JP2023500438A - メモリアレイ及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法 - Google Patents
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Abstract
Description
幾つかの実施形態では、メモリアレイを形成することに使用される方法は、垂直方向に交互の第1のティア及び第2のティアを含むスタックを形成することを含む。第1の絶縁体ティアはスタックの上方にある。第1の絶縁体ティアの第1の絶縁体材料は、(a)及び(b)の内の少なくとも1つを含み、(a)は、シリコン、窒素、並びに炭素、酸素、ホウ素、及びリンの内の1つ以上であり、(b)は炭化ケイ素である。チャネル材料ストリングは、スタック内及び第1の絶縁体ティア内にある。導電材料は、チャネル材料ストリングの個々の側面に直接接触して第1の絶縁体ティア内にある。第2の絶縁体ティアは、第1の絶縁体ティア及び導電材料の上方に形成される。第2の絶縁体ティアの第2の絶縁体材料は、(a)及び(b)の内の少なくとも1つを含む。導電性ビアは、第2の絶縁体ティアを通って形成されて拡張し、導電材料を通じて個々のチャネル材料ストリングに個々に直接電気的に結合される。
Claims (30)
- メモリアレイを形成することに使用される方法であって、
垂直方向に交互の第1のティア及び第2のティアを含むスタックを形成することであって、第1の絶縁体ティアは前記スタックの上方にあり、前記第1の絶縁体ティアの第1の絶縁体材料は、(a)及び(b)の内の少なくとも1つを含み、(a)は、シリコン、窒素、並びに炭素、酸素、ホウ素、及びリンの内の1つ以上であり、(b)は炭化ケイ素であり、チャネル材料ストリングは、前記スタック内及び前記第1の絶縁体ティア内にあり、導電材料は、前記チャネル材料ストリングの個々の側面に直接接触して前記第1の絶縁体ティア内にあることと、
前記第1の絶縁体ティア及び前記導電材料の上方に第2の絶縁体ティアを形成することであって、前記第2の絶縁体ティアの第2の絶縁体材料は、前記(a)及び前記(b)の内の少なくとも1つを含むことと、
前記導電材料を通じて個々の前記チャネル材料ストリングに個別に直接電気的に結合された、前記第2の絶縁体ティアを通って拡張する導電性ビアを形成すること
を含む方法。 - 前記第1及び第2の絶縁体材料を、相互に同じ組成物のものであるように形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1及び第2の絶縁体材料を、相互に相対的な異なる組成物のものであるように形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記導電材料の最上部に直接接触して前記第2の絶縁体材料を形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の絶縁体材料は、前記導電材料の最上部に直接接触して形成されない、請求項1に記載の方法。
- 前記導電材料を、前記第1の絶縁体材料から上方に突出するように形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記導電材料は、前記第1の絶縁体材料から上方に突出するように形成されない、請求項1に記載の方法。
- 前記導電材料及び前記第1の絶縁体材料は、同一平面上にある平面の最上部を有する、請求項7に記載の方法。
- 横方向に離隔されたメモリブロック領域を形成するために、前記第1の絶縁体ティアを通り、前記第2の絶縁体ティアを通り、前記スタック中に、水平方向に伸長するトレンチを形成することと、前記トレンチ内に介在材料を形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の絶縁体ティア内の絶縁性材料を通って、水平方向に伸長する前記トレンチを形成することであって、前記絶縁性材料は前記(a)又は前記(b)の何れも含まないことを含む、請求項9に記載の方法。
- 犠牲材料を含むように前記第1のティアを形成することと、
前記第2のティアに対して選択的に前記第1のティアから前記犠牲材料をエッチング除去することと、
前記第1のティアからの前記犠牲材料を、前記第1のティア内の個々の導電線の導電材料と置換すること
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の絶縁体材料の内の前記少なくとも1つは前記(a)を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の絶縁体材料内の炭素、酸素、ホウ素、及びリンの内の前記1つ以上は、少なくとも約2原子パーセントの総濃度を有する、請求項12に記載の方法。
- 前記総濃度は約20原子パーセント以下である、請求項13に記載の方法。
- 前記第1の絶縁体材料内の炭素、酸素、ホウ素、及びリンの内の前記1つ以上は、少なくとも約4原子パーセントの総濃度を有する、請求項13に記載の方法。
- 前記総濃度は、少なくとも約10原子パーセントである、請求項16に記載の方法。
- 前記第1の絶縁体材料の内の前記1つ以上は炭素を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第1の絶縁体材料の内の前記1つ以上は酸素を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第1の絶縁体材料の内の前記1つ以上はホウ素を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第1の絶縁体材料の内の前記1つ以上はリンを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第1の絶縁体材料の内の前記1つ以上は、炭素、酸素、ホウ素、及びリンの内の1つのみを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第1の絶縁体材料の内の前記1つ以上は、炭素、酸素、ホウ素、及びリンの内の少なくとも2つを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第1の絶縁体材料の内の前記少なくとも1つは前記(b)を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の絶縁体材料の内の前記少なくとも1つは、前記(a)及び前記(b)の両方を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の絶縁体材料の内の前記少なくとも1つは前記(a)を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の絶縁体材料の内の前記少なくとも1つは前記(b)を含む、請求項1に記載の方法。
- メモリアレイを形成することに使用される方法であって、
垂直方向に交互の第1ティア及び第2ティアを含むスタックを形成することと、
前記スタックの上方に第1の絶縁体ティアを形成することであって、前記第1の絶縁体ティアの第1の絶縁体材料は、(a)及び(b)の内の少なくとも1つを含み、(a)は、シリコン、窒素、並びに炭素、酸素、ホウ素、及びリンの内の1つ以上であり、(b)は炭化ケイ素であることと、
前記スタック内及び前記第1の絶縁体ティア内にチャネル材料ストリングを形成することであって、前記チャネル材料ストリングの個々の側面に直接接触して前記第1の絶縁体層内に導電材料があることと、
前記第1の絶縁体ティア及び前記導電材料の上方に複数の絶縁ティアを形成することであって、前記複数のティアの内の1つは、前記(a)及び前記(b)の内の少なくとも1つを含む第2の絶縁体材料を含み、前記複数のティアの内の別のティアは、前記(a)及び前記(b)の何れも含まないことと、
前記1つ及び前記別のティアを通ってコンタクト開口部をエッチングし、その後、前記導電材料を通じて個々の前記チャネル材料ストリングに個々に直接電気的に結合された前記コンタクト開口部内に導電性ビアを形成すること
を含む方法。 - 前記導電材料の最上部に直接接触して前記複数のティアの内の前記1つを形成することを含む、請求項27に記載の方法。
- 前記複数のティアの内の前記1つは、前記導電材料の最上部に直接接触して形成されない、請求項27に記載の方法。
- 交互の絶縁性ティア及び導電性ティアを含む垂直スタックと、
前記スタックの上方の第1の絶縁体ティアであって、前記第1の絶縁体ティアの第1の絶縁体材料は、(a)及び(b)の内の少なくとも1つを含み、(a)は、シリコン、窒素、並びに炭素、酸素、ホウ素、及びリンの内の1つ以上であり、(b)は炭化ケイ素である、前記第1の絶縁体ティアと、
前記スタック内のメモリセルのチャネル材料ストリングであって、前記チャネル材料ストリングのチャネル材料は、前記第1の絶縁体ティア内にある、前記チャネル材料ストリングと、
前記チャネル材料ストリングの個々の側面に直接接触する、前記第1の絶縁体ティア内の導電材料と、
前記第1の絶縁体ティア及び前記導電材料の上方の第2の絶縁体ティアであって、前記第2の絶縁体ティアの第2の絶縁体材料は、前記(a)及び前記(b)の内の少なくとも1つを含む、前記第2の絶縁体ティアと、
前記導電材料を通じて個々の前記チャネル材料ストリングに個々に直接電気的に結合された、前記第2の絶縁体ティアを通って拡張する導電性ビアと
を含む、メモリアレイ。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11177278B2 (en) | 2019-11-06 | 2021-11-16 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells |
US11177159B2 (en) * | 2019-11-13 | 2021-11-16 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells |
TWI809533B (zh) * | 2021-10-19 | 2023-07-21 | 旺宏電子股份有限公司 | 記憶體元件 |
TWI801130B (zh) * | 2022-02-10 | 2023-05-01 | 旺宏電子股份有限公司 | 記憶體元件及其製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150221666A1 (en) * | 2014-02-03 | 2015-08-06 | Chang-Hyun Lee | Vertical memory devices |
US20150340376A1 (en) * | 2014-05-20 | 2015-11-26 | Jintaek Park | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US20160079255A1 (en) * | 2014-09-12 | 2016-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing same |
US20160218059A1 (en) * | 2015-01-22 | 2016-07-28 | SanDisk Technologies, Inc. | Composite contact via structure containing an upper portion which fills a cavity within a lower portion |
US20160343761A1 (en) * | 2015-05-18 | 2016-11-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and method for manufacturing image pickup apparatus |
WO2018174966A1 (en) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device containing separately formed drain select transistors and method of making thereof |
US20180337191A1 (en) * | 2017-05-16 | 2018-11-22 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device and method for fabricating the same |
US20190229125A1 (en) * | 2018-01-22 | 2019-07-25 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device including contact via structures that extend through word lines and method of making the same |
US20190333937A1 (en) * | 2017-04-25 | 2019-10-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three-dimensional semiconductor devices |
Family Cites Families (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5189504A (en) | 1989-12-11 | 1993-02-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor device of MOS structure having p-type gate electrode |
EP1777739A3 (en) | 2000-09-11 | 2008-09-17 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device and fabrication method therefor |
KR100781858B1 (ko) | 2006-01-06 | 2007-12-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US8026169B2 (en) | 2006-11-06 | 2011-09-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Cu annealing for improved data retention in flash memory devices |
KR101539697B1 (ko) | 2008-06-11 | 2015-07-27 | 삼성전자주식회사 | 수직형 필라를 활성영역으로 사용하는 3차원 메모리 장치,그 제조 방법 및 그 동작 방법 |
JP5300419B2 (ja) | 2008-11-05 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP5356005B2 (ja) | 2008-12-10 | 2013-12-04 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2011049206A (ja) | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US8455940B2 (en) | 2010-05-24 | 2013-06-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device, method of manufacturing the nonvolatile memory device, and memory module and system including the nonvolatile memory device |
JP2012174892A (ja) | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
KR101809512B1 (ko) | 2011-03-09 | 2017-12-15 | 삼성전자 주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
JP5696543B2 (ja) | 2011-03-17 | 2015-04-08 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
KR101182942B1 (ko) | 2011-05-24 | 2012-09-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
KR20130072516A (ko) | 2011-12-22 | 2013-07-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR20130075158A (ko) | 2011-12-27 | 2013-07-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
KR101916223B1 (ko) | 2012-04-13 | 2018-11-07 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US8987805B2 (en) | 2012-08-27 | 2015-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Vertical type semiconductor devices including oxidation target layers |
US9443962B2 (en) | 2012-11-09 | 2016-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Recessing STI to increase fin height in fin-first process |
US9230987B2 (en) | 2014-02-20 | 2016-01-05 | Sandisk Technologies Inc. | Multilevel memory stack structure and methods of manufacturing the same |
JP5970004B2 (ja) | 2014-01-09 | 2016-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2015170643A (ja) | 2014-03-05 | 2015-09-28 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
WO2015195405A1 (en) | 2014-06-17 | 2015-12-23 | SanDisk Technologies, Inc. | A three-dimensional non-volatile memory device having a silicide source line and method of making thereof |
KR102307487B1 (ko) | 2014-06-23 | 2021-10-05 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US9616313B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-04-11 | Canyon Hard Goods LLC | Portable therapeutic stretching and massage storage device |
KR20160018921A (ko) | 2014-08-07 | 2016-02-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US9620514B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-04-11 | Sandisk Technologies Llc | 3D semicircular vertical NAND string with self aligned floating gate or charge trap cell memory cells and methods of fabricating and operating the same |
US9524901B2 (en) | 2014-09-30 | 2016-12-20 | Sandisk Technologies Llc | Multiheight electrically conductive via contacts for a multilevel interconnect structure |
US9355727B1 (en) | 2014-12-09 | 2016-05-31 | Sandisk Technologies Inc. | Three-dimensional memory structure having a back gate electrode |
US9893076B2 (en) | 2015-02-05 | 2018-02-13 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | Access transistor of a nonvolatile memory device and method for fabricating same |
KR20160106972A (ko) | 2015-03-03 | 2016-09-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
US9960178B2 (en) * | 2015-03-13 | 2018-05-01 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device and method for manufacturing same |
US9646988B2 (en) | 2015-03-13 | 2017-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and method for manufacturing same |
US9601508B2 (en) | 2015-04-27 | 2017-03-21 | Sandisk Technologies Llc | Blocking oxide in memory opening integration scheme for three-dimensional memory structure |
KR102378820B1 (ko) | 2015-08-07 | 2022-03-28 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 |
US9449987B1 (en) | 2015-08-21 | 2016-09-20 | Sandisk Technologies Llc | Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors |
KR102571561B1 (ko) * | 2015-10-19 | 2023-08-29 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 소자 |
US9818759B2 (en) | 2015-12-22 | 2017-11-14 | Sandisk Technologies Llc | Through-memory-level via structures for a three-dimensional memory device |
KR102589594B1 (ko) | 2016-03-02 | 2023-10-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자 |
US9941209B2 (en) | 2016-03-11 | 2018-04-10 | Micron Technology, Inc. | Conductive structures, systems and devices including conductive structures and related methods |
US9871054B2 (en) | 2016-04-15 | 2018-01-16 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
US10157933B2 (en) | 2016-04-19 | 2018-12-18 | Micron Technology, Inc. | Integrated structures including material containing silicon, nitrogen, and at least one of carbon, oxygen, boron and phosphorus |
US10020363B2 (en) | 2016-11-03 | 2018-07-10 | Sandisk Technologies Llc | Bulb-shaped memory stack structures for direct source contact in three-dimensional memory device |
US10115632B1 (en) | 2017-04-17 | 2018-10-30 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device having conductive support structures and method of making thereof |
KR102333021B1 (ko) * | 2017-04-24 | 2021-12-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
US10553537B2 (en) | 2018-02-17 | 2020-02-04 | Sandisk Technologies Llc | Interconnects containing serpentine line structures for three-dimensional memory devices and methods of making the same |
CN110581103B (zh) | 2018-06-07 | 2022-04-12 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件及其制作方法 |
KR102574451B1 (ko) | 2019-02-22 | 2023-09-04 | 삼성전자 주식회사 | 집적회로 소자 및 그 제조 방법 |
US11177278B2 (en) * | 2019-11-06 | 2021-11-16 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells |
US11177159B2 (en) * | 2019-11-13 | 2021-11-16 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells |
US11121144B2 (en) * | 2019-11-13 | 2021-09-14 | Micron Technology, Inc. | Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells |
-
2019
- 2019-11-13 US US16/682,349 patent/US11177159B2/en active Active
-
2020
- 2020-09-16 KR KR1020227018974A patent/KR20220097471A/ko active Search and Examination
- 2020-09-16 WO PCT/US2020/050949 patent/WO2021096592A1/en unknown
- 2020-09-16 JP JP2022523380A patent/JP7419517B2/ja active Active
- 2020-09-16 EP EP20888696.0A patent/EP4059052A4/en active Pending
- 2020-09-16 CN CN202080067615.XA patent/CN114521291A/zh active Pending
- 2020-09-26 TW TW109133467A patent/TWI756846B/zh active
- 2020-09-26 TW TW111103176A patent/TW202224145A/zh unknown
-
2021
- 2021-10-12 US US17/499,316 patent/US11791202B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150221666A1 (en) * | 2014-02-03 | 2015-08-06 | Chang-Hyun Lee | Vertical memory devices |
US20150340376A1 (en) * | 2014-05-20 | 2015-11-26 | Jintaek Park | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US20160079255A1 (en) * | 2014-09-12 | 2016-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing same |
JP2016062912A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US20160218059A1 (en) * | 2015-01-22 | 2016-07-28 | SanDisk Technologies, Inc. | Composite contact via structure containing an upper portion which fills a cavity within a lower portion |
US20160343761A1 (en) * | 2015-05-18 | 2016-11-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and method for manufacturing image pickup apparatus |
JP2016219551A (ja) * | 2015-05-18 | 2016-12-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の製造方法および撮像装置 |
WO2018174966A1 (en) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device containing separately formed drain select transistors and method of making thereof |
US20190333937A1 (en) * | 2017-04-25 | 2019-10-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three-dimensional semiconductor devices |
US20180337191A1 (en) * | 2017-05-16 | 2018-11-22 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device and method for fabricating the same |
US20190229125A1 (en) * | 2018-01-22 | 2019-07-25 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device including contact via structures that extend through word lines and method of making the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220097471A (ko) | 2022-07-07 |
EP4059052A4 (en) | 2023-05-31 |
US11177159B2 (en) | 2021-11-16 |
CN114521291A (zh) | 2022-05-20 |
US20210143054A1 (en) | 2021-05-13 |
US11791202B2 (en) | 2023-10-17 |
TWI756846B (zh) | 2022-03-01 |
TW202121605A (zh) | 2021-06-01 |
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TW202224145A (zh) | 2022-06-16 |
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