JP2023526570A - 駆動回路の制御スイッチ、アレイ基板及び表示パネル - Google Patents

駆動回路の制御スイッチ、アレイ基板及び表示パネル Download PDF

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Abstract

【要約】本願は駆動回路（２００）の制御スイッチ、アレイ基板（１００）及び表示パネル（４００）が開示され、制御スイッチは薄膜トランジスタ（２２０）を含み、薄膜トランジスタ（２２０）において、ソースリード線（２１０）に直接に接続されたソース分岐（２３１）は第一ソース分岐（２３２）であり、ソースリード線（２１０）に直接に接続されないソース分岐（２３１）は第二ソース分岐（２３３）であり、第一ソース分岐（２３２）と隣接するドレイン分岐（２４１）との間のチャネルの幅は、第二ソース分岐（２３３）と隣接するドレイン分岐（２４１）との間のチャネルの幅よりも大きい。

Description

本願は、２０２１年３月２９日に中国国家知識産権局に提出された出願番号がＣＮ２０２１１０３３２５７５３で、出願名称が「駆動回路の制御スイッチ、アレイ基板及び表示パネル」である中国特許出願の優先権を主張し、その全ての内容は参照により本願に組み込まれている。
本願は表示技術分野に関し、特に駆動回路の制御スイッチ、アレイ基板及び表示パネルに関する。
ここでの記載は、必ずしも従来技術を構成するものではなく、本願に関連する背景情報のみを提供する。
従来、表示技術は、テレビ、携帯電話及び公開情報の表示に広く応用され、画面を表示する表示パネルもさまざまであり、しかも多彩な画面を表示することができる。ますます多くの表示パネル、例えば薄膜トランジスタ-液晶ディスプレイ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ－Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＴＦＴ－ＬＣＤと略称する）、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤと略称する）などは、いずれもアレイ基板列駆動（Ｇａｔｅ Ｄｒｉｖｅｒ ｏｎ Ａｒｒａｙ、ＧＯＡと略称する）技術を利用する必要があり、アレイ基板列駆動回路を表示パネルにおけるアレイ基板に集積し、表示パネルに対する走査駆動を実現することによって、材料コストと製作プロセスの両方面に製品コストを削減することができる。
通常、ＧＯＡ回路を作製する際、薄膜トランジスタにおけるソース、ドレインをソースリード線と同層に設置し、且つ同時にエッチングして形成する。しかし、エッチングプロセスが行われる際、エッチングの不均一が発生しやすい問題があり、しかもＧＯＡ回路の集積度がますます高くなるにつれ、ソースとドレインとの間隔がますます小さくなるため、エッチングの不均一が発生する際、ソースリード線が同時にソース、ドレインに接続してソースとドレインとの短絡が発生する。
本願は駆動回路の制御スイッチ、アレイ基板及び表示パネルが提供され、駆動回路が不均一にエッチングされる場合にソースとドレインの短絡の発生を防止する。
上記の目的を実現するために、本願により、前記制御スイッチは、薄膜トランジスタを含み、前記駆動回路は更に前記薄膜トランジスタに接続されたソースリード線を含み、前記薄膜トランジスタは、ソース、ドレイン、及びグリッドを含み、前記ソースは、少なくとも二つの並置されたソース分岐及び各ソース分岐を接続するソース幹部を含み、前記ドレインは、前記ソースと同層して設置され、少なくとも一つのドレイン分岐及び各前記ドレイン分岐を接続するドレイン幹部を含み、前記ドレイン分岐は前記ソース分岐と並列し且つ交互して設置されてチャネルドを形成し、前記グリッドは前記ソース、ドレインと対応して設置された駆動回路の制御スイッチであって、前記ソースリード線に直接に接続された前記ソース分岐は第一ソース分岐であり、前記ソースリード線に直接に接続されない前記ソース分岐は第二ソース分岐であり、前記第一ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅は、前記第二ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅よりも大きい駆動回路の制御スイッチを提供する。
本願により、駆動回路、ソースリード線及び前記駆動回路に駆動されるスキャンラインを含み、前記駆動回路の制御スイッチは、薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタは前記ソースリード線に接続され、前記薄膜トランジスタは、ソース、ドレイン及びグリッドを含み、前記ソースは少なくとも二つの並置されたソース分岐及び各ソース分岐を接続するソース幹部を含み、前記ドレインは前記ソースと同層して設置され、少なくとも一つのドレイン分岐及び各前記ドレイン分岐を接続するドレイン幹部を含み、前記ドレイン分岐は前記ソース分岐と並列し且つ交互して設置されてチャネルを形成し、前記グリッドは前記ソース、ドレインと対応して設置されたアレイ基板であって、前記ソースリード線に直接に接続された前記ソース分岐は第一ソース分岐であり、前記ソースリード線に直接に接続されない前記ソース分岐は第二ソース分岐であり、前記第一ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅は、前記第二ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅よりも大きいアレイ基板を更に開示する。
本願により、アレイ基板、前記アレイ基板と対向して設置されたカラーフィルム基板、及び前記アレイ基板とカラーフィルム基板との間に設置された液晶層を含み、前記アレイ基板は駆動回路、ソースリード線及び前記駆動回路に駆動されたスキャンラインを含み、前記駆動回路の制御スイッチは、薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタは前記ソースリード線に接続され、前記薄膜トランジスタはソース、ドレイン及びグリッドを含み、前記ソースは少なくとも二つの並置されたソース分岐及び各ソース分岐を接続するソース幹部を含み、前記ドレインは前記ソースと同層して設置され、少なくとも一つのドレイン分岐及び各前記ドレイン分岐を接続するドレイン幹部を含み、前記ドレイン分岐は前記ソース分岐と並列し且つ交互して設置されてチャネルを形成し、前記グリッドは前記ソース、ドレインと対応して設置された表示パネルであって、前記ソースリード線と直接に接続された前記ソース分岐は第一ソース分岐であり、前記ソースリード線に直接に接続されない前記ソース分岐は第二ソース分岐であり、前記第一ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅は、前記第二ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅よりも大きい表示パネルを更に開示する。
薄膜トランジスタにおけるソース分岐とドレイン分岐との間のチャネルの幅を等しく設置する従来の解決手段に対し、本願は、薄膜トランジスタにおけるソースリード線を接続する第一ソース分岐と隣接するドレイン分岐との間のチャネルの幅を増大させることによって、ソース、ドレイン及びソースリード線全体が位置する金属層をエッチングする際にエッチングの不均一が発生した場合、ソースリード線の端部は完全にエッチングされず、ソースリード線の端部が第一ソース分岐から突出しても、第一ソース分岐と隣接するドレイン分岐との間のチャネルの幅を増大させたため、ソースリード線の端部は依然としてドレインと交差せず、ソースとドレインが短絡しない。このように設置すれば、製品の生産歩留まりを向上させるには有利である。
本願の実施例のさらなる理解を提供するために含まれる添付の図面は、明細書の一部を構成し、本願の実施形態を例示するために使用され、書面による説明と共に、本願の原理を説明する。無論、以下に説明される図面は、本願のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとっては、創造的な工夫せずに、これらの図面を元に他の図面を得ることもできる。
アレイ基板の平面模式図である。 図１におけるＭの位置の拡大図である。 例示的なグリッド駆動ユニットの部分模式図である。 他の例示的なグリッド駆動ユニットの部分模式図である。 図３に基づく理想的な状態での模式図である。 図４に基づく理想的な状態での模式図である。 本願の一実施例により提供された駆動回路の部分模式図である。 本願の一実施例により提供された他の駆動回路の部分模式図である。 本願の他の実施例により提供された駆動回路の部分模式図である。 本願の他の実施例により提供された１本のみのソースリード線を有する駆動回路の部分模式図である。 本願の一実施例により提供された表示パネルの模式図である。
理解すべきものとして、ここで使用される用語、開示された具体的な構成及び機能の詳細は、単に具体的な実施例を説明するためのものであり、代表的なものであるが、本願は多くの置換形態で具体的に実現でき、ここで説明された実施例のみに限定されるものと解釈すべきではない。
本願の説明において、「第一」、「第二」という用語は単に目的を説明するために用いられ、相対的な重要性を指示し、又は指示された技術的特徴の数を暗黙的に指定すると理解できない。そのため、特別な説明がない限り、「第一」、「第二」が限定された特徴は、明示的又は暗黙的に一つ又は複数の当該特徴を含むことができ、「複数」とは、二つ又は二つ以上を意味する。「含む」という用語及びその任意の変形は、非排他的な包含を意味し、一つ又はそれ以上の他の特徴、整数、ステップ、操作、ユニット、モジュール及び／又はその組み合わせの存在、追加の可能性がある。
また、「中心」、「横方向」、「上」、「下」、「左」、「右」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」などが指示された方位又は位置関係の用語は、図面に示した方位又は相対的な位置関係に基づいて説明するものであり、単に本願を簡単に説明するためのものであり、指示された装置又は素子が特定の方位を有し、特定の方位で構成、操作しなければならないことを示すものではないため、本願に対する限制と理解できない。
また、特に明確な規定と限定がない限り、「取り付け」、「連なる」、「接続」という用語は広義に理解すべきであり、例えば固定接続でも、着脱可能な接続でも、又は一体的な接続でもよく、機械的接続でも、電気的接続でもよく、直接的な接続でも、中間媒体を介して間接的に接続されてもよく、又は二つの素子の内部の連通でもよい。当業者であれば、具体的な状況に基づいて上記用語の本願における具体的な意味を理解することができる。
以下は図面及び選択可能な実施例を参照して本願を詳細に説明し、なお、衝突しないことを前提として、以下に説明する各実施例の間又は各技術的特徴の間に任意に組み合わせて新たな実施例を形成することができる。
図１と図２はアレイ基板の平面模式図である。アレイ基板１００の表示領域にスキャンライン３００が設置され、アレイ基板１００の非表示領域に駆動回路２００が設置され、具体的にはアレイ基板列駆動回路であってもよい。駆動回路２００は、フレーム先頭信号線２０５、ゲート電圧制御線２０６、クロック信号線２０７及び複数のグリッド駆動ユニット２７０を含み、グリッド駆動ユニット２７０の入力端子はＳＴＶ、ＶＧＬ及びＣＫＶに接続され、出力端子はスキャンライン３００に接続されてスキャンライン３００を駆動する。ここで、ゲート電圧制御線２０６は、ソースリード線２１０によってグリッド駆動ユニット２７０における一つの薄膜トランジスタ２２０に接続されて薄膜トランジスタ２２０に充電する。
具体的には、前記グリッド駆動ユニット２７０は、第一薄膜トランジスタ２０１、第二薄膜トランジスタ２０２、第三薄膜トランジスタ２０３及び第四薄膜トランジスタ２０４を含み、前記第一薄膜トランジスタ２０１のソース２３０は、それぞれ２本の前記ソースリード線２１０によって前記ゲート電圧制御線２０６、前記第二薄膜トランジスタ２０２のソース２３０に接続され、前記第一薄膜トランジスタ２０１のドレイン２４０は、それぞれ前記第三薄膜トランジスタ２０３のソース２３０、第四薄膜トランジスタ２０４のグリッド２６０と連通され、前記第一薄膜トランジスタ２０１のグリッド２６０は前記第二薄膜トランジスタ２０２のグリッド２６０に接続された。前記第二薄膜トランジスタ２０２のドレイン２４０は前記第四薄膜トランジスタ２０４のソース２３０に接続され、前記第二薄膜トランジスタ２０２のグリッド２６０は前記第四薄膜トランジスタ２０４のグリッド２６０に接続された。前記第三薄膜トランジスタ２０３のドレイン２４０は前記フレーム先頭信号線２０５と連通され、前記第四薄膜トランジスタ２０４のドレイン２４０は前記クロック信号線２０７と連通される。
図２に示すグリッド駆動ユニット２７０には、互いに連通する四つの薄膜トランジスタ、及び他の引き回し線が含まれ、図２において、三つの空白領域、即ち領域Ａ、領域Ｂ及び領域Ｃがある。領域Ｂと領域Ｃとの間に、二つの薄膜トランジスタ２２０はソースリード線２１０によって連通され、金属層をソース２３０、ドレイン２４０及び他の金属層ラインパターンにエッチングする前に、ソース２３０、ドレイン２４０及び他の金属層ラインパターンにエッチングバリア層を形成する必要があり、そして現像液でバリア層パターンを形成する。領域Ｂと領域Ｃの面積が大きいため、より多くの現像液を消費するから、領域Ｄと領域Ｅが受ける現像エネルギーが少なくなり、更に、領域Ｄと領域Ｅが対応するバリア層を完全にエッチングすることが困難になり、最後に、金属層パターンをエッチングする際にエッチングの不均一が発生し、領域Ｄと領域Ｅが対応するソース２３０とドレイン２４０が短絡する。
図３と図４は二種の例示的なＧＯＡ部分模式図である。領域Ｄと領域Ｅが対応する金属層パターンが均一にエッチングされない場合、図３と図４におけるソースリード線２１０は薄膜トランジスタ２２０のソース２３０のチャネルに延在し、ひいてはドレイン２４０と連通されるため、ソースドレイン２４０が短絡する。
図５と図６はそれぞれ理想的な状態で、図３と図４に基づく模式図である。しかし、領域Ｄと領域Ｅが対応するバリア層を完全にエッチングすることを保証するようにより多くの現像液を消費しなければならない。そうすると、後続に金属層パターンがエッチングされる際、ソースリード線２１０はソース２３０から突出してソース２３０のチャネルに延在することはない。
従って、本願は、エッチングの不均一が発生してもソース２３０とドレイン２４０が短絡しない駆動回路２００の制御スイッチを提供する。図１、図２、及び図７～図１０に示すように、前記制御スイッチは、薄膜トランジスタ２２０を含み、前記駆動回路２００は、前記薄膜トランジスタ２２０に接続されたソースリード線２１０を更に含み、前記薄膜トランジスタ２２０はソース２３０、ドレイン２４０及びグリッド２６０を含み、前記ソース２３０は、少なくとも二つの並置されたソース分岐２３１及び各ソース分岐２３１を接続するソース幹部２３４を含む。前記ドレイン２４０は前記ソース２３０と同層に設置され、少なくとも一つのドレイン分岐２４１及び各前記ドレイン分岐２４１を接続するドレイン幹部２４４を含み、前記ドレイン分岐２４１は前記ソース分岐２３１と並列し且つ交互に設置されてチャネルを形成する。前記グリッド２６０は前記ソース２３０、ドレイン２４０と対応して設置される。ここで、前記ソースリード線２１０に直接に接続された前記ソース分岐２３１は第一ソース分岐２３２であり、前記ソースリード線２１０に直接に接続されない前記ソース分岐２３１は第二ソース分岐２３３である。前記第一ソース分岐２３２と隣接する前記ドレイン分岐２４１との間のチャネルの幅は、前記第二ソース分岐２３３と隣接する前記ドレイン分岐２４１との間のチャネルの幅よりも大きい。
なお、１本のみのドレイン分岐２４１がある場合、ドレイン幹部２４４はドレイン分岐２４１の一部であり、駆動回路２００における他の構造に接続される。グリッド２６０は、ソース２３０とドレイン２４０の上方に設置されてもよく、ソース２３０とドレイン２４０の下方に設置されてもよい。
薄膜トランジスタ２２０におけるソース分岐２３１とドレイン分岐２４１との間のチャネルの幅を等しく設置する従来の解決手段に対し、本願は、薄膜トランジスタ２２０周辺のチャネルの幅、即ち第一ソース分岐２３２と隣接するドレイン分岐２４１との間隔を大きくすることによって、ソース２３０、ドレイン２４０及びソースリード線２１０が位置する金属層全体をエッチングするプロセスにおいて、領域Ｂと領域Ｃの空白領域が大きいため、より多くのエッチング液を消費しなければならないから、領域Ｄと領域Ｅにおけるエッチング液が足りなくなり、領域Ｄと領域Ｅにおける金属層パターンにエッチングの不均一が発生する。ソースリード線２１０の端部が完全にエッチングされなくてソースリード線２１０の端部が第一ソース分岐２３２から突出しても、第一ソース分岐２３２と隣接するドレイン分岐２４１との間のチャネルの幅を大きくしたため、ソースリード線２１０の端部は依然としてドレイン２４０と交差せず、ソース２３０とドレイン２４０が短絡せず、製品の生産歩留まりを向上させることに有利である。
図７に示すように、一実施例において、前記薄膜トランジスタ２２０を二つのソースリード線２１０に接続される必要がある。この場合、第一ソース分岐２３２の数は二つがあり、二つの前記第一ソース分岐２３２はそれぞれ前記ソース幹部２３４の両端に接続され、二つの前記ソースリード線２１０はそれぞれ二つの前記第一ソース分岐２３２に接続される。前記第二ソース分岐２３３は二つの前記第一ソース分岐２３２の間に並置されて前記ソース幹部２３４に接続される。対応的に、前記ドレイン２４０は、並置された第一ドレイン分岐２４２と第二ドレイン分岐２４３、及び前記第一ドレイン分岐２４２と第二ドレイン分岐２４３を接続するドレイン幹部２４４を含み、前記第一ドレイン分岐２４２と第二ドレイン分岐２４３はそれぞれ前記ドレイン幹部２４４の両端に接続される。前記第一ドレイン分岐２４２は前記第一ソース分岐２３２と前記第二ソース分岐２３３との間に設置され、前記第二ドレイン分岐２４３は他の前記第一ソース分岐２３２と前記第二ソース分岐２３３との間に設置される。
本実施例における第二ソース分岐２３３、第一ドレイン分岐２４２、第二ドレイン分岐２４３の数は一つのみであり、ソース２３０の形状はＷ型構造に類似し、ドレイン２４０の形状はＵ型構造に類似する。この場合、第一ドレイン分岐２４２と第二ソース分岐２３３との間のチャネルの幅は、第二ドレイン分岐２４３と第二ソース分岐２３３との間のチャネルの幅と同じく、しかしいずれも第一ソース分岐２３２と第一ドレイン分岐２４２との間のチャネルの幅よりも小さく、第一ソース分岐２３２と第二ドレイン分岐２４３との間隔よりも小さい。本実施例において、薄膜トランジスタ２２０周辺のソース分岐２３１とドレイン分岐２４１との間のチャネルの幅を大きくすることによって、不均一なエッチングのせいでソースリード線２１０端部を完全にエッチングせず、ソースリード線２１０が第一ソース分岐２３２から突出してソース２３０及びドレイン２４０と連通してソース２３０とドレイン２４０が短絡することを防止する。更に、本実施例において、薄膜トランジスタ２２０におけるすべてのチャネルの幅を同時に大きくしないため、薄膜トランジスタ２２０の体積が大きくなったり、ソース２３０とドレイン２４０との距離の増大で薄膜トランジスタ２２０の性能が悪くなったりすることはない。
当然、本実施例はより複雑な薄膜トランジスタ２２０の構造にも適用する。図８は他の一種の薄膜トランジスタ２２０を示す。前記薄膜トランジスタ２２０におけるソース２３０は少なくとも二つの第二ソース分岐２３３を含み、前記ドレイン２４０は少なくとも二つのドレイン分岐２４１を含む。この場合、薄膜トランジスタ２２０に四つ以上のチャネルが含まれるが、最も周辺の二つのチャネルの幅が大きいことを除き、他のチャネルの幅は同じである。
図９に示すように、他の実施例において、前記薄膜トランジスタ２２０におけるソース２３０に第二ソース分岐２３３が含まれず、即ちソース２３０は二つの第一ソース分岐２３２と一つのみのソース幹部２３４を有し、ソース２３０の形状がＵ型である。この場合、ドレイン２４０は一つのみのドレイン分岐２４１を有し、薄膜トランジスタ２２０も二つのみのチャネルを有する。本実施例において、従来のチャネルの幅を基に、チャネルの幅を大きくすることによって、ソース２３０、ドレイン２４０及びソースリード線２１０が位置する金属層をエッチングする際に、エッチングの不均一の発生を防止する。チャネルの幅が小さいなら、ソースリード線２１０はチャネルに延在してドレイン分岐２４１に接続されやすくなることで、ソース２３０とドレイン２４０が短絡する。
上記実施例において、薄膜トランジスタ２２０は同時に二つのソースリード線２１０に接続され、二つのソースリード線２１０はそれぞれ薄膜トランジスタ２２０の両側の第一ソース分岐２３２に垂直して接続され、且つ二つの前記ソースリード線２１０は同じ直線に位置しない。図２に示すように、駆動回路２００において、一つのソースリード線２１０を領域Ｂに近接させ、一つのソースリード線２１０を領域Ｃに近接させ、領域Ｂと領域Ｃの空間をより近くすることで、エッチング液の分布の均等性を向上させ、領域Ｄと領域Ｅにおける金属層を均一にエッチングする効果を向上させることに有利である。
更に、本実施例において、薄膜トランジスタ２２０は領域Ｂと領域Ｃとの間に位置し、そのチャネルの幅はグリッド駆動ユニット２７０における他の位置の薄膜トランジスタのチャネルの幅よりも大きく、具体的には、領域Ａと領域Ｂとの間の薄膜トランジスタのチャネルの幅よりも大きい。
図７～図９に示す実施例はいずれも一つの薄膜トランジスタ２２０が二つのソースリード線２１０に同時に接続されたものであり、異なる点は薄膜トランジスタ２２０のタイプの違さである。後続の実施例において、いずれも一つの薄膜トランジスタ２２０が一つのソースリード線２１０に接続され、異なる点は薄膜トランジスタ２２０のタイプの違さである。これらの異なる実施例における駆動回路２００はいずれも異なる使用環境と使用ニーズに基づいて組み合わせて使用することができる。そうすると、駆動回路２００は占用スペースが小さいと同時、短絡しにくくなる。
図１０に示すように、本願の他の実施例として、前記薄膜トランジスタ２２０は１本のみのソースリード線２１０に接続され、前記薄膜トランジスタ２２０はソース２３０とドレイン２４０を含み、前記ソース２３０は並置された第一ソース分岐２３２と第二ソース分岐２３３を含み、前記第一ソース分岐２３２と第二ソース分岐２３３はそれぞれソース幹部２３４の両端に接続され、前記ソース２３０の形状がＵ型であり、前記ソースリード線２１０は前記第一ソース分岐２３２に接続される。前記ドレイン２４０は第一ドレイン分岐２４２を含み、前記第一ドレイン分岐２４２は前記第一ソース分岐２３２と第二ソース分岐２３３との間に位置し、且つ前記第一ソース分岐２３２と第二ソース分岐２３３との間にそれぞれ二つのチャネルが形成され、前記第一ソース分岐２３２と第一ドレイン分岐２４２との間のチャネルの幅は、前記第二ソース分岐２３３と第一ドレイン分岐２４２との間のチャネルの幅よりも大きい。
本実施例は１本のみのソースリード線２１０に接続された薄膜トランジスタ２２０に対して、ソースリード線２１０に隣接するチャネルの幅を大きくすることによって、薄膜トランジスタ２２０の安全性能を向上させ、エッチングの不均一が発生する際にソースリード線２１０がドレイン２４０に接続されたことでソース２３０とドレイン２４０が短絡することを防止する。当然、本実施例を基に、同様にチャネルの数を増加することができる。即ち第二ソース分岐２３３の数を二つ又は二つ以上に増加し、一つ又は複数の第二ドレイン分岐２４３を増加することで、薄膜トランジスタ２２０の性能を向上させる。
更に、上記実施例において、前記第一ソース分岐２３２と隣接する前記ドレイン分岐２４１との間のチャネルの幅は、前記第二ソース分岐２３３と隣接する前記ドレイン分岐２４１との間のチャネルの幅の１．１～１．２倍である。即ち、第二ソース分岐２３３と隣接する前記ドレイン分岐２４１との間のチャネルの幅をＬとすると、第一ソース分岐２３２と隣接する前記ドレイン分岐２４１との間のチャネルの幅がＬ＋Ｘになる。ここで、ＸはＬの０．１～０．２倍である。更に、前記第二ソース分岐２３３と隣接する前記ドレイン分岐２４１との間のチャネルの幅は３ｕｍ～７ｕｍであり、前記第一ソース分岐２３２と隣接する前記ドレイン分岐２４１との間のチャネルの幅は３．１ｕｍ～７．５ｕｍである。
ソースとドレインが位置する金属膜層をエッチングする際、アレイ基板の表面全体に金属層を一層敷き詰める必要がある。そして金属層にフォトレジストを形成し、それからマスクプレートでフォトレジストに対して光照射を行い、フォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンを介して金属層をエッチングし、表示領域にスキャンラインを形成し、非表示領域にアレイ基板列駆動回路を形成する。ここで、普通のハーフトーンマスク（Ｈａｌｆ Ｔｏｎｅ Ｍａｓｋ）のアレイ基板列駆動回路における最小ギャップが５．５ｕｍであり、表示領域における最小ギャップが５．７ｕｍであるに対して、シングルスリットマスク（Ｓｉｎｇｌｅ Ｓｌｉｔ Ｍａｓｋ、ＳＳＭ）のＧＯＡ領域における最小ギャップが２．１ｕｍであり、表示領域における最小ギャップが２．２ｕｍである。
マスクプレートのギャップを０．１ｕｍ補正する毎に、マスクプレートの厚さを４００Ａ～８００Ａ低減させる必要があるため、異なる現象に対して補正を行うことができる。本願は、駆動回路において短絡が発生しやすい領域Ｄと領域Ｅに対して幅補正を行い、薄膜トランジスタ周辺のチャネルの幅を増加させ、即ち第一ソース分岐２３２と隣接する前記ドレイン分岐との間の間隔を増加させる。プロセスの限制のせいで、発明者は複数の実験によって、領域Ｄと領域Ｅに対して１～５メガジュールの露光量を増加させる際、マスクプレートの厚さを８００Ａ～２０００Ａ低減させることで、第一ソース分岐２３２と隣接する前記ドレイン分岐の間のチャネルの幅を０．１ｕｍ～０．５ｕｍ増加させる。元のチャネルの幅を０．１倍補充すると、領域Ｄと領域Ｅに発生する短絡を大幅に克服することができ、ＧＯＡの歩留まりを大幅に向上させると同時に、露光現像のプロセスにおいて消費されたエネルギーも高くなく、生産に有利である。
本願において、ソース分岐２３１とドレイン分岐２４１がいずれもストリップ構造であるが、矩形状、長円形状又は他の形状でもよい。ソース分岐２３１の延在方向はソース幹部２３４の延在方向と互いに垂直し、ドレイン分岐２４１の延在方向はドレイン幹部２４４の延在方向と互いに垂直する。当然、ソース分岐２３１の延在方向はソース幹部２３４の延在方向との間の夾角は鋭角であってもよい。同時に、ドレイン分岐２４１の延在方向とドレイン幹部２４４の延在方向との間の夾角は鋭角であってもよい。更に、ソース分岐２３１、ソース幹部２３４、ドレイン分岐２４１及びドレイン幹部２４４の幅がいずれも同じであり、隣接する第二ソース分岐２３３とドレイン分岐２４１との間のチャネルの幅も同じであることで、薄膜トランジスタ２２０の導電性が向上する。
更に、本願はソースリード線２１０の幅を大きくすることで薄膜トランジスタ２２０の充電効率を向上させることができる。抵抗式から分かるように、ソースリード線２１０の材料と長さが変化しない場合、ソースリード線２１０の幅を増加することでソースリード線２１０全体の抵抗を低減することができる。ソースリード線２１０の幅を増加させると、エッチングの不均一が発生する場合に、ソースリード線２１０が第一ソース分岐２３２から突出する面積が大きいが、本願において、既に第一ソース分岐２３２とドレイン分岐２４１との間のチャネルの幅を大きくしたため、ソースリード線２１０の幅を大きくしても、ソースリード線２１０をドレイン２４０に接続しにくくなる。そのため、本願は薄膜トランジスタ２２０に対する充電効率を向上させる場合、エッチングの不均一が発生しても、ソースドレイン２４０が短絡しない。具体的には、最大でソースリード線２１０の幅を第一ソース分岐２３２の長さと同じくすることができ、ソースリード線２１０を第一ソース分岐２３２と重ね合わせる。
図１１は表示パネルの模式図を示す。本願の他の実施例として、更に一種の表示パネル４００を開示する。前記表示パネル４００は図１に示すアレイ基板１００、前記アレイ基板１００と対向して設置されたカラーフィルム基板５００、及び前記アレイ基板１００とカラーフィルム基板５００との間に設置された液晶層６００を含む。前記アレイ基板１００の非表示領域に上記駆動回路２００が含まれる。更に、本願のいずれかの実施例における薄膜トランジスタ２２０は非表示領域における駆動回路２００の制御スイッチに適用するだけでなく、前記アレイ基板１００の表示領域におけるアクティブスイッチにも適用する。
本願の技術的手段はさまざまな表示パネル、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ、ねじれネマティック型）表示パネル、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ、平面変換型）表示パネル、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ、垂直配向型）表示パネル、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ、マルチドメイン垂直配向型）表示パネルに広く使用されることができる。当然、他のタイプの表示パネルにも上記手段を適用することができる。
なお、本願の発明思想は非常に多くの実施例を形成することができるが、出願書類の幅は限られており、一々列挙することができない。従って、衝突しないことを前提として、以上に説明した各実施例の間又は各技術的特徴の間に任意に組み合わせて新たな実施例を形成することができ、各実施例又は技術的特徴を組み合わせた後、既存の技術的効果を向上させる。
以上は、具体的な任意の実施形態に関連して本願を更に詳細に説明したものであり、本願の具体的な実施形態がこれらの記載に限定されるとは限らない。当業者にとって、本願の思想から逸脱することなく簡単な派生や置換が可能であり、これらはすべて本願の保護範囲に含まれるものとする。

Claims (20)

  1. 制御スイッチは薄膜トランジスタを含み、駆動回路は更に前記薄膜トランジスタに接続されたソースリード線を含み、前記薄膜トランジスタは、
    少なくとも二つの並置されたソース分岐及び各ソース分岐を接続するソース幹部を含むソースと、
    前記ソースと同層して設置され、少なくとも一つのドレイン分岐及び各前記ドレイン分岐を接続するドレイン幹部を含み、前記ドレイン分岐が前記ソース分岐と並列し且つ交互して設置されてチャネルドを形成するドレインと、
    前記ソース、ドレインと対応して設置されたグリッドと、を含む駆動回路の制御スイッチであって、
    前記ソースリード線に直接に接続された前記ソース分岐は第一ソース分岐であり、前記ソースリード線に直接に接続されない前記ソース分岐は第二ソース分岐であり、前記第一ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅は、前記第二ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅よりも大きい、駆動回路の制御スイッチ。
  2. 前記第一ソース分岐の数は二つであり、二つの前記第一ソース分岐はそれぞれ前記ソース幹部の両端に接続され、二つの前記ソースリード線はそれぞれ二つの前記第一ソース分岐に接続され、前記第二ソース分岐は二つの前記第一ソース分岐の間に並置され、前記ソース幹部に接続され、
    前記ドレイン分岐において、前記ドレイン幹部の両端に接続されたのは第一ドレイン分岐と第二ドレイン分岐であり、前記第一ドレイン分岐は前記第一ソース分岐と前記第二ソース分岐との間に設置され、前記第二ドレイン分岐は他の前記第一ソース分岐と前記第二ソース分岐との間に設置される、請求項１に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  3. 前記第二ソース分岐、前記第一ドレイン分岐及び前記第二ドレイン分岐の数はいずれも一つのみであり、前記ソースはＷ形構成であり、前記ドレインはＵ形構成である、請求項２に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  4. 前記第一ドレイン分岐と前記第二ソース分岐との間のチャネルの幅は、前記第二ドレイン分岐と前記第二ソース分岐との間のチャネルの幅と同じであり、且つ前記第一ソース分岐と前記第一ドレイン分岐との間のチャネルの幅よりも小さく、前記第一ソース分岐と前記第二ドレイン分岐との間のチャネルの幅よりも小さい、請求項３に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  5. 前記ソースは二つの第一ソース分岐と一つの前記ソース幹部だけがあり、前記ソースの形状はＵ型であり、前記ドレインは一つのみのドレイン分岐を有する、請求項１に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  6. 前記第二ソース分岐の数は、少なくとも二つであり、前記ドレイン分岐において、前記ドレイン幹部の両端の間の領域に接続されたのは第三ドレイン分岐であり、前記第三ドレイン分岐は前記第一ドレイン分岐と前記第二ドレイン分岐との間に並置され、且つ前記第三ドレイン分岐は、隣接する二つの前記第二ソース分岐の間にも設置される、請求項２に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  7. 前記ソースリード線は前記第一ソース分岐に垂直に接続され、且つ二つの前記ソースリード線は同じ直線に位置しない、請求項２に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  8. 前記第一ソース分岐の数は一つであり、前記第一ソース分岐は前記ソース幹部の一端に接続され、一つの前記第二ソース分岐は前記ソース幹部の他端に接続され、
    前記ドレイン分岐は前記第一ソース分岐と第二ソース分岐との間に設置される、請求項１に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  9. 前記第二ソース分岐の数は少なくとも二つであり、前記ドレイン分岐において、前記ドレイン幹部の両端に接続されたのは第一ドレイン分岐と第二ドレイン分岐であり、前記ドレイン幹部の両端の間の領域に接続されたのは第三ドレイン分岐であり、
    前記第一ドレイン分岐は隣接する前記第一ソース分岐と第二ソース分岐との間に並置され、前記第二ドレイン分岐と第三ドレイン分岐はそれぞれ隣接する二つの前記第二ソース分岐の間に並置される、請求項８に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  10. 前記第一ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅は、前記第二ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅の１．１～１．２倍である、請求項１に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  11. 前記第二ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐の間のチャネルの幅が３ｕｍ～７ｕｍであり、前記第一ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅が３．１ｕｍ～７．５ｕｍである、請求項１０に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  12. 前記ソース分岐と前記ドレイン分岐の形状はストリップ、矩形状又は長円形状である、請求項１に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  13. 前記ソース分岐の延在方向は前記ソース幹部の延在方向と互いに垂直し、前記ドレイン分岐の延在方向は前記ドレイン幹部の延在方向と互いに垂直する、請求項１に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  14. 前記ソース分岐の延在方向と前記ソース幹部の延在方向との間の夾角は鋭角であり、前記ドレイン分岐の延在方向と前記ドレイン幹部の延在方向との間の夾角は鋭角である、請求項１に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  15. 前記ソース分岐、前記ソース幹部、前記ドレイン分岐及び前記ドレイン幹部の幅はいずれも同じである、請求項１に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  16. 隣接する前記第二ソース分岐と前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅は同じである、請求項１に記載の駆動回路の制御スイッチ。
  17. 駆動回路、ソースリード線及び前記駆動回路に駆動されるスキャンラインを含み、前記駆動回路の制御スイッチは、薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタは前記ソースリード線に接続され、前記薄膜トランジスタは、ソース、ドレイン及びグリッドを含み、前記ソースは少なくとも二つの並置されたソース分岐及び各ソース分岐を接続するソース幹部を含み、前記ドレインは前記ソースと同層して設置され、少なくとも一つのドレイン分岐及び各前記ドレイン分岐を接続するドレイン幹部を含み、前記ドレイン分岐は前記ソース分岐と並列し、且つ交互して設置されてチャネルを形成し、前記グリッドは前記ソース、ドレインと対応して設置されたアレイ基板であって、前記ソースリード線に直接に接続された前記ソース分岐は第一ソース分岐であり、前記ソースリード線に直接に接続されない前記ソース分岐は第二ソース分岐であり、前記第一ソース分岐は隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅は、前記第二ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅よりも大きい、アレイ基板。
  18. 前記駆動回路は、フレーム先頭信号線、ゲート電圧制御線、クロック信号線及び複数のグリッド駆動ユニットを含み、前記グリッド駆動ユニットの入力端子は前記フレーム先頭信号線、ゲート電圧制御線及びクロック信号線に接続され、前記スキャンラインを駆動させ、前記ゲート電圧制御線はソースリード線によってグリッド駆動ユニットにおける一つの薄膜トランジスタに接続される、請求項１７に記載のアレイ基板。
  19. 前記グリッド駆動ユニットは、第一薄膜トランジスタ、第二薄膜トランジスタ、第三薄膜トランジスタ及び第四薄膜トランジスタを含み、前記第一薄膜トランジスタのソースはそれぞれ２本の前記ソースリード線によって前記ゲート電圧制御線、前記第二薄膜トランジスタのソースに接続され、前記第一薄膜トランジスタのドレインはそれぞれ前記第三薄膜トランジスタのソース、第四薄膜トランジスタのグリッドに接続され、前記第一薄膜トランジスタのグリッドは前記第二薄膜トランジスタのグリッドに接続され、前記第二薄膜トランジスタのドレインは前記第四薄膜トランジスタのソースに接続され、前記第二薄膜トランジスタのグリッドは前記第四薄膜トランジスタのグリッドに接続され、前記第三薄膜トランジスタのドレインは前記フレーム先頭信号線と連通され、前記第四薄膜トランジスタのドレインは前記クロック信号線と連通される、請求項１８に記載のアレイ基板。
  20. アレイ基板、前記アレイ基板と対向して設置されたカラーフィルム基板、及び前記アレイ基板とカラーフィルム基板との間に設置された液晶層を含み、前記アレイ基板は駆動回路、ソースリード線及び前記駆動回路に駆動されたスキャンラインを含み、前記駆動回路の制御スイッチは、薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタは前記ソースリード線に接続され、前記薄膜トランジスタはソース、ドレイン及びグリッドを含み、前記ソースは少なくとも二つの並置されたソース分岐、及び各ソース分岐を接続するソース幹部を含み、前記ドレインは前記ソースと同層して設置され、少なくとも一つのドレイン分岐及び各前記ドレイン分岐を接続するドレイン幹部を含み、前記ドレイン分岐は前記ソース分岐と並列し且つ交互して設置されてチャネルを形成し、前記グリッドは前記ソース、ドレインと対応して設置された表示パネルであって、前記ソースリード線に直接に接続された前記ソース分岐は第一ソース分岐であり、前記ソースリード線に直接に接続されない前記ソース分岐は第二ソース分岐であり、前記第一ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅は、前記第二ソース分岐と隣接する前記ドレイン分岐との間のチャネルの幅よりも大きい、表示パネル。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112925137B (zh) * 2021-03-29 2023-03-10 绵阳惠科光电科技有限公司 一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05283695A (ja) * 1992-04-03 1993-10-29 Nec Corp 薄膜トランジスタ
CN101359690A (zh) * 2007-08-03 2009-02-04 北京京东方光电科技有限公司 Tft结构和灰阶掩膜版结构
US20140054702A1 (en) * 2012-04-06 2014-02-27 Boe Technology Group Co., Ltd Tft, mask for manufacturing the tft, array substrate and display device
CN105405852A (zh) * 2016-01-05 2016-03-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN106711154A (zh) * 2017-01-06 2017-05-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法
CN106992215A (zh) * 2017-05-05 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2762820B2 (ja) * 1992-02-21 1998-06-04 株式会社日立製作所 薄膜トランジスタマトリクス及びそれを用いた液晶表示装置
KR100737545B1 (ko) * 1999-12-24 2007-07-10 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 비대칭 소오스 구조의 박막 트랜지스터를 갖는 박막 트랜지스터 액정표시장치
KR100640210B1 (ko) * 2002-12-31 2006-10-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20050068379A (ko) * 2003-12-30 2005-07-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
KR20060091010A (ko) * 2005-02-12 2006-08-17 삼성전자주식회사 듀얼 구조의 트랜지스터 및 이를 구비한 어레이 기판
JP4887647B2 (ja) * 2005-03-31 2012-02-29 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ装置の製造方法
KR20070026993A (ko) * 2005-08-29 2007-03-09 삼성전자주식회사 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
JP2007134482A (ja) * 2005-11-10 2007-05-31 Toppan Printing Co Ltd 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法、並びに、それを使用した薄膜トランジスタアレイおよび薄膜トランジスタディスプレイ
KR20070081318A (ko) * 2006-02-10 2007-08-16 삼성전자주식회사 박막트랜지스터와 그 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
TWI328878B (en) * 2006-09-15 2010-08-11 Au Optronics Corp Electrode structure of a transistor, and pixel structure and display apparatus comprising the same
KR101319304B1 (ko) * 2006-11-29 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 마스크 및 이를 이용한 액정표시장치의제조 방법
US9176353B2 (en) * 2007-06-29 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI368324B (en) * 2007-11-06 2012-07-11 Nanya Technology Corp Recessed-gate transistor device and mehtod of making the same
CN101217154B (zh) * 2008-01-11 2011-06-01 友达光电股份有限公司 栅极驱动电路结构及显示面板
US8963152B2 (en) * 2008-02-19 2015-02-24 Sharp Kabushiki Kaisha TFT, shift register, scanning signal line drive circuit, switch circuit, and display device
KR101245400B1 (ko) * 2010-03-24 2013-03-19 샤프 가부시키가이샤 신호 분배 회로, 신호 분배 장치 및 표시 장치
KR101325170B1 (ko) * 2010-07-09 2013-11-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
TWI419098B (zh) * 2010-07-29 2013-12-11 Au Optronics Corp 主動元件陣列基板、顯示面板與修補方法
US9379231B2 (en) * 2012-02-17 2016-06-28 Infineon Technologies Americas Corp. Transistor having increased breakdown voltage
CN103227209B (zh) * 2013-05-13 2016-01-06 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN104091830A (zh) * 2014-06-20 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其修复方法、goa电路及显示装置
CN104317089B (zh) * 2014-10-27 2017-02-01 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN105140293B (zh) * 2015-08-10 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、goa栅极驱动电路、阵列基板和显示装置
CN106200160A (zh) * 2016-07-08 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
JP6827776B2 (ja) * 2016-11-15 2021-02-10 ローム株式会社 半導体デバイス
CN106876479B (zh) * 2017-04-19 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板
CN107658228A (zh) * 2017-10-11 2018-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板和显示面板
CN108538854B (zh) * 2018-03-30 2021-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管结构及其制备方法、阵列基板和显示装置
CN109166912A (zh) * 2018-08-28 2019-01-08 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管及goa电路
CN109473450B (zh) * 2018-11-14 2021-07-30 惠科股份有限公司 薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器
CN111370587B (zh) * 2018-12-25 2022-12-20 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光晶体管及其制备方法
CN209963059U (zh) * 2019-05-06 2020-01-17 惠科股份有限公司 薄膜晶体管基板与显示面板
CN210073849U (zh) * 2019-06-27 2020-02-14 惠科股份有限公司 薄膜晶体管阵列和阵列基板
CN111898517A (zh) * 2020-07-28 2020-11-06 北海惠科光电技术有限公司 光学指纹传感器及其制备方法、及显示装置
CN112925137B (zh) * 2021-03-29 2023-03-10 绵阳惠科光电科技有限公司 一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板
CN215220227U (zh) * 2021-06-30 2021-12-17 惠科股份有限公司 栅极驱动电路和显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05283695A (ja) * 1992-04-03 1993-10-29 Nec Corp 薄膜トランジスタ
CN101359690A (zh) * 2007-08-03 2009-02-04 北京京东方光电科技有限公司 Tft结构和灰阶掩膜版结构
US20140054702A1 (en) * 2012-04-06 2014-02-27 Boe Technology Group Co., Ltd Tft, mask for manufacturing the tft, array substrate and display device
CN105405852A (zh) * 2016-01-05 2016-03-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN106711154A (zh) * 2017-01-06 2017-05-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法
CN106992215A (zh) * 2017-05-05 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置

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