JP2638646B2 - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JP2638646B2
JP2638646B2 JP23522389A JP23522389A JP2638646B2 JP 2638646 B2 JP2638646 B2 JP 2638646B2 JP 23522389 A JP23522389 A JP 23522389A JP 23522389 A JP23522389 A JP 23522389A JP 2638646 B2 JP2638646 B2 JP 2638646B2
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雅之 西島
賢一 木沢
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、PROM(Programmable Read Only Memory)
内蔵の半導体集積回路に関するものである。
従来の技術 第2図は、半導体集積回路に内蔵されたPROM1にデー
タを書き込む際の状態を示している。
PROM1にデータDを書き込むためには、半導体集積回
路とは別にPROMライター20を用意し、このPROMライター
20から前記のPROM1へ、書き込みアドレスと書き込むべ
きデータDとを供給する。必要なデータの書き込みが完
了するとPROMライター20は半導体集積回路から取り外さ
れて、半導体集積回路が使用される。
具体的には、PROMライター20のアドレス出力a0,a1,
〜,anがPROM1のアドレス入力a0,a1,〜,anに接続され、P
ROM1のデータ入力にはPRMOライター20から書き込むべき
データDが供給される。
一つのアドレスについてのデータの書き込みが完了す
ると、PROMライター20はアドレス出力a0,a1,〜,anで表
されるアドレスをインクリメントし、データを前記イン
クリメントされたアドレスの内容に変更して書き込みが
行われる。このようにして、外部のPROMライター20から
繰り返しインクリメントして指定されるアドレスに、次
々にPROMライター20から供給されたデータが書き込まれ
ていく。
ここで、アドレス入力信号はa0が最下位ビット(LS
B)、anが最上位ビット(MSB)である。
また、PROM内蔵のマイコンにおいては、第3図に示す
ようにして書き込みが行われる。第3図において、2は
マイコンチップのプログラムカウンタ、3はプログラム
カウンタ2の第1のインクリメント信号入力端子であ
る。n0,n1,〜,nnは、プログラムカウンタ2のアドレス
出力信号で、n0が最下位ビット(LSB)、nnが最上位ビ
ット(MSB)である。4はアドレス入力信号a0〜anとプ
ログラムカウンタ2のアドレス出力信号n0〜nnとを切り
換えるスイッチ群である。
このPROM内蔵のマイコンの場合には、スイッチ群4の
切り換えによって前記PROMライター20のアドレス出力
a0,a1,〜,anから書き込みアドレスを指定して行われて
いる。
発明が解決しようとする課題 このような従来の構成では、半導体集積回路に内蔵し
たPROMをアドレス指定する半導体集積回路外部端子が、
上記内蔵PROM容量に応じて必要となり、上記外部端子数
がアドレス数だけ必要である。
また、PROM内蔵マイコンにおいては、外部端子数の少
ないマイコンではPROM内蔵のOTP(One Time Programmab
le)マイコンを製作することができなかった。それに加
えて内蔵PROMのアドレス入力信号をスイッチ群で切り換
える回路が必要で、回路構成が複雑である。
本発明は、このような従来の課題を解決するもので、
アドレス指定のための半導体集積回路の外部端子は1端
子のみですみ、またPROM内蔵マイコンにおいては、端子
数の少ないマイコンにおいても、PROM内蔵のOTPマイコ
ンの製作を可能にし、内蔵PROMのアドレス指定入力信号
をスイッチ群で切り換える必要がなく、回路構成が簡単
な半導体集積回路を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明の半導体集積回路は、プログラマブルROM内蔵
の半導体集積回路であって、繰り返しインクリメントさ
れ書き込みアドレスを指定する外部アドレス信号の最下
位ビットを外部から受け入れてこの入力信号の周波数を
2倍にして出力する周波数2倍化回路と、周波数2倍化
回路の出力信号をカウントするカウンタとを設け、上記
カウンタのカウント出力を上記プログラマブルROMのア
ドレス信号としたことを特徴とする。
作用 上記構成により、従来のカウンタのアドレス入力信号
の最下位ビットアドレス信号を用い、この周波数を2倍
にし、これを半導体集積回路の内部でのクロック信号と
して用いる。
実施例 以下、本発明の一実施例を第1図に基づいて説明す
る。
第1図は本発明の半導体集積回路に内蔵されたPROM1
に半導体集積回路の外部からのデータを書き込む際の状
態を示している。
この半導体集積回路には、PROM1の他にリセット付カ
ウンタ12と周波数2倍化回路18などが内蔵されている。
13はリセット付カウンタ12への第1のクロック信号入力
端子、14はリセット付カウンタ12へのリセット信号入力
端子である。PROMライター20は従来の一般的なもので、
この半導体集積回路の外部に設けられている。
PROM1へのデータの書き込みに際しは、周波数2倍化
回路18の入力に接続された外部接続端子19に、PRMOライ
ター20の最下位ビットアドレス信号a0が供給されてい
る。
具体的には、PROMライター20の前記アドレス信号が4
ビットの場合、このアドレス信号は繰り返しインクリメ
ントされ(0000)→(0001)→(0010)→(0011)→…
……と変化します。最下位のビットa0は0→1→0→1
………と変化して、必要とする半分の周波数のクロック
しか得られませんが、この実施例では、この最下位のビ
ットa0の信号だけを受け入れて、周波数2倍化回路18の
出力に必要とする周波数のクロックを得ている。
上記構成において、リセット信号が入力されると、ア
ドレス信号a0,a1,〜,anは0にクリアされ、0番地を示
す。周波数2倍化回路18の出力に発生したクロックは、
リセット付カウンタ12の第1のクロック信号入力端子13
に供給され、リセット付カウンタ12はリセット信号の解
除後、第1のクロック信号が入力されると、リセット付
カウンタ12は1づつカウントし、アドレス信号a0,a1,
〜,anは0番地から順次1づつ加算されてPROM1に書き込
みアドレスを指定する。PROMライター20からPROM1への
書き込みデータの供給は従来と同様である。
このように、書き込みアドレスについては半導体集積
回路に外部接続端子19の1端子で済む。
発明の効果 以上のように本発明によれば、内蔵PROMをアドレス指
定する半導体集積回路外部端子を大幅に削減することが
できる。
また、外部端子数の少ないマイコンのOTPマイコンの
実現を、簡単な回路構成で実現させる。さらに、上記構
成の半導体集積回路を、従来の信号を用いて容易に実現
でき、ピン端子数の少ないマイコンを作製する上できわ
めて有利である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の半導体集積回路に内蔵され
たPROMにデータを書き込む際の構成図、第2図および第
3図は従来のブロック構成図である。 1……PROM、12……リセット付カウンタ、14……リセッ
ト信号入力端子、18……周波数2倍化回路、19……外部
接続端子。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】プログラマブルROM内蔵の半導体集積回路
    であって、 繰り返しインクリメントされ書き込みアドレスを指定す
    る外部アドレス信号の最下位ビットを外部から受け入れ
    てこの入力信号の周波数を2倍にして出力する周波数2
    倍化回路と、 周波数2倍化回路の出力信号をカウントするカウンタと を設け、上記カウンタのカウント出力を上記プログラマ
    ブルROMのアドレス信号とした半導体集積回路。
JP23522389A 1989-09-11 1989-09-11 半導体集積回路 Expired - Lifetime JP2638646B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS57179980A (en) * 1981-04-27 1982-11-05 Hitachi Ltd Rom control system
JPS57179981A (en) * 1981-04-27 1982-11-05 Hitachi Ltd Rom control system
JPS63887A (ja) * 1986-06-19 1988-01-05 Hitachi Maxell Ltd メモリカ−トリツジ

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