JPH04174679A - 光反応性有害物質除去剤及びこれを用いる有害物質除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、悪臭物質、刺激臭物質及び園芸作物成長促進
物質等の有害物質の除去剤並びにこれを用いる有害物質
の除去方法に関する。

（従来の技術） 近年、工業的に発生する悪臭や刺激臭のみならず、家庭
や飲食店における廃棄物やｔＷ理時に発生する悪臭や刺
激臭が問題となってきている。これらの臭気の主成分は
、硫化水素、アンモニア、メルカプタン、アミン、アル
デヒド及び脂肪酸類等である。

また、青果物や花卉類等について、より新鮮な状態での
供給や通常の取穫時ではない時期における供給に対する
要求が高まり、これらの園芸作物を新鮮に保つために、
植物成長ホルモンであるエチレン等の成長促進物質の効
率的な除去法が望まれている。

本発明者らは、これらの有害物質を光反応性半導体を利
用して除去する検討を進めてきた。この光反応を利用す
る方法は、有害物質の除去効率、エネルギーコスト及び
設備コスト、安全性等の点で優れているが、更に優れた
除去性能が求められている。

また、従来の光反応性半導体を使用する有害物質の除去
法においては、光反応性半導体を、各種材料からなる多
孔質状、ハニカム状、シート状等の基材に担持させてこ
れに紫外線あるいは可視光線を照射する方法が採用され
ることが多い。光反応性半導体を各種基材に担持する方
法としては、■光反応性半導体を揮発性有機溶媒等に懸
濁させ、基材に塗布又は含浸させたのち乾燥する、■基
材が金属やセラミックス等の場合に■の方法において塗
布・含浸させた後、更に５００℃以上で焼成する、■基
材が紙や膨潤しやすい有機高分子フィルムやシート等か
らなる場合、光反応性半導体の水あるいは揮発性有機溶
媒の３！Ｆｌ濁液中に浸し、半導体を浸透させたのち乾
燥する、■各基材の製造過程で半導体をフィラーとして
混入させる、■基材に水溶性高分子、有機系接着剤、無
機系接着剤を用いて半導体を接着する等の方法が行われ
ている。しかしながら、これらの方法は、半導体の担持
量が沙なく、基材との接着力が小さいので半導体が剥離
しやすい（■）、焼成の過程で半導体の凝集が起こり比
表面積が減少し性能が落ちる（■）、担体が限られ、ま
た、半導体のほとんどが基材内部に取り込まれて基材表
面の半導体量が少なくなる（■、■）、基材製造・加工
の過程で他の原料との反応や加熱等により半導体が変質
し性能が落ちる（■）、半導体が接着剤と反応したり、
半導体表面を覆ったりしてしまい活性点が大きく減少す
る（■）等の欠点を有している。

このため、光反応性半導体を利用した効率的な有害物質
除去方法が望まれている。

（発明が解決しようとする課題） 本発明の目的は、従来より更に優れた光反応性有害物質
除去剤を提供することにある。また、本発明の他の目的
は、基材に光反応性半導体を担持させた、効率よい有害
物質除去材を提供することにある。本発明の更に他の目
的は、これらの光反応性有害物質除去剤又は有害物質除
去材を用いる有害物質除去方法を提供することにある。

　　　□（課題を解決するための手段） 本発明者らは、この目的を達成すべく鋭意研究を続けた
結果、金属アルコキシドを加水分解して得られる生成物
と光反応性半導体とを併用すれば、優れた有害物質除去
性能が得られることを見出し、この知見に基いて更に研
究を進めて本発明を完成するに至った。

かくして本発明によれば、貴金属化合物の存在下又は不
存在下における金属アルコキシドの加水分解生成物及び
光反応性半導体を含有して成る光反応性有害物質除去剤
、光反応性半導体の存在下であって貴金属化合物の存在
下又は不存在下における金属アルコキシドの加水分解生
成物を含有して成る光反応性有害物質除去剤、これらの
光反応性有害物質除去剤を基材に担持させて成る有害物
質除去材並びに上記光反応性有害物質除去剤又は光反応
性有害物質除去材に、紫外線照射下において、有害物質
を接触させることを特徴とする有害物質の除去方法が提
供される。

本発明において用いる光反応性半導体とは、光触媒反応
を生じる半導体であり、０．５〜５ｅＶ、好ましくは１
〜３ｅＶの禁止帯幅を持つものである。このような半導
体としては、例えば二酸化スズ、酸化亜鉛、二酸化タン
グステン、二酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化第二
鉄等の金属酸化物；例えば硫化亜鉛、・硫化カドミウム
、硫化鉛、セレン化亜鉛、セレン化カドミウム等の金属
カルコゲナイド；例えば珪素、ゲルマニウム等の第１Ｖ
族元素；例えばガリウム−リン、ガリウムーヒ素、イン
ジウム−リン等の■−■族化合物；例えばポリアセチレ
ン、ポリピロール、ポリチオフエン、ポリアニリン、ポ
リビニルカルバゾール等の有機半導体を挙げることがで
きるが、これらに限定されない。

また、光反応性半導体にヒ素、リン、アルミニウム、ホ
ウ素、ナトリウム、ハロゲン等の不純物をドープしたも
のも同様に使用することができる。

こ九らのうち、酸化亜鉛、二酸化タングステン、二酸化
チタン、酸化セリウムなどの金属酸化物及びその混晶物
が好ましい。

本発明において用いる金属アルコキシドは、金属のアル
コールエステルであれば、組成によっては、特に制限さ
れない。一般に、金属アルコキシドは、元素周期律表に
記載されているほとんどの金属から調製できることが知
られているが、化学的に安定であり入手し易い点から、
短周期型周期律表のｍａ、ｍｂ、ｌＶａ、ＩＶｂ、Ｖａ
、ｖｂ及び■族元素のアルコキシド、なかでもアルミニ
ウム、珪素、チタン及びジルコニウムのアルコキシドの
ように室温で比較的安定なものが好適である。

また、金属アルコキシドのアルコキシ基の炭素数は、加
水分解の容易さ、生成するアルコールの揮発性の観点か
ら、１〜４が好適である。アルコキシ基の炭素数が５以
上のものの場合は、加水分解により生成するアルコール
の揮発性が低くなり、加水分解生成物からの除去が困難
になる。

本発明において、金属アルコキシドとして２種類以上の
金属からなる金属アルコキシドを用いることもできる。

また、２種類以上の金属アルコキシドを併用してもよい
。

本発明において用いる金属アルコキシドの製法は特に制
限されず、金属単体、酸化物、水酸化物又はハロゲン化
物等とアルコールとの反応によってＩｌ製してもよいし
、金属アルコキシドのエステル交換により調製してもよ
い。

本発明において、金属アルコキシドの使用量ζ飄光反応
性半導体１００重量部に対して、加水分解物換算で１〜
１０００重量部の範囲が好ましい。

１０００重量部を超えると有害物質の除去性能が低下し
、他方、１重量部未満では光反応性半導体を基材に担持
させて使用する場合に基材から剥離しやすくなる。

本発明において、金属アルコキシドの加水分解方法には
、特に限定はなく、水、水とアルコールの混合液、又は
水とアルコールと他の有機溶剤との混合液（以下、これ
らを加水分解液という。）を用いて、これらを金属アル
コキシドに噴霧する方法、加水分解液中に金属アルコキ
シドを浸漬する方法を例示することができる。また、空
気中に長時間放置するだけでもよい。また、これらの方
法において、金属アルコキシドは、そのままでも又は溶
媒に溶解もしくは分散させた状態でも反応系に添加する
ことができるが、急激な反応を防止し、均一な粒度の微
細な加水分解生成物を得るためには、溶媒に溶解して使
用するのが好ましい。

更に、これらの金属アルコキシドの加水分解液は、加水
分解を促進させるため、ｌｌ性あるいはアルカリ性に調
整してもよい。

上記加水分解において使用する有機溶剤は、金属アルコ
キシドに対する溶解性の点からは、金属アルコキシドの
合成に使用したと同じアルコールが好ましい。また、乾
燥工程における除去のしやすさや取り扱いやすさからは
、沸点２ｏｏ℃以下のものが好ましく、沸点１５０℃以
下のものが、より好ましい。これらの有機溶剤の具体例
としては、メタノール、エタノール、イソプロパツール
、ブタノール、ペンタノール等のアルコール類；ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ヘキサ
ン、ヘプタン等の鎖状炭化水素類等を示すことができる
。

加水分解生成物に付着している溶媒や生成したアルコー
ル等を除去して有害物質除去剤の性能を向上させるため
に、通常は、これを３００”Ｃより低い温度で、好まし
くは６０〜２５０℃で乾燥する。もちろん、室温で乾燥
してもよいが長時間を要する。乾燥温度が３００℃以上
では、有害物質除去性能が落ちるので好ましくない。こ
の原因の一つは、有害物質除去に何らかの寄与を果たし
ていると推定される金属アルコキシドの加水分解生成物
の比表面積が、３００°Ｃ以上では急速に減ψするため
であると考えられる。

金属アルコキシドの加水分解生成物の乾燥に要する時間
は特に限定されず、実質的に重量減少がなくなるときを
￥Ｅ燥の終点とすればよいが、通常、１〜１０時間であ
る。また、乾燥は、空気中で行えばよく、特に不活性気
体雰囲気にする必要はない。更に、常圧乾燥でも減圧な
いし真空乾燥でもよい。乾燥のための加熱方法に特に限
定はないが、実用上、一定の温度を均一に、しかも安定
に得ら九る電気、スチーム、温（熱）水又は電磁波によ
る加熱が好ましい。

このようにして得られた金属アルコキシドの加水分解生
成物と光反応性半導体とを混合することにより、本発明
の有害物質除去剤を得ることができる。混合方法は、特
に限定されない。

金属アルコキシドの加水分解反応を反応系中に光半導体
を存在させて行なうことにより、これらが均一に混合し
た有害物質除去剤を効率よく得ることができる。

また、貴金属化合物の存在下での金属アルコキシドの加
水分解生成物を光反応性半導体と混合することにより、
より優れた除去性能を有する有害物質除去剤を得ること
ができる。加水分解を光反応性半導体の存在下で行なえ
ば、三成分が均一に混合した有害物質除去剤を効率よく
得ることができる。

本発明において使用する貴金属化合物とは、金、銀、銅
及び白金族元素（ルテニウム、ロジウム、パラジウム、
オスミウム、イリジウム及び白金）から選ばれる貴金属
単体並びにこれらの貴金属を含有する化合物をいう。貴
金属を含有する化合物の例としては、酸化物、塩化物、
錯体等を示すことができるがこれらに限定されない。

これらの貴金属化合物は、金属アルコキシドの加水分解
の際に反応系中に存在させればよく、具体的には、加水
分解の際に使用する溶媒に溶解又は分散させても、金属
アルコキシド又はそれを含有する有機溶剤と混合してか
ら加水分解してもよく、加水分解と同時に系に添加して
もよい。これらの加水分解生成物に均一に分散させるた
めに、溶媒に溶解した状態で使用するのが好ましい。

本発明に眉いる貴金属化合物の量は、特に制限されない
が、光反応性半導体と金属アルコキシドの加水分解生成
物の１０重量％以下が好ましい。

貴金属化合物の量が多すぎると、該加水分解生成物と均
一に混合せず、却って有害物質除去性能が低下する。

本発明の有害物質除去剤を各種基材に担持させることに
より、本発明の有害物質除去材を得ることができる。

本発明に用いる基材として使用する材料及びその形状等
は特に制限されない。また、基材の表面形状も限定され
ず、平滑であっても多孔質であってもよいが、本発明の
光反応性半導体との接着性の面からは、多孔質の方が好
ましい。

本発明に用い得る基材としては、無機材料の例として、
活性炭、天然ゼオライト、人工ゼオライト、アルミ九　
シリカゲル、アロフェン、粘土等の吸着剤として使用さ
れる材料；シリカ、シリカアルミナ、シリコンカーバイ
ド、チタニア、シルコニ乙　マグネジ乙　コープイライ
ト、ムライト等の触媒担体；ガラス、セラミック、金属
又は天然無機化合物等からなる繊維、織布、不織布、紙
状体：ガラス　セラミック又は金属等からなるシート、
フィルム、箔等を挙げることができる。また、有機材料
の例としては、合成高分子材料（ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリスチレ
ン、ポリテトラフルオロエチレン、アクリロニロリルー
ブタジェンースチレン共重合体、アクリロニトリル−ア
クリル酸メチル共重合体、エチレン−テトラフルオロエ
チレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体等）か
らなる繊維、シート、フィルム、織布、不織布、紙；木
綿、リネン、大麻等の植物繊維；羊毛、モヘア、ビキュ
ナ等の獣毛や絹等の動物繊維等の天然高分子材料からな
る繊維、シート、織布、不織布等が挙げられるがこれら
に限定されない。

更に、上記各種材料をハニカム状、スポンジ状又は複雑
な形状に二次加工してできる担体を用いてもよい。

有害物質除去剤を各種基材に担持させる方法は、特に限
定されず、例えば、除去剤をそのままで又は適当な溶剤
の溶液もしくは懸濁液として、塗布。

含浸又はスプレーする方法を示すことができる。

また、金属アルコキシドを含浸、塗布、スプレー等によ
り担持させた基材に加水分解液を噴霧するか又は上記基
材を加水分解液に浸漬したのち、光反応性半導体を担持
させてもよい。

また、例えば、基材を加水分解反応液中に浸漬しておく
等の手段により、金属アルコキシドの加水分解を行なう
反応系中に基材を存在させておくことにより、加水分解
生成物を均一に担持させた基材を得ることができ、これ
に光反応性半導体を任意の方法で担持させることにより
、有害物質除去剤を得ることもできる。

また、この方法で加水分解反応を光反応性半導体をも存
在させて行なえば、効率よく本発明の有害物質除去材を
得ることができる。

本発明の有害物質除去剤又はこれを基材に担持させた有
害物質除去材に、紫外線照射下において、各種有害物質
を接触させることによりこれを除去することができる。

有害物質除去剤又は有害物質除去材（以下、有害物質除
去剤等という。）と有害物質との接触は、有害物質除去
剤等を投入した特定の反応器に被処理気体を導入してバ
ッチ方式または連続方式で実施してもよいし、この反応
器を循環装置等に接続して連続処理してもよい。また、
フィルター状に成形した有害物質除去剤等を通過させる
ことにより、有害物質をこれと接触させてもよい。

更に、大量の有害物質を除去し又は短時間で有害物質を
除去する場合には１粒状もしくは粉状の有害物質除去剤
等を充填した反応器を固定床もしくは流動床として使用
して、又はハニカム状、スポンジ状もしくはシート状の
有害物質除去剤等をフィルターとして使用して、有害物
質との接触効率を向上させるのが好ましい。固定床又は
流動床として使用するときの反応器は、その外壁の夕な
くとも一部を、粒状又は粉末状の有害物質除去剤等を通
過させないが有害物質又はこれを含有する流体を通過さ
せることのできる上記各種基材により形成する。また、
フィルターとして使用する場合には、光源からの紫外線
が効率よく当たるようなフィルター形状の基材に有害物
質除去剤等を担持して用いるか、シート状の有害物質除
去剤等を適宜、アコーディオン状、波形状、円筒状等の
構造にするのが好ましい。

本発明において用いる紫外線は、波長が４００〜２００
ｎｍの近紫外線が好ましいが、２００ｎｍ以下の真空紫
外線が含まれていても差し支えない、これらの紫外線は
超高圧水鎖灯、キャノン灯、低圧水銀灯を単独あるいは
併用することによって発生させ得るが、放電管内に水銀
と希ガス以外のガリウム、タリウム等の第三成分を共存
させて目的に合致した波長分布特性を有するように改良
された光源を使用してもよい。もちろん、紫外線以外の
光線、例えば可視光線を含んでいてもよい。

本発明において用いる紫外線ランプの設置場所は有害物
質除去剤等に効率的に照射できれば、特に制限されない
。フィルター用に用いる場合は、フィルターの気体や液
体の流入口側、流出口側のいずれに設置してもよく、ま
た、フィルター内部に設置してもよいが、ランプ表面の
汚れを防ぐため流８口側に設置するのが好ましい。また
、流動床や固定床での照射に用いる場合は反応器の外部
から照射してもよいが、照射を効率よく行なうためには
反応器内部に設置するのが好ましい。

（発明の効果） かくして本発明によれば、除去効率に優れ、しかも長期
間の反応活性が低下しない有害物質除去剤等を得ること
ができ、これを用いれば、悪臭物質、刺激臭物質又は園
芸作物成長促進物質等の有害物質を大量に迅速かつ効率
よく除去することができる。

本発明の有害物質除去剤等は、有効期間が長く、安全性
が高く、適用できる有害物質の範囲や担持てきる担体の
範囲も広いためシステム化も容易であり、産業的に極め
て有用である。

（実施例） 以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。但し
、本発明は下記実施例に限定されるものではない。なお
、実施例及び比較例中の部及び％は、特に断りのない限
り、重量基準である。

実施例１ ３１１表に示した光反応性半導体粉末とチタンテトライ
ソプロポキシドとを用いて、下記処方のＡ液及びＢ液を
作製した。

Ａ液処方 光反応性半導体　　　　　　　　　　　１００部イソプ
ロパツール　　　　　　　　　　９００部金属アルコキ
シド（固形分換算）　　　　１００部Ｂ液処方 イソプロパツール　　　　　　　　　　９００部エタノ
ール　　　　　　　　　　　　　２００部水　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　１００部ガラス製
セパラブルフラスコ中に入れたＡ液を攪拌しながら、こ
れにＢ液を添加した。生成した固体状生成物を取り出し
て、６０℃で８時間、真空乾燥器により予備乾燥した後
、常圧、１５０℃で１時間乾燥して、有害物質除去剤を
得た。

光反応性半導体重量換算で０．５ｇになる量の有害物質
除去剤を８０ミリリツトルの紫外線透過性ガラス製三角
フラスコ内に投入し、フラスコ内部を３１１表に示す初
濃度のエチレンを含む空気で置換した後、シリコンゴム
栓で密閉し、フラスコから２０ｃｍの距離に設置した超
高圧水鎖灯（照度１０ｍＷ７ｃｍ２、主波長３６５ｎｍ
）により紫外線照射を行なった。点灯後のフラスコ内の
エチレンの濃度の経時変化をガスクロマトグラフィーで
追跡した。この結果を第１表に示す。

比較例１ 実施例１におけるＡ液の処方において金属アルコキシド
を使用しないほかは、実施例１と同様の実験を行なフた
。結果を第１表に併せて示す。

比較例２ 市販の脱臭剤である銀担持ゼオライト（鐘紡社製、商品
名：バクテキラー）及び活性炭各０．５ｇを用いて、実
施例１と同じ評価を行なった。この結果を併せて第１表
に示す。

［以下余白］ 第１表の結果から、本発明の光反応性有害物質除去剤に
より、エチレンが効率よく除去されるのに対して、光反
応性半導体のみを使用する場合には、エチレン除去速度
が遅いことが分かる。また、比較例３の脱臭剤では、−
旦エチレン濃度が減少した後、増加するという現象も見
られた。

実施例２ 第２表に示した光反応性半導体粉末とチタンテトライソ
プロポキシドとを用いて、実施例１に示すと同様の処方
のＡ液及びＢ液を作製した。

ポリエチレン製瓶中に入れたＡ液中に適当量の不織布を
浸し、瓶を３０分間しんどう機で振動させて不織布にＡ
液を十分浸透させた後、不織布を取り出してホーロー製
ビーカーに入れたＢ液に３０分間浸した。次に、不織布
を取り出して、６０℃で８時間、真空乾燥器により予備
乾燥した後、更に常圧、１５０℃で１時間乾燥して、有
害物質除去材試料を得た。

この試料から光反応性半導体重量換算で０．５ｇになる
ような長さの輻１ｃｍの短冊状の試料片を作成した。

次に、得ら九た各試料片について、実施例１と同様の有
害物質除去試験を行なった。結果を第２表に示す。

比較例３ 紫外線照射を行わないほかは実施例２と同様の実験を行
なった。結果を第２表に併せて示す。

比較例４ ポリエチレン製瓶中に入れたＣ液又はＤ液中に適当量の
不織布を浸し、３０分間しんとう機で振動させて不織布
に液を十分浸透させた後、不織布を取り出して、６０℃
で８時間、真空乾燥器により予備乾燥した後、更に常圧
、１５０℃で１時間乾燥して、有害物質除去材試料を得
た。この試料を用いて実施例２と同様の実験を行なった
。結果を併せて第２表に示す。

Ｃ液処方 二酸化チタン　　　　　　　　　　　　１００部ウレタ
ン系粘着剤（加電化社製）　　　　　１０部ｎ−ヘキサ
ン　　　　　　　　　　　　１００部り液処方 二酸化チタン　　　　　　　　　　　　１００部ポリビ
ニルアルコール （日本合成化学社製）　　　　　１０部ｎ−ヘキサン　
　　　　　　　　　　　１００部［以下余白コ 第２表の結果から、本発明の光反応性有害物質除去材に
より、エチレンが効率よく除去されるのに対して、紫外
線を照射しないときは、エチレン除去速度が遅いことが
分かる。また、比較例４のように水溶性高分子等を使用
して光反応性半導体を担持したときは、除去性能が著し
く低下することが分かる。

実施例３ 光反応性半導体として二酸化チタンを用い、第３表に示
す金属アルコキシドを用いるほかは実施例２と同様の実
験を行なった。これらの結果を第３表に示す。

第３表 （注）Ｚｒ（ＯｉＰｒ）−：ジルコニウムテトライソプ
ロポキシド日本曹達社製、 Ｓ’１（ＯＥｔ）ａ　　：シリコンテトラエトキシド和
光純薬社製、 Ａｌ（ＯｉＰｒ）３ニアルミニウムトリイソプロポキシ
ド和光純薬社製、 第３表の結果から、金属アルコキシドの種類を変えても
、チタンテトライソプロポキシドの場合と同様のエチレ
ン除去性能が得られることが分かる。

実施例４ 実施例２の方法によりチタンテトライソプロポキシドと
二酸化チタンから調製した試料片を用いて、第４表に示
す空気中の有害物質について実施例２と同様の除去実験
を行なった。その結果を第４表に示す。

［以下余白］ １！４表 ！４表の結果から、本発明の除去材は、各種の有害物質
に対しても、エチレンに対すると同様、迅速な除去性能
を有することが分かる。

実施例５ 不織布に代えてＩＮ５表に示す基材を用いるほかは実施
例２と同様の実験を行なった。これらの結果を第５表に
示す。但し、アルミナペレット及びガラスウールは短冊
状にすることができないので、各々二酸化チタン換算で
０．５ｇになるアルミナペレット及びガラスウールをそ
のまま試験用の三角フラスコ内に投入して評価した。

■ １１５表の結果から、本発明の有害物質除去材において
不織布以外の各種基材を使用しても良好なエチレン除去
性能が得られることが分かる。

実施例６ Ｂ液の水に代えて１０％の硝酸銀水溶液又は塩化白金酸
水溶液を用い、光反応性半導体として二酸化チタンを、
金属アルコキシドとしてチタンテトライソプロポキシド
を用いて調製した試料片を用いて、実施例２と同様にエ
チレン除去実験を行なった。結果を第６表に示す。

１１６表 第６表の結果から、貴金属化合物を併用した有害物質除
去材を使用するとエチレン除去性能が向上することが分
かる。

実施例７ アルミナペレットのＷｌｌにおいて最後の乾燥温度を変
化させるほかは、実施例５と同様にして試料を調製し、
実施例２と同様にしてエチレン除去実験を行なった。結
果を第７表に示す。

実施例８ 半導体として二酸化チタンを、金属アルコキシドとして
チタンテトライソプロポキシドを用い、光反応性半導体
１００３！量部に対し、金属アルコキシドの使用量を固
形分換算で０．１，１００又は５０００重量部と変化さ
せたときのエチレンの濃度の経時変化を実施例２と同様
の方法で測定した。その結果を第８表に示した。但し、
金属アルコキシド０．１１１量部の場合は粉落ちが激し
いので殆ど粉体の状態で測定した。

１１８表 第８表の結果から、金属アルコキシドの使用量が過度に
夕ないとき又は過度に多いときは、エチレン除去性能が
劣ることが分かる。

実施例９ 低温恒温器内に設置した内容積１２リツトルのデシケー
タ−内に市販のキウィ３０個を入れた。

このデシケータ−１実施例３で用いた本発明の不織布試
料片を５．０ｇ投入し低圧水銀灯（照度３ｍＷ／ｃｍ２
、主波長２５４ｎｍ）を不織布試料片を照射できるよう
に装着した３００ミリリットル光化学反応用フラスコ及
びダイヤフラム型エアーポンプを、この順にチューブで
接続した。なお、デシケータ−以外は低温恒温器外部に
設置した。

次いで、このデシケータ−を温度５℃、湿度９０％以上
に保った後、内部の空気をダイヤフラム型エアーポンプ
で循環させた（本発明例、実験Ａ）。

また、比較のために、本発明の除去剤の投入及び紫外線
照射を行なわないで同様の実験を行なった（比較例、実
験Ｂ）、実験開始時には、エチレン及びアセトアルデヒ
ドは、いずれも検出されなかった。６０日後にデシケー
タ−中のエチレン及びアセトアルデヒドの濃度をガスク
ロマトグラフィーで測定したところ、実験Ａではエチレ
ン及びアセトアルデヒドを検出することはできなかった
のに対して、実験Ｂでは９ｐｐｍのエチレン及び４ｐｐ
ｍのアセトアルデヒドが検出された。

また、屈折針（アタゴ社製）でキウィの糖度を測定した
ところ、実験Ａでは精度が１７であり実験前の糖度１７
と差がなかったのに対して、実験Ｂは糖度が１７から１
１に低下していた。更に、実験Ｂでは実験Ａに比べて全
般的に皮が柔らかく、しぼんでしわが寄っており、その
内４個は一部果汁が外にしみだしていた。

この結果から、本発明の方法は園芸作物の鮮度保持に効
果があることが分かる。

実施例１Ｏ 内径６ｃｍ、厚さ２ｍｍ、長さ３０ｃｍのアクリル樹脂
製円筒内に６Ｗの低圧水銀灯を設置し、円筒の両側を３
５０メツシユの金網で覆った反応管を作製した。この反
応管に、半導体として二酸化チタンを、金属アルコキシ
ドとしてチタンテトライソプロポキシドを、基材として
粒径が１００メツシユ程度のシリカゲルを使用して実施
例４と同様にして作製した有害物質除去材５０ｇを投入
した後、反応管を垂直に固定し、更に反応管の下部に小
型シロッコファンを装着した。その後、ファンの入口部
分で約１１００ｐｐになるように濃度を調整したエチレ
ン、メチルメルカプタン、トリメチルアミン又はホルム
アルデヒドを、毎分１５０〜１８０リツトルの流量で、
最初は紫外線ランプを点灯せずに流通させ、流通後の濃
度をガスクロマトグラフィーで測定したところ、約１０
時間後に１０〜３０ｐｐｍが検出された。これに対し、
紫外線ランプを点灯して同様の実験を行なったところ、
いずれの有害物質も検出されなかった。このことから本
発明の方法において、有害物質を流動床的に処理すると
除去効果が顕著に向上することが分かる。

実施例１１ チタンテトライソプロポキシドと二酸化チタンとから実
施例２と同様にして調製した試料片０．５ｇを８０ミリ
リツトルの紫外線透過性ガラス製三角フラスコ内に投入
し、約１１００００ｐｐの工チレンを含む空気でフラス
コ内部を置換した後、実施例２と同様にして紫外線を２
時間照射した後の濃度を測定したところ、除去率は１０
０％であった。この後、フラスコを開栓して余剰のエチ
レンを完全に除去する一再度密栓して、再び約１１００
００ｐｐのエチレンを含む空気で置換するという操作を
繰り返したが、１００回繰り返し後□も除去率は１００
％を維持しており、除去率の低下は見られなかった。

特許出願人　日本ゼオン株式会社

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）金属アルコキシドの加水分解生成物及び光反応性
   半導体を含有して成る光反応性有害物質除去剤。
2. （２）金属アルコキシドの加水分解が光反応性半導体の
   存在下においてなされたものである請求項（１）の光反
   応性有害物質除去剤。
3. （３）貴金属化合物の存在下における金属アルコキシド
   の加水分解生成物及び光反応性半導体を含有して成る光
   反応性有害物質除去剤。
4. （４）金属アルコキシドの加水分解が貴金属化合物及び
   光反応性半導体の存在下においてなされたものである請
   求項（３）の光反応性有害物質除去剤。
5. （５）請求項（１）〜（４）のいずれかの光反応性有害
   物質除去剤を基材に担持させて成る有害物質除去材。
6. （６）請求項（１）〜（４）のいずれかの光反応性有害
   物質除去剤に、紫外線照射下において、 有害物質を接触させることを特徴とする有害物質の除去
   方法。
7. （７）請求項（５）の光反応性有害物質除去材に、紫外
   線照射下において、有害物質を接触させることを特徴と
   する有害物質の除去方法。