JP2618287B2 - 光反応性有害物質除去剤及びこれを用いる有害物質除去方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、悪臭物質、刺激臭物質及び園芸作物成長促
進物質等の有害物質の除去剤並びにこれを用いる有害物
質の除去方法に関する。

（従来の技術） 近年、工業的に発生する悪臭や刺激臭のみならず、家
庭や飲食店における廃棄物や調理時に発生する悪臭や刺
激臭が問題となってきている。これらの臭気の主成分
は、硫化水素、アンモニア、メルカプトン、アミン、ア
ルデヒド及び脂肪酸類等である。

また、青果物や花卉類等について、より新鮮な状態で
の供給や通常の収穫時ではない時期における供給に対す
る要求が高まり、これらの園芸作物を新鮮に保つため
に、植物成長ホルモンであるエチレン等の成長促進物質
の効率的な除去法が望まれている。

本発明者らは、これらの有害物質を光反応性半導体を
利用して除去する検討を進めてきた。この光反応を利用
する方法は、有害物質の除去効率、エネルギーコスト及
び設備コスト、安全性等の点で優れているが、更に優れ
た除去性能が求められている。

また、従来の光反応性半導体を使用する有害物質の除
去法においては、光反応性半導体を、各種材料からなる
多孔質状、ハニカム状、シート状等の基材に担持させて
これに紫外線あるいは可視光線を照射する方法が採用さ
れることが多い。光反応性半導体を各種基材に担持する
方法としては、光反応性半導体を揮発性有機溶媒等に
懸濁させ、基材に塗布又は含浸させたのち乾燥する、
基材が金属やセラミックス等の場合にの方法において
塗布・含浸させた後、更に500℃以上で焼成する、基
材が紙や膨潤しやすい有機高分子フィルムやシート等か
らなる場合、光反応性半導体の水あるいは揮発性有機溶
媒の懸濁液中に浸し、半導体を浸透させたのち乾燥す
る、各基材の製造過程で半導体をフィラーとして混入
させる、基材に水溶性高分子、有機系接着剤、無機系
接着剤を用いて半導体を接着する等の方法が行われてい
る。しかしながら、これらの方法は、半導体の担持量が
少なく、基材との接着力が小さいので半導体が剥離しや
すい（）、焼成の過程で半導体の凝集が起こり比表面
積が減少し性能が落ちる（）、担体が限られ、また、
半導体のほとんどが基材内部に取り込まれて基材表面の
半導体量が少なくなる（、）、基材製造・加工の過
程で他の原料との反応や加熱等により半導体が変質し性
能が落ちる（）、半導体が接着剤と反応したり、半導
体表面を覆ったりしてしまい活性点が大きく減少する
（）等の欠点を有している。

このため、光反応性半導体を利用した効率的な有害物
質除去方法が望まれている。

（発明が解決しようとする課題） 本発明の目的は、従来より更に優れた光反応性有害物
質除去剤を提供することにある。また、本発明の他の目
的は、基材に光反応性半導体を担持させた、効率よい有
害物質除去材を提供することにある。本発明の更に他の
目的は、これらの光反応性有害物質除去剤又は有害物質
除去材を用いる有害物質除去方法を提供することにあ
る。

（課題を解決するための手段） 本発明者らは、この目的を達成すべく鋭意研究を続け
た結果、金属アルコキシドを加水分解して得られる生成
物と光反応性半導体とを併用すれば、優れた有害物質除
去性能が得られることを見出し、この知見に基いて更に
研究を進めて本発明を完成するに至った。

かくして本発明によれば、貴金属化合物の存在下又は
不存在下における金属アルコキシドの加水分解生成物及
び光反応性半導体を含有して成る光反応性有害物質除去
剤、光反応性半導体の存在下であって貴金属化合物の存
在下又は不存在下における金属アルコキシドの加水分解
生成物を含有して成る光反応性有害物質除去剤、これら
の光反応性有害物質除去剤を基材に担持させて成る有害
物質除去材並びに上記光反応性有害物質除去剤又は光反
応性有害物質除去材に、紫外線照射下において、有害物
質を接触させることを特徴とする有害物質の除去方法が
提供される。

本発明において用いる光反応性半導体とは、光触媒反
応を生じる半導体であり、0.5〜5eV、好ましくは１〜3e
Vの禁止帯幅を持つものである。このような半導体とし
ては、例えば二酸化スズ、酸化亜鉛、三酸化タングステ
ン、二酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化第二鉄等の
金属酸化物；例えば硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化
鉛、セレン化亜鉛、セレン化カドミウム等の金属カルコ
ゲナイド；例えば珪素、ゲルマニウム等の第IV族元素；
例えばガリウム−リン、ガリウム−ヒ素、インジウム−
リン等のIII−Ｖ族化合物；例えばポリアセチレン、ポ
リピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリビニ
ルカルバゾール等の有機半導体を挙げることができる
が、これらに限定されない。

また、光反応性半導体にヒ素、リン、アルミニウム、
ホウ素、ナトリウム、ハロゲン等の不純物をドープした
ものも同様に使用することができる。

これらのうち、酸化亜鉛、三酸化タングステン、二酸
化チタン、酸化セリウムなどの金属酸化物及びその混晶
物が好ましい。

本発明において用いる金属アルコキシドは、金属のア
ルコールエステルであれば、組成によっては、特に制限
されない。一般に、金属アルコキシドは、元素周期律表
に記載されているほとんどの金属から調製できることが
知られているが、化学的に安定であり入手し易い点か
ら、短周期型周期律表のIIIa、IIIb、IVa、IVb、Va、Vb
及びVIII族元素のアルコキシド、なかでもアルミニウ
ム、珪素、チタン及びジルコニウムのアルコキシドのよ
うに室温で比較的安定なものが好適である。

また、金属アルコキシドのアルコキシ基の炭素数は、
加水分解の容易さ、生成するアルコールの揮発性の観点
から、１〜４が好適である。アルコキシ基の炭素数が５
以上のものの場合は、加水分解により生成するアルコー
ルの揮発性が低くなり、加水分解生成物からの除去が困
難になる。

本発明において、金属アルコキシドとして２種類以上
の金属からなる金属アルコキシドを用いることもでき
る。また、２種類以上の金属アルコキシドを併用しても
よい。

本発明において用いる金属アルコキシドの製法は特に
制限されず、金属単体、酸化物、水酸化物又はハロゲン
化物等とアルコールとの反応によって調製してもよい
し、金属アルコキシドのエステル交換により調製しても
よい。

本発明において、金属アルコキシドの使用量は、光反
応性半導体100重量部に対して、加水分解物換算で１〜1
000重量部の範囲が好ましい。1000重量部を超えると有
害物質の除去性能が低下し、他方、１重量部未満では光
反応性半導体を基材に担持させて使用する場合に基材か
ら剥離しやすくなる。

本発明において、金属アルコキシドの加水分解方法に
は、特に限定はなく、水、水とアルコールの混合液、又
は水とアルコールと他の有機溶剤との混合液（以下、こ
れらを加水分解液という。）を用いて、これらを金属ア
ルコキシドに噴霧する方法、加水分解液中に金属アルコ
キシドを浸漬する方法を例示することができる。また、
空気中に長時間放置するだけでもよい。また、これらの
方法において、金属アルコキシドは、そのままでも又は
溶媒に溶解もしくは分散させた状態でも反応系に添加す
ることができるが、急激な反応を防止し、均一な粒度の
微細な加水分解生成物を得るためには、溶媒に溶解して
使用するのが好ましい。

更に、これらの金属アルコキシドの加水分解液は、加
水分解を促進させるため、酸性あるいはアルカリ性に調
整してもよい。

上記加水分解において使用する有機溶剤は、金属アル
コキシドに対する溶解性の点からは、金属アルコキシド
の合成に使用したと同じアルコールが好ましい。また、
乾燥工程における除去のしやすさや取り扱いやすさから
は、沸点200℃以下のものが好ましく、沸点150℃以下の
ものが、より好ましい。これらの有機溶剤の具体例とし
ては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブ
タノール、ペンタノール等のアルコール類；ベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、
ヘプタン等の鎖状炭化水素類等を示すことができる。

加水分解生成物に付着している溶媒や生成したアルコ
ール等を除去して有害物質除去剤の性能を向上させるた
めに、通常は、これを300℃より低い温度で、好ましく
は60〜250℃で乾燥する。もちろん、室温で乾燥しても
よいが長時間を要する。乾燥温度が300℃以上では、有
害物質除去性能が落ちるので好ましくない。この原因の
一つは、有害物質除去に何らかの寄与を果たしていると
推定される金属アルコキシドの加水分解生成物の比表面
積が、300℃以上では急速に減少するためであると考え
られる。

金属アルコキシドの加水分解生成物の乾燥に要する時
間は特に限定されず、実質的に重量減少がなくなるとき
を乾燥の終点とすればよいが、通常、１〜10時間であ
る。また、乾燥は、空気中で行えばよく、特に不活性気
体雰囲気にする必要はない。更に、常圧乾燥でも減圧な
いし真空乾燥でもよい。乾燥のための加熱方法に特に限
定はないが、実用上、一定の温度を均一に、しかも安定
に得られる電気、スチーム、温（熱）水又は電磁波によ
る加熱が好ましい。

このようにして得られた金属アルコキシドの加水分解
生成物と光反応性半導体とを混合することにより、本発
明の有害物質除去剤を得ることができる。混合方法は、
特に限定されない。

金属アルコキシドの加水分解反応を反応系中に光半導
体を存在させて行なうことにより、これらが均一に混合
した有害物質除去剤を効率よく得ることができる。

また、貴金属化合物の存在下での金属アルコキシドの
加水分解生成物を光反応性半導体と混合することによ
り、より優れた除去性能を有する有害物質除去剤を得る
ことができる。加水分解を光反応性半導体の存在下で行
なえば、三成分が均一に混合した有害物質除去剤を効率
よく得ることができる。

本発明において使用する貴金属化合物とは、金、銀、
銅及び白金族元素（ルテニウム、ロジウム、パラジウ
ム、オスミウム、イリジウム及び白金）から選ばれる貴
金属単体並びにこれらの貴金属を含有する化合物をい
う。貴金属を含有する化合物の例としては、酸化物、塩
化物、錯体等を示すことができるがこれらに限定されな
い。

これらの貴金属化合物は、金属アルコキシドの加水分
解の際に反応系中に存在させればよく、具体的には、加
水分解の際に使用する溶媒に溶解又は分散させても、金
属アルコキシド又はそれを含有する有機溶剤と混合して
から加水分解してもよく、加水分解と同時に系に添加し
てもよい。これらの加水分解生成物に均一に分散させる
ために、溶媒に溶解した状態で使用するのが好ましい。

本発明に用いる貴金属化合物の量は、特に制限されな
いが、光反応性半導体の金属アルコキシドの加水分解生
成物の10重量％以下が好ましい。貴金属化合物の量が多
すぎると、該加水分解生成物と均一に混合せず、却って
有害物質除去性能が低下する。

本発明の有害物質除去剤を各種基材に担持させること
により、本発明の有害物質除去材を得ることができる。

本発明に用いる基材として使用する材料及びその形状
等は特に制限されない。また、基材の表面形状も限定さ
れず、平滑であっても多孔質であってもよいが、本発明
の光反応性半導体との接着性の面からは、多孔質の方が
好ましい。

本発明に用い得る基材としては、無機材料の例とし
て、活性炭、天然ゼオライト、人工ゼオライト、アルミ
ナ、シリカゲル、アロフェン、粘土等の吸着剤として使
用される材料；シリカ、シリカアルミナ、シリコンカー
バイド、チタニア、ジルコニア、マグネシア、コーディ
ライト、ムライト等の触媒担体；ガラス、セラミック、
金属又は天然無機化合物等からなる繊維、織布、不織
布、紙状体；ガラス、セラミック又は金属等からなるシ
ート、フィルム、箔等を挙げることができる。また、有
機材料の例としては、合成高分子材料（ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリ
スチレン、ポリテトラフルオロエチレン、アクリロニロ
リル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリ
ル−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−テトラフル
オロエチレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体
等）からなる繊維、シート、フィルム、織布、不織布、
紙；木綿、リネン、大麻等の植物繊維；羊毛、モヘア、
ビキュナ等の獣毛や絹等の動物繊維等の天然高分子材料
からなる繊維、シート、織布、不織布等が挙げられるが
これらに限定されない。

更に、上記各種材料をハニカム状、スポンジ状又は複
雑な形状に二次加工してできる担体を用いてもよい。

有害物質除去剤を各種基材に担持させる方法は、特に
限定されず、例えば、除去剤をそのままで又は適当な溶
剤の溶液もしくは懸濁液として、塗布、含浸又はスプレ
ーする方法を示すことができる。

また、金属アルコキシドを含浸、塗布、スプレー等に
より担持させた基材に加水分解液を噴霧するか又は上記
基材を加水分解液に浸漬したのち、光反応性半導体を担
持させてもよい。

また、例えば、基材を加水分解反応液中に浸漬してお
く等の手段により、金属アルコキシドの加水分解を行な
う反応系中に基材を存在させておくことにより、加水分
解生成物を均一に担持させた基材を得ることができ、こ
れに光反応性半導体を任意の方法で担持させることによ
り、有害物質除去剤を得ることもできる。

また、この方法で加水分解反応を光反応性半導体をも
存在させて行なえば、効率よく本発明の有害物質除去材
を得ることができる。

本発明の有害物質除去剤又はこれを基材に担持させた
有害物質除去材に、紫外線照射下において、各種有害物
質を接触させることによりこれを除去することができ
る。

有害物質除去剤又は有害物質除去材（以下、有害物質
除去剤等という。）と有害物質との接触は、有害物質除
去剤等を投入した特定の反応器に被処理気体を導入して
バッチ方式または連続方式で実施してもよいし、この反
応器を循環装置等に接続して連続処理してもよい。ま
た、フィルター状に成形した有害物質除去剤等を通過さ
せることにより、有害物質をこれと接触させてもよい。

更に、大量の有害物質を除去し又は短時間で有害物質
を除去する場合には、粒状もしくは粉状の有害物質除去
剤等を充填した反応器を固定床もしくは流動床として使
用して、又はハニカム状、スポンジ状もしくはシート状
の有害物質除去剤等をフィルターとして使用して、有害
物質との接触効率を向上させるのが好ましい。固定床又
は流動床として使用するときの反応器は、その外壁の少
なくとも一部を、粒状又は粉末状の有害物質除去剤等を
通過させないが有害物質又はこれを含有する流体を通過
させることのできる上記各種基材により形成する。ま
た、フィルターとして使用する場合には、光源からの紫
外線が効率よく当たるようなフィルター形状の基材に有
害物質除去剤等を担持して用いるか、シート状の有害物
質除去剤等を適宜、アコーディオン状、波形状、円筒状
等の構造にするのが好ましい。

本発明において用いる紫外線は、波長が400〜200nmの
近紫外線が好ましいが、200nm以下の真空紫外線が含ま
れていても差し支えない。これらの紫外線は超高圧水銀
灯、キセノン灯、低圧水銀灯を単独あるいは併用するこ
とによって発生させ得るが、放電管内に水銀と希ガス以
外のガリウム、タリウム等の第三成分を共存させて目的
に合致した波長分布特性を有するように改良された光源
を使用してもよい。もちろん、紫外線以外の光線、例え
ば可視光線を含んでいてもよい。

本発明において用いる紫外線ランプの設置場所は有害
物質除去剤等に効率的に照射できれば、特に制限されな
い。フィルター用に用いる場合は、フィルターの気体や
液体の流入口側、流出口側のいずれに設置してもよく、
また、フィルター内部に設置してもよいが、ランプ表面
の汚れを防ぐため流出口側に設置するのが好ましい。ま
た、流動床や固定床での照射に用いる場合は反応器の外
部から照射してもよいが、照射を効率よく行なうために
は反応器内部に設置するのが好ましい。

（発明の効果） かくして本発明によれば、除去効率に優れ、しかも長
期間の反応活性が低下しない有害物質除去剤等を得るこ
とができ、これを用いれば、悪臭物質、刺激臭物質又は
園芸作物成長促進物質等の有害物質を大量に迅速かつ効
率よく除去することができる。

本発明の有害物質除去剤等は、有効期間が長く、安全
性が高く、適用できる有害物質の範囲や担持できる担体
の範囲も広いためシステム化も容易であり、産業的に極
めて有用である。

（実施例） 以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。但
し、本発明は下記実施例に限定されるものではない。な
お、実施例及び比較例中の部及び％は、特に断りのない
限り、重量基準である。

実施例１ 第１表に示した光反応性半導体粉末とチタンテトライ
ソプロポキシドとを用いて、下記処方のＡ液及びＢ液を
作製した。

Ａ液処方 光反応性半導体 100部 イソプロパノール 900部 金属アルコキシド（固形分換算） 100部 Ｂ液処方 イソプロパノール 900部 エタノール 200部 水 100部 ガラス製セパラブルフラスコ中に入れたＡ液を撹拌し
ながら、これにＢ液を添加した。生成した固体状生成物
を取り出して、60℃で８時間、真空乾燥器により予備乾
燥した後、常圧、150℃で１時間乾燥して、有害物質除
去剤を得た。

光反応性半導体重量換算で0.5gになる量の有害物質除
去剤を80ミリリットルの紫外線透過性ガラス製三角フラ
スコ内に投入し、フラスコ内部を第１表に示す初濃度の
エチレンを含む空気で置換した後、シリコンゴム栓で密
閉し、フラスコから20cmの距離に設置した超高圧水銀灯
（照度10mW/cm²、主波長365nm）により紫外線照射を行
なった。点灯後のフラスコ内のエチレンの濃度の経時変
化をガスクロマトグラフィーで追跡した。この結果を第
１表に示す。

比較例１ 実施例１におけるＡ液の処方において金属アルコキシ
ドを使用しないほかは、実施例１と同様の実験を行なっ
た。結果を第１表に併せて示す。

比較例２ 市販の脱臭剤である銀担持ゼオライト（鐘紡社製、商
品名；バクテキラー）及び活性炭各0.5gを用いて、実施
例１と同じ評価を行なった。この結果を併せて第１表に
示す。

第１表の結果から、本発明の光反応性有害物質除去剤
により、エチレンが効率よく除去されるのに対して、光
反応性半導体のみを使用する場合には、エチレン除去速
度が遅いことが分かる。また、比較例３の脱臭剤では、
一旦エチレン濃度が減少した後、増加するという現象も
見られた。

実施例２ 第２表に示した光反応性半導体粉末とチタンテトライ
ソプロポキシドとを用いて、実施例１に示すと同様の処
方のＡ液及びＢ液を作製した。

ポリエチレン製瓶中に入れたＡ液中に適当量の不織布
を浸し、瓶を30分間しんとう機で振動させて不織布にＡ
液を十分浸透させた後、不織布を取り出してホーロー製
ビーカーに入れたＢ液に30分間浸した。次に、不織布を
取り出して、60℃で８時間、真空乾燥器により予備乾燥
した後、更に常圧、150℃で１時間乾燥して、有害物質
除去材試料を得た。

この試料から光反応性半導体重量換算で0.5gになるよ
うな長さの幅1cmの短冊状の試料片を作成した。

次に、得られた各試料片について、実施例１と同様の
有害物質除去試験を行なった。結果を第２表に示す。

比較例３ 紫外線照射を行わないほかは実施例２と同様の実験を
行なった。結果を第２表に併せて示す。

比較例４ ポリエチレン製瓶中に入れたＣ液又はＤ液中に適当量
の不織布を浸し、30分間しんとう機で振動させて不織布
に液を十分浸透させた後、不織布を取り出して、60℃で
８時間、真空乾燥器により予備乾燥した後、更に常圧、
150℃で１時間乾燥して、有害物質除去材試料を得た。
この試料を用いて実施例２と同様の実験を行なった。結
果を併せて第２表に示す。

Ｃ液処方 二酸化チタン 100部 ウレタン系粘着剤（旭電化社製） 10部 ｎ−ヘキサン 100部 Ｄ液処方 二酸化チタン 100部 ポリビニルアルコール（日本合成化学社製） 10部 ｎ−ヘキサン 100部 第２表の結果から、本発明の光反応性有害物質除去材
により、エチレンが効率よく除去されるのに対して、紫
外線を照射しないときは、エチレン除去速度が遅いこと
が分かる。また、比較例４のように水溶性高分子等を使
用して光反応性半導体を担持したときは、除去性能が著
しく低下することが分かる。

実施例３ 光反応性半導体として二酸化チタンを用い、第３表に
示す金属アルコキシドを用いるほかは実施例２と同様の
実験を行なった。これらの結果を第３表に示す。

第３表の結果から、金属アルコキシドの種類を変えて
も、チタンテトライソプロポキシドの場合と同様のエチ
レン除去性能が得られることが分かる。

実施例４ 実施例２の方法によりチタンテトライソプロポキシド
と二酸化チタンから調製した試料片を用いて、第４表に
示す空気中の有害物質について実施例２と同様の除去実
験を行なった。その結果を第４表に示す。

第４表の結果から、本発明の除去材は、各種の有害物
質に対しても、エチレンに対すると同様、迅速な除去性
能を有することが分かる。

実施例５ 不織布に代えて第５表に示す基材を用いるほかは実施
例２と同様の実験を行なった。これらの結果を第５表に
示す。但し、アルミナペレット及びガラスウールは短冊
状にすることができないので、各々二酸化チタン換算で
0.5gになるアルミナペレット及びガラスウールをそのま
ま試験用の三角フラスコ内に投入して評価した。

第５表の結果から、本発明の有害物質除去材において
不織布以外の各種基材を使用しても良好なエチレン除去
性能が得られることが分かる。

実施例６ Ｂ液の水に代えて10％の硝酸銀水溶液又は塩化白金酸
水溶液を用い、光反応性半導体として二酸化チタンを、
金属アルコキシドとしてチタンテトライソプロポキシド
を用いて調製した試料片を用いて、実施例２と同様にエ
チレン除去実験を行なった。結果を第６表に示す。

第６表の結果から、貴金属化合物を併用した有害物質
除去材を使用するとエチレン除去性能が向上することが
分かる。

実施例７ アルミナペレットの調製において最後の乾燥温度を変
化させるほかは、実施例５と同様にして試料を調製し、
実施例２と同様にしてエチレン除去実験を行なった。結
果を第７表に示す。

実施例８ 半導体として二酸化チタンを、金属アルコキシドとし
てチタンテトライソプロポキシドを用い、光反応性半導
体100重量部に対し、金属アルコキシドの使用量を固形
分換算で0.1、100又は5000重量部と変化させたときのエ
チレンの濃度の経時変化を実施例２と同様の方法で測定
した。その結果を第８表に示した。但し、金属アルコキ
シド0.1重量部の場合は粉落ちが激しいので殆ど粉体の
状態で測定した。

第８表の結果から、金属アルコキシドの使用量が過度
に少ないとき又は過度に多いときは、エチレン除去性能
が劣ることが分かる。

実施例９ 低温恒温器内に設置した内容積12リットルのデシケー
ター内に市販のキウイ30個を入れた。このデシケータ
ー、実施例３で用いた本発明の不織布試料片を5.0g投入
し低圧水銀灯（照度3mW/cm²、主波長254nm）を不織布試
料片を照射できるように装着した300ミリリットル光化
学反応用フラスコ及びダイヤフラム型エアーポンプを、
この順にチューブで接続した。なお、デシケーター以外
は低温恒温器外部に設置した。次いで、このデシケータ
ーを温度５℃、湿度90％以上に保った後、内部の空気を
ダイヤフラム型エアーポンプで循環させた（本発明例、
実験Ａ）。また、比較のために、本発明の除去剤の投入
及び紫外線照射を行なわないで同様の実験を行なった
（比較例、実験Ｂ）。実験開始時には、エチレン及びア
セトアルデヒドは、いずれも検出されなかった。60日後
にデシケーター中のエチレン及びアセトアルデヒドの濃
度をガスクロマトグラフィーで測定したところ、実験Ａ
ではエチレン及びアセトアルデヒドを検出することはで
きなかったのに対して、実験Ｂでは9ppmのエチレン及び
4ppmのアセトアルデヒドが検出された。

また、屈折計（アタゴ社製）でキウイの糖度を測定し
たところ、実験Ａでは糖度が17であり実験前の糖度17と
差がなかったのに対して、実験Ｂは糖度が17から11に低
下していた。更に、実験Ｂでは実験Ａに比べて全般的に
皮が柔らかく、しぼんでしわが寄っており、その内４個
は一部果汁が外にしみだしていた。

この結果から、本発明の方法は園芸作物の鮮度保持に
効果があることが分かる。

実施例10 内径6cm、厚さ2mm、長さ30cmのアクリル樹脂製円筒内
に6Wの低圧水銀灯を設置し、円筒の両側を350メッシュ
の金網で覆った反応管を作製した。この反応管に、半導
体として二酸化チタンを、金属アルコキシドとしてチタ
ンテトライソプロポキシドを、基材として粒径が100メ
ッシュ程度のシリカゲルを使用して実施例４と同様にし
て作製した有害物質除去材50gを投入した後、反応管を
垂直に固定し、更に反応管の下部に小型シロッコファン
を装着した。その後、ファンの入口部分で約100ppmにな
るように濃度を調整したエチレン、メチルメルカプタ
ン、トリメチルアミン又はホルムアルデヒドを、毎分15
0〜180リットルの流量で、最初は紫外線ランプを点灯せ
ずに流通させ、流通後の濃度をガスクロマトグラフィー
で測定したところ、約10時間後に10〜30ppmが検出され
た。これに対し、紫外線ランプを点灯して同様の実験を
行なったところ、いずれの有害物質も検出されなかっ
た。このことから本発明の方法において、有害物質を流
動床的に処理すると除去効果が顕著に向上することが分
かる。

実施例11 チタンテトライソプロポキシドと二酸化チタンとから
実施例２と同様にして調製した試料片0.5gを80ミリリッ
トルの紫外線透過性ガラス製三角フラスコ内に投入し、
約10000ppmのエチレンを含む空気でフラスコ内部を置換
した後、実施例２と同様にして紫外線を２時間照射した
後の濃度を測定したところ、除去率は100％であった。
この後、フラスコを開栓して余剰のエチレンを完全に除
去する−再度密栓して、再び約10000ppmのエチレンを含
む空気で置換するという操作を繰り返したが、100回繰
り返し後も除去率は100％を維持しており、除去率の低
下は見られなかった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｊ 35/02 Ｃ０９Ｋ 3/00 Ｓ Ｃ０９Ｋ 3/00 Ｂ０１Ｄ 53/34 １１６Ｚ

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】金属アルコキシドの加水分解生成物及び光
   反応性半導体を含有して成る光反応性有害物質除去剤。
2. 【請求項２】金属アルコキシドの加水分解が光反応性半
   導体の存在下においてなされたものである請求項（１）
   の光反応性有害物質除去剤。
3. 【請求項３】貴金属化合物の存在下における金属アルコ
   キシドの加水分解生成物及び光反応性半導体を含有して
   成る光反応性有害物質除去剤。
4. 【請求項４】金属アルコキシドの加水分解が貴金属化合
   物及び光反応性半導体の存在下においてなされたもので
   ある請求項（３）の光反応性有害物質除去剤。
5. 【請求項５】請求項（１）〜（４）のいずれかの光反応
   性有害物質除去剤を基材に担持させて成る有害物質除去
   材。
6. 【請求項６】請求項（１）〜（４）のいずれかの光反応
   性有害物質除去剤に、紫外線照射下において、有害物質
   を接触させることを特徴とする有害物質の除去方法。
7. 【請求項７】請求項（５）の光反応性有害物質除去材
   に、紫外線照射下において、有害物質を接触させること
   を特徴とする有害物質の除去方法。