JP2025536163A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JP2025536163A5
JP2025536163A5 JP2023552547A JP2023552547A JP2025536163A5 JP 2025536163 A5 JP2025536163 A5 JP 2025536163A5 JP 2023552547 A JP2023552547 A JP 2023552547A JP 2023552547 A JP2023552547 A JP 2023552547A JP 2025536163 A5 JP2025536163 A5 JP 2025536163A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
semiconductor layer
substrate
contact region
gate electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023552547A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2025536163A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from CN202211269945.4A external-priority patent/CN115346987B/zh
Application filed filed Critical
Publication of JP2025536163A publication Critical patent/JP2025536163A/ja
Publication of JP2025536163A5 publication Critical patent/JP2025536163A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2023552547A 2022-10-18 2022-12-07 記憶ユニット、3dメモリ及びその製造方法、電子装置 Pending JP2025536163A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211269945.4A CN115346987B (zh) 2022-10-18 2022-10-18 一种存储单元、3d存储器及其制备方法、电子设备
CN202211269945.4 2022-10-18
PCT/CN2022/137319 WO2024082394A1 (zh) 2022-10-18 2022-12-07 存储单元、3d存储器及其制备方法、电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2025536163A JP2025536163A (ja) 2025-11-05
JP2025536163A5 true JP2025536163A5 (enExample) 2025-12-08

Family

ID=83957004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023552547A Pending JP2025536163A (ja) 2022-10-18 2022-12-07 記憶ユニット、3dメモリ及びその製造方法、電子装置

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP4380330A4 (enExample)
JP (1) JP2025536163A (enExample)
KR (1) KR20250088678A (enExample)
CN (1) CN115346987B (enExample)
WO (1) WO2024082394A1 (enExample)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117177556B (zh) * 2022-05-24 2026-07-24 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法
US11825642B1 (en) 2022-10-18 2023-11-21 Beijing Superstring Academy Of Memory Technology Memory cell, 3D memory and preparation method therefor, and electronic device
CN115346988B (zh) * 2022-10-18 2023-01-24 北京超弦存储器研究院 一种晶体管、3d存储器及其制备方法、电子设备
CN115346987B (zh) * 2022-10-18 2023-01-10 北京超弦存储器研究院 一种存储单元、3d存储器及其制备方法、电子设备
CN115915754B (zh) * 2022-11-17 2025-10-14 长鑫存储技术有限公司 半导体器件及其制备方法
CN115835626B (zh) * 2022-12-22 2024-04-09 北京超弦存储器研究院 3d堆叠的半导体器件、3d存储器及其制备方法、电子设备
CN117425341A (zh) * 2023-01-31 2024-01-19 北京超弦存储器研究院 一种3d堆叠的半导体器件、阵列及其制造方法、电子设备
CN115867026B (zh) * 2023-02-23 2023-07-18 北京超弦存储器研究院 半导体结构、存储器及其制造方法、电子设备
CN116347889B (zh) * 2023-03-14 2024-01-12 北京超弦存储器研究院 存储单元、存储器、存储器的制备方法及电子设备
WO2024187732A1 (zh) * 2023-03-14 2024-09-19 北京超弦存储器研究院 存储器及其制备方法、电子设备
CN115995494B (zh) * 2023-03-23 2023-07-14 北京超弦存储器研究院 晶体管、3d堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备
CN118742019B (zh) * 2023-03-31 2025-08-05 北京超弦存储器研究院 存储器及其制造方法、电子设备
CN116249348B (zh) * 2023-04-13 2024-02-20 北京超弦存储器研究院 存储器及其访问方法、电子设备
CN116761426B (zh) * 2023-05-09 2025-01-17 长鑫存储技术有限公司 存储单元、存储阵列及存储阵列的制备方法
CN119136534B (zh) * 2023-06-06 2025-09-26 长鑫存储技术有限公司 一种半导体结构及其制作方法
CN116709773B (zh) * 2023-07-12 2026-07-31 长鑫科技集团股份有限公司 半导体结构及其制备方法
KR102792830B1 (ko) * 2023-10-04 2025-04-07 한양대학교 산학협력단 올 어라운드 채널을 갖는 트랜지스터 수직 적층 구조 기반 4f2용 dram 소자 및 이의 제조방법
CN119947079B (zh) * 2023-11-02 2025-11-28 北京超弦存储器研究院 半导体结构、半导体结构的制备方法以及电子设备
CN120076314B (zh) * 2023-11-28 2025-11-28 长鑫科技集团股份有限公司 半导体结构及其形成方法、存储器
CN117715419B (zh) * 2024-02-06 2024-04-19 北京超弦存储器研究院 存储单元、存储器、存储器的制备方法、芯片及电子设备
CN120857496A (zh) * 2024-04-28 2025-10-28 北京超弦存储器研究院 半导体器件及其制造方法、电子设备
CN118201358B (zh) * 2024-05-15 2024-07-16 北京超弦存储器研究院 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
CN118234233B (zh) * 2024-05-22 2024-07-23 北京超弦存储器研究院 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
CN121604390A (zh) * 2024-08-19 2026-03-03 北京超弦存储器研究院 存储单元、存储器及其制备方法、电子设备
CN119418735B (zh) * 2025-01-06 2025-05-13 北京大学 存储单元、数据读写电路、存储器及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7742328B2 (en) * 2007-06-15 2010-06-22 Grandis, Inc. Method and system for providing spin transfer tunneling magnetic memories utilizing non-planar transistors
CN116686399A (zh) * 2021-03-08 2023-09-01 华为技术有限公司 半导体装置、电子设备、晶体管的形成方法
CN114864583A (zh) * 2022-05-12 2022-08-05 中国科学院微电子研究所 一种无电容dram单元结构及制造方法
CN115020480B (zh) * 2022-05-31 2026-07-24 长鑫存储技术有限公司 半导体结构
CN115346987B (zh) * 2022-10-18 2023-01-10 北京超弦存储器研究院 一种存储单元、3d存储器及其制备方法、电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2025534922A5 (enExample)
TWI729348B (zh) 半導體記憶裝置
KR102581399B1 (ko) 반도체 메모리 소자
CN106920794B (zh) 一种3d nand存储器件及其制造方法
TW202111708A (zh) 半導體記憶裝置
US10607935B2 (en) Memory device
CN116648061A (zh) 存储单元、存储阵列及存储阵列的形成方法
JP7544887B2 (ja) Nand型フラッシュメモリおよびその製造方法
JPWO2023126741A5 (enExample)
US20160013129A1 (en) Semiconductor memory device
KR20090056255A (ko) 반도체 메모리 소자 및 그의 제조 방법
TWI582965B (zh) 具縮小尺寸串列選擇線元件之三維半導體元件
KR100634006B1 (ko) 스플리트 게이트형 비휘발성 기억 장치 및 그 제조방법
CN116056452A (zh) 半导体结构及半导体结构的制造方法
US7465631B2 (en) Method of fabricating a non-volatile memory device
WO2023206802A1 (zh) 半导体结构及其形成方法
JP5592560B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TWI487092B (zh) 半導體結構及其製造方法
TWI908024B (zh) Sonos記憶體元件及其製造方法
US8816423B2 (en) Semiconducting multi-layer structure and method for manufacturing the same
KR20120111375A (ko) 3차원 반도체 기억 소자 및 그 제조 방법
US9293348B2 (en) Semiconductor structure including stacked structure and method for forming the same
JP2014053436A (ja) 半導体記憶装置の製造方法
CN108630702A (zh) 半导体存储装置及其制造方法
CN119815825A (zh) 半导体器件的器件结构、制备方法及电子设备