JP2022516862A - 電池電流測定装置および方法 - Google Patents

電池電流測定装置および方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、電池の充放電を制御するためのスイッチング素子と、スイッチング素子の両端の電圧をデジタル値に変換するA/Dコンバータと、スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償することができるダイオード構造を含む温度補償部と、電圧のデジタル値に基づいて、スイッチング素子を流れる電流を算出する電流算出部と、を含み、A/Dコンバータは、温度補償部から入力された基準電圧を用いて、スイッチング素子の電圧値をデジタル値に変換する電池電流測定装置を含む。

Description

[関連出願の相互参照]
本発明は、2019年1月4日付で出願された韓国特許出願第10-2019-0001151号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示された全ての内容は、本明細書の一部として組み込まれる。
[技術分野]
本発明は、電池電流測定装置および方法に関する。具体的に、本発明は、シャント抵抗を使用することなく、電池電流を測定する装置および方法に関する。
電池の充放電電流は、出力だけでなく、電池の劣化情報および電池の容量などの電池の情報を計算/算出するために、必ず測定しなければならない。また、電池の情報について正確に計算するために、測定において精度が求められ、このため、一般的に、従来はシャント(shunt)のような精密抵抗を使用して、電池の電流を測定した。
しかし、かかるシャント抵抗は、体積も大きく占めており、コスト、組立工程などが追加されるので、さらなる解決策が必要である。
電池の電流を測定する手段として、体積も大きく占めており、コスト、組立工程が追加されるシャント抵抗を使用せずに、効率的な電池電流測定手段を取得することを目的とする。
本発明の一実施形態に係る電池電流測定装置は、電池の充放電を制御するためのスイッチング素子と、スイッチング素子の両端の電圧をデジタル値に変換するA/Dコンバータと、スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償することができるダイオード構造を含む温度補償部と、電圧のデジタル値に基づいて、スイッチング素子を流れる電流を算出する電流算出部と、を含み、A/Dコンバータは、温度補償部から入力された基準電圧を用いて、スイッチング素子の電圧値をデジタル値に変換する。
かかる本実施形態の一特徴によると、温度補償部のダイオード構造は、複数のダイオードを含み、複数のダイオードは、スイッチング素子の温度-抵抗曲線にマッチングされる温度-抵抗曲線を有するように、その個数および連結構成が決定される。
本実施形態のまた別の特徴によると、スイッチング素子の両端の電圧をA/Dコンバータに印加する前に、電圧値を増幅させる電圧増幅部をさらに含む。
本実施形態のまた別の特徴によると、基準電圧は、ダイオード構造および温度によって変更される。
本実施形態のまた別の特徴によると、温度補償部は、スイッチング素子と近接して配置される。
本実施形態のまた別の特徴によると、スイッチング素子は、MOSFETである。
本実施形態のまた別の特徴によると、温度補償部は、電池電流測定装置が設置された基板におけるMOSFETが形成された層と同一の層に形成される。
本実施形態例のまた別の特徴によると、温度補償部は、電池電流測定装置が設置された基板におけるMOSFETが形成された層と同一の層に形成される。
本発明の一実施形態に係る電池電流測定方法は、電池の充放電を制御するためのスイッチング素子の両端の電圧の印加を受けるステップと、スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償するための基準電圧を生成するステップと、設定された基準電圧を用いて、スイッチング素子の電圧をデジタル値に変換するステップと、デジタル値に基づいて、スイッチング素子を流れる電流を算出するステップと、を含む。
本発明の一実施形態に係る電池パックは、充放電可能な電池と、電池の充放電を制御するためのスイッチング素子と、スイッチング素子の両端の電圧をデジタル値に変換するA/Dコンバータと、スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償することができるダイオード構造を含む温度補償部と、電圧のデジタル値に基づいて、スイッチング素子を流れる電流を算出する電流算出部と、を含み、A/Dコンバータは、温度補償部から入力された基準電圧を用いて、スイッチング素子の電圧値をデジタル値に変換する。
本発明の他の実施形態に係る電池電流測定装置は、電池の充放電を制御するためのスイッチング素子と、スイッチング素子の両端の電圧をデジタル値に変換するA/Dコンバータと、スイッチング素子とマッチングされる温度-抵抗曲線を有することで、スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償することができるダイオード構造を含む温度補償部と、スイッチング素子の両端の電圧および温度補償部の出力それぞれの入力を受け、一定の電圧信号を出力する減算器と、電圧のデジタル値に基づいて、スイッチング素子を流れる電流を算出する電流算出部と、を含み、A/Dコンバータは、減算器から入力される電圧信号を固定の基準電圧を用いてデジタル値に変換する。
本発明は、シャント抵抗を使用せずに、電池をオン/オフする半導体スイッチを使用して、電池の電流を測定するので、体積を減らすことができ、コスト面、生産工程面において非常に効率的である。
従来の電池電流測定装置と、本発明の一実施形態に係る電池電流測定装置とを簡単に比較した図である。
本発明の一実施形態に係る電池電流測定装置の構成図である。
本発明の一実施形態に係る電池電流測定方法のフローチャートである。
MOSFETの温度変化による抵抗変化を示すグラフである。
ダイオードの温度による電流と電圧の変化のグラフである。
本発明の一実施形態に係る実装例である。
従来のシャント抵抗を用いた電池電流測定装置の例示的な構成図である。
本発明の一実施形態に係る電池電流測定装置の例示的な構成図である。
本発明の他の実施形態に係る電池電流測定装置の構成図である。
本発明の他の実施形態に係る電池電流測定装置の例示的な構成図である。
本発明の他の実施形態に係る電池電流測定方法のフローチャートである。
以下、本発明の一部の実施形態を例示的な図面を通じて詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付加するにあたり、同一の構成要素に対しては、他の図面上に表示されていても、可能な限り同一の符号を有するようにしていることに留意しなければならない。また、本発明の実施形態を説明するにあたり、関連する公知の構成または機能に対する具体的な説明が、本発明の実施形態に対する理解を妨げると判断する場合には、その詳細な説明は省略する。
本発明は、上述したシャント抵抗の問題点を解決するために、シャント抵抗を使用せずに、電池の電流を測定するために、電池の必須部品を用いて電流を測定することができる方法および装置を含む。
一般的に、電池をオン/オフして充放電を制御するためのスイッチング素子が必ず存在しなければならず、かかるスイッチング素子は、MOSFETのような半導体デバイスからなる。
かかるMOSFETのような半導体デバイスの抵抗は、一般的にシャント抵抗と類似しているので、これを通じて電流を測定する方法は従来にもあったが、半導体は温度によって抵抗の大きさの変化の幅が大きいため、実質的に精密な電流を測定するところには使わなかった。
しかし、本発明は、下記のようなダイオード構成を含むことにより、温度によるMOSFETの抵抗変化による正確な電流測定の困難性を補完して、電池の電流を精密に測定できるようにする。以下では、本発明の構成についてより詳しく説明する。
ここで、電池の種類は、特に限定されず、例えば、電池は、リチウムイオン電池、リチウムポリマー電池、ニッケルカドミウム電池、ニッケル水素電池、ニッケル亜鉛電池などで構成されることができる。
また、複数の電池セルが、直列および/または並列に連結されている電池モジュールとして形成され、少なくとも1つの電池モジュールは、電池管理システム(BMS:Battery Management System)と結合して、電池パックを形成する。
BMSは、電池の状態を推定し、推定した状態情報を用いて、電池を管理する。
以下では、電池セルまたは電池モジュールを単に電池と称する。
図1は、従来の電池電流測定装置と、本発明の一実施形態に係る電池電流測定装置とを簡単に比較した図である。
図1において、左側の図は、従来のシャント抵抗を用いて、電池の電流を測定する電池電流測定装置の概略図である。
電池電流を測定するために、電池の一側にシャント抵抗が直列に連結されており、BMSは、連結されているシャント抵抗の両端の電圧を測定し、電池電流を算出する。以下、シャント抵抗を通じた電池電流測定方法をより詳しく説明する。
電池の一側にシャント抵抗が直列に連結され、電圧測定部でシャント抵抗の両端にかかる電圧を測定する。シャント抵抗の両端にかかる電圧は、その大きさが小さいため、電圧増幅部で増幅される。
電圧増幅部で増幅された電圧をA/Dコンバータ(analog to digital converter)を通じてデジタル値に変換する。この時、A/Dコンバータの基準電圧は、固定された値、例えば、5Vである。
A/Dコンバータで変換されたデジタル信号は、MCUに送信する。デジタル信号を受信したMCUで、受信したデジタル信号を用いて、電池の電流を算出する。
ここで、電圧測定部、電圧増幅部、A/Dコンバータ、MCUは、BMS(Battery Management System)内に含まれる。
また、シャント抵抗以外にも、電池の充放電を制御するためのスイッチング素子が、電池と出力端子との間の電流経路上に位置する。スイッチング素子は、通常、半導体デバイスであり、好ましくはMOSFETである。スイッチング素子は、BMSからの制御信号を受信して、電池の充放電を行う。
図1において、右側の図は、本発明の一実施形態に係る電池電流測定装置の概略図である。
本発明の一実施形態の電池電流測定装置は、従来の電池電流測定装置とは異なり、シャント抵抗を含んでいない。
但し、電池の充放電を制御するためのスイッチング素子、例えば、MOSFETを用いて電池電流を算出する。
すなわち、本発明の実施形態では、電圧測定部によってMOSFETの両端の電圧を測定する。しかし、MOSFETは、半導体デバイスであって、温度の変化による抵抗の変化が大きい。MOSFETは、電池の充放電の制御を行うため、電池に直接連結されており、電池の充放電過程で熱が発生するので、MOSFETもまた電池の熱による影響を受けるしかない。したがって、MOSFETの熱による抵抗変化によって、正確なMOSFETの電圧を測定するのは難しい。
したがって、本発明では、別の温度補償部を含み、MOSFETの熱による抵抗変化を補償するようにする。これについては後述する。
MOSFETの両端で測定された電圧は、電圧増幅部によって増幅される。増幅された信号は、A/Dコンバータでデジタル信号に変換される。すなわち、A/Dコンバータは、スイッチング素子の両端の電圧をデジタル値に変換する。
但し、上述のように、MOSFETの温度変化による抵抗変化を補完するために、A/Dコンバータの基準電圧を変更する。A/Dコンバータの基準電圧を変更するために、A/Dコンバータのダイオード構造を連結させる。ダイオード構造は、単一または複数のダイオードを含んで構成されることができる。
また、MOSFET素子の種類、個数およびその連結構成によって、抵抗が変わることがあるので、A/Dコンバータに連結されるダイオードは、MOSFETと同様の電圧降下特性を有するものが選択されるか、または複数のダイオードを直並列に連結して、温度曲線がMOSFETと同一になるようにする。つまり、複数のダイオードは、スイッチング素子であるMOSFETの温度-抵抗曲線にマッチングされる温度-抵抗曲線を有する。ここで、温度曲線がMOSFETと類似しているほど電流測定の正確度は高くなる。
A/Dコンバータに連結された複数のダイオードは、MOSFETと同一の温度曲線を有し、より正確な測定を行うために、MOSFETが影響を受ける温度と同じ温度環境を形成するために、MOSFETと同じ銅板上に位置しながら、MOSFETに近接して配置される。
A/Dコンバータで変換されたデジタル信号は、電流出力部であるMCUに送信される。A/Dコンバータからデジタル信号を受信したMCUは、スイッチング素子を流れる電流に再び換算する。このようにスイッチング素子を流れる電流から電池の充放電電流を算出することができる。MCUで換算された電池充放電電流を用いて、電池の劣化程度および容量などの電池の状態情報を計算/算出する。
図2は、本発明の一実施形態に係る電池電流測定装置200の構成図である。
電池電流測定装置200は、スイッチング素子201、電圧測定部202、電圧増幅部204、A/Dコンバータ206、温度補償部208、電流算出部210を含む。
スイッチング素子201は、電池と、電池の出力端子との間の充放電経路に形成される。スイッチング素子201は、BMSの制御信号に基づいて、On/Offが制御され、電池に保存された電力を外部に供給するか、外部の電力を電池に充電する。本発明の実施形態において、スイッチング素子201は、例えば、MOSFETであるが、これに限定されるものではなく、温度によって抵抗が変化するスイッチング素子であれば、どのような素子でも適用可能である。
電圧測定部202は、スイッチング素子201の両端の電圧を測定する。ここで、電圧測定部202は、例えば、アナログフロントエンドなどのように、スイッチング素子201の両端の電圧をアナログ値として測定する構成である。電圧測定部202は、測定されたスイッチング素子の両端の電圧信号を電圧増幅部204に送信する。電圧測定部202がなくても、スイッチング素子201の両端の電圧を直ちに接電圧増幅部204で増幅することができる。
電圧増幅部204は、スイッチング素子201から直接印加された、または電圧測定部202を通じて印加されたスイッチング素子の両端の電圧を増幅する。増幅されたスイッチング素子201の電圧は、A/Dコンバータ206に送信される。
A/Dコンバータ206は、増幅されたスイッチング素子201の電圧信号を受信する。A/Dコンバータ206は、受信したスイッチング素子201の電圧信号をデジタル信号に変換する。つまり、A/Dコンバータ206は、スイッチング素子の両端の電圧をデジタル値に変換する。A/Dコンバータ206は、受信したスイッチング素子201の電圧信号をデジタル信号に変換するにあたり、温度によって変更される基準電圧を使用する。
具体的には、スイッチング素子201は、温度によって、抵抗値の変化の幅が大きい。スイッチング素子201の温度が高くなると抵抗も大きくなる。したがって、スイッチング素子201は、電池の発熱による温度変化の影響を受けて抵抗が変更され、正確な電圧を測定するのは難しい。かかるスイッチング素子201の特性を補完し、正確な電圧値を導出するために、A/Dコンバータの基準電圧入力端に、複数のダイオードを含んで構成される温度補償部208を連結する。
ダイオードでは、温度変化によって、固定電流値に対する異なる電圧降下が発生する。したがって、スイッチング素子201の温度変化による抵抗変化曲線と同様の温度-抵抗曲線を有するダイオードの種類、個数および連結構成を用いて、A/Dコンバータの基準電圧値を変更させる。これにより、温度の影響を受けることなく、より正確なスイッチング素子201の電圧を導出することができる。
すなわち、本発明は、スイッチング素子201の両端にかかる電圧を測定するためのA/Dコンバータに印加される基準電圧を、例えば、5Vのように固定電圧ではなく、温度によって変更される電圧とする。スイッチング素子201のような半導体素子であるダイオードは、温度による順方向電圧降下(forward voltage drop)を有する。したがって、このようなダイオードを通じて変更された基準電圧は、スイッチング素子201の温度による抵抗変化を補完する。
この時、ダイオードは、スイッチング素子201の温度と同じ温度環境において動作できるように、スイッチング素子201と同じ銅板上に配置され、スイッチング素子201に近接して配置される。
温度補償部208は、上述のように、A/Dコンバータ206に連結されて基準電圧を印加するが、スイッチング素子201の温度変化による抵抗変化によって変更される電圧値を補完するための構成である。つまり、基準電圧は、ダイオード構造および温度によって変更される。
具体的に、温度補償部208は、複数のダイオードが直並列に連結されるダイオード構造を含む。つまり、温度補償部208は、スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償することができるダイオード構造を含む。かかる温度補償部208の一端は電源電圧に連結され、他端はA/Dコンバータ206に連結される。つまり、ダイオード構造が、電源電圧とA/Dコンバータ206との間に直列に連結され、温度補償部208によって生成された基準電圧がA/Dコンバータ206に印加される。
ダイオードもまた、スイッチング素子201のような半導体デバイスであるので、スイッチング素子201のように温度によって抵抗値が変化する。また、スイッチング素子201の種類に応じて抵抗が異なるので、ダイオード構造に含まれるダイオードの種類、個数およびその連結構成を調整して、温度-抵抗曲線が同一になるようにする。この時、スイッチング素子201の温度-抵抗曲線とダイオード構造の温度-抵抗曲線とが、どれくらい似ているかによって、測定電圧の正確度が決定される。一方、ダイオード構造は、単一のダイオードを含むこともでき、この時には、単一のダイオードがスイッチング素子201全体の温度による電圧の変化を補うことができる、同一の電圧降下特性を有するものを選択する。また、温度補償部は、スイッチング素子と近接して配置される。
A/Dコンバータ206は、電圧増幅部204から受信した増幅されたスイッチング素子201の測定電圧の印加を受け、温度補償部208によって決定された基準電圧を用いて、スイッチング素子201の増幅された電圧信号をデジタル信号に変換し、これを電流算出部210に送信する。
電流算出部210は、A/Dコンバータ206から受信したデジタル信号を用いて、電池電流を算出し、算出された電池電流を用いて、電池の劣化程度および電池容量などの電池情報を計算および算出する。
図3は、本発明の一実施形態に係る電池電流測定方法のフローチャートである。
電池の充放電を制御するスイッチング素子、例えば、MOSFETが、電池に連結されている。MOSFETは、半導体デバイスであって、温度変化によって抵抗変化の幅が大きい。電圧測定部202は、スイッチング素子201の両端の電圧を測定する(S300)。電圧測定部202は、測定されたスイッチング素子201の両端の電圧信号を電圧増幅部204に送信する。電圧測定部202がなくても、直ちにスイッチング素子の両端の電圧を電圧増幅部204で増幅させることもできる。
ここで、測定された電圧に関して、スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補完するために、A/Dコンバータの基準電圧を変更する。A/Dコンバータの基準電圧を変更するために、A/Dコンバータにダイオード構造を連結続させる。ダイオード構造は、単一または複数のダイオードを含んで構成されることができる。これについては後述する。
電圧増幅部204に送信されたスイッチング素子201の電圧信号は、電圧増幅部で増幅される(S302)。増幅されたスイッチング素子201の電圧信号は、A/Dコンバータ206に送信される(S304)。
増幅されたスイッチング素子201の電圧信号を受信したA/Dコンバータ206は、温度補償部208で基準電圧が印加される(S306)。つまり、温度補償部によってスイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償するための基準電圧が設定される。
具体的に、温度補償部208は、単一または複数のダイオードを含む。ダイオードは、温度変化によって、固定電流値に対する異なる電圧降下が行われる。したがって、スイッチング素子201の温度変化による温度-抵抗曲線と同様の温度-抵抗曲線を有するダイオードを用いて、A/Dコンバータの基準電圧値を変更させることで、スイッチング素子201の電圧を、温度の影響を受けることなく、さらに正確な電圧値として導出することができる。
温度補償部208に含まれているダイオードによって、温度によって入力電圧の電圧降下が行われ、A/Dコンバータ206に送信される基準電圧を温度によって変更させることができる。
すなわち、本発明は、スイッチング素子201の両端にかかる電圧を測定するためのA/Dコンバータに印加される基準電圧を、例えば、5Vのように固定電圧ではなく、温度によって変更される基準電圧とする。スイッチング素子201のような半導体であるダイオードは、温度による順方向電圧降下(forward voltage drop)を有する。したがって、かかるダイオードを通じて変更された基準電圧は、スイッチング素子201の温度による抵抗変化を補完する。
この時、ダイオードは、スイッチング素子201の温度と同じ温度環境において動作できるように、スイッチング素子201と同じ銅板上に配置され、スイッチング素子201に近接して配置される。
温度補償部208は、上述のように、A/Dコンバータ206に連結されて基準電圧を印加するが、スイッチング素子201の温度変化による抵抗変化によって変更される電圧値を補完するための構成である。
A/Dコンバータ206は、印加された基準電圧を用いて、スイッチング素子201の測定電圧信号をデジタル信号に変換する(S308)。つまり、A/Dコンバータにより設定された基準電圧を用いて、増幅された電圧をデジタル値に変換する。
A/Dコンバータ206は、変換したデジタル信号を電流算出部110に送信する(S310)。
デジタル信号を受信した電流算出部110は、受信したデジタル信号を用いてスイッチング素子201の電流を算出し、電池の電流を推定し、推定された電池電流を用いて、電池の情報を取得する。
図4は、MOSFETの温度変化による抵抗変化を示すグラフである。
MOSFETは、図4に示すグラフと同様に、温度によって抵抗が変化するので、MOSFETの変化する抵抗によって、電流を、V=I*Rを通じて正確に算出することができない。
つまり、MOSFETの両端の電圧が同一に測定される場合であっても、MOSFETの抵抗が温度によって変わるので、算出される電流は温度によって変更され得る。かかるMOSFETは、電池の充放電を制御するため、電池に直接連結され、電池の充放電過程で発生する熱によってスイッチング素子201も影響を受けるしかない。したがって、MOSFETの熱による抵抗変化によって、正確なMOSFETの電圧を測定するのは難しい。
例えば、MOSFETの両端の測定電圧がaVとしても、MOSFETの温度が60℃のときには、抵抗が0.6mΩであるため、電流はa/(0.6*10-3)Aであり、MOSFETの温度が140℃のときには、抵抗が0.8mΩであるため、電流はa/(0.8*10-3)Aである。つまり、MOSFETの温度によって抵抗が変わるので、測定された電圧が同一であっても、温度による抵抗が異なるため、算出される電流は異なることがある。
これを補完するために、本発明は、別の温度補償部を含み、MOSFETの熱による抵抗変化による電圧の変化について補償するようにする。
図5は、ダイオードの温度による電流と電圧の変化のグラフである。
ダイオードの順方向における電圧降下は、同じ電流が流れる場合、温度によって異なる。図5のグラフを参照して、例えば、電流が200mAで流れるとすると、150℃では100mVの電圧が降下し、125℃では約140mVの電圧が降下し、100℃では約190mVの電圧が降下し、75℃では約230mVの電圧が降下する。
したがって、例えば、ダイオード構造の入力電圧が5Vであれば、ダイオードの順方向における電圧降下によって、A/Dコンバータ206に入力される基準電圧は、150℃では4.9Vであり、125℃では約4.86Vであり、100℃では約4.81Vであり、75℃では約4.77Vである。
かかるダイオードの特性を用いて、MOSFETと最も類似している温度曲線を有するダイオードを用いて、1つのダイオードとして実現されることができ、複数のダイオードを直列に連結して、MOSFETにおける変更された電圧値を補償するように構成することもできる。
図6は、本発明の一実施形態に係る実装例である。
図6に示すように、ダイオードをMOSFETに近接して配置する。また、MOSFETが配置されるMOSFET層の真下の層をダイオードの下方まで延ばして、MOSFETとダイオードとが同一の層上に位置するようにする。
これは、MOSFETとダイオードとを同一の層上に配置することで、温度のバラツキを減らすことを目的とする。
また、MOSFET素子の種類および並列数によって、抵抗が変わるので、ダイオードもまた、MOSFETと同一の電圧降下特性を有する素子を選択するか、直列に複数連結してMOSFETと同一の温度-抵抗曲線を有するようにする。この温度-抵抗曲線がどれくらい似ているかによって、正確度が決定される。
図7は、従来のシャント抵抗を用いた電池電流測定装置の例示的な構成図である。
電池と出力端子との間にシャント抵抗が直列に連結され、シャント抵抗の両端にかかる電圧は、その大きさが小さいため、電圧増幅部で増幅される。
電圧増幅部は、例えば、Op ampで増幅された電圧をA/Dコンバータ(analog to digital converter)を通じてデジタル信号に変換する。この時、基準電圧は、固定された値、例えば、5Vである。
A/Dコンバータで変換されたデジタル信号をMCUに送信する。デジタル信号を受信したMCUで、受信したデジタル信号を用いて、再び電流値に換算する。
図8は、本発明の一実施形態に係る電池電流測定装置の例示的な構成図である。
電池の充放電を制御するスイッチング素子、例えば、MOSFETを用いて電池電流を測定する。MOSFETは、半導体デバイスであって、温度の変化による抵抗の大きさの変化が大きいため、正確な電圧を測定するのは難しい。
かかるMOSFETの電圧をOP ampを通じて増幅させた後、増幅された信号は、A/Dコンバータでデジタル信号に変換される。
但し、上述のように、MOSFETは、温度変化によって抵抗の変化の幅が大きいため、正確な電圧を測定するのは難しい。したがって、これを補完するために、A/Dコンバータの基準電圧を変更する。A/Dコンバータの基準電圧を変更するために、A/Dコンバータにダイオード構造を連結させる。ダイオード構造は、単一または複数のダイオードを含んで構成されることができる。
また、MOSFET素子の種類、個数およびその連結構成によって、抵抗が変わることがあるので、A/Dコンバータに連結されるダイオードは、MOSFETと同様の電圧降下特性を有するものが選択されるか、または複数のダイオードを直並列に複数連結して、MOSFETと温度-抵抗曲線が同一になるようにする。ここで、MOSFETと温度-抵抗曲線が類似しているほど電流測定の正確度は高くなる。
A/Dコンバータで変換されたデジタル信号は、MCUに送信される。A/Dコンバータからデジタル信号を受信したMCUは、電流として再び算出する。MCUで換算された電池充放電電流を用いて、電池の劣化程度および容量などの電池の状態情報を計算/算出する。
図9は、本発明の他の実施形態に係る電池電流測定装置の構成図である。
図9の構成は、減算器906が追加される構成、および温度補償部908が減算器に連結される構成を除いては、図2の構成と同一である。したがって、図2の構成と異なる構成を中心に説明する。
測定されたスイッチング素子201の両端の電圧を増幅し、増幅された電圧信号が減算器906の第1の入力端子に入力される。また、温度補償部908の出力電圧信号が減算器906の第2の入力端子に入力される。
ここで、温度補償部908は、スイッチング素子201の温度変化による抵抗変化によって変更される電圧値を補完するための構成としては、スイッチング素子201と同一の温度-抵抗曲線を有する。したがって、スイッチング素子201の温度によって変更される電圧増幅部904の出力電圧信号のように、温度補償部908の出力電圧信号もまた温度によって変更される。結果として、減算器906の第1の入力端子および第2の入力端子に入力される電圧信号の差は、常に一定に維持される。これにより、減算器906の出力電圧信号もまた、温度によるスイッチング素子201の電圧の変化に関係なく一定に維持される。
減算器906の出力電圧信号は、A/Dコンバータ910に入力され、A/Dコンバータ910は、固定基準電圧を用いて、減算器906から受信した出力電圧信号をデジタル信号に変換して電流算出部912に送信する。
図10は、本発明の他の実施形態に係る電池電流測定装置の例示的な構成である。
図10の構成は、減算器が追加される構成、および温度補償部が減算器に連結される構成を除いては、図8の構成と同一である。したがって、図8の構成と異なる構成を中心に説明する。
測定されたMOSFETの電圧をOP ampを通じて増幅させた後、増幅された信号は減算器に入力される。但し、MOSFETは、温度変化によって抵抗の変化の幅が大きいため、これを補完するために、減算器の他の入力端子には、温度補償部であるダイオード構造が連結される。
減算器に連結されるダイオード構造は、単一または複数のダイオードを含み、ダイオード構造は、MOSFETと同一の温度-抵抗曲線を有する。したがって、減算器に入力されるダイオード構造の出力電圧信号とMOSFETの両端の電圧の差は常に一定に維持され、減算器の出力もまた一定に維持される。
減算器から出力された電圧信号は、A/Dコンバータに入力され、A/Dコンバータは、固定基準電圧を用いて、減算器から出力された電圧信号をデジタル信号に変換する。
図11は、本発明の他の実施形態に係る電池電流測定方法のフローチャートである。
電圧測定部902がスイッチング素子201の両端の電圧を測定する(S1100)。
測定されたスイッチング素子201の両端の電圧信号は、電圧増幅部904で増幅させる(S1110)。ここで、電圧測定部902がなくても、直ちにスイッチング素子の両端の電圧を電圧増幅部904で増幅させることもできる。
電圧増幅部904で増幅されたスイッチング素子201の両端の電圧信号は、減算器の第1の入力端子で受信する(S1120)。
一方、減算器906の他の入力端子に連結されている温度補償部908の出力電圧信号が、減算器906の第2の入力端子に入力される(S1130)。
上述のように、温度補償部908は、スイッチング素子201の温度変化による抵抗変化によって変更される電圧値を補完するための構成としては、スイッチング素子201と同一の温度-抵抗曲線を有する。したがって、スイッチング素子201の温度によって変更される電圧増幅部904の出力電圧信号のように、温度補償部908の出力電圧信号もまた温度によって変更される。
したがって、減算器に入力される両方の信号の差は常に一定に維持される。これにより、スイッチング素子201の電圧が温度によって変わるにもかかわらず、減算器906の出力電圧信号もまた一定に維持される。
減算器906の出力電圧信号は、A/Dコンバータ910に入力される(S1140)。
A/Dコンバータ910は、入力された減算器906の出力電圧信号を固定基準電圧、例えば、5Vを用いてデジタル信号に変換し(S1150)、MCUに送信する(S1160)。
以上、本発明を限定された実施形態および図面に基づいて説明したが、本発明はこれらに限られず、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者によって、本発明の技術思想および以下に記載される特許請求の範囲の均等範囲内で様々な実施が可能であることは勿論である。
[項目1]
電池の充放電を制御するためのスイッチング素子と、
上記スイッチング素子の両端の電圧をデジタル値に変換するA/Dコンバータと、
上記スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償することができるダイオード構造を含む温度補償部と、
上記電圧のデジタル値に基づいて、上記スイッチング素子を流れる電流を算出する電流算出部と、を含み、
上記A/Dコンバータは、上記温度補償部から入力された基準電圧を用いて、上記スイッチング素子の電圧値をデジタル値に変換する、電池電流測定装置。
[項目2]
上記温度補償部のダイオード構造は、複数のダイオードを含み、
上記複数のダイオードは、上記スイッチング素子の温度-抵抗曲線にマッチングされる温度-抵抗曲線を有するように、その個数および連結構成が決定される、項目1に記載の電池電流測定装置。
[項目3]
上記スイッチング素子の両端の電圧を上記A/Dコンバータに印加する前に、電圧値を増幅させる電圧増幅部をさらに含む、項目2に記載の電池電流測定装置。
[項目4]
上記基準電圧は、上記ダイオード構造および温度によって変わる、項目2に記載の電池電流測定装置。
[項目5]
上記温度補償部は、上記スイッチング素子と近接して配置される、項目1に記載の電池電流測定装置。
[項目6]
上記スイッチング素子は、MOSFETである、項目1に記載の電池電流測定装置。
[項目7]
上記温度補償部は、上記電池電流測定装置が設置された基板における上記MOSFETが形成された層と同一の層に形成されることを特徴とする、項目6に記載の電池電流測定装置。
[項目8]
電池の充放電を制御するためのスイッチング素子の両端の電圧の印加を受けるステップと、
上記スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償するための基準電圧を生成するステップと、
上記生成された基準電圧を用いて、上記スイッチング素子の電圧をデジタル値に変換するステップと、
上記デジタル値に基づいて、上記スイッチング素子を流れる電流を算出するステップと、を含む、電池電流測定方法。
[項目9]
上記基準電圧は、複数のダイオードを含むダイオード構造によって生成され、
上記複数のダイオードは、上記スイッチング素子の温度-抵抗曲線にマッチングされる温度-抵抗曲線を有するように、その個数および連結構成が決定される、項目8に記載の電池電流測定方法。
[項目10]
上記ダイオード構造は、上記スイッチング素子と近接して配置される、項目9に記載の電池電流測定方法。
[項目11]
充放電可能な電池と、
上記電池の充放電を制御するためのスイッチング素子と、
上記スイッチング素子の両端の電圧をデジタル値に変換するA/Dコンバータと、
上記スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償することができるダイオード構造を含む温度補償部と、
上記電圧のデジタル値に基づいて、上記スイッチング素子を流れる電流を算出する電流算出部と、を含み、
上記A/Dコンバータは、上記温度補償部から入力された基準電圧を用いて、上記スイッチング素子の電圧値をデジタル値に変換する、電池パック。
[項目12]
電池の充放電を制御するためのスイッチング素子と、
上記スイッチング素子の両端の電圧をデジタル値に変換するA/Dコンバータと、
上記スイッチング素子とマッチングされる温度-抵抗曲線を有することで、上記スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償することができるダイオード構造を含む温度補償部と、
上記スイッチング素子の両端の電圧および上記温度補償部の出力それぞれの入力を受け、一定の電圧信号を出力する減算器と、
上記電圧のデジタル値に基づいて、上記スイッチング素子を流れる電流を算出する電流算出部と、を含み、
上記A/Dコンバータは、上記減算器から入力される電圧信号を固定基準電圧を用いてデジタル値に変換する、電池電流測定装置。

Claims (12)

  1. 電池の充放電を制御するスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子の両端の電圧をデジタル値に変換するA/Dコンバータと、
    前記スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償する温度補償部と、
    前記電圧のデジタル値に基づいて、前記スイッチング素子を流れる電流を算出する電流算出部と、を備え、
    前記A/Dコンバータは、前記温度補償部からの出力信号に応じた基準電圧を用いて、前記スイッチング素子の電圧値をデジタル値に変換する、電池電流測定装置。
  2. 電池の充放電を制御するためのスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子の両端の電圧をデジタル値に変換するA/Dコンバータと、
    前記スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償する温度補償部と、
    前記スイッチング素子の両端の電圧および前記温度補償部の出力それぞれの入力を受け、一定の電圧信号を出力する減算器と、
    前記電圧のデジタル値に基づいて、前記スイッチング素子を流れる電流を算出する電流算出部と、を備え、
    前記A/Dコンバータは、前記減算器から入力される電圧信号を固定の基準電圧を用いてデジタル値に変換する、電池電流測定装置。
  3. 前記温度補償部は、複数のダイオードを含むダイオード構造を有し、
    前記複数のダイオードは、前記スイッチング素子の温度-抵抗曲線にマッチングされる温度-抵抗曲線を有するように、その個数および連結構成が決定される、請求項1または2に記載の電池電流測定装置。
  4. 前記スイッチング素子の両端の電圧を前記A/Dコンバータに印加する前に、前記電圧を増幅させる電圧増幅部をさらに含む、請求項3に記載の電池電流測定装置。
  5. 前記温度補償部の出力は、前記ダイオード構造および温度によって変わる、請求項3または4に記載の電池電流測定装置。
  6. 前記温度補償部は、前記スイッチング素子と近接して配置される、請求項1から5のいずれか一項に記載の電池電流測定装置。
  7. 前記スイッチング素子は、MOSFETである、請求項1から6のいずれか一項に記載の電池電流測定装置。
  8. 前記温度補償部は、前記電池電流測定装置が設置された基板における前記MOSFETが形成された層と同一の層に形成される、請求項7に記載の電池電流測定装置。
  9. 電池の充放電を制御するためのスイッチング素子の両端の電圧の印加を受けるステップと、
    前記スイッチング素子の温度変化による抵抗変化を補償する基準電圧を生成するステップと、
    前記生成された基準電圧を用いて、前記スイッチング素子の電圧をデジタル値に変換するステップと、
    前記デジタル値に基づいて、前記スイッチング素子を流れる電流を算出するステップと、を含む、電池電流測定方法。
  10. 前記基準電圧は、複数のダイオードを含むダイオード構造によって生成され、
    前記複数のダイオードは、前記スイッチング素子の温度-抵抗曲線にマッチングされる温度-抵抗曲線を有するように、その個数および連結構成が決定される、請求項9に記載の電池電流測定方法。
  11. 前記ダイオード構造は、前記スイッチング素子と近接して配置される、請求項10に記載の電池電流測定方法。
  12. 充放電可能な電池と、
    請求項1から8のいずれか一項に記載の電池電流測定装置と、を備える、
    電池パック。
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