
後、その導体層が上下面に形成されたコア板をその厚さ
方向にポンチにより打ち抜いて、第１の接続部材を形成
することを特徴としている。
【００１１】この第１の半導体チップの接続部材の製造
方法にあっては、導体コアの上面とその下面に導体層を
形成してなる一定の高さの柱状の第１の接続部材を、プ
レス加工により形成できる。
【００１２】本発明の第２の半導体チップの製造方法
は、導体コア形成用材料からなるコア棒の側面に、低融
点材料からなる導体層を形成した後、その導体層が側面
に形成されたコア棒を一定長さに輪切り切断して、第２
の接続部材を形成することを特徴としている。
【００１３】この第２の半導体チップの製造方法にあっ
ては、導体層が側面に形成されたコア棒を一定長さに輪
切り切断することにより、導体コアの側面に導体層を形
成してなる一定の高さの柱状の第２の接続部材を形成で
きる。
【００１４】本発明の第２の半導体チップの製造方法
は、次の工程を含むことを特徴としている。 ａ．半導体チップの電極上に本発明の第１又は第２の半
導体チップの接続部材を載置する工程。 ｂ．配線基板の導体パッドを前記接続部材上に重ね合わ
せて、配線基板を半導体チップに載置する工程。 ｃ．前記配線基板の導体パッドを重ね合わせた接続部材
を加熱して、その接続部材の低融点材料からなる導体層
を溶融させ、その溶融させた導体層により、前記半導体
チップの電極と配線基板の導体パッドとを接続部材の導
体コアを介して接続する工程。
【００１５】この第１又は第２の半導体チップの接続部
材を用いた第２の半導体チップの接続方法においては、
そのａ工程において、半導体チップの電極上に第１又は
第２の接続部材を載置するだけで良く、半導体チップの
電極に高融点はんだ等からなるはんだバンプを多大な手
数と時間を掛けて形成する作業を省くことができる。ま
た、はんだバンプの頂部を平押して、そのはんだバンプ
の頂部の高さを一律に同一高さに整える面倒な作業を省
くことができる。また、そのｂ工程において、配線基板
の導体パッドを、上記の接続部材上に重ね合わせるだけ
で良く、その配線基板の導体パッドに導体層を塗布又は
印刷等により多大な手数を掛けて形成する作業を省くこ
とができる。そして、半導体チップの電極と配線基板の
導体パッドとを接続する作業の大幅な簡易化とその容易
化とが図れる。
【００１６】また、この第１又は第２の半導体チップの
接続方法に用いる第１又は第２の接続部材には、高融点
材料からなる導体コアが含まれていて、第１又は第２の
半導体チップの接続方法において、半導体チップの電極
と配線基板の導体パッドとを接続する際は、その半導体
チップの電極と配線基板の導体パッドとの間に、導体コ
アを芯材として残存させることができる。そして、その
導体コアを介して、半導体チップの電極と配線基板の導
体パッドとを安定させて接続できる。
【００１７】本発明の第１又は第２の半導体チップの接
続方法においては、そのａ工程において、第１又は第２
の接続部材を載置する配線基板の導体パッド又は半導体
チップの電極にフラックスを塗布して、そのフラックス
を介して、前記接続部材を配線基板の導体パッド又は半
導体チップの電極に仮付けすることを好適としている。
【００１８】この本発明の第１又は第２の半導体チップ
の接続方法にあっては、そのａ工程において、粘着性の
あるフラックスを用いて、第１又は第２の接続部材を配
線基板の導体パッド又は半導体チップの電極に仮付けで
きる。そして、その接続部材が、配線基板の導体パッド
又は半導体チップの電極から脱落するのを防ぐことがで
きる。
【００１９】また、本発明の第１又は第２の半導体チッ
プの接続方法においては、そのｂ工程において、第１又
は第２の接続部材上に重ね合わせる半導体チップの電極
又は配線基板の導体パッドにフラックスを塗布して、そ
のフラックスを介して、前記接続部材に前記半導体チッ
プの電極又は配線基板の導体パッドを仮付けすることを
好適としている。
【００２０】この本発明の第１又は第２の半導体チップ
の接続方法にあっては、そのｂ工程において、粘着性の
あるフラックスを用いて、半導体チップの電極又は配線
基板の導体パッドを第１又は第２の接続部材に仮付けで
きる。そして、その接続部材から半導体チップの電極又
は配線基板の導体パッドが脱落するのを防ぐことができ
る。
【００２１】上記のａ工程又はｂ工程においてフラック
スを半導体チップの電極又は配線基板の導体パッドに塗
布する本発明の第１又は第２の半導体チップの接続方法
においては、そのｃ工程において、半導体チップの電極
と配線基板の導体パッドとの接続箇所を洗浄して、その
接続箇所に付着したフラックスを除去することを好適と
している。
【００２２】この第１又は第２の半導体チップの接続方
法にあっては、そのｃ工程において、半導体チップの電
極と配線基板の導体パッドとの接続箇所に付着したフラ
ックスを、洗浄して除去できる。そして、そのフラック
スにより、半導体チップの電極や配線基板の導体パッド
が、腐蝕等して、その電気的特性が損なわれるのを防ぐ
ことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に従い説明する。図１は本発明の第１の半導体チップの
接続部材の好適な実施の形態を示し、図１はその斜視図
である。以下に、この第１の接続部材を説明する。
【００２４】図の第１の接続部材は、円柱状、角柱状又
はそれらに近い形状（図では、円柱状）をした高融点材
料からなる導体コア１００の上面とその下面に、低融点
材料からなる導体層１１０を形成してなる柱状をしてい
て、三層構造をしている。導体層１１０は、共晶はんだ
等の低融点はんだ又は導電性ペーストを乾燥等させて形
成した導体から形成している。
【００２５】導体コア１１０及びその上下面の導体層１
１０は、その外径を、半導体チップの電極５０や配線基
板の導体パッド２０の外径に合わせて、約１００〜１５
０μｍに形成している。導体コア１００は、その丈を、
約５０〜１００μｍに形成している。導体コア１００上
下面の導体層１１０は、その丈を、約２０μｍに形成し
ている。そして、その溶融させた導体層１１０により、
導体コア１００の側面とそれに連なる半導体チップの電
極５０及び配線基板の導体パッド２０の側面とを過不足
なく覆うことができるようにしている。
【００２６】図１に示した第１の接続部材Ａは、以上の
ように構成している。
【００２７】次に、この第１の接続部材Ａの製造方法を
説明する。
【００２８】図２に示したように、導体コア形成用材料
の高融点はんだ（例えば、Ｐｂを９０重量％含み、Ｓｎ
を１０重量％含むはんだ）又は銅から形成された厚さが
約５０〜１００μｍのコア板２００の上面とその下面
に、厚さが約２０μｍの低融点材料からなる導体層１１
０を形成している。次いで、その導体層１１０が上面と
その下面に形成されたコア板２００を、図２に示したよ
うに、その厚さ方向にポンチ２１０により円柱状、角柱
状又はそれらに近い形状に打ち抜いている。そして、約
９０〜１４０μｍの一定の高さの柱状の第１の接続部材
Ａを形成している。
【００２９】図２に示した第１の接続部材Ａの製造方法
は、以上の工程からなり、この第１の接続部材の製造方
法においては、導体層１１０が上下面に形成されたコア
板２００をその厚さ方向にポンチ２１０により柱状に打
ち抜くことにより、導体コア１００の上面とその下面に
導体層１１０が形成されてなる一定の高さの柱状の第１
の接続部材Ａを、プレス加工により形成できる。
【００３０】図３は本発明の第２の半導体チップの接続
部材の好適な実施の形態を示し、図３はその斜視図であ
る。以下に、この第２の接続部材を説明する。
【００３１】図の第２の接続部材は、円柱状、角柱状又
はそれらに近い形状（図では、円柱状）をした高融点材
料からなる導体コア１００の側面に低融点材料からなる
導体層１１０を隙間なく連続して形成してなる柱状をし
ていて、二重構造をしている。導体層１１０は、共晶は
んだ等の低融点はんだ又は導電性ペーストを乾燥等させ
て形成した導体から形成している。
【００３２】導体コア１００は、その外径を、約６０〜
１１０μｍに形成している。導体コア１００の側面を覆
う導体層１１０は、その厚さを、約２０μｍに形成して
いる。そして、その第２の接続部材Ｂの外径を、半導体
チップの電極５０や配線基板の導体パッド２０の外径に
合わせて、約１００〜１５０μｍに形成している。導体
コア１００及びその側面を覆う導体層１１０は、その丈
を、約９０〜１４０μｍに形成している。そして、その
導体コア１００の側面を覆う溶融させた導体層１１０に
より、導体コア１００の側面とそれに連なる半導体チッ
プの電極５０及び配線基板の導体パッド２０の側面とを
過不足なく覆うことができるようにしている。
【００３３】図３に示した第２の接続部材Ｂは、以上の
ように構成している。
【００３４】次に、この第２の接続部材Ｂの製造方法を
説明する。
【００３５】図４に示したように、導体コア形成用材料
の高融点はんだ（例えば、Ｐｂを９０重量％含み、Ｓｎ
を１０重量％含むはんだ）又は銅から形成されたコア棒
３００の側面に、低融点材料からなる導体層１１０を隙
間なく連続して形成している。次いで、その導体層１１
０が側面に形成されたコア棒３００を、図４に示したよ
うに、約９０〜１４０μｍの長さに輪切り切断してい
る。そして、約９０〜１４０μｍの一定の高さの柱状の
第２の接続部材Ｂを形成している。
【００３６】図４に示した第２の接続部材Ｂの製造方法
は、以上の工程からなり、この第２の接続部材の製造方
法においては、導体層１１０が側面に形成されたコア棒
３００を一定長さに輪切り切断するだけで、導体コア１
００の側面に導体層１１０が形成されてなる一定の高さ
の第２の接続部材を容易かつ迅速に形成できる。
【００３７】次に、この第１の接続部材Ａ又は第２の接
続部材Ｂを用いて半導体チップの電極５０と配線基板の
導体パッド２０とを接続する半導体チップの接続方法で
あって、本発明の第１の半導体チップの接続方法の好適
な実施の形態を説明する。
【００３８】図５に示したように、配線基板１０に形成
された導体パッド２０上に前述の第１の接続部材Ａを載
置している。又は図７に示したように、配線基板１０に
形成された導体パッド２０上に前述の第２の接続部材Ｂ
を載置している。そして、本発明の第１の半導体チップ
の接続方法のａ工程を行っている。
【００３９】次いで、図６に示したように、半導体チッ
プの電極５０を配線基板の導体パッド２０に載置した第
１の接続部材Ａ上に重ね合わせて、半導体チップ４０を
配線基板１０に載置している。又は図８に示したよう
に、半導体チップの電極５０を配線基板の導体パッド２
０に載置した第２の接続部材Ｂ上に重ね合わせて、半導
体チップ４０を配線基板１０に載置している。そして、
本発明の第１の半導体チップの接続方法のｂ工程を行っ
ている。
【００４０】その後、半導体チップ４０及び配線基板１
０を共にリフロー炉に入れて、加熱している。そして、
半導体チップの電極５０を重ね合わせた第１の接続部材
Ａ又は第２の接続部材Ｂを加熱して、その第１の接続部
材Ａ又は第２の接続部材Ｂの低融点材料からなる導体層
１１０を溶融させている。そして、その溶融させた導体
層１１０により、半導体チップの電極５０と配線基板の
導体パッド２０とを接続している。具体的には、図９に
示したように、その溶融させた導体層１１０により、第
１の接続部材Ａ又は第２の接続部材Ｂの高融点材料から
なる導体コア１００の側面とそれに連なる半導体チップ
の電極５０及び配線基板の導体パッド２０の側面とを連
続して覆っている。その際には、高融点材料からなる導
体コア１００を、溶融させずに、芯材として残してい
る。そして、その導体コア１００を介して、配線基板の
導体パッド２０と半導体チップの電極５０とを安定させ
て接続している。そして、半導体チップ４０を配線基板
１０にフリップチップボンディング方法により表面実装
している。そして、本発明の第１の半導体チップの接続
方法のｃ工程を行っている。
【００４１】図５ないし図９に示した第１の半導体チッ
プの接続方法は、以上の工程からなる。この第１の接続
部材Ａ又は第２の接続部材Ｂを用いた第１の半導体チッ
プの接続方法においては、そのａ工程において、配線基
板の導体パッド２０上に第１の接続部材Ａ又は第２の接
続部材Ｂを載置するだけで良く、その配線基板の導体パ
ッド２０に導体層３０を塗布又は印刷等により多大な手
数を掛けて形成する作業を省くことができる。また、そ
のｂ工程において、半導体チップの電極５０は、上記の
第１の接続部材Ａ又は第２の接続部材Ｂ上に重ね合わせ
るだけで良く、半導体チップの電極５０に高融点はんだ
等からなるはんだバンプ６０を多大な手数と時間を掛け
て形成する作業を省くことができる。また、はんだバン
プの頂部６０ａを平押して、そのはんだバンプの頂部６
０ａの高さを一律に同一高さに整える面倒な作業を省く
ことができる。そして、半導体チップの電極５０と配線
基板の導体パッド２０とを接続する作業の大幅な簡易化
とその容易化とが図れる。
【００４２】次に、前述の第１の接続部材Ａ又は第２の
接続部材Ｂを用いて半導体チップの電極５０と配線基板
の導体パッド２０とを接続する半導体チップの接続方法
であって、本発明の第２の半導体チップの接続方法の好
適な実施の形態を説明する。
【００４３】図１０に示したように、半導体チップの電
極５０上に前述の第１の接続部材Ａを載置している。又
は図１２に示したように、半導体チップの電極５０上に
前述の第２の接続部材Ｂを載置している。そして、本発
明の第２の半導体チップの接続方法のａ工程を行ってい
る。
【００４４】次いで、図１１に示したように、配線基板
の導体パッド２０を上記の第１の接続部材Ａ上に重ね合
わせて、配線基板１０を半導体チップ４０に載置してい
る。又は図１３に示したように、配線基板の導体パッド
２０を上記の第２の接続部材Ｂ上に重ね合わせて、配線
基板１０を半導体チップ４０に載置している。そして、
本発明の第２の半導体チップの接続方法のｂ工程を行っ
ている。
【００４５】その後、半導体チップ４０及び配線基板１
０を共にリフロー炉に入れて、加熱している。そして、
配線基板の導体パッド２０を重ね合わせた上記の第１の
接続部材Ａ又は第２の接続部材Ｂを加熱して、その第１
の接続部材Ａ又は第２の接続部材Ｂの低融点材料からな
る導体層１１０を溶融させている。そして、その溶融さ
せた導体層１１０により、配線基板の導体パッド２０と
半導体チップの電極５０とを接続している。具体的に
は、図１４に示したように、その溶融させた導体層１１
０により、第１の接続部材Ａ又は第２の接続部材Ｂの導
体コア１００の側面とそれに連なる半導体チップの電極
５０及び配線基板の導体パッド２０の側面とを連続して
覆っている。その際には、高融点材料からなる導体コア
１００を、溶融させずに、芯材として残している。そし
て、その導体コア１００を介して、配線基板の導体パッ
ド２０と半導体チップの電極５０とを安定させて接続し
ている。そして、半導体チップ４０を配線基板１０にフ
リップチップボンディング方法により表面実装してい
る。そして、本発明の第２の半導体チップの接続方法の
ｃ工程を行っている。
【００４６】図１０ないし図１４に示した第２の半導体
チップの接続方法は、以上の工程からなる。この第１の
接続部材Ａ又は第２の接続部材Ｂを用いた第２の半導体
チップの接続方法においては、そのａ工程において、半
導体チップ５０上に第１の接続部材Ａ又は第２の接続部
材Ｂを載置するだけで良く、半導体チップの電極５０に
高融点はんだ等からなるはんだバンプ６０を多大な手数
と時間を掛けて形成する作業を省くことができる。ま
た、はんだバンプの頂部６０ａを平押して、そのはんだ
バンプの頂部６０ａの高さを一律に同一高さに整える面
倒な作業を省くことができる。また、そのｂ工程におい
て、配線基板の導体パッド２０を、上記の第１の接続部
材Ａ又は第２の接続部材Ｂ上に重ね合わせるだけで良
く、その配線基板の導体パッド２０に導体層３０を塗布
又は印刷等により多大な手数を掛けて形成する作業を省
くことができる。そして、半導体チップの電極５０と配
線基板の導体パッド２０とを接続する作業の大幅な簡易
化とその容易化とが図れる。
【００４７】上述の第１又は第２の半導体チップの接続
方法においては、そのａ工程において、図５、図６、図
７、図８、図１０、図１１、図１２又は図１３に示した
ように、前述の第１の接続部材Ａ又は第２の接続部材Ｂ
を載置する配線基板の導体パッド２０又は半導体チップ
の電極５０にフラックス１２０を塗布して、その粘着性
のあるフラックス１２０を介して、第１の接続部材Ａ又
は第２の接続部材Ｂを配線基板の導体パッド２０又は半
導体チップの電極５０に動かぬように仮付けすると良
い。そして、半導体チップの電極５０と配線基板の導体
パッド２０とを接続する際に、第１の接続部材Ａ又は第
２の接続部材Ｂが配線基板の導体パッド２０又は半導体
チップの電極５０から脱落するのを防ぐと良い。
【００４８】上述の第１又は第２の半導体チップの接続
方法においては、そのｂ工程において、図５、図６、図
７、図８、図１０、図１１、図１２又は図１３に示した
ように、前述の第１の接続部材Ａ又は第２の接続部材Ｂ
上に重ね合わせる半導体チップの電極５０又は配線基板
の導体パッド２０にフラックス１２０を塗布して、その
粘着性のあるフラックス１２０を介して、半導体チップ
の電極５０又は配線基板の導体パッド２０を第１の接続
部材Ａ又は第２の接続部材Ｂに動かぬように仮付けする
と良い。そして、半導体チップの電極５０と配線基板の
導体パッド２０とを接続する際に、第１の接続部材Ａ又
は第２の接続部材Ｂから半導体チップの電極５０又は配
線基板の導体パッド２０が脱落するのを防ぐと良い。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１又は
第２の半導体チップの接続部材を用いた本発明の半導体
チップの接続方法によれば、本発明の第１又は第２の半
導体チップの接続部材を用いて、複雑な工程を踏まず
に、半導体チップの電極と配線基板の導体パッドとをは
んだ付け等により容易かつ迅速に接続できる。そして、
半導体チップをフリップチップボンディング方法により
配線基板に表面実装する作業の大幅な簡易化とその容易
化とが図れる。
【００５０】本発明の第１又は第２の半導体チップの接
続部材の製造方法によれば、本発明の第１又は第２の半
導体チップの接続部材を容易かつ的確に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の半導体チップの接続部材の斜視
図である。
【図２】本発明の第１の半導体チップの接続部材の製造
工程説明図である。
【図３】本発明の第２の半導体チップの接続部材の斜視
図である。
【図４】本発明の第２の半導体チップの接続部材の製造
工程説明図である。
【図５】本発明の第１の半導体チップの接続方法の工程
説明図である。
【図６】本発明の第１の半導体チップの接続方法の工程
説明図である。
【図７】本発明の第１の半導体チップの接続方法の工程
説明図である。
【図８】本発明の第１の半導体チップの接続方法の工程
説明図である。
【図９】本発明の第１の半導体チップの接続方法の工程
説明図である。
【図１０】本発明の第２の半導体チップの接続方法の工
程説明図である。
【図１１】本発明の第２の半導体チップの接続方法の工
程説明図である。
【図１２】本発明の第２の半導体チップの接続方法の工
程説明図である。
【図１３】本発明の第２の半導体チップの接続方法の工
程説明図である。
【図１４】本発明の第２の半導体チップの接続方法の工
程説明図である。
【図１５】従来の半導体チップの接続方法の工程説明図
である。
【図１６】従来の半導体チップの接続方法の工程説明図
である。
【符号の説明】
１０ 配線基板 ２０ 導体パッド ３０ 導体層 ４０ 半導体チップ ５０ 電極 ６０ はんだバンプ ６０ａ はんだバンプの頂部 １００ 導体コア １１０ 導体層 １２０ フラックス ２００ コア板 ２１０ ポンチ ３００ コア棒 Ａ 第１の接続部材 Ｂ 第２の接続部材

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高融点材料からなる柱状の導体コアの上
    面とその下面に、低融点材料からなる導体層を形成して
    なる半導体チップの接続部材。
  2. 【請求項２】 高融点材料からなる柱状の導体コアの側
    面に、低融点材料からなる導体層を形成してなる半導体
    チップの接続部材。
  3. 【請求項３】 導体コアが、高融点はんだ又は銅からな
    り、導体層が低融点はんだ又は導電性ペーストを用いて
    形成された導体からなる請求項１又は２記載の半導体チ
    ップの接続部材。
  4. 【請求項４】 導体コア形成用材料からなるコア板の上
    面とその下面に、低融点材料からなる導体層を形成した
    後、その導体層が上下面に形成されたコア板をその厚さ
    方向にポンチにより打ち抜いて、請求項１又は３記載の
    接続部材を形成することを特徴とする半導体チップの接
    続部材の製造方法。
  5. 【請求項５】 導体コア形成用材料からなるコア棒の側
    面に、低融点材料からなる導体層を形成した後、その導
    体層が側面に形成されたコア棒を一定長さに輪切り切断
    して、請求項２又は３記載の接続部材を形成することを
    特徴とする半導体チップの接続部材の製造方法。
  6. 【請求項６】 コア板又はコア棒を、高融点はんだ又は
    銅を用いて形成し、導体層を低融点はんだ又は導電性ペ
    ーストを用いて形成する請求項４又は５記載の半導体チ
    ップの接続部材の製造方法。
  7. 【請求項７】 次の工程を含むことを特徴とする半導体
    チップの接続方法。 ａ．配線基板に形成された導体パッド上に請求項１、２
    又は３記載の接続部材を載置する工程。 ｂ．半導体チップの電極を前記接続部材上に重ね合わせ
    て、半導体チップを前記配線基板に載置する工程。 ｃ．前記半導体チップの電極を重ね合わせた接続部材を
    加熱して、その接続部材の低融点材料からなる導体層を
    溶融させ、その溶融させた導体層により、前記半導体チ
    ップの電極と配線基板の導体パッドとを接続部材の導体
    コアを介して接続する工程。
  8. 【請求項８】 次の工程を含むことを特徴とする半導体
    チップの接続方法。 ａ．半導体チップの電極上に請求項１、２又は３記載の
    接続部材を載置する工程。 ｂ．配線基板の導体パッドを前記接続部材上に重ね合わ
    せて、配線基板を半導体チップに載置する工程。 ｃ．前記配線基板の導体パッドを重ね合わせた接続部材
    を加熱して、その接続部材の低融点材料からなる導体層
    を溶融させ、その溶融させた導体層により、前記半導体
    チップの電極と配線基板の導体パッドとを接続部材の導
    体コアを介して接続する工程。
  9. 【請求項９】 ａ工程において、接続部材を載置する配
    線基板の導体パッド又は半導体チップの電極にフラック
    スを塗布して、そのフラックスを介して、前記接続部材
    を配線基板の導体パッド又は半導体チップの電極に仮付
    けする請求項７又は８記載の半導体チップの接続方法。
  10. 【請求項１０】 ｂ工程において、接続部材上に重ね合
    わせる半導体チップの電極又は配線基板の導体パッドに
    フラックスを塗布して、そのフラックスを介して、前記
    接続部材に半導体チップの電極又は配線基板の導体パッ
    ドを仮付けする請求項７、８又は９記載の半導体チップ
    の接続方法。
  11. 【請求項１１】 ｃ工程において、半導体チップの電極
    と配線基板の導体パッドとの接続箇所を洗浄して、その
    接続箇所に付着したフラックスを除去する請求項９又は
    １０記載の半導体チップの接続方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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