KR101549545B1 - 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로 - Google Patents

과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로 Download PDF

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충북대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명은 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로에 관한 것으로서, 과충전 전압 검출기와, 과방전 전압 검출기와, 충전 과전류 검출기와 방전 과전류 검출기와, 충전 과전류 검출기 및 방전 과전류 검출기에 접속되어 충전 상태와 방전 상태를 검출하는 충전 및 방전 검출기와, 온도에 비례하거나 반비례하여 일정하게 유지되는 전류(PTAT, CTAT)를 생성하는 온도보상회로와, 충전 상태와 방전 상태에 대응하여 온도보상회로로부터 출력되는 전류(PTAT, CTAT)를 선택하여 과전류 검출단으로 공급하는 선택기를 포함한다. 또한 본 발명에 따르면, 온도 변화에도 일정한 과전류를 검출할 수 있으므로 배터리 보호회로의 안정성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로{Battery Protection Integrated Circuit with Temperature Compensation of Over Current}
본 발명은 배터리 보호회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 온도 변화에 대응하여 일정하게 유지된 과전류를 검출할 수 있도록 하는 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로에 관한 것이다.
최근, 에너지 저장밀도와 가격 경쟁력, 경량화, 소형화, 안전성을 확보한 리튬 이온 배터리의 사용량이 급속히 늘어나고 있다.
이와 함께 리튬 이온 배터리의 사용량이 늘어남과 동시에 위험성도 늘어나고 있다. 리튬 이온 배터리는 전해액이 누수되어 리튬 전이금속이 공기 중에 노출될 경우 전지가 폭발할 수 있고, 과충전 및 과전류 시에도 화학반응으로 인해 전지 케이스 내부의 압력이 상승하여 폭발할 가능성이 있어 이를 차단하는 배터리 보호회로가 필수이다.
그러면 여기서 기존의 배터리 보호회로에 대해 설명한다.
도 1은 기존의 배터리 보호회로이다.
도 1을 참조하면, 기존의 배터리 보호회로는, 과충전 및 과방전 검출단(VDD), 접지단(VSS), 충전 FET 제어단(COUT), 방전 FET 제어단(DOUT) 및 과전류 검출단(V-)으로 구성되어 있다. 이 때, 과전류 검출단(V-)은 전류를 직접 감지하는 것이 아니고, 접지단과 과전류 검출단(V-) 사이의 충전 및 방전 FET의 온-저항에 의해서 과전류 검출단(V-)에 걸리는 전압을 감지하여 과전류를 검출한다. 이와 같은 배터리 보호회로의 외부에 연결되는 저항(R1)은 커패시터(C1)와 함께 배터리 보호회로에 인가되는 전압을 안정시키고, 저항(R2)와 함께 충전 및 방전시 배터리 보호회로 내부로 높은 전류가 유입되는 것을 차단한다. 커패시터(C2)는 커패시터(C3)와 함께 전압 리플 및 입력 잡음으로부터 시스템을 안정시킨다. 충전 FET은 충전시 전류가 흐르다가 과충전 또는 충전 과전류가 검출되면 충전을 차단하고, 방전 FET은 방전시 전류가 흐르다가 과방전 또는 방전 과전류가 검출되면 방전을 차단한다. 충전이 차단되어도 충전 FET의 기생 다이오드로 전류가 흘러 방전이 이루어지고, 방전이 차단되어도 방전 FET의 기생 다이오드로 전류가 흘러 충전이 이루어지기 때문에 충전 및 방전 FET은 서로의 동작에 영향을 미치지 않는다.
한편, 이러한 배터리 보호회로는 온도가 변하면 충전 및 방전 스위치로 사용되는 전력 MOSFET의 온-저항(Ron)이 변하게 되어 과전류의 검출 전류를 변화시키게 된다. 온도 변화에 일정한 과전류의 검출을 위해서 배터리 보호회로의 외부에 션트저항(shunt resistor)을 추가하여 과전류를 검출하는 방법이 있다.
그러나, 션트저항을 사용하면 반드시 외부에 연결되어야 하므로 배터리 보호회로 내부에 집적하기 어렵다.
대한민국 공개특허공보 제10-2013-0063804호(공개일 2013.06.17.)
따라서, 본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 본 발명의 목적은 기본적인 과충전, 과방전, 충전 과전류 및 방전 과전류 검출기능에 추가적으로 PTAT(Proportional To Absolute Temperature)와 CTAT(Complementary To Absolute Temperature) 전류를 생성하는 온도보상회로를 보호회로 내부에 집적하여 온도 변화에 대응하여 일정하게 유지된 과전류를 검출할 수 있도록 하는 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로를 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 과충전 전압 검출기, 과방전 전압 검출기, 충전 과전류 검출기 및 방전 과전류 검출기를 포함하는 배터리 보호회로로서, 상기 충전 과전류 검출기 및 방전 과전류 검출기에 접속되어 충전 상태와 방전 상태를 검출하는 충전 및 방전 검출기; 온도에 비례하거나 반비례하여 일정하게 유지되는 전류(PTAT, CTAT)를 생성하는 온도보상회로; 및 상기 충전 상태와 방전 상태에 대응하여 상기 온도보상회로로부터 출력되는 전류(PTAT, CTAT)를 선택하여 과전류 검출단으로 공급하는 선택기를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 선택기는, 충전시 온도에 비례하는 전류(PTAT)를 상기 과전류 검출단으로 공급하고, 방전시 온도에 반비례하는 전류(CTAT)를 상기 과전류 검출단으로 공급한다.
상기 온도보상회로는, 충전시 온도가 증가할수록 상기 과전류 검출단의 감소된 전압을 보상하는 PTAT 전류 생성부; 및 방전시 온도가 증가할수록 상기 과전류 검출단의 증가된 전압을 보상하는 CTAT 전류 생성부를 포함한다.
상기 PTAT 전류 생성부는, 소스단자에 공급전원이 인가되는 제1P채널 MOSFET; 소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자 및 드레인단자에 상기 제1P채널 MOSFET의 게이트단자가 접속되는 제2P채널 MOSFET; 소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자에 상기 제1P채널 MOSFET의 게이트단자와 상기 제2P채널 MOSFET의 게이트단자 및 드레인단자가 접속되는 제3P채널 MOSFET; 소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자에 상기 제1P채널 MOSFET 내지 제3P채널 MOSFET의 게이트단자와 제2P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 드레인단자로 PTAT 전류를 출력하는 제4P채널 MOSFET; 드레인단자 및 게이트단자에 상기 제1P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 소스단자는 접지되는 제1N채널 MOSFET; 게이트단자에 상기 제1P채널 MOSFET의 드레인단자와 상기 제1N채널 MOSFET의 드레인단자 및 게이트단자가 접속되며, 드레인단자에 상기 제1P채널 MOSFET 내지 제4P채널 MOSFET의 게이트단자와 상기 제2P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되는 제2N채널 MOSFET; 일단에 상기 제2N채널 MOSFET의 소스단자가 접속되고, 타단은 접지되는 제1저항(R4); 및 게이드단자 및 드레인단자에 상기 제3P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 소스단자는 접지되는 제3N채널 MOSFET를 포함한다.
상기 CTAT 전류 생성부는, 소스단자에 공급전원이 인가되는 제5P채널 MOSFET; 소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자 및 드레인단자에 상기 제5P채널 MOSFET의 게이트단자가 접속되는 제6P채널 MOSFET; 소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자에 상기 제5P채널 MOSFET의 게이트단자와 상기 제6P채널 MOSFET의 게이트단자 및 드레인단자가 접속되며, 드레인단자로 CTAT 전류를 출력하는 제7P채널 MOSFET; 드레인단자에 상기 제5P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 소스단자는 접지되는 제4N채널 MOSFET; 드레인단자에 상기 제5P채널 MOSFET 내지 제7P채널 MOSFET의 게이트단자와 상기 제6P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 게이트단자에 상기 제5P채널 MOSFET의 드레인단자 및 상기 제4N채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 소스단자에 상기 제4N채널 MOSFET의 게이트단자가 접속되는 제5N채널 MOSFET; 및 일단에 상기 제4N채널 MOSFET의 게이트단자 및 상기 제5N채널 MOSFET의 소스단자가 접속되고, 타단은 접지되는 제2저항(R5)을 포함한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로에 따르면, 배터리 보호회로의 칩 내부에 집적할 수 있다는 장점이 있다.
또한 본 발명에 따르면, 온도 변화에도 일정한 과전류를 검출할 수 있으므로 배터리 보호회로의 안정성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 기존의 배터리 보호회로이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 온도보상회로도이다.
도 4 및 도 5는 온도 변화에 따른 검출 과전류 변화 특성 - 성능 비교 그래프이다.
본 발명은, 과충전, 과방전, 충전 과전류 및 방전 과전류 검출 기능을 가지며, 과전류 검출 기능이 온도 변화에 대응하여 일정하게 유지되는 배터리 보호회로에 관한 것으로서, 과전류 검출 기능이 온도변화에 일정하기 위해서 배터리의 상태를 검출하기 위한 충전 및 방전 검출기와, 충전 및 방전 검출기의 상태를 입력받아 온도보상회로를 제어하는 선택기와, 온도보상회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 충전 및 방전 검출기와 선택기 및 온도보상회로를 포함하는 배터리 보호회로는, 충전 및 방전 검출기에 의해서 충전 상태와 방전 상태를 검출하여 충전시 선택기에서 온도보상회로의 PTAT(Proportional To Absolute Temperature) 전류를 과전류 검출단(V-)으로 흘려주고, 방전시 선택기에서 온도보상회로의 CTAT(Complementary To Absolute Temperature) 전류를 과전류 검출단(V-)으로 흘려주는 기능을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 온도보상회로는, N채널 MOSFET의 다이오드 연결을 이용하여 PTAT 전류를 생성하고, N채널 MOSFET의 문턱전압 이하 영역의 동작을 이용하여 CTAT 전류 생성하는 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로는, 과충전 및 과방전 검출단(VDD)과 접지단(VSS) 사이에 형성된 저항들 사이의 전압이 반전단자에 입력되고, 제1기준전압이 비반전단자에 입력되는 과충전 전압 검출기(Over Charge Detector, OCD)와, 과충전 및 과방전 검출단(VDD)과 접지단(VSS) 사이에 형성된 저항들 사이의 전압이 비반전단자에 입력되고, 제2기준전압이 반전단자에 입력되는 과방전 전압 검출기(Over Discharge Detector, ODD)와,
과충전 전압 검출기(OCD) 및 과방전 전압 검출기(ODD)와 과전류 검출단(V-) 사이에 형성된 저항(R3)과 과전류 검출단(V-) 사이의 접점이 바반전단자에 접속되고, 제3기준전압이 반전단자에 입력되는 충전 과전류 검출기(Charging Overcurrent Detector, COD)와, 과충전 전압 검출기(OCD) 및 과방전 전압 검출기(ODD)와 과전류 검출단(V-) 사이에 형성된 저항(R3)과 과전류 검출단(V-) 사이의 접점이 반전단자에 접속되고, 제4기준전압이 비반전단자에 입력되는 방전 과전류 검출기(Discharging Overcurrent Detector, DOD)와, 과충전 전압 검출기(OCD)와 충전 과전류 검출기(COD)로부터 출력된 신호를 로직처리하는 제1로직회로(10)와, 과방전 전압 검출기(ODD)와 방전 과전류 검출기(DOD)로부터 출력된 신호를 로직처리하는 제2로직회로(20)와, 제1로직회로(10)로부터 출력된 신호를 입력받아 충전 FET 제어단(COUT)으로 구동신호를 출력하는 제1구동회로(30)와, 제2로직회로(20)로부터 출력된 신호를 입력받아 방전 FET 제어단(DOUT)으로 구동신호를 출력하는 제2구동회로(40)와, 충전 과전류 검출기(COD) 및 방전 과전류 검출기(DOD)와 과전류 검출단(V-) 사이에 접속된 충전 및 방전 검출기(Charge or Discharge Detector, 50)와, 충전 및 방전 검출기(50)의 출력에 대응하여 PTAT 전류 또는 CTAT 전류를 과전류 검출단(V-)으로 인가하는 선택기(Selector, 60)와, PTAT 전류 또는 CTAT 전류를 출력하는 온도보상회로(Temp. Compensation Circuit, 70)를 포함한다.
이 때, 과충전 전압 검출기(OCD), 과방전 전압 검출기(ODD), 충전 과전류 검출기(COD), 방전 과전류 검출기(DOD)는 비교기이며, 이 비교기의 출력을 이용하여 로직회로 및 구동회로를 통해 충전 및 방전 FET을 제어한다.
한편, 충전 및 방전 검출기(50)에서는 배터리의 상태를 확인하여 선택기(60)의 동작을 결정한다. 충전시에는 선택기(60)에서 제안하는 온도보상회로(70)의 PTAT 전류를 과전류 검출단(V-)으로 흘려주고, 방전시에는 CTAT 전류를 과전류 검출단(V-)으로 흘려주어 온도 변화에도 과전류 검출단(V-)의 전압을 일정하게 유지시킨다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 온도보상회로도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 온도보상회로(70)는, 충전시 온도가 증가할수록 과전류 검출단(V-)의 감소된 전압을 보상하는 PTAT 전류 생성부와 방전시 온도가 증가할수록 과전류 검출단(V-)의 증가된 전압을 보상하는 CTAT 전류 생성부를 포함한다.
PTAT 전류 생성부는, 소스단자에 공급전원이 인가되는 제1P채널 MOSFET(MP1)과, 소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자 및 드레인단자에 제1P채널 MOSFET(MP1)의 게이트단자가 접속되는 제2P채널 MOSFET(MP2)과, 소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자에 제1P채널 MOSFET(MP1)의 게이트단자와 제2P채널 MOSFET(MP2)의 게이트단자 및 드레인단자가 접속되는 제3P채널 MOSFET(MP3)과, 소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자에 제1P채널 MOSFET(MP1) 내지 제3P채널 MOSFET(MP3)의 게이트단자와 제2P채널 MOSFET(MP2)의 드레인단자가 접속되며, 드레인단자로 PTAT 전류를 출력하는 제4P채널 MOSFET(MP4); 드레인단자 및 게이트단자에 제1P채널 MOSFET(MP1)의 드레인단자가 접속되며, 소스단자는 접지되는 제1N채널 MOSFET(MN1)과, 게이트단자에 제1P채널 MOSFET(MP1)의 드레인단자와 제1N채널 MOSFET(MN1)의 드레인단자 및 게이트단자가 접속되며, 드레인단자에 제1P채널 MOSFET(MP1) 내지 제4P채널 MOSFET(MP4)의 게이트단자와 제2P채널 MOSFET(MP2)의 드레인단자가 접속되는 제2N채널 MOSFET(MN2)과, 일단에 제2N채널 MOSFET(MN2)의 소스단자가 접속되고, 타단은 접지되는 제1저항(R4)과, 게이드단자 및 드레인단자에 제3P채널 MOSFET(MP3)의 드레인단자가 접속되며, 소스단자는 접지되는 제3N채널 MOSFET(MN3)를 포함한다.
CTAT 전류 생성부는, 소스단자에 공급전원이 인가되는 제5P채널 MOSFET(MP5)과, 소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자 및 드레인단자에 제5P채널 MOSFET(MP5)의 게이트단자가 접속되는 제6P채널 MOSFET(MP6)과, 소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자에 제5P채널 MOSFET(MP5)의 게이트단자와 제6P채널 MOSFET(MP6)의 게이트단자 및 드레인단자가 접속되며, 드레인단자로 CTAT 전류를 출력하는 제7P채널 MOSFET(MP7)과, 드레인단자에 제5P채널 MOSFET(MP5)의 드레인단자가 접속되며, 소스단자는 접지되는 제4N채널 MOSFET(MN4)과, 드레인단자에 제5P채널 MOSFET(MP5) 내지 제7P채널 MOSFET(MP7)의 게이트단자와 제6P채널 MOSFET(MP6)의 드레인단자가 접속되며, 게이트단자에 제5P채널 MOSFET(MP5)의 드레인단자 및 제4N채널 MOSFET(MN4)의 드레인단자가 접속되며, 소스단자에 제4N채널 MOSFET(MN4)의 게이트단자가 접속되는 제5N채널 MOSFET(MN5)과, 일단에 제4N채널 MOSFET(MN4)의 게이트단자 및 제5N채널 MOSFET(MN5)의 소스단자가 접속되고, 타단은 접지되는 제2저항(R5)을 포함한다.
여기서, PTAT 전류의 생성 원리는 N채널 MOSFET의 다이오드 연결을 이용한다. 다이오드 연결된 제3N채널 MOSFET(MN3)에 흐르는 드레인 전류는 다음 [수학식 1]과 같다.
Figure 112014049652106-pat00001
상기의 [수학식 1]에서
Figure 112014049652106-pat00002
는 양의 상수이며, 제3N채널 MOSFET(MN3)의 드레인에는 온도에 비례하는 PTAT 전류가 흐른다. 또한, 제3P채널 MOSFET(MP3)과 제4N채널 MOSFET(MN4)는 전류거울 구조이기 때문에 제3P채널 MOSFET(MP3)과 제4P채널 MOSFET(MP4)의 채널 W/L(Width/Length) 비율에 비례하는 PTAT 전류가 생성된다.
CTAT 전류의 생성 원리는 N채널 MOSFET의 문턱전압 이하 영역(Subthreshold Region)을 이용한다. 문턱전압 이하 영역에서 동작하는 제4N채널 MOSFET(MN4)에 흐르는 드레인 전류는 다음 [수학식 2]와 같다.
Figure 112014049652106-pat00003
상기의 [수학식 2]에서
Figure 112014049652106-pat00004
는 열 전압이고,
Figure 112014049652106-pat00005
는 1보다 큰 비이상적인 인자(Nonideality Factor)이다. 제4N채널 MOSFET(MN4)의 드레인에는 온도에 반비례하는 CTAT 전류가 흐르고, 제4N채널 MOSFET(MN4)의 게이트-소스 전압은
Figure 112014049652106-pat00006
가 되며,
Figure 112014049652106-pat00007
는 음수이기 때문에 온도에 반비례한다. 따라서 제2저항(R5)에는 제4N채널 MOSFET(MN4)의 온도에 반비례하는 게이트-소스 전압이 걸리기 때문에 저항에 흐르는 전류역시 반비례하게 된다. 또한, 제6P채널 MOSFET(MP6)과 제7P채널 MOSFET(MP7)은 전류거울 구조이기 때문에 제6P채널 MOSFET(MP6)과 제7P채널 MOSFET(MP7)의 채널 W/L 비율에 비례하는 CTAT 전류가 생성된다.
도 4 및 도 5는 온도 변화에 따른 검출 과전류 변화 특성 - 성능 비교 그래프이다.
도 4 및 도 5는 온도 변화에 따른 충전 및 방전 과전류 검출 전류의 변화로서, 충전 전류가 흐를 때는 온도보상회로(70)가 과전류 검출단(V-)으로 PTAT 전류를 흘려주고, 방전 전류가 흐를 때는 온도보상회로(70)가 과전류 검출단(V-)으로 CTAT 전류를 흘려주어 온도 변화에 따른 과전류 검출단(V-)의 전압 변화를 보상해 준다. 온도가 -40℃ ∼ 80℃까지 변할 때, 온도보상회로(70)를 사용한 배터리 보호회로의 충전(Pro. COD) 및 방전 과검출 전류(Pro. DOD)의 변화는 온도보상회로(70)가 없는 배터리 보호회로(Conv. COD, Conv. DOD)에 비해서 일정한 것을 확인할 수 있다.
이상에서 몇 가지 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것이 아니고 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다.
50 : 충전 및 방전 검출기
60 : 선택기
70 : 온도보상회로

Claims (5)

  1. 과충전 전압 검출기, 과방전 전압 검출기, 충전 과전류 검출기 및 방전 과전류 검출기를 포함하는 배터리 보호회로로서,
    상기 충전 과전류 검출기 및 방전 과전류 검출기에 접속되어 충전 상태와 방전 상태를 검출하는 충전 및 방전 검출기;
    온도에 비례하거나 반비례하여 일정하게 유지되는 전류(PTAT, CTAT)를 생성하는 온도보상회로; 및
    상기 충전 상태와 방전 상태에 대응하여 상기 온도보상회로로부터 출력되는 전류(PTAT, CTAT)를 선택하여 과전류 검출단으로 공급하는 선택기를 포함하며,

    상기 온도보상회로는 충전시 온도가 증가할수록 상기 과전류 검출단의 감소된 전압을 보상하는 PTAT 전류 생성부를 포함하며,

    상기 PTAT 전류 생성부는,
    소스단자에 공급전원이 인가되는 제1P채널 MOSFET;
    소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자 및 드레인단자에 상기 제1P채널 MOSFET의 게이트단자가 접속되는 제2P채널 MOSFET;
    소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자에 상기 제1P채널 MOSFET의 게이트단자와 상기 제2P채널 MOSFET의 게이트단자 및 드레인단자가 접속되는 제3P채널 MOSFET;
    소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자에 상기 제1P채널 MOSFET 내지 제3P채널 MOSFET의 게이트단자와 제2P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 드레인단자로 PTAT 전류를 출력하는 제4P채널 MOSFET;
    드레인단자 및 게이트단자에 상기 제1P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 소스단자는 접지되는 제1N채널 MOSFET;
    게이트단자에 상기 제1P채널 MOSFET의 드레인단자와 상기 제1N채널 MOSFET의 드레인단자 및 게이트단자가 접속되며, 드레인단자에 상기 제1P채널 MOSFET 내지 제4P채널 MOSFET의 게이트단자와 상기 제2P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되는 제2N채널 MOSFET;
    일단에 상기 제2N채널 MOSFET의 소스단자가 접속되고, 타단은 접지되는 제1저항(R4); 및
    게이드단자 및 드레인단자에 상기 제3P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 소스단자는 접지되는 제3N채널 MOSFET를 포함하는 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로.
  2. 과충전 전압 검출기, 과방전 전압 검출기, 충전 과전류 검출기 및 방전 과전류 검출기를 포함하는 배터리 보호회로로서,
    상기 충전 과전류 검출기 및 방전 과전류 검출기에 접속되어 충전 상태와 방전 상태를 검출하는 충전 및 방전 검출기;
    온도에 비례하거나 반비례하여 일정하게 유지되는 전류(PTAT, CTAT)를 생성하는 온도보상회로; 및
    상기 충전 상태와 방전 상태에 대응하여 상기 온도보상회로로부터 출력되는 전류(PTAT, CTAT)를 선택하여 과전류 검출단으로 공급하는 선택기를 포함하며,

    상기 온도보상회로는 방전시 온도가 증가할수록 상기 과전류 검출단의 증가된 전압을 보상하는 CTAT 전류 생성부를 포함하며,

    상기 CTAT 전류 생성부는,
    소스단자에 공급전원이 인가되는 제5P채널 MOSFET;
    소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자 및 드레인단자에 상기 제5P채널 MOSFET의 게이트단자가 접속되는 제6P채널 MOSFET;
    소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자에 상기 제5P채널 MOSFET의 게이트단자와 상기 제6P채널 MOSFET의 게이트단자 및 드레인단자가 접속되며, 드레인단자로 CTAT 전류를 출력하는 제7P채널 MOSFET;
    드레인단자에 상기 제5P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 소스단자는 접지되는 제4N채널 MOSFET;
    드레인단자에 상기 제5P채널 MOSFET 내지 제7P채널 MOSFET의 게이트단자와 상기 제6P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 게이트단자에 상기 제5P채널 MOSFET의 드레인단자 및 상기 제4N채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 소스단자에 상기 제4N채널 MOSFET의 게이트단자가 접속되는 제5N채널 MOSFET; 및
    일단에 상기 제4N채널 MOSFET의 게이트단자 및 상기 제5N채널 MOSFET의 소스단자가 접속되고, 타단은 접지되는 제2저항(R5)을 포함하는 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 선택기는, 충전시 온도에 비례하는 전류(PTAT)를 상기 과전류 검출단으로 공급하고, 방전시 온도에 반비례하는 전류(CTAT)를 상기 과전류 검출단으로 공급하는 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로.
  4. 삭제
  5. 삭제
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