JP5010569B2 - レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
(式中、R7、R12、R7’、R12’はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を示し、R8、R9、R10、R11およびR13、R14、R15、R13’、R15’はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜12のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基のいずれかを示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基によって置換されていてもよく、R8、R9、R10、R11およびR13、R14、R15、R13’、R15’の中に窒素原子、エーテル基、エステル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基を含んでいても良い。また、R8とR9、R8とR9とR10、およびR13とR14はそれぞれ環を形成してもよく、環を形成する場合には、R8とR9又はR8とR9とR10およびR13とR14はそれぞれ独立に炭素数3〜10のアルキレン基、又は式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。X、X1は単結合、炭素数1〜4のアルキレン基、−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−のいずれかであり、Y、Y1は−C(=O)−O−を示す。また、Rx、Rx’は単結合、炭素数1〜8の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基のいずれかであり、Ry、Ry’は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R16はカルボニル基、エステル基、エーテル基、ハロゲン原子を有していても良い炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は、カルボニル基、エステル基、エーテル基、ハロゲン原子、炭素数1〜10のアルキル基、フッ素化アルキル基を有していても良い炭素数6〜10のアリール基のいずれかを示す。尚、0≦(c−1)<1、0≦(c−2)<1、0≦(d−1)<1、0≦(d−2)<1、0<(c−1)+(c−2)+(d−1)+(d−2)<1であり、0<(d−2)の時、0<(c−2)である。)
このように、高分子化合物IIが下記一般式(4)中の、(A)繰り返し単位aと、c−1、c−2及びd−1から選ばれる1以上の繰り返し単位を含む共重合体、又は、(B)繰り返し単位aと、c−2及びd−2の繰り返し単位を含む共重合体であり、すなわち繰り返し単位aを含むポリマーであれば、有機溶媒への溶解性が優れ、高分子化合物Iとブレンドしたときによく混ざり合い、高分子化合物Iとの混合が容易になるため好ましい。
N(X’)n(Y’)3−n (B)−1
すなわち、トリス(2−メトキシメトキシエチル)アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシメトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2−{2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン、4,7,13,16,21,24−ヘキサオキサ−1,10−ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサン、4,7,13,18−テトラオキサ−1,10−ジアザビシクロ[8.5.5]エイコサン、1,4,10,13−テトラオキサ−7,16−ジアザビシクロオクタデカン、1−アザ−12−クラウン−4、1−アザ−15−クラウン−5、1−アザ−18−クラウン−6、トリス(2−フォルミルオキシエチル)アミン、トリス(2−ホルミルオキシエチル)アミン、トリス(2−アセトキシエチル)アミン、トリス(2−プロピオニルオキシエチル)アミン、トリス(2−ブチリルオキシエチル)アミン、トリス(2−イソブチリルオキシエチル)アミン、トリス(2−バレリルオキシエチル)アミン、トリス(2−ピバロイルオキシキシエチル)アミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(アセトキシアセトキシ)エチルアミン、トリス(2−メトキシカルボニルオキシエチル)アミン、トリス(2−tert−ブトキシカルボニルオキシエチル)アミン、トリス[2−(2−オキソプロポキシ)エチル]アミン、トリス[2−(メトキシカルボニルメチル)オキシエチル]アミン、トリス[2−(tert−ブトキシカルボニルメチルオキシ)エチル]アミン、トリス[2−(シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ)エチル]アミン、トリス(2−メトキシカルボニルエチル)アミン、トリス(2−エトキシカルボニルエチル)アミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(エトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(エトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2−ヒドロキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−アセトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2−オキソプロポキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−オキソプロポキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−[(2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル)オキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−[(2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル)オキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(4−ヒドロキシブトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ホルミルオキシエチル)2−(4−ホルミルオキシブトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ホルミルオキシエチル)2−(2−ホルミルオキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−メトキシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミン、N−(2−ヒドロキシエチル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−アセトキシエチル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−ヒドロキシエチル)ビス[2−(エトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−アセトキシエチル)ビス[2−(エトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(3−ヒドロキシ−1−プロピル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(3−アセトキシ−1−プロピル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−メトキシエチル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−ブチルビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−ブチルビス[2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチル]アミン、N−メチルビス(2−アセトキシエチル)アミン、N−エチルビス(2−アセトキシエチル)アミン、N−メチルビス(2−ピバロイルオキシキシエチル)アミン、N−エチルビス[2−(メトキシカルボニルオキシ)エチル]アミン、N−エチルビス[2−(tert−ブトキシカルボニルオキシ)エチル]アミン、トリス(メトキシカルボニルメチル)アミン、トリス(エトキシカルボニルメチル)アミン、N−ブチルビス(メトキシカルボニルメチル)アミン、N−ヘキシルビス(メトキシカルボニルメチル)アミン、β−(ジエチルアミノ)−δ−バレロラクトン、グリシンメチルエステル、グリシンエチルエステル、グリシンプロピルエステル、N,N−ジメチルグリシンメチルエステル、N,N−ジメチルグリシンエチルエステル、N,N−ジメチルグリシンプロピルエステル、アラニンメチルエステル、アラニンエチルエステル、アラニンプロピルエステル、N,N−ジメチルアラニンメチルエステル、N,N−ジメチルアラニンエチルエステル、N,N−ジメチルアラニンプロピルエステル、バリンメチルエステル、バリンエチルエステル、バリンプロピルエステル、N,N−ジメチルバリンメチルエステル、N,N−ジメチルバリンエチルエステル、N,N−ジメチルバリンプロピルエステル、ロイシンメチルエステル、ロイシンエチルエステル、ロイシンプロピルエステル、N,N−ジメチルロイシンメチルエステル、N,N−ジメチルロイシンエチルエステル、N,N−ジメチルロイシンプロピルエステル、イソロイシンメチルエステル、イソロイシンエチルエステル、イソロイシンプロピルエステル、N,N−ジメチルイソロイシンメチルエステル、N,N−ジメチルイソロイシンエチルエステル、N,N−ジメチルイソロイシンプロピルエステル、アスパラギン酸ジメチルエステル、グルタミン酸ジメチルエステル等を例示できるが、これらに制限されない。
R305が単結合の場合は、カルバメートアミン類であり、このものは特開2001−166476号に具体的に挙げられている化合物を用いることができる。
窒素雰囲気下のフラスコに19.6gのMonomer1、85.8gのMonomer2、3.74gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer1)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1とMonomer2の組成比は20/80モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で9,400、分散度(Mw/Mn)は1.72であった。
窒素雰囲気下のフラスコに78.4gのMonomer1、24.1gのMonomer3、3.82gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer2)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1、Monomer3の組成比は80/20モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で9,200、分散度(Mw/Mn)は1.87であった。
窒素雰囲気下のフラスコに58.8gのMonomer1、42.9gのMonomer4、3.84gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer3)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1とMonomer4の組成比は59/41モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で9,500、分散度(Mw/Mn)は1.77であった。
窒素雰囲気下のフラスコに107.3gのMonomer2、3.87gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer4)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer2の組成比は100モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で9,300、分散度(Mw/Mn)は1.6であった。
窒素雰囲気下のフラスコに68.6gのMonomer1、33.6gのMonomer5、3.80gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer5)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1とMonomer5の組成比は70/30モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で8,700、分散度(Mw/Mn)は1.76であった。
窒素雰囲気下のフラスコに78.4gのMonomer1、20.0gのMonomer6、3.85gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer6)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1、Monomer6の組成比は79/21モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で9,100、分散度(Mw/Mn)は1.65であった。
窒素雰囲気下のフラスコに68.6gのMonomer1、15.6gのMonomer7、3.85gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer7)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1、Monomer7の組成比は71/29モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で8,700、分散度(Mw/Mn)は1.69であった。
窒素雰囲気下のフラスコに68.6gのMonomer1、22.4gのMonomer8、3.85gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、60.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに20.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer8)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1、Monomer8の組成比は73/27モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で5,700、分散度(Mw/Mn)は1.69であった。
窒素雰囲気下のフラスコに87.0gのMonomer9、19.4gのMonomer10、3.85の2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、20.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに20.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer9)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer9、Monomer10の組成比は67/33モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で5,100、分散度(Mw/Mn)は1.65であった。
窒素雰囲気下のフラスコに87.0gのMonomer9、40.2gのMonomer11、3.85gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、20.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに20.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer10)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer9、Monomer11の組成比は67/33モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で4,700、分散度(Mw/Mn)は1.57であった。
窒素雰囲気下のフラスコに87.0gのMonomer9、42.7gのMonomer12、3.85gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、20.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに20.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer11)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer9、Monomer12の組成比は67/33モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で5,300、分散度(Mw/Mn)は1.68であった。
窒素雰囲気下のフラスコに93.1gのMonomer1、3.7gのMonomer13、3.74gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer12)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1とMonomer13の組成比は95/5モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で9,600、分散度(Mw/Mn)は1.83であった。
窒素雰囲気下のフラスコに93.1gのMonomer1、3.5gのMonomer14、3.74gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer13)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1とMonomer14の組成比は95/5モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で6,800、分散度(Mw/Mn)は1.75であった。
窒素雰囲気下のフラスコに88.2gのMonomer1、3.6gのMonomer15、3.74gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer14)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1とMonomer15の組成比は95/5モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で6,900、分散度(Mw/Mn)は1.72であった。
窒素雰囲気下のフラスコに93.1gのMonomer1、3.5gのMonomer16、3.74gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer15)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1とMonomer16の組成比は95/5モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で6,600、分散度(Mw/Mn)は1.70であった。
窒素雰囲気下のフラスコに79.8gのMonomer18、13.0gのMonomer17、3.74gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer16)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer18とMonomer17の組成比は90/10モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で8,600、分散度(Mw/Mn)は1.78であった。
窒素雰囲気下のフラスコに68.6gのMonomer1、7.2gのメタクリル酸、1.8gのMonomer15、3.84gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer17)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1とメタクリル酸とMonomer15の組成比は70/25/5モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で9300、分散度(Mw/Mn)は1.82であった。
窒素雰囲気下のフラスコに46.0gのMonomer9、19.6gのMonomer19、40gのモノマー20、3.74gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、20gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer18)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer9、Monomer19、Monomer20の組成比は40/30/30モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で6900、分散度(Mw/Mn)は1.42であった。
窒素雰囲気下のフラスコに48.5gのMonomer1、55.9gのMonomer5、3.80gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer19)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1とMonomer5の組成比は50/50モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で8,300、分散度(Mw/Mn)は1.73であった。
窒素雰囲気下のフラスコに88.1gのMonomer21、3.6gのMonomer15、3.80gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer20)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer21とMonomer15の組成比は90/10モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で7,800、分散度(Mw/Mn)は1.83であった。
窒素雰囲気下のフラスコに88.1gのMonomer21、3.6gのMonomer15、3.80gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer21)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer21とMonomer14の組成比は90/10モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で9,500、分散度(Mw/Mn)は1.89であった。
窒素雰囲気下のフラスコに88.1gのMonomer21、7.9gのMonomer22、3.80gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer22)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer21とMonomer22の組成比は90/10モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で9,500、分散度(Mw/Mn)は1.89であった。
窒素雰囲気下のフラスコに88.1gのMonomer1、2.5gのMonomer15、2.0gのMonomer23、3.80gの2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチル、100.0gのイソプロピルアルコールを投入して単量体溶液を調製し、溶液温度を20〜25℃とした。窒素雰囲気下の別のフラスコに50.0gのイソプロピルアルコールを投入し、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま3時間撹拌を続け、熟成終了後に室温まで冷却した。得られた重合液を4,000gの水/メタノール混合溶媒(混合比7/1)中に滴下し、析出した共重合体を濾別した。得られた共重合体を600gのイソプロピルエーテル/ヘキサン混合溶媒(混合比9/1)で4回洗浄し、白色固体を分離した。白色固体を50℃で20時間真空乾燥させることにより目的の高分子化合物(Polymer23)を得た。樹脂の組成を1H−NMRで分析した結果、共重合体中のMonomer1とMonomer15とMonomer23の組成比は90/7/3モル%であった。また、得られた共重合体のGPC測定を行った結果、質量平均分子量(Mw)はポリスチレン換算で8,100、分散度(Mw/Mn)は1.74であった。
Polymer1〜Polymer23は上記ポリマー合成例に示したものを用いた。 Polymer1〜11、18、19は高撥水性ポリマーIであり、Polymer12〜17、23はスルホン酸、又はスルホン酸アミン塩を有するポリマーである。Polymer20〜22は比較例用ポリマーである。スルホ基を有するポリマーは、後記のアミン化合物(Amine1〜3)を添加することによってスルホン酸アミン塩のポリマーIIにすることが出来る。Polymer1〜Polymer23から選ばれる単独あるいは2種以上のブレンドによる樹脂成分の1gをジイソペンチルエーテル23g、2−メチル−1−ブタノール2gの混合溶媒に溶解させ、それぞれ0.2ミクロンサイズのポリプロピレンフィルターで濾過し、レジスト保護膜溶液を作製した。樹脂成分中のブレンド比率、樹脂100質量部に対するアミン化合物の添加量の質量部を表1、及び表2に示す。
また、上記方法でレジスト保護膜を形成したウエハーを2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で現像し、現像後の膜厚の変動を測定した。結果を表1、及び表2に示す。
表1、及び表2から、ポリマーII単独(比較TC−2〜4)では転落角が大きく後退接触角が小さく、ポリマーI単独(比較TC−1)では転落角が小さく後退接触角が大きいことがわかる。また、転落角が低いほど保護膜上の水は流動しやすく、後退接触角が高いほど高速のスキャン露光でも液滴が残りにくく、好ましい。表1及び表2から、本発明のレジスト保護膜TC−1〜25ではポリマーIとIIのブレンドによる転落角や後退接触角の性能低下が比較的少なく、比較TC−6、7よりも優れていることがわかる。実施例のTC−1〜25においては、スピンコート後の製膜課程に於いて、ポリマーI(比較TC−1)の滑水性能がほぼ再現されており、ポリマーII(比較TC−2〜4)の影響が見られない。よって、ポリマーIとIIの層分離が効率よく行われている事が示されている。
比較ポリマー22と比較ポリマー20を組み合わせた保護膜(比較TC−6)、比較ポリマー22と比較ポリマー21を組み合わせた保護膜(比較TC−7)は滑水性能が低下した。これは、ポリマー同士の層分離の効率が低いためと考えることができる。
また、保護膜なしで露光−純水リンス−PEB−現像のプロセスも行った。そして、得られたウエハーを割断し、65nmライン・アンド・スペースのパターン形状、感度を比較した。結果を表3及び表4に示す。
スルホン酸アミン塩を有するポリマーIIだけを用いた保護膜材料の場合は、現像後のレジストパターンが矩形形状で、現像後のレジストの接触角を下げることが出来たが後退接触角が低く、滑水性が低い欠点を有している(比較TC−2)。スルホ基を有するポリマーIIだけを添加した保護膜材料を用いた場合(比較TC−3、比較TC−4)、現像後のレジスト表面の接触角を低くすることが出来たが、レジストパターンが膜減り形状となった。また、比較TC−5では、現像後のレジスト表面の接触角が大きくなった。
Claims (12)
- フォトレジスト膜の上に保護膜を形成するためのレジスト保護膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で表される繰り返し単位aを含む高分子化合物Iと、スルホン酸又はスルホン酸アミン塩を有する繰り返し単位を含む高分子化合物IIを含むことを特徴とするレジスト保護膜材料。
- 前記高分子化合物IIに含まれるスルホン酸又はスルホン酸アミン塩を有する繰り返し単位が、下記一般式(3)中の繰り返し単位c−1、c−2、d−1、及びd−2から選ばれる1つ以上の繰り返し単位で示されるものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のレジスト保護膜材料。
- 前記高分子化合物IIが下記一般式(4)中の、(A)繰り返し単位aと、c−1、c−2及びd−1から選ばれる1以上の繰り返し単位を含む共重合体、又は、(B)繰り返し単位aと、c−2及びd−2の繰り返し単位を含む共重合体であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のレジスト保護膜材料。
- 前記レジスト保護膜材料が更に、溶媒を含有するものであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のレジスト保護膜材料。
- 前記溶媒が、ジ−n−ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−n−ペンチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、ジ−n−ブチルエーテル、ジ−secブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−sec−ペンチルエーテル、ジ−t−アミルエーテル、及びジ−n−ヘキシルエーテルから選ばれる1種以上のエーテル系溶媒であることを特徴とする請求項5に記載のレジスト保護膜材料。
- 前記溶媒が、前記エーテル系溶媒に加えて1−ブチルアルコール、2−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、tert−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、3−メチル−3−ペンタノール、シクロペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、2,3−ジメチル−2−ブタノール、3,3−ジメチル−1−ブタノール、3,3−ジメチル−2−ブタノール、2−ジエチル−1−ブタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、2−メチル−3−ペンタノール、3−メチル−1−ペンタノール、3−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−3−ペンタノール、4−メチル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、4−メチル−3−ペンタノール、及びシクロヘキサノールから選ばれる1種以上のアルコール系溶媒を混合したものであることを特徴とする請求項6に記載のレジスト保護膜材料。
- 少なくとも、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、該フォトレジスト膜の上に、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載のレジスト保護膜材料を用いてレジスト保護膜を形成する工程と、露光する工程と、現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 前記露光工程を、投影レンズと前記基板との間に液体を挿入して行う液浸リソグラフィーにより行うことを特徴とする請求項8に記載のパターン形成方法。
- 前記露光工程を、180〜250nmの範囲の露光波長光源を用い、前記投影レンズと前記基板との間に挿入する液体として水を用いて行うことを特徴とする請求項9に記載のパターン形成方法。
- 前記現像工程において、アルカリ現像液を用いて現像し、前記フォトレジスト膜にレジストパターンを形成すると同時に、フォトレジスト膜上のレジスト保護膜の剥離を行うことを特徴とする請求項8乃至請求項10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- マスクブランクスに形成したフォトレジスト層上にレジスト上層膜材料による保護膜を形成し、真空中電子ビームで露光を行った後、現像を行うリソグラフィーによるパターン形成方法において、前記レジスト上層膜材料として請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載のレジスト保護膜材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008285563A JP5010569B2 (ja) | 2008-01-31 | 2008-11-06 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008021021 | 2008-01-31 | ||
JP2008021021 | 2008-01-31 | ||
JP2008285563A JP5010569B2 (ja) | 2008-01-31 | 2008-11-06 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009205132A JP2009205132A (ja) | 2009-09-10 |
JP5010569B2 true JP5010569B2 (ja) | 2012-08-29 |
Family
ID=40932030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008285563A Active JP5010569B2 (ja) | 2008-01-31 | 2008-11-06 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8088537B2 (ja) |
JP (1) | JP5010569B2 (ja) |
KR (1) | KR101319105B1 (ja) |
TW (1) | TW200949451A (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080311530A1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Allen Robert D | Graded topcoat materials for immersion lithography |
JP5245700B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2013-07-24 | Jsr株式会社 | 上層膜形成組成物及び上層膜 |
JP4822028B2 (ja) | 2008-12-02 | 2011-11-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
EP2204694A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-07 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Compositions and processes for photolithography |
JP5573578B2 (ja) | 2009-10-16 | 2014-08-20 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びレジスト材料 |
KR20110058128A (ko) * | 2009-11-25 | 2011-06-01 | 제일모직주식회사 | 레지스트 보호막용 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 보호막 조성물 |
US8541523B2 (en) | 2010-04-05 | 2013-09-24 | Promerus, Llc | Norbornene-type polymers, compositions thereof and lithographic process using such compositions |
JP5884521B2 (ja) | 2011-02-09 | 2016-03-15 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2013061648A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-04-04 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジスト上塗り組成物および電子デバイスを形成する方法 |
JP5935807B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2016-06-15 | Jsr株式会社 | 液浸上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP5724794B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2015-05-27 | Jsr株式会社 | 液浸上層膜形成用組成物 |
JP5617810B2 (ja) * | 2011-10-04 | 2014-11-05 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
US9068086B2 (en) | 2011-12-21 | 2015-06-30 | Dow Global Technologies Llc | Compositions for antireflective coatings |
JP6175959B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2017-08-09 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6655631B2 (ja) * | 2015-12-02 | 2020-02-26 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、積層膜及び上層膜形成用組成物 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6038821A (ja) | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | エッチング方法 |
JPH0799730B2 (ja) | 1985-09-13 | 1995-10-25 | 株式会社日立製作所 | パターン形成方法 |
JPS6262520A (ja) | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
JPH0574700A (ja) | 1991-07-17 | 1993-03-26 | Asahi Glass Co Ltd | パターン形成方法 |
JPH06273926A (ja) | 1993-03-23 | 1994-09-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 反射防止膜材料 |
JP2803549B2 (ja) | 1993-12-21 | 1998-09-24 | 信越化学工業株式会社 | 光反射性防止材料及びパターン形成方法 |
JPH09246173A (ja) | 1996-03-08 | 1997-09-19 | Canon Sales Co Inc | 塗布方法 |
JP3790649B2 (ja) | 1999-12-10 | 2006-06-28 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料 |
JP3956088B2 (ja) | 2000-07-19 | 2007-08-08 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
JP3954066B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2007-08-08 | 松下電器産業株式会社 | バリア膜形成用材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4355944B2 (ja) | 2004-04-16 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びこれに用いるレジスト上層膜材料 |
KR101108754B1 (ko) * | 2004-09-30 | 2012-03-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 공중합체 및 상층막 형성 조성물 |
US7288362B2 (en) * | 2005-02-23 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Immersion topcoat materials with improved performance |
US7544750B2 (en) * | 2005-10-13 | 2009-06-09 | International Business Machines Corporation | Top antireflective coating composition with low refractive index at 193nm radiation wavelength |
JP4684139B2 (ja) * | 2005-10-17 | 2011-05-18 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
KR101428121B1 (ko) * | 2005-10-27 | 2014-08-07 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 상층막 형성 조성물 및 포토레지스트 패턴 형성 방법 |
JP4763511B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2011-08-31 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
WO2008047678A1 (fr) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Jsr Corporation | Composition pour la formation d'un film de couche supérieure et procédé de formation d'un motif en photorésine |
JP4288520B2 (ja) * | 2006-10-24 | 2009-07-01 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
US8431332B2 (en) * | 2007-09-26 | 2013-04-30 | Jsr Corporation | Composition for forming upper layer film for immersion exposure, upper layer film for immersion exposure, and method of forming photoresist pattern |
-
2008
- 2008-11-06 JP JP2008285563A patent/JP5010569B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-21 US US12/320,183 patent/US8088537B2/en active Active
- 2009-01-22 TW TW098102589A patent/TW200949451A/zh unknown
- 2009-01-30 KR KR1020090007485A patent/KR101319105B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090197200A1 (en) | 2009-08-06 |
JP2009205132A (ja) | 2009-09-10 |
KR101319105B1 (ko) | 2013-10-17 |
TWI379167B (ja) | 2012-12-11 |
TW200949451A (en) | 2009-12-01 |
US8088537B2 (en) | 2012-01-03 |
KR20090084748A (ko) | 2009-08-05 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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