JP2021081545A - レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 - Google Patents
レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021081545A JP2021081545A JP2019207844A JP2019207844A JP2021081545A JP 2021081545 A JP2021081545 A JP 2021081545A JP 2019207844 A JP2019207844 A JP 2019207844A JP 2019207844 A JP2019207844 A JP 2019207844A JP 2021081545 A JP2021081545 A JP 2021081545A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- resist
- alkyl
- replacement
- resist patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019207844A JP2021081545A (ja) | 2019-11-18 | 2019-11-18 | レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
| KR1020227020742A KR102917530B1 (ko) | 2019-11-18 | 2020-11-16 | 레지스트 패턴간 충전액의 대체액 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 제조 방법 |
| CN202080079209.5A CN114730144A (zh) | 2019-11-18 | 2020-11-16 | 抗蚀图案间的置换液、以及使用其的抗蚀图案的制造方法 |
| PCT/EP2020/082179 WO2021099235A1 (en) | 2019-11-18 | 2020-11-16 | Replacement liquid of liquid filling between resist patterns, and method for producing resist patterns using the same |
| US17/777,638 US20230045307A1 (en) | 2019-11-18 | 2020-11-16 | Replacement liquid of liquid filling between resist patterns, and method for producing resist patterns using the same |
| KR1020267001954A KR20260028049A (ko) | 2019-11-18 | 2020-11-16 | 레지스트 패턴간 충전액의 대체액 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 제조 방법 |
| JP2022516211A JP7732976B2 (ja) | 2019-11-18 | 2020-11-16 | レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
| EP20808057.2A EP4062235A1 (en) | 2019-11-18 | 2020-11-16 | Replacement liquid of liquid filling between resist patterns, and method for producing resist patterns using the same |
| TW109140073A TWI887299B (zh) | 2019-11-18 | 2020-11-17 | 光阻圖案間置換液、及使用其之光阻圖案之製造方法 |
| TW114117721A TW202600801A (zh) | 2019-11-18 | 2020-11-17 | 光阻圖案間置換液、及使用其之光阻圖案之製造方法 |
| JP2025075386A JP2025114656A (ja) | 2019-11-18 | 2025-04-30 | レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019207844A JP2021081545A (ja) | 2019-11-18 | 2019-11-18 | レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021081545A true JP2021081545A (ja) | 2021-05-27 |
Family
ID=73455692
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019207844A Pending JP2021081545A (ja) | 2019-11-18 | 2019-11-18 | レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
| JP2022516211A Active JP7732976B2 (ja) | 2019-11-18 | 2020-11-16 | レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
| JP2025075386A Pending JP2025114656A (ja) | 2019-11-18 | 2025-04-30 | レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022516211A Active JP7732976B2 (ja) | 2019-11-18 | 2020-11-16 | レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
| JP2025075386A Pending JP2025114656A (ja) | 2019-11-18 | 2025-04-30 | レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230045307A1 (https=) |
| EP (1) | EP4062235A1 (https=) |
| JP (3) | JP2021081545A (https=) |
| KR (2) | KR20260028049A (https=) |
| CN (1) | CN114730144A (https=) |
| TW (2) | TWI887299B (https=) |
| WO (1) | WO2021099235A1 (https=) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4089614A1 (en) | 2021-05-13 | 2022-11-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Proposal system and proposal method |
| JP2024170295A (ja) * | 2023-05-26 | 2024-12-06 | 三星エスディアイ株式会社 | 金属含有フォトレジスト現像液組成物、およびこれを利用した現像段階を含むパターン形成方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024141355A1 (en) * | 2022-12-26 | 2024-07-04 | Merck Patent Gmbh | Electronic device manufacturing aqueous solution, method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing device |
| EP4649359A1 (en) * | 2023-01-13 | 2025-11-19 | Merck Patent GmbH | Electronic device manufacturing aqueous solution, method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing device |
| TW202538046A (zh) * | 2023-10-25 | 2025-10-01 | 德商默克專利有限公司 | 電子機器製造水溶液、光阻圖案之製造方法及裝置之製造方法 |
| WO2026046920A1 (en) | 2024-08-28 | 2026-03-05 | Merck Patent Gmbh | Electronic device manufacturing aqueous solution, method for producing resist pattern, and method for manufacturing device |
| WO2026046961A1 (en) | 2024-08-28 | 2026-03-05 | Merck Patent Gmbh | Electronic device manufacturing aqueous solution, method for producing resist pattern, and method for manufacturing device |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19822441A1 (de) * | 1997-06-24 | 1999-01-28 | Heidelberger Druckmasch Ag | Druckformreinigungsverfahren |
| JP4493393B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2010-06-30 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液 |
| KR100858594B1 (ko) * | 2004-04-23 | 2008-09-17 | 토쿄오오카코교 가부시기가이샤 | 레지스트 패턴 형성방법 및 복합 린스액 |
| JP2006011054A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法 |
| CN101010640A (zh) * | 2004-09-01 | 2007-08-01 | 东京应化工业株式会社 | 光蚀刻用显影液组合物与抗蚀图案的形成方法 |
| WO2007080726A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | リソグラフィー用洗浄剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| US20100028803A1 (en) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Fujifilm Corporation | Surface treating agent for resist pattern formation, resist composition, method of treating surface of resist pattern therewith and method of forming resist pattern |
| JP5624753B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-11-12 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
| JP5867732B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2016-02-24 | 日産化学工業株式会社 | 水酸基含有カルバゾールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 |
| JP5705607B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-04-22 | メルクパフォーマンスマテリアルズIp合同会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
| EP3208659A1 (en) | 2014-10-14 | 2017-08-23 | AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. | Composition for resist patterning and method for forming pattern using same |
| JP6455397B2 (ja) * | 2014-11-27 | 2019-01-23 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成用リンス溶液及びパターン形成方法 |
| JP6428568B2 (ja) * | 2014-11-27 | 2018-11-28 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成用リンス溶液及びパターン形成方法 |
| JP6646073B2 (ja) * | 2016-01-22 | 2020-02-14 | 富士フイルム株式会社 | 処理液 |
| TWI717526B (zh) * | 2016-06-20 | 2021-02-01 | 盧森堡商Az電子材料盧森堡有限公司 | 清洗組成物、形成光阻圖案之方法及製造半導體裝置之方法 |
| JP6759174B2 (ja) * | 2016-11-07 | 2020-09-23 | 富士フイルム株式会社 | 処理液及びパターン形成方法 |
| CN110023841B (zh) | 2016-11-25 | 2023-05-30 | 默克专利有限公司 | 光刻组合物、形成抗蚀图案的方法和制造半导体器件的方法 |
| JP2018127513A (ja) * | 2017-02-06 | 2018-08-16 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 半導体水溶性組成物、およびその使用 |
-
2019
- 2019-11-18 JP JP2019207844A patent/JP2021081545A/ja active Pending
-
2020
- 2020-11-16 KR KR1020267001954A patent/KR20260028049A/ko active Pending
- 2020-11-16 JP JP2022516211A patent/JP7732976B2/ja active Active
- 2020-11-16 WO PCT/EP2020/082179 patent/WO2021099235A1/en not_active Ceased
- 2020-11-16 CN CN202080079209.5A patent/CN114730144A/zh active Pending
- 2020-11-16 EP EP20808057.2A patent/EP4062235A1/en active Pending
- 2020-11-16 KR KR1020227020742A patent/KR102917530B1/ko active Active
- 2020-11-16 US US17/777,638 patent/US20230045307A1/en active Pending
- 2020-11-17 TW TW109140073A patent/TWI887299B/zh active
- 2020-11-17 TW TW114117721A patent/TW202600801A/zh unknown
-
2025
- 2025-04-30 JP JP2025075386A patent/JP2025114656A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4089614A1 (en) | 2021-05-13 | 2022-11-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Proposal system and proposal method |
| JP2024170295A (ja) * | 2023-05-26 | 2024-12-06 | 三星エスディアイ株式会社 | 金属含有フォトレジスト現像液組成物、およびこれを利用した現像段階を含むパターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202600801A (zh) | 2026-01-01 |
| US20230045307A1 (en) | 2023-02-09 |
| KR102917530B1 (ko) | 2026-01-23 |
| WO2021099235A1 (en) | 2021-05-27 |
| JP7732976B2 (ja) | 2025-09-02 |
| KR20220104768A (ko) | 2022-07-26 |
| TW202124692A (zh) | 2021-07-01 |
| KR20260028049A (ko) | 2026-03-03 |
| TWI887299B (zh) | 2025-06-21 |
| JP2025114656A (ja) | 2025-08-05 |
| CN114730144A (zh) | 2022-07-08 |
| EP4062235A1 (en) | 2022-09-28 |
| JP2023502837A (ja) | 2023-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7732976B2 (ja) | レジストパターン間置換液、およびそれを用いたレジストパターンの製造方法 | |
| JP6157151B2 (ja) | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 | |
| JP6106990B2 (ja) | リソグラフィ用リンス剤、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2022096214A (ja) | 厚膜化されたレジストパターンの製造方法、厚膜化溶液、および加工基板の製造方法 | |
| CN109313398A (zh) | 冲洗组合物、形成抗蚀剂图案的方法以及半导体器件的制备方法 | |
| JP2023519537A (ja) | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 | |
| TW201807513A (zh) | 間隙塡充組成物及使用低分子化合物之圖案形成方法 | |
| EP2872948A1 (en) | Compositions for anti pattern collapse treatment comprising gemini additives | |
| WO2005103832A1 (ja) | レジストパターン形成方法及び複合リンス液 | |
| US8748077B2 (en) | Resist pattern improving material, method for forming resist pattern, method for producing semiconductor device, and semiconductor device | |
| CN104471487B (zh) | 用于制造集成电路装置、光学装置、微机械及机械精密装置的组合物 | |
| TW202538046A (zh) | 電子機器製造水溶液、光阻圖案之製造方法及裝置之製造方法 | |
| CN100461005C (zh) | 防止显影缺陷的方法及用于该方法的组合物 | |
| JP2025517882A (ja) | 現像可能レジスト上層膜組成物、ならびにレジスト上層膜パターンおよびレジストパターンの製造方法 | |
| JP7062839B2 (ja) | 半導体水溶性組成物およびその使用 | |
| KR20250137630A (ko) | 전자 기기 제조 수용액, 레지스트 패턴의 제조 방법 및 디바이스의 제조 방법 | |
| CN120457392A (zh) | 制造电子器件的水溶液、制造抗蚀剂图案的方法以及制造器件的方法 | |
| TW202447344A (zh) | 厚膜化組成物、經厚膜化之光阻圖案之製造方法、及加工基板之製造方法 |