JP2025114656A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JP2025114656A5
JP2025114656A5 JP2025075386A JP2025075386A JP2025114656A5 JP 2025114656 A5 JP2025114656 A5 JP 2025114656A5 JP 2025075386 A JP2025075386 A JP 2025075386A JP 2025075386 A JP2025075386 A JP 2025075386A JP 2025114656 A5 JP2025114656 A5 JP 2025114656A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist pattern
replacement liquid
pattern replacement
mass
alkyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2025075386A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2025114656A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2019207844A external-priority patent/JP2021081545A/ja
Application filed filed Critical
Publication of JP2025114656A publication Critical patent/JP2025114656A/ja
Publication of JP2025114656A5 publication Critical patent/JP2025114656A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2025075386A 2019-11-18 2025-04-30 レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 Pending JP2025114656A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019207844 2019-11-18
JP2019207844A JP2021081545A (ja) 2019-11-18 2019-11-18 レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法
PCT/EP2020/082179 WO2021099235A1 (en) 2019-11-18 2020-11-16 Replacement liquid of liquid filling between resist patterns, and method for producing resist patterns using the same
JP2022516211A JP7732976B2 (ja) 2019-11-18 2020-11-16 レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022516211A Division JP7732976B2 (ja) 2019-11-18 2020-11-16 レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2025114656A JP2025114656A (ja) 2025-08-05
JP2025114656A5 true JP2025114656A5 (https=) 2025-10-24

Family

ID=73455692

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019207844A Pending JP2021081545A (ja) 2019-11-18 2019-11-18 レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法
JP2022516211A Active JP7732976B2 (ja) 2019-11-18 2020-11-16 レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法
JP2025075386A Pending JP2025114656A (ja) 2019-11-18 2025-04-30 レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019207844A Pending JP2021081545A (ja) 2019-11-18 2019-11-18 レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法
JP2022516211A Active JP7732976B2 (ja) 2019-11-18 2020-11-16 レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20230045307A1 (https=)
EP (1) EP4062235A1 (https=)
JP (3) JP2021081545A (https=)
KR (2) KR20260028049A (https=)
CN (1) CN114730144A (https=)
TW (2) TWI887299B (https=)
WO (1) WO2021099235A1 (https=)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022175281A (ja) 2021-05-13 2022-11-25 トヨタ自動車株式会社 提案システムおよび提案方法
WO2024141355A1 (en) * 2022-12-26 2024-07-04 Merck Patent Gmbh Electronic device manufacturing aqueous solution, method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing device
EP4649359A1 (en) * 2023-01-13 2025-11-19 Merck Patent GmbH Electronic device manufacturing aqueous solution, method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing device
KR20240170272A (ko) * 2023-05-26 2024-12-03 삼성에스디아이 주식회사 금속 함유 포토레지스트 현상액 조성물, 및 이를 이용한 현상 단계를 포함하는 패턴 형성 방법
TW202538046A (zh) * 2023-10-25 2025-10-01 德商默克專利有限公司 電子機器製造水溶液、光阻圖案之製造方法及裝置之製造方法
WO2026046920A1 (en) 2024-08-28 2026-03-05 Merck Patent Gmbh Electronic device manufacturing aqueous solution, method for producing resist pattern, and method for manufacturing device
WO2026046961A1 (en) 2024-08-28 2026-03-05 Merck Patent Gmbh Electronic device manufacturing aqueous solution, method for producing resist pattern, and method for manufacturing device

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19822441A1 (de) * 1997-06-24 1999-01-28 Heidelberger Druckmasch Ag Druckformreinigungsverfahren
JP4493393B2 (ja) * 2004-04-23 2010-06-30 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用リンス液
KR100858594B1 (ko) * 2004-04-23 2008-09-17 토쿄오오카코교 가부시기가이샤 레지스트 패턴 형성방법 및 복합 린스액
JP2006011054A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法
CN101010640A (zh) * 2004-09-01 2007-08-01 东京应化工业株式会社 光蚀刻用显影液组合物与抗蚀图案的形成方法
WO2007080726A1 (ja) * 2006-01-11 2007-07-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. リソグラフィー用洗浄剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法
US20100028803A1 (en) * 2008-08-01 2010-02-04 Fujifilm Corporation Surface treating agent for resist pattern formation, resist composition, method of treating surface of resist pattern therewith and method of forming resist pattern
JP5624753B2 (ja) * 2009-03-31 2014-11-12 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法
JP5867732B2 (ja) * 2010-12-09 2016-02-24 日産化学工業株式会社 水酸基含有カルバゾールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物
JP5705607B2 (ja) * 2011-03-23 2015-04-22 メルクパフォーマンスマテリアルズIp合同会社 リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法
EP3208659A1 (en) 2014-10-14 2017-08-23 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. Composition for resist patterning and method for forming pattern using same
JP6455397B2 (ja) * 2014-11-27 2019-01-23 信越化学工業株式会社 パターン形成用リンス溶液及びパターン形成方法
JP6428568B2 (ja) * 2014-11-27 2018-11-28 信越化学工業株式会社 パターン形成用リンス溶液及びパターン形成方法
JP6646073B2 (ja) * 2016-01-22 2020-02-14 富士フイルム株式会社 処理液
TWI717526B (zh) * 2016-06-20 2021-02-01 盧森堡商Az電子材料盧森堡有限公司 清洗組成物、形成光阻圖案之方法及製造半導體裝置之方法
JP6759174B2 (ja) * 2016-11-07 2020-09-23 富士フイルム株式会社 処理液及びパターン形成方法
CN110023841B (zh) 2016-11-25 2023-05-30 默克专利有限公司 光刻组合物、形成抗蚀图案的方法和制造半导体器件的方法
JP2018127513A (ja) * 2017-02-06 2018-08-16 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH 半導体水溶性組成物、およびその使用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2025114656A5 (https=)
JP4391715B2 (ja) 化学機械的研磨系
JP5089808B2 (ja) Lcdを製造するためのフォトレジスト剥離組成物
JP2004510001A5 (https=)
JP2009500415A5 (https=)
CN105295924B (zh) 氮化钛硬掩膜和蚀刻残留物的去除
KR20140042725A (ko) 요오드계 에칭액 및 에칭 방법
CN108060420B (zh) 一种刻蚀液及其制备方法和应用
TW201231725A (en) Etchant composition for copper-containing material and method for etching copper-containing material
JP2010535792A5 (https=)
JP2008527084A5 (https=)
CN1950755B (zh) 用于去除光刻胶的组合物
CN105556392B (zh) 用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法
JP2004068056A5 (https=)
TWI586839B (zh) 防止氧化方法、半導體產品及其製造方法與金屬腐蝕抑制劑
KR20160101511A (ko) 경화 고분자 박리액 조성물
SG152960A1 (en) Flouride-free photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction
TWI622665B (zh) 蝕刻液、補給液及銅配線之形成方法
TW202413721A (zh) 表面處理液以及銅之表面處理方法、以及銅與錫之接合方法與接合體之製造方法
RU2004124844A (ru) Прукалоприд-n-оксид
CN111566567B (zh) 树脂掩膜剥离用清洗剂组合物
TWI250226B (en) Copper electrolytic solution containing a dialkyl amino group-containing polymer having a specific skeleton and an organic sulfur compound as additives, and an electrolytic copper foil prepared by the same
CN119376199B (zh) 一种除胶渣复合液及除胶渣工艺
CN107532114A (zh) 烷基苯磺酸的胺盐和其在洗涤剂配制物中的用途
KR100439534B1 (ko) 전기도금용 레벨링제