JP6428568B2 - パターン形成用リンス溶液及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
[1](A)下記式(1)又は(2)で表される繰り返し単位を含む熱・酸分解性重合体及び(B)水を含むことを特徴とするパターン形成用リンス溶液。
[2]更に、炭素数1〜6のアルコールを含む[1]のパターン形成用リンス溶液。
[3]更に、熱酸発生剤を含む[1]又は[2]のパターン形成用リンス溶液。
[4]熱酸発生剤が、スルホン酸、カルボン酸及びイミド酸から選ばれる有機酸のアンモニウム塩若しくはスルホニウム塩、スルホン酸エステル、又は下記式で表されるピリジニウム塩である[3]のパターン形成用リンス溶液。
[5]更に、塩基性化合物を含む[1]〜[4]のいずれかのパターン形成用リンス溶液。
[6](1)基板上に、酸の作用により現像液に対する溶解度が変化する樹脂を含むレジスト膜を形成する工程、
(2)前記レジスト膜を露光し、加熱する工程、
(3)アルカリ現像液により現像する工程、
(4)[1]〜[5]のいずれかのリンス溶液で前記現像液を置換する工程、及び
(5)加熱により前記熱・酸分解性重合体を分解除去する工程
を含むパターン形成方法。
[7]前記露光が、波長364nmのi線、波長248nmのKrFエキシマレーザー、波長193nmのArFエキシマレーザー、波長13.5nmのEUV、又は電子線を用いて行われる[6]のパターン形成方法。
本発明のリンス溶液は、(A)熱・酸分解性重合体及び(B)水を含むものである。
本発明のパターン形成方法は、
(1)基板上に、酸の作用により現像液に対する溶解度が変化する樹脂を含むレジスト膜を形成する工程、
(2)前記レジスト膜を露光し、加熱する工程、
(3)アルカリ現像液により現像する工程、
(4)本発明のリンス溶液で前記現像液を置換する工程、及び
(5)加熱により前記熱・酸分解性重合体を分解除去する工程
を含むものである。
[合成例1]ポリマー1の合成
陽イオン交換樹脂(アンバーリスト(登録商標)15)3.8g及び酢酸エチル100gの混合物に、ジエチレングリコールモノビニルエーテル100gを室温で加え、更に3時間攪拌した。トリエチルアミン0.8gを加えて反応を停止後、ろ過によって陽イオン交換樹脂を除去した。ろ液を減圧濃縮することにより、ポリマー1を高粘性の液体として得た。
ポリマー1
分子量(Mw)=4,900
分散度(Mw/Mn)=2.33
−70℃に冷却したトルエン20mL中に、2−ヒドロキシビニルエーテル3g、アセトアルデヒド2g及びメタンスルホン酸0.01gを加えて、48時間反応させた。アンモニア性メタノールを0.02g添加して反応を終了させ、ろ液を減圧濃縮することにより、ポリマー2を得た。
ポリマー2
Mw=5,800
Mw/Mn=2.13
2Lのフラスコに、メタクリル酸3−t−ブチル−3−シクロペンチル10.5g、メタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル2.5g、メタクリル酸3−エチル−3−エキソテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル4.4g、メタクリル酸テトラヒドロ−2−オキソフラン−3−イル3.4g、及び溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60℃まで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体をろ過後、60℃で減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C−NMR、1H−NMR及びGPCで測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比(モル比)
メタクリル酸3−t−ブチル−3−シクロペンチル:メタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル:メタクリル酸3−エチル−3−エキソテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル:メタクリル酸テトラヒドロ−2−オキソフラン−3−イル=0.50:0.10:0.20:0.20
レジストポリマー1
Mw=7,500
Mw/Mn=1.61
下記表1の組成に従って、ポリマー1、2、熱酸発生剤、塩基性化合物、界面活性剤、溶剤を混合した後、イソプロピルアルコールを親和させた0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターでろ過して、リンス溶液を調製した。
レジストポリマー1を用いて、下記表2に示す組成で溶解させた3M社製の界面活性剤FC-4430を100ppm含む溶液を0.2μmサイズのフィルターでろ過して、レジスト組成物を調製した。なお、表2中、PGMEAは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。
[実施例1〜11、比較例1]
前記レジスト組成物を、シリコンウエハーに信越化学工業(株)製スピンオンカーボン膜ODL-102を200nm、その上に珪素含有スピンオンハードマスクSHB-A940を35nmの膜厚で成膜したトライレイヤープロセス用の基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを100nmにした。これをArFエキシマレーザー液浸スキャナー((株)ニコン製NSR-610C、NA1.30、σ0.98/0.78、ダイポール開口20度、Azimuthally偏光照明、ウエハー上寸法が40nmラインアンドスペース1:1のパターンの6%ハーフトーン位相シフトマスク)を用いて露光量を変化させながら露光を行い、露光後90℃で60秒間ベーク(PEB)し、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で30秒間パドル現像して表1記載のポリマー含有リンス溶液を塗布し、パターン間をリンス溶液に含有されているポリマーで埋め、表3に記載の温度で60秒間ベークし、リンス溶液のポリマーを蒸発させてポジティブパターンを形成した。実施例7では、TMAH水溶液で30秒間パドル現像後水でリンスし、表1記載のリンス溶液を塗布し、パターン間をリンス溶液に含有されているポリマーで埋め、表3に記載の温度で60秒間ベークし、リンス溶液のポリマーを蒸発させてポジティブパターンを形成した。比較例1としては、TMAH水溶液で30秒間パドル現像まで前記実施例と同じで、純水リンス後スピンドライした。リンス溶液蒸発後のピッチ80nmの最小のライン幅の寸法を測長SEM((株)日立製作所製CG-4000)で測定した。結果を表3に示す。
20 被加工膜
30 レジスト膜
30a レジストパターン
40 露光
50 現像液
60 リンス溶液
Claims (7)
- 更に、炭素数1〜6のアルコールを含む請求項1記載のパターン形成用リンス溶液。
- 更に、熱酸発生剤を含む請求項1又は2記載のパターン形成用リンス溶液。
- 更に、塩基性化合物を含む請求項1〜4のいずれか1項記載のパターン形成用リンス溶液。
- (1)基板上に、酸の作用により現像液に対する溶解度が変化する樹脂を含むレジスト膜を形成する工程、
(2)前記レジスト膜を露光し、加熱する工程、
(3)アルカリ現像液により現像する工程、
(4)請求項1〜5のいずれか1項記載のリンス溶液で前記現像液を置換する工程、及び
(5)加熱により前記熱・酸分解性重合体を分解除去する工程
を含むパターン形成方法。 - 前記露光が、波長364nmのi線、波長248nmのKrFエキシマレーザー、波長193nmのArFエキシマレーザー、波長13.5nmの極端紫外線、又は電子線を用いて行われる請求項6記載のパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014239474 | 2014-11-27 | ||
JP2014239474 | 2014-11-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016110088A JP2016110088A (ja) | 2016-06-20 |
JP6428568B2 true JP6428568B2 (ja) | 2018-11-28 |
Family
ID=56079144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015214445A Active JP6428568B2 (ja) | 2014-11-27 | 2015-10-30 | パターン形成用リンス溶液及びパターン形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9632416B2 (ja) |
JP (1) | JP6428568B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6455397B2 (ja) * | 2014-11-27 | 2019-01-23 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成用リンス溶液及びパターン形成方法 |
JP6931663B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2021-09-08 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、光酸発生剤 |
WO2020179418A1 (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | 富士フイルム株式会社 | レジストパターン形成方法、半導体チップの製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1073462A (en) * | 1963-05-23 | 1967-06-28 | Nippon Comb Chemicals Mfg Co L | A new cleaning solution |
US8236485B2 (en) * | 2002-12-20 | 2012-08-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Photoresist removal |
JP2006011054A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法 |
JPWO2006025303A1 (ja) * | 2004-09-01 | 2008-07-31 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液とレジストパターン形成方法 |
JP4554665B2 (ja) | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
JP5011018B2 (ja) | 2007-04-13 | 2012-08-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
US8034547B2 (en) | 2007-04-13 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
JP4982288B2 (ja) | 2007-04-13 | 2012-07-25 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP2011063013A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-31 | Fujifilm Corp | レリーフ印刷版製版用リンス液及びレリーフ印刷版の製版方法 |
JP5257314B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2013-08-07 | 大日本印刷株式会社 | 積層体、準備用支持体、積層体の製造方法、及びデバイスの製造方法 |
-
2015
- 2015-10-30 JP JP2015214445A patent/JP6428568B2/ja active Active
- 2015-11-25 US US14/952,669 patent/US9632416B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016110088A (ja) | 2016-06-20 |
US9632416B2 (en) | 2017-04-25 |
US20160154314A1 (en) | 2016-06-02 |
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